CN1783428A - 晶片处理装置和方法 - Google Patents

晶片处理装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1783428A
CN1783428A CNA2005101192122A CN200510119212A CN1783428A CN 1783428 A CN1783428 A CN 1783428A CN A2005101192122 A CNA2005101192122 A CN A2005101192122A CN 200510119212 A CN200510119212 A CN 200510119212A CN 1783428 A CN1783428 A CN 1783428A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
substrate
protective material
coating
face protective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005101192122A
Other languages
English (en)
Inventor
新居健一郎
长谷川公二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Screen Manufacturing Cod Ltd
Original Assignee
Nippon Screen Manufacturing Cod Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004310733A external-priority patent/JP4219321B2/ja
Priority claimed from JP2004314263A external-priority patent/JP2006128387A/ja
Application filed by Nippon Screen Manufacturing Cod Ltd filed Critical Nippon Screen Manufacturing Cod Ltd
Publication of CN1783428A publication Critical patent/CN1783428A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明涉及一种晶片处理装置，包括：用于支撑类似板状的基底的支撑物，用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构，用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布机构，用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载装置，用于在与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。

Description

晶片处理装置和方法
技术领域
本发明涉及对硅半导体，化合物半导体或其它晶片执行预定处理的晶片处理设备和方法。
背景技术
在上述类型的传统晶片处理方法中，蜡被施加到并被允许在基底的上表面熔化，且晶片面朝下放在基底上，即具有形成在上面等的电路等的正面向下。然后，通过冷却将晶片固定在基底上。晶片和基底一起被放进装有作为腐蚀液的氢氧化钾(KOH)的处理槽，浸在腐蚀液中。晶片的背面从而被化学研磨至减少的厚度(变薄处理)(例如，参见第2003-347254号未审查的日本专利公开)。
上述的传统实例有如下缺点。
传统的晶片处理方法，因为很难为氢氧化钾提供防蜡性，蜡会溶化在腐蚀液中。结果在处理过程中，蜡从基底分离，或固定的晶片正面的边缘部分受到腐蚀。
用于实施传统处理方法的晶片处理装置具有不适合用于长期处理的缺点，因为基底也会被腐蚀。例如，用不锈钢板替代硅晶片，基底不会被腐蚀，但是，不锈钢板具有与晶片大不相同的热膨胀系数，在处理期间受热时会发生晶片从基底分离的问题。
发明内容
本发明已注意到上述现有技术的情形，它的目的是提供一种能够避免由于晶片从基底分离导致的有缺限的处理的晶片处理装置和方法，通过用端面保护材料加强的方法覆盖晶片的边缘来实现。
本发明的另一个目的是提供一种晶片处理装置，在该装置中，基底由的适当材料组成防止晶片从基底分离。
通过根据本发明的晶片处理装置可以达到上述目的，该晶片处理装置包括用于支撑类似板状的基底的支撑物；用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构；用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布机构；用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载机构；用于在与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。
