JP2006049869A - 基材処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ステージ10上にウェハ90を外周部が突出するようにして支持する。輻射加熱器20から熱光線をウェハ90の裏面外周部に向かって収束するように照射し、この基材裏面外周部を局所加熱する。この局所加熱された部位の近傍の反応性ガス吹出し口30bから不要膜除去のための反応性ガスを吹出す。
【選択図】図1
Description
また、特許文献2;特開平8−279494号公報には、基材の中央部をステージに載せて外周部にプラズマを上方から吹付けることが記載されている。特許文献3;特開平10−189515号公報には、基材の外周部にプラズマを下側から吹き付けることが記載されている。
特許文献5;特開2004−96086号公報には、ウェハーの外周部を裏側から赤外線ランプで輻射加熱しながら、上方から酸素ラジカルを吹付けることが記載されている。
特許文献5では、基材を裏側から赤外線ランプで輻射加熱しているが、赤外線が広範囲に放射されることにより、上記特許文献4と同様に、外周部より内側の部分までもが加熱され、そこの膜が変質するおそれがある。
(a)基材を、外周部が突出するようにして支持する支持面を有するステージと、
(b)このステージに支持された基材の裏面外周部の在るべき被処理位置から離れて配置された光源と、この光源からの熱光線を発散しないようにして前記被処理位置へ向かわせる光学系とを有する輻射加熱器と、
(c)不要物除去のための反応性ガスを供給する反応性ガス供給元に連なり反応性ガスを吹出す吹出し口を有し、この吹出し口が、前記支持面若しくはその延長面より裏側又は略前記延長面上において前記被処理位置に向かって近接して配置された反応性ガス供給手段と、
を備えたことを特徴とする。
この特徴構成によれば、基材の裏面外周部に局所的に熱光線を当てて局所加熱でき、この局所加熱した部位にその近傍から反応性ガスを吹付けることができる。これによって、当該部位の不要物を効率的に除去することができる。一方、この局所的な部位以外の基材の部分までもが加熱されるのを防止ないしは抑制できる。これによって、基材の表側面の、特に外周部より内側の部分の膜にダメージが及ぶのを防止することができる。また、輻射による非接触加熱が出来るのでパーティクル発生も防止できる。
前記収束用の光学部材としては、パラボリック反射鏡、凸レンズ、シリンドリカルレンズ等を用いることができる。これらを組み合わせてもよい。また、前記輻射加熱器の照射部に、焦点調節機構を組み込むのが望ましい。焦点は、被処理位置にぴったり合わせてもよく、多少ずらしてもよい。これにより、基材の裏面外周部に付与する輻射エネルギの密度ひいては加熱温度や照射面積(集光径、スポット径)を適切な大きさに調節することができる。この結果、処理幅の調節を行なうことができる。また、基材の外周のノッチ部やオリフラ部が前記被処理位置に来たときは、輻射加熱器の集光径(照射面積)を大きくすることにすれば、ノッチ部やオリフラ部の縁の裏側にも熱光線を当てることができ、ひいてはノッチ部やオリフラ部についても裏側に付いた膜の除去を行なうことができる。
前記導波管が、複数の光ファイバを含み、これら光ファイバが、前記光源から分岐して延び、その先端部が、前記ステージの周方向に沿って互いに離れて配置されていてもよい。これによって、基材の外周部の周方向の複数箇所に熱光線を同時に照射することができる。
同様に、前記吹出し口の形状は、点状(スポット状)であってもよく、前記ステージの周方向に沿う線状であってもよく、前記ステージの周方向の全周に沿う環状であってもよい。点状光源には点状(スポット状)吹出し口とし、線状光源には線状吹出し口とし、環状光源には環状吹出し口としてもよい。
点状吹出し口や線状吹出し口をステージの周方向に沿って複数配置してもよい。この場合、照射部と吹出し口をセットにして配置するのが望ましい。
前記輻射加熱器(特にランプ光源形式のもの)は、冷媒やファン等の輻射加熱器冷却手段にて冷却するのが望ましい。
