JP2020155496A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 372
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 179
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 179
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 155
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 122
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 84
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 61
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 113
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 49
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- -1 for example Polymers 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Abstract
Description
基板を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記基板を加熱する基板加熱部と、
硬化した熱可塑性樹脂を保持し、保持した前記熱可塑性樹脂を、前記テーブルにより支持され前記基板加熱部により加熱された前記基板の外周端部に接触させつつ、前記基板に対して相対移動する供給ヘッドと、
を備える。
基板をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記基板を基板加熱部により加熱する工程と、
前記テーブルにより支持され前記基板加熱部により加熱された前記基板の外周端部に、硬化した熱可塑性樹脂を供給ヘッドにより保持して接触させつつ、前記基板に対して前記供給ヘッドを相対移動させる工程と、
を有する。
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置10は、処理室20と、テーブル30と、基板加熱部40と、テーブル回転機構50と、樹脂供給部60と、樹脂洗浄部70と、樹脂成形部80と、制御部90とを備えている。
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程において制御部90が各部の動作を制御する。
前述の供給ヘッド61による樹脂塗布の例を第1の例とし、樹脂塗布の他の例として第2の例及び第3の例について説明する。
前述の説明においては、硬化状態の熱可塑性樹脂B1aを剥離する際、供給ヘッド61が保持する樹脂材B1の先端部分を基板W上の軟化状態の熱可塑性樹脂B1aの一部に接触させ、その状態で基板W上の軟化状態の熱可塑性樹脂B1aを硬化させ、樹脂材B1の先端部分と基板W上の熱可塑性樹脂B1aの一部とを固着させることを例示したが、これに限るものではない。例えば、図17に示すように、供給ヘッド61に発熱体61aを設け、この発熱体61aにより樹脂材B1の先端部分を軟化させて基板W上の硬化状態の熱可塑性樹脂B1aの一部に接触させ、その状態で軟化状態の樹脂材B1の先端部分を硬化させ、樹脂材B1の先端部分と基板W上の熱可塑性樹脂B1aの一部とを固着させるようにしても良い。なお、発熱体61aは、供給ヘッド61の先端面に設けられており、発熱により樹脂材B1の一部を軟化させる樹脂加熱部として機能する。この発熱体61aとしては、例えば、ニクロム線などの電熱線が用いられる。発熱体61aは制御部90に電気的に接続されており、その駆動は制御部90により制御される。なお、供給ヘッド61が、スプリング(不図示)を介して回転機構62eに支持されている点は、図1を用いて説明した実施形態と同様である。また、前述の塗布工程において、図17に示すように、樹脂材B1は徐々に減少し、樹脂材B1の先端面(図17中の下面)と発熱体61aとの垂直離間距離は短くなっていくが、塗布が完了しても、発熱体61aは樹脂材B1の先端面から露出せず、その先端面に近い位置に存在する(図17の右図参照)。すなわち、樹脂材B1は、塗布完了後でも発熱体61aが樹脂材B1の先端面から露出せずにその先端面に近い位置に存在するように形成されている。
30 テーブル
40 基板加熱部
61 供給ヘッド
70 樹脂洗浄部
80 樹脂成形部
A1 基板の外周端部
A1a 基板の上面の外周領域
A1b 基板の外周面
B1 樹脂材
B1a 熱可塑性樹脂
W 基板
Claims (16)
- 基板を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記基板を加熱する基板加熱部と、
硬化した熱可塑性樹脂を保持し、保持した前記熱可塑性樹脂を、前記テーブルにより支持され前記基板加熱部により加熱された前記基板の外周端部に接触させつつ、前記基板に対して相対移動する供給ヘッドと、
を備える基板処理装置。 - 前記基板加熱部は、環状に形成されており、前記テーブルにより支持された前記基板の外周端部を加熱する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記供給ヘッドは、前記テーブルにより支持された前記基板の外周面及び前記テーブルにより支持された前記基板の上面の外周領域のどちらか一方又は両方に、硬化した前記熱可塑性樹脂を接触させる請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記供給ヘッドは、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記供給ヘッドは、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂の一部に付着して移動し、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離する請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記供給ヘッドは、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂の一部に付着して回転し、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離する請求項4又は請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記供給ヘッドにより剥離された前記熱可塑性樹脂を加熱して成形する樹脂成形部を備える請求項4から請求項6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記供給ヘッドにより剥離された前記熱可塑性樹脂を、前記樹脂成形部により成形する前に、洗浄する樹脂洗浄部を備えることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記基板を基板加熱部により加熱する工程と、
前記テーブルにより支持され前記基板加熱部により加熱された前記基板の外周端部に、硬化した熱可塑性樹脂を供給ヘッドにより保持して接触させつつ、前記基板に対して前記供給ヘッドを相対移動させる工程と、
を有する基板処理方法。 - 前記基板加熱部は、環状に形成されており、前記テーブルにより支持された前記基板の外周端部を加熱する請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記供給ヘッドは、前記テーブルにより支持された前記基板の外周面及び前記テーブルにより支持された前記基板の上面の外周領域のどちらか一方又は両方に、硬化した前記熱可塑性樹脂を接触させる請求項9又は請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を前記供給ヘッドにより剥離する工程を有する請求項9から請求項11のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記供給ヘッドは、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂の一部に付着して移動し、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離する請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記供給ヘッドは、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂の一部に付着して回転し、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離する請求項12又は請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記供給ヘッドにより剥離された前記熱可塑性樹脂を樹脂成形部により加熱して成形する工程を有する請求項12から請求項14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記供給ヘッドにより剥離された前記熱可塑性樹脂を、前記樹脂成形部により成形する工程の前に、樹脂洗浄部により洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする請求項15に記載の基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019050422A JP7257199B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
TW109108357A TWI753380B (zh) | 2019-03-18 | 2020-03-13 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
KR1020200032128A KR102312634B1 (ko) | 2019-03-18 | 2020-03-16 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN202010189733.XA CN111710626A (zh) | 2019-03-18 | 2020-03-18 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019050422A JP7257199B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155496A true JP2020155496A (ja) | 2020-09-24 |
JP7257199B2 JP7257199B2 (ja) | 2023-04-13 |
Family
ID=72536678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019050422A Active JP7257199B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7257199B2 (ja) |
KR (1) | KR102312634B1 (ja) |
CN (1) | CN111710626A (ja) |
TW (1) | TWI753380B (ja) |
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2019
- 2019-03-18 JP JP2019050422A patent/JP7257199B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-13 TW TW109108357A patent/TWI753380B/zh active
- 2020-03-16 KR KR1020200032128A patent/KR102312634B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-18 CN CN202010189733.XA patent/CN111710626A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111710626A (zh) | 2020-09-25 |
JP7257199B2 (ja) | 2023-04-13 |
TW202101564A (zh) | 2021-01-01 |
KR20200111111A (ko) | 2020-09-28 |
KR102312634B1 (ko) | 2021-10-15 |
TWI753380B (zh) | 2022-01-21 |
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