根据本发明，加热机构加热放置在支撑物上的基底，第一涂布机构在基底的表面上涂布固定成分，然后装载机构在基底上面装载晶片。第二涂布机构在通过固定成分与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料。这些特征能够防止诸如晶片从基底分离的有缺限的处理。
较佳地，第二涂布机构被设置成在晶片上涂布端面保护材料至离晶片边缘向内的预定宽度的位置。
由于端面保护材料在晶片上覆盖直到离晶片边缘向内的预定宽度的位置，与晶片粘结的基底被浸入腐蚀液，为到达晶片的端面，必须移动增加的距离，从而，这种措施能可靠地避免由于腐蚀液扩散到晶片的端面而导致的不便。
在本发明的另一个方面，提供了一种晶片处理方法，它包括将晶片放置在基底上和用固定成分将晶片与基底粘结的粘合步骤；用于在与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的端面保护步骤；通过将与晶片粘结的基底浸入存储在处理槽中的腐蚀液使晶片变薄的变薄步骤。
根据本发明，将晶片用固定成分粘合在基底上，晶片的边缘在整个圆周上用端面保护材料覆盖。随后，通过将与晶片粘结的基底浸入腐蚀液中执行变薄步骤。因为与晶片粘结的基底在整个圆周上用端面保护材料覆盖加强方法而被覆盖，固定成分没有被腐蚀液腐蚀或溶化，这防止了诸如晶片从基底分离的有缺限的处理。
较佳地，执行端面保护步骤以在晶片上涂布端面保护材料直到从晶片边缘向内的预定宽度的位置。
由于端面保护材料在晶片上覆盖直到从晶片边缘向内的预定宽度的位置，为到达晶片的端面，腐蚀液必须移动增加的距离。这种措施能可靠地避免由于腐蚀液扩散到晶片的端面而导致的不便。
端面保护材料可以包括碳。
包括碳将使得端面保护材料对诸如氢氧化钾的腐蚀液具有抗腐蚀能力。
在本发明的再一个方面，晶片处理装置包括用于支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的和具有与晶片相似的热膨胀系数的类似板状的基底的支撑物；用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构；用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的涂布机构；用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载机构。
根据本发明，加热机构加热基底，涂布机构在基底表面上涂布固定成分，然后装载机构在基底上装载晶片。基底对用于变薄处理中的腐蚀液具有抗腐蚀能力，及与晶片具有相似的热膨胀系数。当被浸入热的腐蚀液中，晶片和基底膨胀到相似的程度。这防止了晶片从基底分离。
基底可由SiC或无定形碳组成。
SiC具有与硅晶片相似的膨胀系数。无定形碳具有次最接近的值。
附图说明
为说明本发明，在附图中示出了当前较佳的几种形式，但是应当理解，本发明并不局限于所示的准确的设备和手段。
图1是示出根据本发明的晶片粘合装置概要的方框图；
图2是示出根据本发明的腐蚀装置概要的垂直断面的视图；
图3是示出晶片粘合过程的示意图；
图4是示出晶片粘合过程的示意图；
图5是示出粘合的晶片的端面保护的示意图；
图6是示出粘合的晶片的端面保护的示意图；
图7是示出晶片端面保护状态的垂直断面图；
图8是示出晶片端面保护状态的平面图；
图9是示出变薄处理期间的状态的透视图；
图10是示出变薄处理后晶片状态的垂直断面图；
图11是示出晶片切割的示意图；
图12是示出在修改的实施例中晶片端面保护的垂直断面图；
图13是示出在修改的实施例中变薄处理后晶片状态的垂直断面图；
具体实施方式
参照附图本发明的较佳实施例将在下文中作详细描述。
图1是示出根据本发明的晶片粘合装置概要的方框图。
晶片粘合装置1相当于本发明的晶片处理装置，包括支撑台，与支撑台3下表面相连的旋转轴5和使旋转轴5旋转的电动机7。支撑台3具有用于加热放在支撑台3上的板状基底的内置加热器9。支撑台3的外径比基底11的外径略大。加热器9能控制温度至少到下文描述的蜡HM的熔点。虽然温度随着蜡HM的成分而变化，例如，在支撑台13的表面上温度大约为150°到170°。
传送机构13放置于支撑台3的侧面(图1中的左侧)用于传送基底11和晶片W。传送机构13包括力臂15和吸力器件17。力臂15可以垂直移动，及可伸展和可缩进。吸力器件17能吸附在基底11或晶片W的上表面。
蜡传送机构19也放置于支撑台3的侧面(图1中的右侧)用于夹持和蜡传送蜡HM。蜡传送机构19包括夹持臂21，夹持臂21可以垂直移动，及可伸展和可缩进。夹持臂21夹持和传送蜡HM。这里使用的蜡HM可以为诸如固态，液态或薄膜的便携形式。
此外，喷嘴23放置于支撑台3的侧面(图1中的左侧)用于供给端面保护材料。喷嘴23与供应端面保护材料的保护材料源25连接。喷嘴23在距离支撑台的侧向位置和晶片W边缘之上的位置之间移动。
电动机7，加热器9，传送机构13，蜡传送机构19和保护材料源25全部由控制器27控制。
支撑台13相当于本发明的“支撑物”。加热器9相当于本发明的“加热机构”。蜡传送机构相当于本发明的“第一涂布机构”和“涂布机构”。喷嘴23相当于本发明的“第二涂布机构”和“保护材料涂布机构”。蜡HM相当于本发明的“固定成分”。
例如，上述的蜡包含液晶化合无和有机聚合物。