前記旋回流形成部は、吹出し口の略接線方向に延びて吹出し口の内周面に連なるとともに吹出し口の周方向に互いに離れて複数配された旋回導孔を有し、これら旋回導孔が、吹出し口の上流側の路部分を構成していることが望ましい。
常圧プラズマ処理装置は、略常圧(大気圧近傍の圧力)下で電極間にグロー放電を形成し、プロセスガスをプラズマ化(ラジカル化、イオン化を含む)して反応性ガスにするものである。なお、本発明における「略常圧」とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調節の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、好ましくは、1.333×104〜10.664×104Paであり、より好ましくは、9.331×104〜10.397×104Paである。
1つの反応性ガス供給元からの吹出し路を分岐させて、複数の吹出し口に連ねてもよい。
吸熱手段として、例えば、ペルチェ素子を用い、その吸熱側を前記支持面に向けて支持面の近くに埋め込んでもよい。
吸熱手段は、ステージの少なくとも外周部分に設ければよく、中央部分には設けなくてもよい。
この構造は、反応性ガスを冷却すべき場合、例えば反応性ガスとしてオゾンを用いる場合等において特に有効である。
前記ステージと、前記光源及び吹出し口とは、相対移動するようになっているのが望ましい。
前記ステージが、円形ステージであり、この円形ステージが、中心軸まわりに前記光源及び吹出し口に対し相対回転するようになっているのが好ましい。これによって、光源がスポット状であっても、基材の裏面外周部の周方向に沿って不要物除去処理を行なうことができる。光源がリング状の場合でも、上記相対回転を実行することにより、処理の均一性を向上させることができる。相対回転数(相対移動速度)は、基材の裏面外周部を加熱すべき温度に応じて適宜設定する。
更に、前記ステージを前記フレームに対し中心軸まわりに相対回転させる回転駆動機構を備えるのが望ましい。フレームが固定される一方、ステージが回転してもよく、ステージが固定される一方、フレームが回転してもよい。
更に、前記ステージの支持面側(表側)とは反対の裏側部と前記フレームとの間を、相対回転を許容しつつシールするラビリンスシールを備えるのが望ましい。これによって、ステージ又はフレームを支障なく回転できるとともに、処理済み反応性ガスが、ステージの裏側とフレームの間から外に漏れるのを防止することができる。
前記吹出し口の近傍を吸引する吸引手段を備えることが望ましい。これによって、基材の裏面外周部の被処理部位の周辺から処理済みの反応性ガスを速やかに吸引排気することができる。
前記排気ノズルの吸込み口が、前記被処理位置を挟んで前記吹出し口と対向するように配置されているのが好ましい。
前記吹出し口と吸込み口は、基材の外周部の接線方向に沿って前記被処理位置を挟んで対向配置されているのが好ましい。
基材の回転方向の順方向に沿って前記吹出し口が上流側に配置され、前記吸込み口が下流側に配置されているのが好ましい。
前記吸込み口が、前記吹出し口より2〜5倍の口径を有していることが好ましい。
前記吹出し口の内径は、例えば1〜3mm程度が好ましい。これに対し、前記吸込み口の内径は、例えば2〜15mm程度が好ましい。
これによって、処理済みのガスや反応副生成物が拡散するのを抑制でき、吸込み口に確実に吸い込んで排気することができる。
ステージ10の上面すなわちウェハ90を支持する支持面10aの直径は、円形をなすウェハ90の直径より僅かに小さい。したがって、ウェハ90は、ステージ10に設置された状態においてその外周部の全周がステージ10よりも少しだけ径方向外側へ突出するようになっている。突出量は、例えば3〜5mmである。これによって、ウェハ90の裏面は、外周の狭い部分が全周にわたって露出(開放)される一方、それより内側の部分すなわち上記狭い外周部を除く裏面の大部分がステージ10の上面に当接し、覆い隠されている。
