JP2020178044A - 半導体装置、半導体装置の実装構造、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
複数個の電極パッドを備えた半導体装置であって、
複数個の前記電極パッドそれぞれの上にバンプを有し、
前記バンプは、前記電極パッド側から順にテーパ部、応力緩和部及び柱状部を有し、
前記応力緩和部は、底面積が上面積よりも大きく、且つ、斜面が内側に湾曲した円錐台形状を呈する、
半導体装置である。
上記の半導体装置と、
当該半導体装置と対向するように配設され、複数個の基板側電極パッドを有する回路基板と、備え、
前記半導体装置の複数個の前記電極パッドと前記回路基板の複数個の前記基板側電極パッドとが、それぞれ、前記バンプを介して接続されている、
半導体装置の実装構造。
複数個の電極パッドを備えた半導体装置の製造方法であって、
複数個の前記電極パッド上を覆うようにシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層上を覆うレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストの複数個の前記電極パッドが形成されている領域に対して、前記レジストの上面側からナノインプリント型を押し当て、前記レジストに前記電極パッドに未到達の複数個の開口部を形成するレジスト開口工程と、
前記レジストに対して、前記レジストの上面側から光エネルギーを与えた後、熱処理を施して、前記レジストを硬化させるレジスト硬化工程と、
前記レジストを現像液と反応させて、前記電極パッド側に向かうに連れて前記開口部の開口幅が拡がるように、前記開口部を前記電極パッドまで到達させる現像工程と、
前記開口部内に金属を充填して、バンプを形成する金属充填工程と、
前記レジストを剥離する剥離工程と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記バンプは、前記電極パッド側から順にテーパ部、応力緩和部及び柱状部を有し、
前記応力緩和部は、底面積が上面積よりも大きく、且つ、斜面が内側に湾曲した円錐台形状を呈する、
半導体装置の製造方法である。
<半導体装置の構造>
図1A、図1Bは、実施の形態1に係る半導体装置Uの構造を説明する断面図である。
図2A〜図2Jは、実施の形態1に係る半導体装置Uの製造方法を説明する断面図である。
図3A〜図3Dは、図2Eに示す現像工程を詳述した半導体装置Uの断面図の概念図である。
図4A、図4Bは、半導体装置Uのバンプ5の拡大図である。図4Aは、実装前の半導体装置Uの状態を示しており、図4Bは、実装後の半導体装置Uの状態を示している。
テーパ部5aは、シード層4上に設けられる。テーパ部5aは、底面積が上面積よりも大きい円錐台形状を呈している。テーパ部5aがあることにより、バンプ5とシード層4との剪断強度を大きくする効果がある。
応力緩和部5bは、当該応力緩和部5bの底面がテーパ部5aと密着し、当該応力緩和部5bの上面が柱状部5cと密着するように、設けられている。
柱状部5cは、応力緩和部5bの上面と密着するように設けられ、応力緩和部の上面から上方に立設する円柱形状を呈する、柱状部5cの直径は、応力緩和部5bの上面径D1と略同一の直径であり、柱状部5cは、高さ方向に向かって当該径D1で形成されている。尚、柱状部5cの直径は、テーパ部5aの上面径(即ち、応力緩和部5bの底面径D2)よりも小さい。柱状部5cの形状は、例えば、円柱形状に代えて、多角形柱形状又は楕円柱形状であってもよい。
以上のように、実施の形態1によれば、回路基板Bの表面上に形成された脆弱な絶縁層10を破壊することなく、半導体装置Uを回路基板Bに実装することが可能である。これによって、製造歩留まりを向上することが可能になる。
実施の形態2は、バンプ5の先端に半球ドーム状の半球部5dを備える点で実施の形態1とは異なる。説明しない事項は実施の形態1と同様である。
図5A、図5Bは、実施の形態2に係る半導体装置Uの構造を説明する断面図である。図5Aは、実装前の半導体装置Uの構造を示し、図5Bは、実装後の半導体装置Uの構造を示している。
図6A〜図6Jは、実施の形態2に係る半導体装置Uの製造方法を説明する断面図である。
以上のように、実施の形態2によれば、半導体装置Uを回路基板Bに実装する際、回路基板Bの表面上に形成された絶縁層10に対して作用する応力をより一層緩和することが可能である。これによって、製造歩留まりを向上することが可能になる。
1 装置本体
2 電極パッド
3 絶縁膜
4 シード層
5、5’ バンプ
5a、5a’ テーパ部
5b、5b’ 応力緩和部
5c、5c’ 柱状部
5d、5d’ 半球部
B 回路基板
6 基板本体
7 電極パッド(基板側電極パッド)
8 レジスト
8a、8b、8c 開口部
9 ナノインプリント型
9a 突起部
10 絶縁層
11 封止樹脂
Claims (9)
- 複数個の電極パッドを備えた半導体装置であって、
複数個の前記電極パッドそれぞれの上にバンプを有し、
前記バンプは、前記電極パッド側から順にテーパ部、応力緩和部及び柱状部を有し、
前記応力緩和部は、底面積が上面積よりも大きく、且つ、斜面が内側に湾曲した円錐台形状を呈する、
半導体装置。 - 前記テーパ部は、底面積が上面積よりも大きい円錐台形状を呈する、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記応力緩和部は、横方向に膨出した形状を呈する、
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記応力緩和部の高さは、前記バンプ全体の高さの1/2以上である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記柱状部は、前記応力緩和部の上面から上方に立設する円柱形状を呈する、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記バンプは、前記柱状部の先端に半球部を有する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半球部の直径は、前記柱状部の直径よりも大きい、
請求項6に記載の半導体装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置と、
当該半導体装置と対向するように配設され、複数個の基板側電極パッドを有する回路基板と、備え、
前記半導体装置の複数個の前記電極パッドと前記回路基板の複数個の前記基板側電極パッドとが、それぞれ、前記バンプを介して接続されている、
半導体装置の実装構造。 - 複数個の電極パッドを備えた半導体装置の製造方法であって、
複数個の前記電極パッド上を覆うようにシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層上を覆うレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストの複数個の前記電極パッドが形成されている領域に対して、前記レジストの上面側からナノインプリント型を押し当て、前記レジストに前記電極パッドに未到達の複数個の開口部を形成するレジスト開口工程と、
前記レジストに対して、前記レジストの上面側から光エネルギーを与えた後、熱処理を施して、前記レジストを硬化させるレジスト硬化工程と、
前記レジストを現像液と反応させて、前記電極パッド側に向かうに連れて前記開口部の開口幅が拡がるように、前記開口部を前記電極パッドまで到達させる現像工程と、
前記開口部内に金属を充填して、バンプを形成する金属充填工程と、
前記レジストを剥離する剥離工程と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記バンプは、前記電極パッド側から順にテーパ部、応力緩和部及び柱状部を有し、
前記応力緩和部は、底面積が上面積よりも大きく、且つ、斜面が内側に湾曲した円錐台形状を呈する、
半導体装置の製造方法。
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