“液晶化合物”的例子包括近晶型液晶，诸如异丁酸钠、油酸钠、六氢苯甲酸钾、硬脂酸钠、豆蔻酸钾、棕榈酸钠、苯甲酸钠、对氧化偶氮苯甲酸乙酯、1-正十二烷基吡啶盐酸盐、1-正十二烷基吡啶氢溴酸盐、1-正十二烷基吡啶氢碘酸盐、和2-正十三烷基吡啶盐酸盐；向列型液晶，诸如庚-2，4-二烯酸、辛-2，4-二烯酸、壬-2，4-二烯酸、癸-2，4-二烯酸、十一-2，4-二烯酸、和壬-2-烯-4-酸；胆甾型液晶，诸如胆甾醇丙酸酯、胆甾醇苯甲酸酯、胆甾醇棕榈酸酯、和胆甾醇氯化物；及显示复杂的过渡的物质，诸如对-正辛基羟基苯甲酸、对-正辛基氧基-间-氯苯甲酸、对-正十二烷基羟基苯甲酸、5-氯-6-正庚基氧基-2-萘酸、和对-三氟甲氧基苯基对-(4-戊基环己基)苯基乙炔。还有可能使用discotic液晶，诸如在一个苯环的第一、第三、第五位置上有甾类酯基团的化合物，和具有液晶性的聚合物液晶化合物，诸如芳香聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺。这些液晶化合物可以单独使用，或者组合使用。无论是单独使用还是组合使用，液晶混合物需要具备在35℃到200℃范围内的熔点，在40℃到150℃的范围内更理想。
“有机聚合物”需要具备一个至少等于室温且低于200℃的熔点。此类有机聚合物的具体例子有：聚(无水壬二酸)、聚(2，6-双(羟基甲基)-4-甲基苯酚共-4-羟基苯甲酸)、聚(1，4-丁二醇)双(4-氨基苯甲酸酯)、聚(1-丁烯)、聚(1，4-丁烯己二酸酯-共-1，4-丁烯琥珀酯)、6-二异氰酸酯己烷混合物、聚(1，4-定烯己尔酸酯)二醇、苯酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂和聚氨酯。这些有机聚合物可以单独使用或组合使用，且需要具备在35℃到200℃范围内的熔点，40℃到150℃更理想。
尽管在本实施例中蜡HM被示为固体物质，但是，其中混合上一种溶剂做成溶液形式也是可以使用的，以便于分布到基底11上。任何溶剂都可以使用，只要组合物中所包括的液晶化合物和有机聚合物二者都可以在这种溶剂中溶解。溶剂的例子有醇类，诸如异丙醇、丁醇、己醇、辛醇、正癸醇、十一醇、苄醇、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇和苯酚；烃类溶剂，诸如正-戊烷、环戊烷、正己烷、环己烷、正-庚烷、环庚烷和三甲基苯；酮类，诸如丙酮、甲基乙己酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环基酮；醚类，诸如乙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二氧杂环乙烷；酯类，诸如乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酸乙酯、乙二醇单甲基醚乙酸酯；以及极性溶剂，诸如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯酮、六甲基磷酰胺。这些溶剂可以单独使用或组合使用。
蜡HM的粘度可以通过加入适当的，金属氧化物的微粒来调节，如氧化铝，氧化锆，氧化钛或氧化硅。
存储在保护材料源25中的端面保护材料可以抵抗下文中描述的腐蚀液，并在应用期间如所希望地具有较高粘度的液态或凝胶体的形式，还具有低流动性。上述特征是所希望的，因为在施加到晶片W的边缘时，这样的保护材料几乎不可能流动到周围的区域。具体是，端面保护材料可以是，例如，诸如聚乙烯或用作基底且含有碳的石蜡，或有机抗蚀剂。溶剂可以混合到保护材料中以提高涂布性能和及在短时间内干燥。
上述的基底11，理想地，是SiC或无定形碳(或玻璃碳)，晶片W是硅晶片。特别是，SiC较佳是因为它对KOH有抗腐蚀性，而且它的热膨胀系数与下面所示的硅晶片相似。各种材料的热膨胀系数用例子方式示于下面：
硅晶片＝3.9×10-6/K
SiC＝43×10-6/K
无定形碳＝3.0×10-6/K
(用于比较)
SUS304＝17.3×10-6/K
Ti＝8.9×10-6/K
例如，在被加热到大约为70°的高温后，KOH腐蚀液用于在下文中描述的腐蚀装置29。浸入腐蚀液中的晶片W和基底11将经受从室温(23℃)到70℃的温度变化。当基底11相对晶片W极大程度地膨胀时，由蜡W产生的黏附力降低，导致蜡W从基底11分离或移位，从而产生有缺限的处理。例如，在材料的长度为100mm和温度变化ΔT为47°时，材料的延伸长度各自如下：
硅晶片：100mm×47℃×3.9×10-6＝0.01833mm
SiC：100mm×47℃×4.3×10-6＝0.02021mm
无定形碳：100mm×47℃×3.0×10-6＝0.0141mm
SUS304：100mm×47℃×17.3×10-6＝0.08131mm
Ti：100mm×47℃×8.9×10-6＝0.04183mm
参照硅晶片的延伸长度，其它材料的延伸率如下所示：
SiC：1.102
无定形碳：0.769
SUS304：4.435
Ti：2.282
这些结果显示SiC是作为基底的最理想材料，无定形碳其次。
下面将参照图2描述腐蚀装置。图2是示出根据本发明的腐蚀装置概要的垂直断面的视图。
通过化学腐蚀与基底粘结11的晶片W到预定的厚度，腐蚀装置29构制成执行晶片W的变薄处理。装置29包括用于存储腐蚀液的内部槽31，和用于收集从内部槽31溢流的腐蚀液的外部槽33。内部槽31和外部槽33构成处理槽35。内部槽31具有形成在底部用于引入腐蚀液的进液口37，配置在进液口27上的流量矫直装置39。在流量矫直装置39上的整个区域内有许多细孔，用来矫直从进液口37引入的腐蚀液流体和引导液体流入内部槽31。