図示は省略するが、ステージ10には、真空式又は静電式の吸着チャック機構が組み込まれている。この吸着チャック機構によってウェハ90をステージ10の支持面10aに吸着し固定するようになっている。吸着チャック機構は、ステージ10の上面の全域に設けてもよく、ステージ10の外周部(ウェハ90の外周突出部のすぐ内側の部分)にのみ設け、中央部には設けないことにしてもよい。吸着チャック機構をステージ10の外周部だけに設けることにすれば、吸着に起因するパーティクルを低減することができる。
冷媒として、水に代えて、空気、ヘリウム等を用いてもよい。圧縮流体にして冷媒室41に勢いを付けて送り込み、冷媒室41の内部で流動させることにしてもよい。
吸熱手段としてステージ10にペルチェ素子を埋め込んでもよい。
吸熱手段は、ステージ10の少なくとも外周部(ウェハ90の外周突出部のすぐ内側の部分)に設ければよく、中央部には設けなくてもよい。
フレーム50と、ステージ10と、ラビリンスシール60の間に、環状の空間50aが画成されている。
レーザ加熱器20は、点状光源であるレーザ光源21と、このレーザ光源21に光ファイバケーブル等の光伝送系23を介して光学的に接続された上記照射ユニット22を有している。レーザ光源21は、例えば、LD(半導体)レーザ光源が用いられており、発光波長808nm〜940nmのレーザ(熱光線)を出射するようになっている。発光波長は、基材90に被膜されたフォトレジスト膜92の吸収波長に対応する範囲に設定してもよい。
レーザ光源21は、LDに限られず、YAG、エキシマ等の種々の形式のものを用いてもよい。できればレーザの波長が膜92に吸収されやすい可視光以降のものを用い、より好ましくは膜92の吸収波長に合ったものを用いるとよい。
光源21をユニット22の内部に収容し、光ファイバ等の光伝送系23を省略してもよい。
光伝送系23と照射ユニット22によって、光源21からの熱光源を被処理位置の近傍まで発散しないように伝送し被処理位置へ向けて収束照射する「光学系」が構成されている。
プラズマノズルヘッド30と上記電源と上記プロセスガス供給源と上記吸引排気装置等によって、常圧プラズマ処理装置が構成されている。
処理すべきウェハ90を、搬送ロボット等によってステージ10の上面に中心が一致されるようにして置き、吸着チャックする。ウェハ90の外周部は、全周にわたってステージ10の径方向外側に突出することになる。このウェハ90の突出外周部の裏面上すなわち被処理位置Pに焦点を略合わせ、レーザ加熱器20のレーザ照射ユニット22からレーザLを出射する。これによって、ウェハ90の裏面外周部の膜92cをスポット状(局所的)に輻射加熱できる。点集光であるので、レーザエネルギーを被照射部に高密度で付与できる。レーザの波長が膜92cの吸収波長に対応していれば、レーザエネルギーの吸収効率をより高くすることができる。これによって、膜92cのスポット状の被照射部を瞬間的に数百度(例えば600℃)まで高温化できる。レーザ照射ユニット22の焦点調節機構によって焦点位置を被処理位置Pの上下に若干ずらすことにより、ウェハ90の裏面外周部上での集光径ひいては被加熱部位の面積や、輻射エネルギの密度ひいては被加熱部位の加熱温度を調節することができる。この結果、処理幅を調節することができる。また、ノッチ部やオリフラ部においては、集光径を大きくすることにより、ノッチ部やオリフラ部の縁にもレーザが当たるようにすることができ、ひいてはノッチ部やオリフラ部の縁の裏側の膜をも確実に除去することができる。
輻射加熱であるので、ウェハ90の被加熱部位を加熱源に接触させる必要がなく、パーティクルが発生することもない。
一方、ウェハ90の被加熱部位から径方向内側に熱が伝わって来ても、ステージ10内の冷媒室41に充填された水によって吸熱することができる。これによって、ウェハ90の被加熱部位より内側の部分の温度上昇を抑えることができる。したがって、膜92の変質を抑えることができるだけでなく、反応性ガスのオゾンがウェハ90の上面の中央側へ流れ込んで来たとしても、膜92との反応を抑えることができる。これによって、膜92にダメージが及ぶのを防止でき、確実に良質に維持することができる。
