JP2020155536A5 - - Google Patents
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Description
上記目的を達成するために本開示は、
第1半導体素子(11)と、
第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
第1半導体素子と第2半導体素子の両方に対向配置され、第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
第1金属板との間に第1半導体素子が配置された状態で、第1金属板と対向配置され、第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
第1金属板との間に第2半導体素子が配置された状態で、第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
第2半導体素子は、第3金属板側の電極が第3金属板と電気的に接続され、第1金属板側の電極が第1金属板と電気的に接続され、
第1半導体素子は、第2金属板側の電極が第2金属板と電気的に接続され、第1金属板側の電極が第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
第1半導体素子、第2半導体素子、第1金属板、第2金属板、第3金属板を覆う封止樹脂部(20、202、206、208)を備えており、
第1金属板は、第1半導体素子及び第2半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出し、
第2金属板は、第1半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出し、
第3金属板は、第2半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出している半導体装置。
第1半導体素子(11)と、
第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
第1半導体素子と第2半導体素子の両方に対向配置され、第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
第1金属板との間に第1半導体素子が配置された状態で、第1金属板と対向配置され、第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
第1金属板との間に第2半導体素子が配置された状態で、第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
第2半導体素子は、第3金属板側の電極が第3金属板と電気的に接続され、第1金属板側の電極が第1金属板と電気的に接続され、
第1半導体素子は、第2金属板側の電極が第2金属板と電気的に接続され、第1金属板側の電極が第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
第1半導体素子、第2半導体素子、第1金属板、第2金属板、第3金属板を覆う封止樹脂部(20、202、206、208)を備えており、
第1金属板は、第1半導体素子及び第2半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出し、
第2金属板は、第1半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出し、
第3金属板は、第2半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出している半導体装置。
Claims (15)
- 第1半導体素子(11)と、
前記第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
前記第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置され、前記第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
前記第1金属板との間に前記第1半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置され、前記第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
前記第1金属板との間に前記第2半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
前記第2半導体素子は、前記第3金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第1金属板と電気的に接続され、
前記第1半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって前記第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
前記第1半導体素子、前記第2半導体素子、前記第1金属板、前記第2金属板、前記第3金属板を覆う封止樹脂部(20、202、206、208)を備えており、
前記第1金属板は、前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第2金属板は、前記第1半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第3金属板は、前記第2半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出している半導体装置。 - 前記第1端子は、前記第2半導体素子よりも前記第1半導体素子側に偏った位置に配置され、
前記第2端子は、前記第1端子と対向配置されている請求項1に記載の半導体装置。 - 第1半導体素子(11)と、
前記第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(315、317)と、
前記第1端子との間で電流が流れる第2端子(415、417)と、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置され、前記第1端子と電気的に接続された第1金属板(30、307)と、
前記第1金属板との間に前記第1半導体素子と前記第2半導体素子が配置された状態で、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置された第2金属板(70)と、を備え、
前記第1半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第1金属板と電気的に接続されるとともに、前記第1金属板を介して前記第1端子と電気的に接続され、
前記第2半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第2端子と電気的に接続され、且つ、絶縁体(515、207a、209a)によって前記第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続された半導体装置。 - 前記第1半導体素子、前記第2半導体素子、前記第1金属板、前記第2金属板を覆う封止樹脂部(207、209)を備えており、
前記第1金属板と前記第2金属板は、前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出している請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第2端子は、前記第1半導体素子よりも前記第2半導体素子側に偏った位置で前記第1端子と対向配置されている請求項3又は4に記載の半導体装置。
- 絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(50、503、504、505)を備えており、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第1端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第2端子を含んでいる請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(60、503、504、505)を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでいる請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(503、504、505)を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでおり、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第1端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第2端子を含んでいる請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1半導体素子(11)と、
前記第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
前記第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置され、前記第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
前記第1金属板との間に前記第1半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置され、前記第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
前記第1金属板との間に前記第2半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
前記第2半導体素子は、前記第3金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第1金属板と電気的に接続され、
前記第1半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって前記第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(60、503、504、505)を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでいる半導体装置。 - 第1半導体素子(11)と、
前記第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
前記第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置され、前記第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
前記第1金属板との間に前記第1半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置され、前記第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
前記第1金属板との間に前記第2半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
前記第2半導体素子は、前記第3金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第1金属板と電気的に接続され、
前記第1半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって前記第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(503、504、505)を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでおり、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第1端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第2端子を含んでいる半導体装置。 - 前記絶縁配線基板は、前記絶縁板に貫通穴が形成されており、
前記表裏面の前記金属体は、前記貫通穴を介して電気的に接続されている請求項7乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 信号端子(S1、S2)を備えており、
前記金属体は、前記信号端子と電気的に接続された信号用金属体(524)を含んでいる請求項7乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1半導体素子(11)と、
前記第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
前記第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置され、前記第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
前記第1金属板との間に前記第1半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置され、前記第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
前記第1金属板との間に前記第2半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
前記第2半導体素子は、前記第3金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第1金属板と電気的に接続され、
前記第1半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって前記第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(50、503、504、505)を備えており、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第1端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第2端子を含んでいる半導体装置。 - 第1半導体素子(11)と、
前記第1半導体素子と直列接続された第2半導体素子(12)と、
第1端子(31、312、313)と、
前記第1端子との間で電流が流れる第2端子(41、412、413、414)と、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の両方に対向配置され、前記第2端子と電気的に接続された第1金属板(40、402)と、
前記第1金属板との間に前記第1半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置され、前記第1端子と電気的に接続された第2金属板(30、302)と、
前記第1金属板との間に前記第2半導体素子が配置された状態で、前記第1金属板と対向配置された第3金属板(70)と、を備え、
前記第2半導体素子は、前記第3金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第1金属板と電気的に接続され、
前記第1半導体素子は、前記第2金属板側の電極が前記第2金属板と電気的に接続され、前記第1金属板側の電極が前記第3金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体(61、513、514、206a、208a)によって前記第1金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板(60、504)を備えており、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第1半導体素子における前記第1金属板側の電極と前記第3金属板とを電気的に接続する接続部(62、62a)を含んでおり、
前記接続部は、前記第1金属板側の電極と対向する対向部、及び前記第3金属板と対向する対向部との間が、両対向部よりも窪んだ凹部を含んでいる半導体装置。 - 前記第1半導体素子、前記第2半導体素子、前記第1金属板、前記第2金属板、前記第3金属板を覆う封止樹脂部(20、202、206、208)を備えており、
前記第1金属板は、前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第2金属板は、前記第1半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第3金属板は、前記第2半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出している請求項14に記載の半導体装置。
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