在外部槽33的一个位置设有排液口41。循环管43与上述的排液口41和进液口37相连。循环管43上有从上游到下游以指定的顺序排列的三通阀45，泵47，一字型加热器49和过滤器51。腐蚀液源53与三通阀45相连。在排液口41和三通阀45之间支管55与循环管43相连。支管55上装有转换阀57，可操作转换阀通过循环管道43和支管55从外部槽33中排出腐蚀液。、一字型加热器49加热作为腐蚀液的氢氧化钾(KOH)到预定的温度。
保持机构59包括一对保持架63，从晶片W的正面看保持架呈现出倒Y形，在每个保持架的末端中设有安装凹口65，两个啮合组件67固定地联接于每一保持架63的两个下安装凹口，啮合组件活动地连接在每一保持架64的一个上安装凹口65。每个啮合组件67确定了多个槽，未示出，用于嵌在基底11的边缘。每个啮合组件67两端面连接到前保持架33和后保持架33。通过啮合每个基底中的三个外围的位置，啮合组件稳定地支撑与晶片连接的基底11。
前和后保持架63有销69固定到中心位置并从中心位置向外伸出。销69与从位于处理槽35上的驱动机构悬挂下来的连接部件73相连。连接部件具有用螺钉与销69固定的下端，以使得连接部件73相对保持架63是固定的。
驱动机构71具有在内部槽31中围绕水平轴旋转保持机构59的功能，水平轴沿着基底11和晶片W排列的方向延伸。具体地，驱动机构71包括底座75，连接于底座的电动机77，电动机齿轮79，和与齿轮79的下端啮合的齿轮81。连接部件73在偏离齿轮的旋转轴P的位置通过螺钉83与齿轮81可旋转地连接。驱动机构71通过未示出的提升机构可在待机位置和处理位置之间垂直移动。
图2中当上述电动机77的旋转轴被顺时针驱动之际，连接部件73通过齿轮79和81环绕旋转轴P旋转，而连接部件73保持在垂直姿势。结果是，固定在连接部件73下端的保持机构59在内部槽中做旋转运动。
下面，参照图3至10描述处理的具体例子。图3和图4是示出晶片粘合过程的示意图。图5和图6是示出在晶片粘合时提供晶片的端面保护的示意图。图7是示出晶片端面保护状态的垂直断面图。图8是示出晶片端面保护状态的平面图。图9是示出变薄处理期间的状态的透视图。图10是示出变薄处理后晶片状态的垂直断面图。
首先，基底11置于支撑台3上，用加热器9加热到预定的温度(例如，168℃)。蜡传送机构19，例如，在基底11的中心部分(图3)，放置熔点为148℃的蜡HM。然后，蜡HM熔化和覆盖了基底的整个上表面。此时，为了加速，蜡HM的扩散可以驱动电动机7以旋转支撑台3。
接下来，传送机构13运送晶片W并将其放在基底11的上表面上(图4)。在此状态下晶片W具有成形于晶片下表面的电路等等，上表面成为晶片的背面。放好晶片W后，加热器9停止加热。当温度下降远远低于蜡HM的熔点时，晶片W被粘合和固定在基底11上(粘合步骤)。当加热器9的加热停止，未示出的冷却机构可以运行以缩短用于固定的时间。
在蜡HM硬化将晶片W固定到基底11后，如图5所示喷嘴23移到晶片W的端面上面。然后，同时电动机7被驱动以低速旋转支撑台3，端面保护材料C从喷嘴23送出。在支撑台作了一次旋转时，电动机7的驱动停止。然后，如图6至图8所示，晶片W的边缘在整个圆周上被保护材料C覆盖。端面保护材料C也覆盖了在晶片W的下表面和基底11上表面之间露出的蜡HM(端面保护步骤)。
如图7和8所示，上面的端面保护理想地施加在从晶片W的边缘(端面)向内的预定宽度PW。由于端面保护材料C覆盖晶片W从晶片W的边缘向内的相当大的范围，在下文中描述的晶片变薄处理时，为到达晶片的端面腐蚀液必须移动增加的距离。这种措施能可靠地避免由于腐蚀液扩散到晶片W的端面而导致的不便。
在晶片W的边缘被端面保护材料C覆盖时或覆盖之后，可运行加热器9以加热晶片W和保护材料C到预定的温度，从而缩短端面保护材料的固化时间。但是，这个温度应远远在蜡HM的熔点之下以使得已经固定好的蜡不会又被熔化。
在端面保护材料变硬之后，传送机构13从支撑台3移开晶片W与其粘合的基底11，新的一组基底11和晶片W进行如上所述的处理。当预定数量的晶片W已经被与基底粘结11上，开始执行下面的变薄处理。
与晶片W粘结上的基底11被传送到腐蚀装置29。如图2所示，由保持机构59夹持的基底11被移入存有加热到预定的温度(例如，70℃)的腐蚀液的内部槽31，由此晶片W被浸入腐蚀液。然后，如图9所示，以预定的时间(例如，30分钟)驱动电动机77以在腐蚀液中旋转晶片W。结果，例如，6英寸直径的晶片W的厚度减少到50微米或更小。图10示意性地示出由变薄处理导致的晶片的垂直断面图。虽然每个晶片的厚度减小到如图示的那样，用端面保护材料C覆盖的晶片W的边缘没有被腐蚀基本地保留了原始的厚度。
尽管晶片W与基底11一道长时间被浸入到热的腐蚀液，用蜡HM与基底粘结11粘结的晶片W的边缘被端面保护材料C在整个圆周用加强方法予以覆盖。从而，蜡HM没有被腐蚀液腐蚀或熔化，这防止了诸如晶片W从基底11分离的有缺限的处理。
因为基底11由具有与晶片W的热膨胀系数相似的材料组成，基底11相对于晶片W不会大程度地膨胀。这防止了用蜡HM粘合性的降低，从而防止了晶片W从基底11分离或移位，因此也防止了有缺限的处理。