更に、上記吸引手段によって、処理済みの反応性ガス等をウェハ90の外周部の周辺からラビリンスシール60方向へ誘導でき、ラビリンスシール60の隙間から吸引排気できる。ラビリンスシール60から径方向内側への反応性ガス等の流出も確実に防止することができる。
ステージ10とフレーム50の間のシールとしてラビリンスシール60を用いることによって、ステージ10の回転を、フレーム50との摩擦無く円滑に行なうことができる。
レーザ発光波長:808nm
出力:30W
局所加熱部位の直径:0.6mm
出力密度:100w/mm2
発振形態:連続波
図4に示す通り、水温が常温の23.5℃の場合、ウェハー外端縁の被加熱部位の近傍では被加熱部位からの熱伝導により110℃程度になるが(被加熱部位では600℃以上)、そこから僅か3mm径方向内側の部位では50℃程度まで下がり、更に径方向内側の中央部分では、50℃以下に保持され、これにより、たとえ反応性ガスのオゾンがウェハーの表側面の中央部分に流れ込んで来ても反応が起きにくく膜92のダメージを抑えることができることが確認された。
ウェハー直径:300mm
局所加熱部位の直径:1mm
ステージ回転数:3rpm
ステージ冷媒室内の水温:23.5℃
その結果、図5に示すとおり、ウェハー外端縁の被加熱部位の近傍の表面温度は、300℃前後(被加熱部位では700〜800℃程度)であったが、そこから径方向内側へ向かってウェハー温度が急激に下がり、僅か3mm径方向内側の部位では100℃を下回った。これにより、ウェハー中央部分の膜のダメージを抑えることができることが確認された。
図6に示す基材処理装置では、プラズマノズルヘッド30が、被処理部位から離され、レーザ加熱器20のレーザ照射ユニット22と並ぶようにして、フレーム50の底板51に固定されている。プラズマノズルヘッド30の先端面は、真上に向けられている。フレーム50の周壁52には、プラズマノズルヘッド30の先端開口30b’から延びる反応性ガス路52bが形成されている。反応性ガス路52bの先端は、周壁52の内周面に達し、そこに小さな円筒状の吹出しノズル36が連ねられている。図6の装置においては、この吹出しノズル36が、吹出し口形成部材を構成し、その内部が吹出し口36aを構成している。吹出しノズル36は、透明で透光性を有する材料、例えばテトラフルオロエチレン−パープルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)等で構成されている。
反応性ガス路52bを有するフレーム50と、吹出しノズル36は、プラズマノズルヘッド30と共に「反応性ガス供給手段」の構成要素となっている。
一方、レーザ加熱器20からのレーザLの光路内に吹出しノズル36が進入するように配置されることになるが、吹出しノズル36は透光性を有しているためレーザLを遮ることがない。よって、被処理部位を確実に加熱することができ、高エッチングレートを確保できる。
なお、吹出しノズル36をレーザLの光路上から外して配置することにしてもよい。その場合、吹出しノズル36を透過性材料にする必要はなく、例えば、ステンレス等を用いてもよい。しかし、レーザの反射で高温化し、オゾン濃度が熱反応で低下するおそれを考慮すると、輻射熱吸収性が小さく耐オゾン性も高いテフロン(登録商標)等にて構成するのが好ましい。
溝53c、吸引路53d、吸引排気装置は、「吹出し口近傍の吸引手段」ないしは「環状空間の吸引手段」を構成している。
吸込み口30cx、吸込み路30dx、吸引排気装置は、「吹出し口近傍の吸引手段」ないしは「環状空間の吸引手段」を構成している。
カバーリング37は、吸込み口形成部材を構成している。
レーザ照射ユニット22からのレーザが線状でなく、反射面25aに向かって収光する円錐状の場合、プラズマノズルヘッド30を下げてウェハ90から離すとともにその分だけ全反射部材25を厚くし、レーザがプラズマノズルヘッド30に干渉しないようにしてもよい。
吸引コネクタ55や吸引排気装置は、「環状空間の吸引手段」を構成している。
オゾナイザー70、オゾン供給管71、供給コネクタ72、反応性ガス路52bを有するフレーム50、及び吹出しノズル36は、それぞれ「反応性ガス供給手段」の構成要素となっている。
