JP2006128387A

JP2006128387A - ウエハ処理装置

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Publication number: JP2006128387A
Application number: JP2004314263A
Authority: JP
Inventors: Koji Hasegawa; 公二長谷川; Kenichiro Arai; 健一郎新居
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2004-10-28
Filing date: 2004-10-28
Publication date: 2006-05-18

Abstract

【課題】基盤の材質を適切なものとすることにより、基盤からのウエハ剥がれを防止することができるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】基盤１１として、ウエハＷと同等の熱線膨張係数の材料を使用しているので、基盤１１がウエハＷに対して大きく膨張することがない。したがって、ワックスＨＭによる接着性が低下するのを防止することができるので、ウエハＷの剥離や基盤１１に対する位置ずれが生じることを防止でき、処理不良を防止することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン半導体や化合物半導体などのウエハに対して所定の処理を行うウエハ処理装置に関する。

従来、この種のウエハ処理装置は、シリコンウエハを用いた基盤の上面にワックスを塗布して溶融させ、その上に、ウエハの回路等が形成された表面側を下向きにして載置する。そして、冷却することによりウエハを基盤に固定し、水酸化カリウム(KOH)をエッチング液として貯留している処理槽にウエハを基盤とともに収容し、エッチング液中にウエハを浸漬する。これにより、ウエハの裏面側を化学的に研磨して、ウエハの厚みを薄くする処理（シンニング）が行われている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３４７２５４号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来のウエハ処理装置は、基盤もエッチングされてしまうので、長時間の処理に適さないという問題がある。そこで、シリコンウエハの代わりにステンレス鋼板等を使用すると、基盤がエッチングされることがないものの、ステンレス鋼板が加熱されるとウエハとの熱線膨張係数が大きく異なるので、処理中にウエハが基盤から剥離するという問題がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基盤の材質を適切なものとすることにより、基盤からのウエハ剥がれを防止することができるウエハ処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、ウエハに処理を行うウエハ処理装置において、シンニングにて使用するエッチング液への耐性を有し、ウエハと同等の熱線膨張係数を有する板状の基盤を載置する載置部と、前記載置部に載置された基盤を加熱する加熱機構と、前記載置部に載置された基盤の表面に固定化用組成物を塗布する塗布機構と、固定化用組成物が塗布された基盤上にウエハを搬入する搬入機構と、を備えていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、加熱機構で基盤を加熱し、その表面に塗布機構により固定化用組成物を塗布し、そこで搬入機構でウエハを搬入する。基盤は、エッチング液に耐性を有し、しかも熱線膨張係数がウエハと同等であるので、高温のエッチング液に浸漬された際にウエハと基盤が同等の膨張度合いとなる。したがって、基盤からのウエハの剥がれを防止することができる。

また、本発明において、基盤はＳｉＣであることが好ましく（請求項２）、またはアモルファスカーボンであることが好ましい（請求項３）。ＳｉＣはシリコンウエハと熱線膨張係数が同等であり、次いでアモルファスカーボンが近い値を有する。

また、本発明において、基盤に接着されたウエハの外周縁の全周にわたって端面保護材を塗布する保護材塗布機構をさらに備えていることが好ましい（請求項４）。固定化用組成物で基盤に接着されたウエハの外周縁には、その全周にわたって保護材塗布機構で端面保護材を補強的に塗布する。したがって、固定化用組成物がエッチング液に浸食されて溶け出すことがなく、基盤からウエハが剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。

本発明に係るウエハ処理装置によれば、基盤はエッチング液に耐性を有し、しかも熱線膨張係数がウエハと同等であるので、高温のエッチング液に浸漬された際にウエハと基盤が同等の膨張度合いとなる。したがって、基盤からのウエハの剥がれを防止することができる。

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係るウエハ接着装置の概略構成を示すブロック図である。

本発明におけるウエハ処理装置に相当するウエハ接着装置１は、載置台３と、載置台３の下面に連結された回転軸５と、この回転軸５を回転駆動するモータ７とを備えている。載置台３は、加熱ヒータ９を内蔵しており、その上面に載置される板状の基盤１１などを加熱する。また、載置台３の外径は、基盤１１よりやや大径に構成されている。加熱ヒータ９は、後述するワックスＨＭの融点以上に温度を制御できるようになっており、その温度は、ワックスＨＭの組成により異なるが、例えば、載置台３の表面で１５０〜１７０℃程度である。

載置台３の側方（図１では左側）には、基盤１１やウエハＷを搬送する搬送機構１３が配備されている。この搬送機構１３は、アーム部１５と吸着部１７とを備えている。アーム部１５は、昇降及び進退可能にであり、吸着部１７は、基盤１１やウエハＷの上面を吸着自在である。

載置台３の側方（図１では右側）には、ワックスＨＭを把持搬送するワックス搬送機構１９が配備されている。このワックス搬送機構１９は、昇降及び進退可能に構成された把持アーム２１を備えている。把持アーム２１は、ワックスＨＭを把持して搬送する。なお、ワックスＨＭとしては、固形、溶液、フィルム状等の携帯のものが利用可能である。

さらに、載置台３の側方（図１の右側）には、端面保護材を供給するノズル２３が配備されている。このノズル２３には、端面保護材を供給する保護材供給源２５が連通接続されている。ノズル２３は、載置台３の側方と、ウエハＷの外周縁上方とを移動可能である。

上述したモータ７と、加熱ヒータ９と、搬送機構１３と、ワックス搬送機構１９と、保護材供給源２５とは、制御部２７によって統括的に制御される。

なお、上述した載置台３が本発明における「載置部」に相当し、加熱ヒータ９が本発明における「加熱機構」に相当し、ワックス搬送機構１９が「塗布機構」に相当し、搬送機構１３が「搬入機構」に相当し、ノズル２３が「保護材塗布機構」に相当する。また、ワックスＨＭは、本発明における「固定化用組成物」に相当する。

また、上述したワックスとしては、例えば、液晶化合物と有機ポリマーを含有するものが挙げられる。

「液晶化合物」の具体例としては、ｉｓｏ−酪酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ヘキサヒドロ安息香酸カリウム、ステアリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリム、パルミチン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、エチル−ｐ−アゾキシベンゾエート、１−ｎ−ドデシルピリジニウムクロライド、１−ｎ−ドデシルピリニウムブロマイド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムヨードダイド、２−ｎ−トリデシルピリジニウムクロライド等のスメクテイック液晶や、ヘプター２，４−ジエン酸、オクタ−２，４−ジエン酸、ノナ−２，４−ジエン酸、デカ−２，４−ジエン酸、ウンデカ−２，４−ジエン酸、ノナ−２−エン−４−イン酸等のネマチック液晶や、プロピオン酸コレステロール、安息香酸コレステロール、パルミチン酸コレステロール、塩化コレステロール等のコレステリック液晶や、ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−クロル安息香酸、ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸、５−クロロ−６−ｎ−ヘプチルオキシ−２−ナフトエ酸、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル−ｐ−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルアセチレン等の複合転移を示すものが挙げられる。また、１つのベンゼン環の１，３，５位にステロイドエステル基を有する化合物等デイスコチック液晶、芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポイリイミド等液晶性を有する高分子液晶化合物等を利用できる。これらの液晶化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせてもよい。これら液晶のうち、単独及び／又は二種類以上の混合物の融点が３５℃以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点が４０℃以上１５０℃以下のものが好ましい。

「有機ポリマー」としては、融点が室温以上２００℃未満のものが好ましい。具体的には、例えば、ポリ（無水アゼライン酸）、ポリ［２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノール−ｃｏ−４−ヒドロキシ安息香酸］、ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−アミノベンゾエート）、ポリ（１−ブテン）、ポリ（１，４−ブテンアジペート−ｃｏ−１，４−ブチレンスクシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン化合物、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）ジオール、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン等を用いることができる。これらの有機ポリマーは、単独でも用いてもよく、二種類以上の混合物の融点が３５℃以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点が４０℃以上１５０℃以下のものが好ましい。

なお、本実施例では、ワックスＨＭとして、固形状のものを図示しているが、基盤１１に拡げやすくするために、さらに溶剤を混合した溶液を用いてもよい。溶剤としては、組成物に含有する液晶化合物及び有機ポリマーがともに溶解するものであれば、どのような溶媒であってもよい。例えば、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ウンデカノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、フェノールノなどのアルコール類や、ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、トリメチルベンゼンのような炭化水素系溶媒や、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンのようなケトン類や、エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンのようなエーテル類や、酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなエステル類や、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホミドのような極性溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、単独でも二種類以上を組み合わせてもよい。

また、ワックスＨＭの粘度を調整するために、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物の微粒子などを適宜に混合してもよい。

保護材供給源２５に貯留されている端面保護材としては、後述するエッチング液に耐性を有し、その上、滴下時に比較的粘度が高く、流動性が低い液状あるいはゲル状のものが好ましい。これは、ウエハＷの外周縁に供給した際に、あまり周辺に流出しない方が好ましいからである。端面保護材の具体的な材料としては、例えば、ポリエチレンやパラフィンなどの高分子材料をベースにして、カーボンを含有しているものや、有機レジストなどが挙げられる。なお、塗布性を高め、乾燥を短時間で行うために溶剤を混合したものとしてもよい。

上記の基盤１１としては、ウエハＷがシリコン製である場合には、ＳｉＣまたはアモルファスカーボン（またはグラシックカーボン）を用いることが好ましい。特に、ＳｉＣは、ＫＯＨに耐性があり、しかも以下に示すように熱線膨張係数がシリコンウエハのものと同等だからである。以下に、各種材料の熱線膨張係数を例示する。

シリコンウエハ＝３．９×１０^-6／Ｋ
ＳｉＣ＝４．３×１０^-6／Ｋ
アモルファスカーボン＝３．０×１０^-6／Ｋ

（比較参考）
ＳＵＳ３０４＝１７．３×１０^-6／Ｋ
Ｔｉ＝８．９×１０^-6／Ｋ

ＫＯＨのエッチング液は、以下に説明するエッチング装置２９によって、例えば７０℃程度の高温に加熱された状態で使用される。その中にウエハＷと基盤１１とが浸漬されることになるので、ウエハＷと基盤１１とは、常温（２３℃）から７０℃への温度変化を受けることになる。基盤１１がウエハＷに対して大きく膨張すると、ワックスＨＭによる接着性が低下してウエハＷの剥離や基盤１１に対する位置ずれを生じて処理不良を生じる原因となる。ここで一例として、部材の長さを１００ｍｍとし、温度変化ΔＴを４７℃とした場合には各材料の伸びは以下のようになる。

シリコンウエハ：１００ｍｍ×４７℃×３．９×１０^-6＝０．０１８３３ｍｍ
ＳｉＣ：１００ｍｍ×４７℃×４．３×１０^-6＝０．０２０２１ｍｍ
アモルファスカーボン：１００ｍｍ×４７℃×３．０×１０^-6＝０．０１４１ｍｍ
ＳＵＳ３０４：１００ｍｍ×４７℃×１７．３×１０^-6＝０．０８１３１ｍｍ
Ｔｉ：１００ｍｍ×４７℃×８．９×１０^-6＝０．０４１８３ｍｍ

シリコンウエハの伸びを基準とすると、各材料の伸び率は以下のようになる。
ＳｉＣ：１．１０２
アモルファスカーボン：０．７６９
ＳＵＳ３０４：４．４３５
Ｔｉ：２．２８２

これらの結果から、基盤１１としてＳｉＣが最も好ましく、次いでアモルファスカーボンが好ましいことが分かる。

次に、図２を参照してエッチング装置について説明する。なお、図２は、実施例に係るエッチング装置の概略構成を示す縦断面図である。

このエッチング装置２９は、基盤１１に接着されたウエハＷを所定の厚さまで化学的にエッチングすることでシンニング処理を行うものであり、エッチング液を貯留する内槽３１と、この内槽３１から溢れたエッチング液を回収するための外槽３３とを備えた処理槽３５を備えている。内槽３１の底面には、エッチング液を導入するための導入口３７が形成されており、その上方の内槽３１内には、整流板３９が配設されている。この整流板３９は、複数の細かい孔が全面にわたって形成されており、導入口３７から導入されたエッチング液の流れを整えて内槽３１に導く。

外槽３３の一部位には、排出口４１が形成されている。この排出口４１と上記の導入口３７には、循環配管４３が連通接続されている。循環配管４３には、上流側から三方弁４５と、ポンプ４７と、インラインヒータ４９と、フィルタ５１とが設けられている。三方弁４５には、さらにエッチング液供給源５３が連通接続されている。また、排出口４１と三方弁４５との間付近の循環配管４３には、分岐５５が設けられ、この分岐管５５に取り付けられた開閉弁５７の操作によって外槽３３に貯留したエッチング液が循環配管４３及び分岐管５５を介して排液される。インラインヒータ４９は、エッチング液としての水酸化カリウム(KOH)を所定の温度に加熱する。

保持機構５９は、ウエハＷの正面側から見て、逆Yの字状を呈する一対の保持フレーム６３と、保持フレーム６３の各先端部に形成された取付凹部６５と、下側二箇所の取付凹部６５に固定的に取り付けられた二本の係止部材６７と、上側一箇所の取付凹部６５に着脱自在に取り付けられた係止部材６７とを備えている。各係止部材６７は、基盤１１の端縁を係止するための図示しない溝が複数個形成されており、その両端部が前側の保持フレーム３３と、後側の保持フレーム６３とに取り付けられて、ウエハＷが接着された基盤１１の外周三箇所を係止することにより安定保持する。

前後の保持フレーム６３の中心部には、それぞれ外側に向けて突出した状態で軸部材６９が固定的に取り付けられている。この軸部材６９には、処理槽３５の上方に位置している駆動機構７１から垂下された連結片７３が取り付けられている。この連結片７３は、その下端部が軸部材６９に対してネジ止め固定されており、保持フレーム６３に対する相対的な位置が固定されている。

駆動機構７１は、内槽３１中において上述した保持機構５９を、基盤１１及びウエハＷの整列方向に沿った水平軸周りに公転させる機能を備えている。具体的には、フレーム７５と、このフレーム７５に取り付けられたモータ７７と、モータのギア７９と、このギア７９の下方で係合しているギア８１とを備えている。ギア８１には、その回転軸Ｐから離れた位置に、ネジ８３で連結片７３が回転可能に取り付けられている。また、駆動機構７１は、図示しない昇降機構により待機位置と処理位置とにわたって昇降可能である。

上述したモータ７７の回転軸を、図２の正面から見て時計回りに駆動すると、ギア７９，８１を介して回転され、連結片７３が鉛直姿勢を保ったままその上端部が回転軸Ｐの周囲を回転し、これに伴い連結片７３の下端部に固定されている保持機構５９が内槽３１中において公転運動する。

次に、図３〜１０を参照して、具体的な処理例について説明する。なお、図３及び図４は基盤へのウエハ接着の手順を示す模式図であり、図５及び図６はウエハ接着における端面保護を示す模式図であり、図７はウエハの端面保護の状態を示す縦断面図であり、図８はウエハの端面保護の状態を示す平面図である。また、図９はシンニング中の状態を示す斜視図であり、図１０はシンニング後のウエハの状態を示す縦断面図である。

まず、基盤１１を載置台３に載置するとともに、加熱ヒータ９によって所定温度（例えば、１６８℃）に加熱する。そして、ワックス搬送機構１９により、例えば融点１４８℃のワックスＨＭを基盤１１の中央部に載置する（図３）。すると、溶けたワックスＨＭが基盤１１の上面全体を覆う。なお、このときワックスＨＭの拡がりを早めるために、モータ７を駆動して載置台３を回転させておいてもよい。

次に、搬送機構１３によりウエハＷを搬入し、基盤１１の上面に載置する（図４）。ウエハＷは、その下面側に回路等が形成されており、上面側が裏面となっている。ウエハＷを載置した後、加熱ヒータ９による加熱を停止する。ワックスＨＭの融点よりも充分に温度が低下すると、ウエハＷは基盤１１に対して接着固定される。なお、加熱ヒータ９の加熱停止とともに、図示しない冷却機構により冷却を行って、固着までの時間を短縮するようにしてもよい。

ワックスＨＭが固まってウエハＷが基盤１１に固着された後、図５に示すようにノズル２３をウエハＷの端面上方に移動させる。そして、モータ７を駆動し、載置台３を低速で回転させつつノズル２３から端面保護材Ｃを吐出する。載置台３が一回転すると、モータ７による駆動を停止させる。すると、図６〜８に示すように、ウエハＷの外周縁が端面保護材Ｃにより全周にわたって覆われるとともに、ウエハＷの下面と基盤１１の上面の間で露出していたワックスＨＭも端面保護材Ｃで覆われる。

上記の端面保護は、図７及び図８に示すように、ウエハＷの外周縁（端面）から所定幅ＰＷだけ内側に入り込むように行うことが好ましい。ウエハＷの外周縁から内側に多めに端面保護材Ｃで覆っておくと、後述するシンニング処理時にエッチング液がウエハＷの端面まで到達する距離を長くできるので、ウエハＷの端面へのエッチング液の浸入に起因する不都合を確実に回避できるからである。

なお、端面保護材ＣでウエハＷの外周縁を覆う際あるいは覆った後に、加熱ヒータ９により所定温度に加熱して、端面保護材Ｃの硬化時間を短縮するようにしてもよい。但し、その温度は、固着しているワックスＨＭが再び溶け出すことがないように、ワックスＨＭの融点より充分に低い温度とする。

端面保護材Ｃが硬化した後、ウエハＷを接着した基盤１１を搬送機構１３で載置台３から搬出し、新たな基盤１１と新たなウエハＷに対する処理を上述したようにして行う。所定枚数のウエハＷを基盤１１に接着する処理が完了すると、次のシンニングを行う。

ウエハＷを接着した基盤１１は、エッチング装置２９に搬送される。そして、図２に示すように、基盤１１が保持機構５９に保持された状態で、所定温度（例えば、７０℃）に加熱されたエッチング液を貯留している内槽３１に収容され、エッチング液にウエハＷが浸漬される。その後、モータ７７を所定時間（例えば、３０分）だけ駆動して、図９に示すように、エッチング液中においてウエハＷを公転運動させる。これにより、例えば、６インチ径のウエハＷの厚さが、５０μｍ以下にまで薄くされる。そのときの縦断面を模式的に表したのが図１０である。このようにウエハＷの厚さが薄くなるが、端面保護材Ｃで覆われているウエハＷの外周縁はエッチングされることなくほぼ元の厚みを保っている。

このように高温のエッチング液にウエハＷは基盤１１とともに長時間にわたって浸漬されるが、ワックスＨＭで基盤１１に接着されたウエハＷの外周縁は、その全周にわたって端面保護材Ｃで補強的に覆われている。したがって、ワックスＨＭがエッチング液に浸食されて溶け出すことがなく、ウエハＷが基盤１１から剥がれたりする等の処理不良を防止できる。

また、基盤１１として、ウエハＷと同等の熱線膨張係数の材料を使用しているので、基盤１１がウエハＷに対して大きく膨張することがない。したがって、ワックスＨＭによる接着性が低下するのを防止することができるので、ウエハＷの剥離や基盤１１に対する位置ずれが生じることを防止でき、処理不良を防止することができる。

所定時間のシンニングを終えると、駆動機構７１を駆動してウエハＷを接着した基盤１１を内槽３１から搬出する。そして、図１０に示すように、端面保護材Ｃの所定幅ＰＷよりもやや内側の切断幅ＣＷでウエハＷを切断して切り出す（切断過程）。この切断には、例えば、高出力のレーザービームを用いる。これにより、図１１に示すように、ウエハＷの元の径よりやや小径で、厚さが薄く処理されたウエハＷが切り出される。

なお、上記の切り出しに代えて、端面保護材Ｃを溶解する溶液にウエハＷを基盤１１ごと浸漬して、端面保護材Ｃ及びワックスＨＭを溶解する溶解過程を経ることで、ウエハＷを基盤１１から分離するようにしてもよい。また、アッシングによってウエハＷを基盤１１から剥離するようにしてもよい。

上述した実施例では、ウエハＷの外周縁から所定幅ＰＷだけ内側に入り込んだウエハＷの上面まで端面保護材Ｃで覆っているが、図１２に示すようにウエハＷの外周縁（端面）だけをワックスＨＭとともに端面保護材Ｃで覆うようにしてもよい。これによると、図１３に示すように、ウエハＷの外周縁から所定幅ＰＷの部分も後工程で有効に用いることができるとともに、端面保護材Ｃの材料費を節約することができる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）例えば、予めウエハＷの外径程度に合わせて環状に成形した端面保護材をウエハＷの外周縁に載置して被着する構成を採用してもよい。これにより、端面保護に要する時間を短縮することができる。

（２）上記の構成では、載置台３を回転させて端面保護材ＣをウエハＷの全周に塗布しているが、載置台３を動かすことなくノズル２３をウエハＷの形状に合わせて移動させて塗布する構成としてもよい。

（３）上記の実施例では、シンニング処理をバッチ式で行っているが、ウエハＷを一枚ずつ処理する枚葉式としてもよい。

（４）加熱機構としては、載置台３に内蔵した加熱ヒータ９に代えて、載置台３の上方から光照射によって加熱する機構を採用してもよい。

実施例に係るウエハ接着装置の概略構成を示すブロック図である。実施例に係るエッチング装置の概略構成を示す縦断面図である。ウエハ接着の手順を示す模式図である。ウエハ接着の手順を示す模式図である。ウエハ接着における端面保護を示す模式図である。ウエハ接着における端面保護を示す模式図である。ウエハの端面保護の状態を示す縦断面図である。ウエハの端面保護の状態を示す平面図である。シンニング中の状態を示す斜視図である。シンニング後のウエハの状態を示す縦断面図である。ウエハの切断を示す模式図である。ウエハの端面保護における変形例を示す縦断面図である。変形例におけるシンニング後のウエハの状態を示す縦断面図である。

符号の説明

Ｗ … ウエハ
１ … ウエハ接着装置
３ … 載置台
９ … 加熱ヒータ
１１ … 基盤
１３ … 搬送機構
ＨＭ … ワックス
１９ … ワックス搬送機構
２３ … ノズル
２９ … エッチング装置
３１ … 内槽
３３ … 外槽
Ｃ … 端面保護材

Claims

ウエハに処理を行うウエハ処理装置において、
シンニングにて使用するエッチング液への耐性を有し、ウエハと同等の熱線膨張係数を有する板状の基盤を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基盤を加熱する加熱機構と、
前記載置部に載置された基盤の表面に固定化用組成物を塗布する塗布機構と、
固定化用組成物が塗布された基盤上にウエハを搬入する搬入機構と、
を備えていることを特徴とするウエハ処理装置。
請求項１に記載のウエハ処理装置において、
前記基盤は、ＳｉＣであることを特徴とするウエハ処理装置。
請求項１に記載のウエハ処理装置において、
前記基盤は、アモルファスカーボンであることを特徴とするウエハ処理装置。
請求項１から３のいずれかに記載のウエハ処理装置において、
前記基盤に接着されたウエハの外周縁の全周にわたって端面保護材を塗布する保護材塗布機構をさらに備えていることを特徴とするウエハ処理装置。