变薄时期一结束，驱动机构71运行，会从内部槽31移走与晶片W粘结的基底11。然后，如图10所示，每个晶片W以端面保护材料C的预定宽度PW略微向内的的切割宽度(CW)切割(切割步骤)。；例如，这一切割步骤由高输出激光束执行。从而，如图1所示，晶片W以比原始直径略小的直径和减小的厚度切割。
每个晶片W可以通过在溶解端面保护材料C的溶液中浸入晶片W和基底11的溶解步骤与基底11分离，替代执行上面的切割操作。每个晶片W通过砂磨可以从基底剥离。
在上述实施例中，端面保护材料C以从晶片W的边缘向内的预定宽度PW覆盖了晶片W的上表面。如图12所示，端面保护材料C与蜡HM一道仅仅覆盖晶片W的边缘(端面)。然后，如图13所示，距离晶片W边缘的预定宽度PW部分可以被有效地在随后的步骤中使用。这也能够降低端面保护材料的成本。
本发明不局限于上述实施例，但可以做出如下修改：
(1)例如，端面保护材料可以根据晶片W的外径预先制成圆形，然后装于晶片W边缘上。这种修改保证了和前述实施例的同样的功能和效果，在前述实施例中，端面保护材料C直接从对应于第二涂布机构和保护材料涂布机构的喷嘴23施加，本修改还缩短了要求提供端面保护的施时间。
(2)在描述的结构中，支撑台3是旋转的把端面保护材料C施加到整个晶片的圆周。代替移动支撑台3，喷嘴23可以根据晶片W的形状移动以施加保护材料C。
(3)在前述实施例中，变薄处理是批量型的。作为替换，可采用单一晶片型用于每次处理一个晶片W。
(4)作为加热机构，安装在支撑台3的加热器9可以被从支撑台上面发射光的加热机构取代。
在不背离本发明的精神和本质特征的情况下本发明也可以以其它具体形式体现，因此，当指示本发明的范围时，应当引用附属的权利要求书而不是前述的说明书。

Claims (20)

1.一种晶片处理装置，它包括：
用于支撑类似板状的基底的支撑物；
用于加热放置在所述支撑物上的基底的加热机构；
用于在放置于所述支撑物上的基底表面上涂布固定成分的第一涂布机构；
用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载机构；
用于在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述第二涂布机构被设置成在晶片上涂布端面保护材料直到离晶片边缘向内的预定宽度的位置。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述支撑物被设置成支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的和具有与晶片相似的热膨胀系数的所述基底。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于：所述支撑物被设置成支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的和具有与晶片相似的热膨胀系数的所述基底。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述基底由SiC组成。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述基底由无定形碳组成。
7.一种晶片处理方法，它包括：
将晶片放置于基底上，并用固定成分将所述晶片粘结到所述基底上的粘结步骤；
在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的端面保护步骤；
通过将其上粘结了晶片的所述基底浸入存储在处理槽中的腐蚀液中使所述晶片变薄的变薄步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述端面保护步骤被执行，以在晶片上涂布端面保护材料至离晶片边缘向内的预定宽度的位置。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：还包括在所述的变薄步骤之后的切割步骤，用于在离晶片边缘的预定宽度的向内位置切割晶片。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于：还包括在所述的变薄步骤之后溶解步骤，用于用溶液溶解和去除所述的端面保护材料。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于：还包括在所述的变薄步骤之后溶解步骤，用于用溶液溶解和去除所述的端面保护材料。
12.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述端面保护材料包括碳。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述端面保护材料包括碳。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述端面保护材料包括碳。
15.一种晶片处理装置，它包括：
用于支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的并具有与晶片相似的热膨胀系数的类似板状的基底的支撑物；
用于加热放置在所述支撑物上的基底的加热机构；
用于在放置于所述支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的涂布机构；