ランプ冷却路125と往路126と復路127と加熱器冷却用冷媒供給源は、「輻射加熱器冷却手段」を構成している。
なお、この図12の装置においては、上記のようにウェハ90全周を一度に処理できるので、ステージ10の回転は必ずしも必要でないが、処理を周方向に均一化させるために回転させるのが好ましい。
光源:環状ハロゲンランプ
収束用光学系:パラボリック反射鏡
発光波長:800〜2000nm
出力:200W
局所加熱部位の幅:2mm
図14に示す通り、水温が常温の20℃の場合、ウェハーの外端縁の被加熱部位の近傍では被加熱部位からの熱伝導により80℃程度になるが(被加熱部位では400℃以上)、そこから9mm以上径方向内側の部位では50℃以下の低温に保持され、膜のダメージを抑えることができることが確認された。
この図16の基材処理装置では、反応性ガス供給元として図11等と同じオゾナイザーを用いているが、図6等のプラズマノズルヘッド30を用いた装置に反応性ガス冷却路130を設け、反応性ガス路52bの冷却を行なうことにしてもよい。
なお、不活性ガスノズル140は、ウェハ90をステージ10に設置したり取り出したりするときは、邪魔にならないように退避されるようになっている。
なお、ステージ10の周側面又は吹出しノズル75の外周面には、ステージ10の回転による摩擦を低減するためのグリース等の摩擦低減材を塗るのが好ましい。
なお、囲い150は、少なくともレーザ照射ユニット22と面する底板を透光性材料にて構成されていればよい。
さらに、光源21の配置場所を自由に設定することができる。光ファイバの配索も容易である。
なお、分岐ケーブル23aの先端にシリンドリカルレンズ等の収束用の光学部材を設け、出射光が収束されるようにしてもよい。光源21を複数設け、各光源21からの光ファイバケーブル23ごとに所定の周方向位置へ向けて延出させることにしてもよい。ウェハ90に対し、光ファイバの先端部を斜めにし、プラズマノズルヘッド30の吹出し口を真下に置くなど、光ファイバの先端部と吹出し口との配置関係は種々のアレンジが可能である。勿論、プラズマノズルヘッド30に代えてオゾナイザー70を用いてもよく、レーザ光源21に代えて赤外線ランプを用いてもよい。
これによって、ステージ10の全体を確実に冷却でき、ひいてはウェハ90を万遍なく確実に冷却でき、上面の膜92を確実に保護することができる。先に支持面10aひいてはウェハ90に近い側の第1室部分41Uに冷媒が導入されるので、吸熱効率を一層高めることができる。
ステージ10が固定される一方、フレーム50が回転される場合には、冷媒供給路42を中心軸11内に通す必要はない。
これによって、図26の矢印に示すように、冷媒は、外側の環状路47に沿って周方向に分岐して流れた後、連通路48で合流して1つ内側の環状路47へ流入し、そこで再び周方向に分流し、これを繰り返しながらステージ10の外周側から中心へ向けて流れて行く。
なお、図23及び図24において、冷媒供給路42と冷媒排出路43を互いに逆にしてもよく、そうすると、上側冷媒室41Uでの冷媒の流れが外周側から中心へ向かうことになる。
反応性ガス供給源としてのオゾナイザー70からオゾン供給管71が延び、このオゾン供給管71が処理ヘッドHのコネクタ72を介して吹出しノズル75の基端部に連なっている。吹出しノズル75は、被処理位置(ステージ10上のウェハ90の外周部)より下側に配置されている。吹出しノズル75の先端部分は、図31に示すように、平面視でウェハ90の外周の接線方向に略沿うとともにステージ10の側すなわちウェハ90の半径方向内側へ向けて僅かに傾けられ、かつ、図32に示すように、正面視でウェハ90に向けて上へ傾けられている。そして、吹出しノズル75の先端の吹出し口が、被処理位置P(ウェハ90の外周部の裏面)の近傍に臨んでいる。