用于在涂布有所述固定成分的基底上面装载晶片的装载机构。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于：所述基底由SiC组成。
17.如权利要求15所述的装置，其特征在于：所述基底由无定形碳组成。
18.如权利要求15所述的装置，其特征在于：还包括用于在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料涂布机构。
19.如权利要求16所述的装置，其特征在于：还包括用于在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料涂布机构。
20.如权利要求17所述的装置，其特征在于：还包括用于在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料涂布机构。
CNA2005101192122A 2004-10-26 2005-10-26 晶片处理装置和方法 Pending CN1783428A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004310733A JP4219321B2 (ja) 2004-10-26 2004-10-26 ウエハ処理装置
JP2004310733 2004-10-26
JP2004314263A JP2006128387A (ja) 2004-10-28 2004-10-28 ウエハ処理装置
JP2004314263 2004-10-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1783428A true CN1783428A (zh) 2006-06-07

Family

ID=36205449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005101192122A Pending CN1783428A (zh) 2004-10-26 2005-10-26 晶片处理装置和方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060087007A1 (zh)
KR (1) KR100652788B1 (zh)
CN (1) CN1783428A (zh)
TW (1) TWI285401B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106000110A (zh) * 2016-07-11 2016-10-12 常州大学 一种用于管式膜元件端面保护的方法
CN106040012A (zh) * 2016-07-11 2016-10-26 常州大学 一种用于膜渗透元件的修复方法
CN106356322A (zh) * 2016-10-20 2017-01-25 北方电子研究院安徽有限公司 一种晶圆腐蚀装置以及腐蚀方法
CN114643651A (zh) * 2022-03-21 2022-06-21 北京晶格领域半导体有限公司 一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101217108B (zh) * 2008-01-02 2010-06-09 株洲南车时代电气股份有限公司 一种芯片台面腐蚀装置
US10522427B2 (en) * 2011-07-06 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Techniques providing semiconductor wafer grouping in a feed forward process
US8536025B2 (en) 2011-12-12 2013-09-17 International Business Machines Corporation Resized wafer with a negative photoresist ring and design structures thereof
US20130264686A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer processing
FR3077423B1 (fr) * 2018-01-30 2020-11-27 Commissariat Energie Atomique Structure de manipulation pour amincir un substrat et procede d'amincissement d'un substrat utilisant une telle structure

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7313572A (nl) * 1973-10-03 1975-04-07 Philips Nv Werkwijze voor het etsen van silicium- of ger- mplakken en halfgeleiderinrichtingen ver- igd met toepassing van deze werkwijze.