排気ノズル76は、被処理位置P(ステージ10上のウェハ90の外周部)より下側に配置されている。排気ノズル76の先端部分は、図31に示すように、平面視でウェハ90の外周の接線方向にまっすぐ向けられるとともに、図32に示すように、正面視でウェハ90に向けて上へ傾けられている。排気ノズル76の先端の吸込み口が、吹出しノズル75の吹出し口と略同じ高さ(ウェハ90の裏面のすぐ下)に位置されている。
除去対象の不要物の成分は、フロロカーボン等の有機物に限られず、無機物であってもよい。
プロセスガスひいては反応性ガスは、酸素系以外にもフッ素系等、対象とする膜の成分に応じて、適宜選択することができる。ガス種に応じて活性を維持できるように、反応性ガス供給元から吹出し口までの吹出し路を温調(冷却または加温)するとよい。
レーザ加熱器20等の点状光源の点状光を、凸レンズやシリンドリカルレンズ等の光学系で線状光にし、ウェハ90の周方向に沿って一定の範囲に照射されるようにしてもよい。
赤外線加熱器120の赤外線ランプ121が、環状光源に代えて点状光源や線状光源であってもよい。
輻射加熱器をステージの支持面若しくはその延長面より表側に配置するとともに、支持面若しくはその延長面より裏側に反射鏡を設置し、輻射加熱器からの熱光線を、反射鏡で反射させ、基材の裏面外周部に当てることにしてもよい。
10a 支持面
12 段差
12a 凹部(ガス溜まり)
20 レーザ加熱器(輻射加熱器)
21 レーザ光源
22 レーザ照射ユニット(照射部)
23 光ファイバケーブル(導波管、伝送光学系)
25 全反射部材
30 プラズマノズルヘッド(反応性ガス供給元)
33,36 吹出し口形成部材
41 冷媒室(吸熱手段の構成要素)
50 フレーム
50a 環状空間
52 周壁(吹出し路形成部材)
52b 吹出し路
60 ラビリンスシール
70 オゾナイザー(反応性ガス供給元)
75 吹出しノズル(吹出し路形成部材)
76 排気ノズル(吸引排気路形成部材)
80 カバー部材
90 基材
92c 基材の裏面外周部の膜(不要物)
120 赤外線加熱器(輻射加熱器)
121 赤外線ランプ(光源)
122 光学系
140 不活性ガス吹付けノズル(不活性ガス吹付け部材)
P 被処理位置
Claims (24)
- 基材の裏面の外周部に被膜された不要物を除去する装置であって、
(a)基材を、外周部が突出するようにして支持する支持面を有するステージと、
(b)このステージに支持された基材の裏面外周部の在るべき被処理位置から離れて配置された光源と、この光源からの熱光線を前記被処理位置へ発散しないようにして向かわせる光学系とを有する輻射加熱器と、
(c)不要物除去のための反応性ガスを供給する反応性ガス供給元に連なり反応性ガスを吹出す吹出し口を有し、この吹出し口が、前記支持面(若しくはその延長面)より裏側又は略前記延長面上において前記被処理位置に向かって近接して配置された反応性ガス供給手段と、
を備えたことを特徴とする基材処理装置。 - 前記輻射加熱器の光学系が、光源からの熱光線を前記被処理位置へ向けて収束照射する照射部を含むことを特徴とする請求項1に記載の基材処理装置。
- 前記輻射加熱器の照射部が、前記支持面又はその延長面より裏側において、前記吹出し口より前記被処理位置から離れて配置されていることを特徴とする請求項2に記載の基材処理装置。
- 前記照射部と吹出し口とが、前記被処理位置に対し互いに異なる方向に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の基材処理装置。
- 前記照射部と吹出し口の何れか一方が、前記被処理位置を通り前記延長面と直交する線上に略配置されていることを特徴とする請求項4に記載の基材処理装置。
- 前記輻射加熱器の光学系が、光源から前記被処理位置へ延びる導波管を含むことを特徴とする請求項1に記載の基材処理装置。
- 前記導波管が、複数の光ファイバを含み、これら光ファイバが、前記光源から分岐して延び、その先端部が、前記ステージの周方向に沿って互いに離れて配置されていることを特徴とする請求項6に記載の基材処理装置。
- 前記光源が、点状光源であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記光源が、前記ステージの周方向の全周に沿う環状光源であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記輻射加熱器を冷却する輻射加熱器冷却手段を備えたことを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記被処理位置より裏側であって被処理位置の近傍に、前記光源からの熱光線を前記被処理位置へ全反射する全反射部材を設けたことを特徴とする請求項1〜10の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記輻射加熱器の出力波長が、前記不要物の吸収波長に対応していることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記反応性ガス供給手段の吹出し口を形成する吹出し口形成部材が、透光材料にて構成されていることを特徴とする請求項1〜12の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記反応性ガス供給手段が、前記反応性ガス供給元からの反応性ガスを前記吹出し口へ導く吹出し路を形成する吹出し路形成部材を有しており、この吹出し路形成部材が、吹出し路温調手段にて温調されることを特徴とする請求項1〜13の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記ステージには、前記支持面から吸熱する吸熱手段が設けられていることを特徴とする請求項1〜14の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記反応性ガス供給手段が、前記反応性ガス供給元からの反応性ガスを前記吹出し口へ導く吹出し路を形成する吹出し路形成部材を有し、この吹出し路形成部材が、前記ステージに沿い、前記吸熱手段にて冷却されることを特徴とする請求項15に記載の基材処理装置。
- 前記ステージひいては前記被処理位置を周方向に囲み、前記ステージとの間に環状空間を形成するフレームと、
前記ステージを前記フレームに対し中心軸まわりに相対回転させる回転駆動機構と、
前記ステージの支持面側とは反対の裏側部と前記フレームとの間を、相対回転を許容しつつシールするラビリンスシールと、
を備えたことを特徴とする請求項1〜16の何れかに記載の基材処理装置。 - 前記フレームの表側の部位には、ステージ側へ向けて延びて前記被処理位置の表側に被さり、単独又は前記ステージに設置された基材の外周部と協働して前記環状空間を覆うカバー部材を設けたことを特徴とする請求項17に記載の基材処理装置。
- 前記カバー部材は、前記環状空間を覆う位置から退避可能であることを特徴とする請求項18に記載の基材処理装置。
- 前記環状空間に、該環状空間を吸引する吸引手段が接続されていることを特徴とする請求項17〜19の何れかに記載の基材処理装置。
- 前記ステージの支持面の外周部に、基材の外周部と協動してガス溜まりを形成すべき段差を形成したことを特徴とする請求項1〜20の何れかに記載の基材処理装置。
- 吸込み口を有する排気ノズルと、この排気ノズルを吸引する吸引手段とを備え、
前記排気ノズルの吸込み口が、前記吹出し口と前記被処理位置を挟んで対向するように配置されており、
前記吸込み口が、前記吹出し口より大きいことを特徴とする請求項1〜21の何れかに記載の基材処理装置。 - 前記吸込み口が、前記吹出し口より2〜5倍の口径を有していることを特徴とする請求項22に記載の基材処理装置。
- 基材の裏面の外周部に被膜された不要物を除去する方法であって、
基材の外周部が突出するようにして基材をステージで支持し、
輻射加熱器から熱光線を前記基材の裏面の外周部又はその近傍に焦点を結ぶように照射して局所加熱するとともに、この局所加熱された部位の近傍には該部位に向かうようにして反応性ガス供給手段の吹出し口を置いてこの吹出し口から不要物除去のための反応性ガスを吹出すことを特徴とする基材処理方法。
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