US4266334A (en) * 1979-07-25 1981-05-12 Rca Corporation Manufacture of thinned substrate imagers
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP3768069B2 (ja) 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
WO2003095579A1 (fr) * 2002-05-13 2003-11-20 Jsr Corporation Composition et procede pour la fixation termporaire de solides

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106000110A (zh) * 2016-07-11 2016-10-12 常州大学 一种用于管式膜元件端面保护的方法
CN106040012A (zh) * 2016-07-11 2016-10-26 常州大学 一种用于膜渗透元件的修复方法
CN106356322A (zh) * 2016-10-20 2017-01-25 北方电子研究院安徽有限公司 一种晶圆腐蚀装置以及腐蚀方法
CN114643651A (zh) * 2022-03-21 2022-06-21 北京晶格领域半导体有限公司 一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置
CN114643651B (zh) * 2022-03-21 2024-05-14 北京晶格领域半导体有限公司 一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060053259A (ko) 2006-05-19
TWI285401B (en) 2007-08-11
US20060087007A1 (en) 2006-04-27
KR100652788B1 (ko) 2006-12-01
TW200629398A (en) 2006-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1783428A (zh) 晶片处理装置和方法
CN1104040C (zh) 晶片处理装置和晶片传送装置以及晶片处理方法
CN1841663A (zh) 半导体制造装置
KR102128393B1 (ko) 화학적 기계적 평탄화 전 버핑 모듈을 위한 방법 및 장치
CN1913108A (zh) 基板处理方法及其装置
CN1725074A (zh) 基板处理设备及使用其的基板处理方法
CN1921982A (zh) 用于粘结光学透镜的装置及方法
JP2010135356A (ja) ウエーハのダイシング方法
WO2008053590A1 (fr) Composition de résine liquide, tranche semi-conductrice avec couche adhésive, élément semi-conducteur avec couche adhésive, boîtier semi-conducteur, procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur et procédé de fabrication d'un boîtier semi-con
CN1828859A (zh) 晶片处理装置
WO2021174762A1 (zh) 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备
CN102061474A (zh) 一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法
CN112838045A (zh) 一种芯片制备用硅晶片加工装置及加工工艺
TW201712727A (zh) 處理工件表面的方法
JP5118903B2 (ja) 封孔処理剤塗布装置、封孔処理方法および軸受
TW200805476A (en) Method for cutting wafer
JP6093321B2 (ja) 塗布装置、塗布方法及び記録媒体
JP2007243082A (ja) ディンプルレスのＧａＡｓウエハ−貼付方法
KR20230008803A (ko) 전자 장치의 제조 방법
CN1272943A (zh) 光盘及光盘的制造方法
JP5052120B2 (ja) 封孔処理剤塗布装置および封孔処理方法
US5695833A (en) Method for uniform film coating of substrates
JP4219321B2 (ja) ウエハ処理装置
JP2008296351A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN1884458A (zh) 亲水涂层铝箔用水溶性润滑组合物及其制备和使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication