KR102315112B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102315112B1
KR102315112B1 KR1020200031144A KR20200031144A KR102315112B1 KR 102315112 B1 KR102315112 B1 KR 102315112B1 KR 1020200031144 A KR1020200031144 A KR 1020200031144A KR 20200031144 A KR20200031144 A KR 20200031144A KR 102315112 B1 KR102315112 B1 KR 102315112B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
thermoplastic resin
outer peripheral
supply nozzle
board
Prior art date
Application number
KR1020200031144A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200111109A (ko
Inventor
유헤이 네모토
고노스케 하야시
유지 나가시마
사키 아키모토
준 마츠시타
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20200111109A publication Critical patent/KR20200111109A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102315112B1 publication Critical patent/KR102315112B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 에칭 대상으로 되는 기판(W)을 지지하는 테이블(30)과, 테이블(30)에 의해 지지된 기판(W)에 대하여 상대 이동하여, 테이블(30)에 의해 지지된 기판(W)의 외주 단부(A1)에, 연화된 열가소성 수지를 공급하는 공급 노즐(52)과, 공급 노즐(52)에 의해 기판(W)의 외주 단부(A1)에 공급된 열가소성 수지를 가열하는 가열부(60)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명의 실시 형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서 사용되고 있으며, 균일성이나 재현성의 면에서, 기판을 1매씩 전용 처리실에서 처리하는 낱장 방식의 기판 처리 장치가 널리 사용되고 있다. 예를 들어, 반도체의 제조 공정으로서, 적층 메모리 디바이스 제조 공정이 있는데, 그 제조 공정에서의 적층 Si 웨이퍼의 박화 공정으로서, 기판의 디바이스층 상의 Si층을 에칭액으로 박화하는 에칭 공정이 존재하고 있고, 이 에칭 공정에 낱장 방식의 기판 처리 장치가 사용되고 있다.
전술한 에칭 공정에서는, 에칭액이 기판의 중앙 부근에 공급되고, 기판 회전의 원심력에 의해 기판의 외주로부터 흘러내린다. 이때, 기판의 외주면(기판 외주의 단부면)도 에칭액에 의해 침식되고, 기판의 직경이 짧아져, 기판 사이즈가 작아지는 일이 있다(기판 사이즈의 축소). 이 기판 사이즈의 축소가 생기면, 기판의 외주 부분에 있어서 원하는 사이즈의 디바이스 칩을 얻기가 불가능해져, 디바이스 칩 로스(1매의 기판으로부터 얻어지는 원하는 사이즈의 디바이스 칩수의 감소)가 생긴다. 또한, 후공정에서의 로봇에 의한 반송 등에 있어서는, 기판 사이즈가 기준으로 되어 반송 장치의 설계나 설정이 행해지고 있기 때문에, 기판 사이즈가 허용값보다 작아지면, 후공정에서의 기판 반송이 불가능하게 된다.
일본 특허 공개 평6-9300호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는,
에칭 대상으로 되는 기판을 지지하는 테이블과,
상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판에 대하여 상대 이동하여, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 외주 단부에, 연화된 열가소성 수지를 공급하는 공급 노즐과,
상기 공급 노즐에 의해 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지를 가열하는 가열부
를 구비한다.
본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 방법은,
에칭 대상으로 되는 기판을 테이블에 의해 지지하는 공정과,
상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판에 대하여 공급 노즐을 상대 이동시켜, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 외주 단부에, 연화된 열가소성 수지를 상기 공급 노즐에 의해 공급하는 공정과,
상기 공급 노즐에 의해 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지를 가열부에 의해 가열하는 공정
을 갖는다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
도 1은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는, 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제1 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제1 예에 의해 수지가 도포된 기판을 도시하는 평면도이다.
도 4는, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 공정의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 5는, 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제2 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제2 예에 의해 수지가 도포된 기판을 도시하는 평면도이다.
도 7은, 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제3 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 상술한 제3 예에 있어서의 수지 도포의 시점 및 종점 부근을 도시하는 도면이다.
도 9는, 제1 실시 형태에 관한 가열부 배치의 제2 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은, 제1 실시 형태에 관한 가열부 배치의 제3 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은, 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 12는, 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 공정의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
도 13은, 제3 실시 형태에 관한 수지 도포의 일례에 의해 수지가 도포된 기판을 도시하는 평면도이다.
도 14는, 제3 실시 형태에 관한 수지 도포의 일례에 의해 수지가 도포되어 가열된 기판을 도시하는 평면도이다.
<제1 실시 형태>
제1 실시 형태에 대하여 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한다.
(기본 구성)
도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 처리실(20)과, 테이블(30)과, 회전 기구(40)과, 수지 공급부(50)와, 가열부(60)와, 제어부(70)를 구비하고 있다.
처리실(20)은, 피처리면(Wa)을 갖는 기판(W)을 처리하기 위한 처리 박스이다. 이 처리실(20)은, 예를 들어 상자 형상으로 형성되어 있고, 테이블(30), 회전 기구(40)의 일부, 수지 공급부(50)의 일부, 가열부(60) 등을 수용한다. 기판(W)으로서는, 예를 들어 웨이퍼나 액정 기판이 사용된다. 이 기판(W)은 에칭 처리의 대상, 즉 에칭 대상으로 된다.
전술한 처리실(20)의 상면에는 클린 유닛(21)이 마련되어 있다. 이 클린 유닛(21)은, 예를 들어 HEPA 필터 등의 필터나 팬(모두 도시하지 않음)을 갖고 있으며, 기판 처리 장치(10)가 설치되는 클린 룸의 천장으로부터 불어 내리는 다운 플로우를 정화하여 처리실(20) 내로 도입하고, 처리실(20) 내에 위에서 아래로 흐르는 기류를 생기게 한다. 클린 유닛(21)은 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(70)에 의해 제어된다.
테이블(30)은, 처리실(20) 내의 중앙 부근에 위치 부여되고, 회전 기구(40) 상에 수평으로 마련되어 있고, 수평면 내에서 회전 가능하게 되어 있다. 이 테이블(30)은, 예를 들어 스핀 테이블(회전 테이블)이라고 불린다. 기판(W)의 피처리면(Wa)의 중심은, 테이블(30)의 회전축 상에 위치 부여된다. 테이블(30)은, 예를 들어 그 상면에 적재된 기판(W)을 흡착하여 보유 지지한다(흡착 보유 지지).
회전 기구(40)는, 테이블(30)을 지지하고, 그 테이블(30)을 수평면 내에서 회전시키도록 구성되어 있다. 예를 들어, 회전 기구(40)는, 테이블(30)의 중앙에 연결된 회전축이나 그 회전축을 회전시키는 모터(모두 도시하지 않음)를 갖고 있다. 이 회전 기구(40)는, 모터의 구동에 의해 회전축을 통하여 테이블(30)을 회전시킨다. 회전 기구(40)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(70)에 의해 제어된다.
수지 공급부(50)는, 저류 유닛(51)과, 공급 노즐(52)과, 노즐 이동 기구(53)를 갖고 있다. 이 수지 공급부(50)는, 노즐 이동 기구(53)에 의해 공급 노즐(52)을 이동시켜 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)의 상방에 위치 부여하고, 저류 유닛(51)으로부터 공급 노즐(52)로 연화 상태의 열가소성 수지를 보내고, 공급 노즐(52)로부터 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)로 연화 상태의 열가소성 수지를 공급한다. 또한, 기판(W)의 외주 단부(A1)의 상세에 대해서는, 후술한다.
여기서, 열가소성 수지로서는, 예를 들어 PVA(폴리비닐알코올), EVA(에틸렌아세트산비닐 공중합체), 우레탄계 수지가 사용된다. 이 열가소성 수지는, 에칭 공정에서 사용되는 에칭액에 대하여 난용성, 즉 내성을 갖고 있으며, 에칭액으로부터 기판(W)을 보호하는 보호재로서 기능한다. 열가소성 수지는, 예를 들어 그 온도가 150℃ 이상으로 되면 연화되고, 150℃보다 낮아지면 경화된다. 경화 상태는 겔형이어도 된다.
저류 유닛(51)은, 탱크(51a)와, 개폐 밸브(51b)와, 펌프(51c)를 갖고 있다. 탱크(51a)는 히터(51a1)를 갖고 있으며, 히터(51a1)에 의해 열가소성 수지를 가열하여 연화 상태의 열가소성 수지를 저류한다. 히터(51a1)는, 열에 의해 열가소성 수지를 연화시키는 가열부로서 기능한다. 탱크(51a)는, 공급 노즐(52)에 공급관(51a2)을 통하여 접속되어 있다. 개폐 밸브(51b) 및 펌프(51c)는, 공급관(51a2)의 경로 도중에 마련되어 있다. 전자 밸브 등의 개폐 밸브(51b)는 공급관(51a2)을 흐르는 연화 상태의 열가소성 수지의 유통(공급량이나 공급 타이밍 등)을 제어하고, 펌프(51c)는 탱크(51a) 내의 연화 상태의 열가소성 수지를 공급 노즐(52)에 보내기 위한 구동원이다. 개폐 밸브(51b) 및 펌프(51c), 히터(51a1) 등의 가열부는, 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(70)에 의해 제어된다. 또한, 공급관(51a2)의 외주벽에도, 공급관(51a2)의 연신 경로를 따라 연신하는 히터(도시하지 않음)를 마련하는 것이 바람직하다. 이 경우, 그 히터도 열에 의해 열가소성 수지를 연화시키는 가열부로서 기능하여, 공급관(51a2)을 흐르는 열가소성 수지의 연화 상태를 유지한다.
공급 노즐(52)은, 노즐 이동 기구(53)에 의해 테이블(30)의 상방을 테이블(30) 상의 기판(W)의 피처리면(Wa)을 따라 수평 방향으로 요동 가능하게 형성되어 있고, 또한 연직 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 이 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)에 대향하고, 탱크(51a)로부터 공급관(51a2)을 통하여 공급된 연화 상태의 열가소성 수지를 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)를 향하여 공급한다. 공급 노즐(52)로서는, 예를 들어 디스펜서가 사용된다. 또한, 공급 노즐(52)은 히터(52a)를 갖고 있다. 이 히터(52a)는, 열에 의해 열가소성 수지를 연화시키는 가열부로서 기능하여, 공급 노즐(52)을 흐르는 열가소성 수지의 연화 상태를 유지한다. 히터(52a)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(70)에 의해 제어된다.
노즐 이동 기구(53)는, 가동 암(53a)과, 암 이동 기구(53b)를 갖고 있다. 가동 암(53a)은, 암 이동 기구(53b)에 의해 수평으로 지지되고, 일단에 공급 노즐(52)을 보유 지지하고 있다. 암 이동 기구(53b)는, 가동 암(53a)에 있어서의 공급 노즐(52)과 반대측의 일단을 보유 지지하고, 그 가동 암(53a)을 테이블(30) 상의 기판(W)의 피처리면(Wa)을 따라 수평 방향으로 요동시키고, 또한 연직 방향으로 승강시킨다. 이 암 이동 기구(53b)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(70)에 의해 제어된다.
예를 들어, 노즐 이동 기구(53)는, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)의 바로 위의 공급 위치와, 테이블(30)의 상방으로부터 퇴피하여 기판(W)의 반입이나 반출을 가능하게 하는 대기 위치의 사이에서 공급 노즐(52)을 이동시킨다. 또한, 도 1에 도시하는 공급 노즐(52)은 공급 위치에 있다.
가열부(60)는, 테이블(30)의 회전 동작을 방해하지 않도록 테이블(30)의 주위에 마련되어 있다. 이 가열부(60)는, 기판(W)에 대한 열가소성 수지의 밀착성을 향상시키기 위해, 기판(W)의 외주 단부(A1)에 도포된 열가소성 수지를 비접촉으로 가열한다. 가열부(60)로서는, 열풍에 의해 가열을 행하는 히터, 혹은 방사열에 의해 가열을 행하는 히터 등이 사용된다. 이 가열부(60)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(70)에 의해 제어된다. 도시는, 열풍에 의한 히터를 나타낸다.
제어부(70)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 제어부(70)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 회전 기구(40)에 의한 테이블(30)의 회전 동작, 수지 공급부(50)에 의한 열가소성 수지의 공급 동작, 가열부(60)의 가열 동작 등의 제어(제어에 관한 각종 처리도 포함함)를 행한다.
여기서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 외주 단부(A1)는, 기판(W)의 상면(피처리면(Wa))의 외주 영역(A1a)과, 기판(W)의 외주면(기판(W) 외주의 단부면)(A1b)과, 기판(W)의 하면의 외주 영역(A1c)에 의해 구성되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 상면에는, 에칭 처리 공정에 있어서 에칭 처리의 대상으로 되는 에칭 대상 영역(R1)이 있다. 에칭 대상 영역(R1)은, 기판(W)의 상면의 외주 영역(A1a)을 제외한 기판(W)의 상면의 영역이다. 이 에칭 대상 영역(R1) 이외의 영역은, 에칭 처리 공정에 있어서 에칭 처리의 대상이 아닌 비에칭 대상 영역이다. 도 3에서는, 에칭 대상 영역(R1)은 원형의 영역이고, 기판(W)의 상면의 외주 영역(A1a) 또한 기판(W)의 하면의 외주 영역(A1c)(도 2 참조)은, 각각 기판(W)의 외주로부터 내측(기판(W)의 중심측)으로 수mm(예를 들어 4mm 이하)의 소정 폭을 갖는 원환형 영역이다.
예를 들어, 공급 노즐(52)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)의 바로 위에 위치하고, 그 외주면(A1b)의 상부에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 공급한다. 또한, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)는, 원하는 점성을 갖고 있으므로, 기판(W)의 외주면(A1b)의 상부에 공급된 열가소성 수지(B1)는, 기판(W)의 외주면(A1b)을 덮도록 하방으로 확산되어 간다. 열가소성 수지(B1)는 공급 노즐(52)로부터 토출되면 표층에서부터 서서히 경화되기 시작하여, 기판(W)에 부착되면 열가소성 수지(B1)의 온도가 급격하게 낮아져, 기판(W)에 부착된 부분의 열가소성 수지는 급속하게 경화된다. 테이블(30) 상의 기판(W)의 온도는 처리실(20) 내의 기류(예를 들어, 위에서 아래로 흐르는 기류)에 의해 저하되어 있다. 이 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 부착되면, 열가소성 수지(B1)의 온도는 급격하게 낮아지는 경향이 있다.
이 수지 공급 시, 테이블(30)은 회전 기구(40)에 의해 회전하고 있기 때문에, 테이블(30) 상의 기판(W)도 회전하고 있는 상태이다. 이 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는, 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 외주면(A1b)을 따라 순차적으로 부착되어 간다. 이에 의해, 도 3에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면에 열가소성 수지(B1)가 도포되고, 그 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면만이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다(수지 도포 완료). 그리고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)는 온도 저하에 의해 경화된다. 그 후, 테이블(30)이 회전하고 있는 상태에서, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)가 가열부(60)에 의해 가열되면, 그 열가소성 수지(B1)는 연화되어 기판(W)의 외주면(A1b)에 접착한다. 이에 의해, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 향상된다. 이때, 가열부(60)는, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)를, 그 열가소성 수지(B1)가 기판(W)의 외주면(A1b)에 접촉하지 않은 면측(도 2 참조)에서 순간적으로(예를 들어 수초) 가열하여, 열가소성 수지(B1)를 연화시킨다. 여기서, 가열부(60)에 의한 열가소성 수지(B1)의 가열 온도는, 열가소성 수지(B1)의 점도가, 열가소성 수지(B1)가 기판(W)의 외주면(A1b)으로부터 늘어지는 일이 없을 정도의 점도로 유지되는 온도 이하로 제한된다. 또한, 열가소성 수지 재료의 일부가 소용없게 되지만, 열가소성 수지(B1)의 일부가 기판(W)의 외주면(A1b)으로부터 늘어지는 가열 온도라도, 최종적으로 기판(W)의 외주면(A1b)에, 필요로 하는 두께의 열가소성 수지(B1)를 도포할 수 있는 것이면, 그 가열 온도를 제한 온도로 해도 상관없다. 이 제한 온도는, 사용하는 열가소성 수지(B1)의 종류 등에 따라 다르며, 미리 실험적으로 구해져 있다. 이 수지 도포 완료의 기판(W)은, 로봇 핸드 등을 갖는 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 처리실(20)로부터 반출되고, 기판 처리 장치(10)와 별체의 에칭 처리 장치(도시하지 않음)에 반입되어, 에칭액에 의해 처리된다(상세하게는 후술함).
또한, 공급 노즐(52)이 공급 위치에 있는 상태에 있어서, 공급 노즐(52)과 테이블(30) 상의 기판(W)의 수직 이격 거리는, 소정 거리로 설정되어 있다. 이 소정 거리는, 사용하는 열가소성 수지(B1)의 종류(연화 상태에서의 점도)에 따라, 열가소성 수지의 공급량이나 테이블(30)의 회전수 등과 함께, 실험적으로 미리 구해져 있다. 즉, 소정 거리나 열가소성 수지의 공급량이나 테이블(30)의 회전수 등은, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)가 기판(W)의 외주면(A1b)만을 덮고 경화되도록 미리 설정되어 있다. 또한, 먼저 설명한 가열부(60)에 의한 가열 온도와 마찬가지로, 가열부(60)에 의한 가열 시간도, 사용하는 열가소성 수지(B1)의 종류(연화 상태에서의 점도)에 따라, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)가 연화되어 기판(W)의 외주면(A1b)으로부터 늘어지는 일이 없거나, 혹은 늘어졌다고 해도, 최종적으로 기판(W)의 외주면(A1b)에 필요로 하는 두께의 열가소성 수지(B1)를 도포할 수 있도록, 실험적으로 미리 구해져 설정되어 있다.
(기판 처리 공정)
이어서, 상술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정의 흐름에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 공정에 있어서 제어부(70)가 각 부의 동작을 제어한다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 스텝 S1에 있어서, 로봇 핸드에 의해 미처리의 기판(W)이 처리실(20) 내로 반입되어 테이블(30) 상에 적재되고, 그 적재된 기판(W)이 테이블(30)에 의해 흡착 보유 지지된다. 로봇 핸드는, 기판(W)의 적재 후, 처리실(20)로부터 퇴피한다. 또한, 기판(W)의 반입 시에는, 공급 노즐(52)은 대기 위치에 있다.
전술한 로봇 핸드가 처리실(20)로부터 퇴피하면, 스텝 S2에 있어서, 테이블(30)의 회전이 회전 기구(40)에 의해 개시되고, 스텝 S3에 있어서, 연화 상태의 열가소성 수지가 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)에 도포된다. 구체적으로는, 다음 수순으로 행해진다. 공급 노즐(52)은 노즐 이동 기구(53)에 의해 대기 위치로부터 공급 위치로 이동한다. 공급 노즐(52)이 공급 위치에 도달하면, 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)의 바로 위에 위치하고(도 2 참조), 테이블(30)의 회전수가 소정의 회전수(예를 들어 10rpm)로 되면, 기판(W)의 외주면(A1b)의 상부를 향하여 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 토출한다. 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 외주면(A1b)을 따라 순차적으로 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판(W)에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점이 1주하면, 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면에 열가소성 수지(B1)가 도포되고(도 3 참조), 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면만이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다. 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 두께는, 예를 들어 0.5 내지 3mm이다. 또한, 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)는, 온도 저하에 의해 경화 상태로 된다.
이 수지 도포가 완료되어 토출이 정지되면, 공급 노즐(52)은 도포 위치로부터 대기 위치로 이동하고, 스텝 S4에 있어서, 가열부(60)의 가열 동작이 개시된다. 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)는 가열부(60)에 의해 가열된다. 이 가열은, 기판(W)의 회전에 따라, 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체에 걸쳐 소정 시간 행해진다. 소정 시간 경과 후, 가열부(60)의 가열 동작이 정지된다. 이 가열 동작에 의해, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 경화 상태의 열가소성 수지(B1)는 다시 연화되고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 접착하기 때문에, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 향상된다. 그 후, 이 밀착성이 향상된 상태에서 열가소성 수지(B1)는 경화(재경화)된다. 이 수지 가열이 완료되면, 스텝 S5에 있어서, 테이블(30)의 회전이 정지된다.
전술한 공급 노즐(52)이 대기 위치로 복귀되고, 또한 테이블(30)의 회전이 정지되면, 스텝 S6에 있어서, 수지 도포 완료의 기판(W)이, 테이블(30) 상으로부터 전술한 로봇 핸드(도시하지 않음)에 의해 처리실(20) 밖으로 반출되고, 에칭 처리 장치(도시하지 않음)에 반입된다. 그리고, 에칭 처리 장치에 의해 기판(W)의 피처리면(Wa)이 에칭액에 의해 처리된다. 에칭 공정에서는, 예를 들어 50rpm으로 회전하는 기판(W)의 피처리면(Wa)의 중앙 부근에 에칭액이 공급되고, 공급된 에칭액은 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 피처리면(Wa)의 전체로 확산된다. 이에 의해, 기판(W)의 피처리면(Wa) 상에는 에칭액의 액막이 형성되고, 기판(W)의 피처리면(Wa)은 에칭액에 의해 처리된다. 이때, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)는, 에칭액으로부터 기판(W)의 외주면(A1b)을 보호하는 보호재로서 기능한다. 에칭 처리 후의 기판(W)은, 에칭 처리 장치 내에서, 세정액을 사용한 세정 처리, 기판(W)을 고속 회전시킴에 따른 건조 처리가 순차적으로 행해진다.
이러한 기판 처리 공정에서는, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)가 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)의 일부인 외주면(A1b)에 도포되고, 그 외주면(A1b)의 전체면만이 경화 상태의 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다. 이에 의해, 후공정인 에칭 공정에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)가 에칭액으로부터 기판(W)의 외주면(A1b)을 보호하는 보호재로서 기능하기 때문에, 기판(W)의 외주면(A1b)이 에칭액에 의해 침식되는 것이 억제되어, 기판(W)의 직경이 작아지는 것, 즉 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 외주 부분에 있어서도 원하는 사이즈의 디바이스 칩을 얻는 것이 가능하게 되므로, 디바이스 칩 로스의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 후공정에서의 로봇에 의한 반송 등, 후공정에서의 기판 반송을 가능하게 하여, 수율을 향상시킬 수 있다.
여기서, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는 표층에서부터 서서히 경화되기 시작하고, 또한 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 부착되면, 열가소성 수지(B1)의 온도는 급격하게 내려간다. 이러한 점에서, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 낮아지는 경향이 있다. 그래서, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 가열부(60)에 의해 가열하여 연화시킴으로써, 열가소성 수지(B1)를 기판(W)에 확실하게 접착시키는 것이 가능하게 되어, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 이 밀착성이 향상된 상태에서 열가소성 수지(B1)는 경화된다. 이에 의해, 에칭 공정에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)가 에칭액의 흐름이나 회전에 의한 원심력 등에 의해 박리되는 것이나, 기판(W)과 열가소성 수지(B1)의 사이의 밀착성이 좋지 않은 곳으로부터 에칭액이 유입하여 외주면(A1b)에 도달하는 것을 억제하는 것이 가능하게 되어, 보다 확실하게 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
또한, 이 실시 형태에서는, 가열부(60)에 의한 가열을, 기판(W)에 열가소성 수지(B1)를 도포하고 있을 때에는 행하지 않고, 도포 후에 개시하도록 구성하였다. 도포 시에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 연화가 억제되므로, 기판(W)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 도포 폭이나 막 두께에 관하여, 특히 높은 정밀도나 균일성이 요구되는 경우에는, 도포 후에 가열을 개시하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에 따르면, 연화 상태의 열가소성 수지를 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1), 예를 들어 기판(W)의 외주면(A1b)에 공급함으로써, 그 외주면(A1b)이 경화 상태의 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다. 또한, 기판(W)의 외주면(A1b)을 덮는 열가소성 수지(B1)를 가열하여 연화시킴으로써, 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 확실하게 접착하기 때문에, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 향상된다. 따라서, 에칭 공정에 있어서, 기판(W)의 외주면(A1b)을 덮는 열가소성 수지(B1)가 박리되거나, 기판(W)과 열가소성 수지(B1)의 사이의 밀착성이 좋지 않은 곳으로부터 에칭액이 침입하거나 하는 것이 억제되어, 기판(W)의 외주면(A1b)은 경화 상태의 열가소성 수지(B1)에 의해 확실하게 보호된다. 이에 의해, 기판(W)의 외주면(A1b)이 에칭액에 의해 침식되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
(수지 도포의 다른 예)
전술한 공급 노즐(52)에 의한 수지 도포의 예를 제1 예라고 하고, 수지 도포의 다른 예로서 제2 예 및 제3 예에 대하여 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
제2 예로서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 바로 위, 예를 들어 외주 영역(A1a)에 있어서 기판(W)의 외측에 가까운 위치의 바로 위에 위치하고, 그 외주 영역(A1a)에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 공급한다. 제2 예에서는, 제1 예보다 연화 상태의 열가소성 수지(B1)의 공급량은 많다. 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 공급된 열가소성 수지(B1)는, 그 외주 영역(A1a)을 덮도록, 또한 외주 영역(A1a)에 이어지는 외주면(A1b)을 덮도록 확산되어 간다. 이 수지 공급 시에는, 테이블(30) 상의 기판(W)은 테이블(30)과 함께 회전하고 있기 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 외주 영역(A1a) 및 외주면(A1b)을 따라 순차적으로 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판(W)에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점이 1주하면, 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 전체 및 외주면(A1b)의 전체면에 열가소성 수지(B1)가 도포되고, 그 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 전체면 및 외주면(A1b)의 전체면만이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다.
제3 예로서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 바로 위, 예를 들어 외주 영역(A1a)에 있어서 제2 예의 위치보다 기판(W)의 내측에 가까운 위치의 바로 위에 위치하며, 그 외주 영역(A1a)에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 공급한다. 제3 예에서는, 제2 예보다 연화 상태의 열가소성 수지(B1)의 공급량은 적다. 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 공급된 열가소성 수지(B1)는, 기판(W)의 외주 영역(A1a)을 덮도록 확산되어 간다. 이 수지 공급 시에는, 테이블(30) 상의 기판(W)은 테이블(30)과 함께 회전하고 있기 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 외주 영역(A1a)을 따라 순차적으로 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판(W)에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점이 1주하면, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 전체면에 열가소성 수지(B1)가 도포되고, 그 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 전체면만이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다.
전술한 제2 및 제3 예에서도, 전술한 제1 예와 마찬가지로, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 또한, 열가소성 수지(B1)의 공급 시에 있어서의, 공급 노즐(52)과 테이블(30) 상의 기판(W)의 수직 이격 거리, 공급 위치, 공급량, 테이블(30)의 회전수 등은, 실험적으로 미리 구해져 있다는 점은, 제1 예와 마찬가지이다. 또한, 제2 예, 제3 예에서, 기판(W)에 도포된 열가소성 수지(B1)를 가열부(60)에 의해 가열하여 연화시키도록 하는 점도, 제1 예와 마찬가지이다. 제3 예에서는, 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮여 있지 않지만, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 전체면이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮여 있다(도 7 참조). 에칭 공정에서는, 회전하는 기판(W)의 피처리면(Wa)의 중앙 부근에 공급된 에칭액이, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 피처리면(Wa)의 전체로 확산된다. 이 확산된 에칭액은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 밖을 향하여 비산하는데, 이때, 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 부착된 경화 상태의 열가소성 수지(B1)에 의해, 에칭액의 비산 방향이 수평면에 대하여 상방으로 편향된다. 이 때문에, 에칭액이 기판(W)의 외주면(A1b)에 유입되는 것이 억제된다. 이에 의해, 전술한 제1 예와 마찬가지로, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 또한, 제3 예는, 기판(W)의 외주면(A1b)이나 하면이, SiN이나 SiO2로 피막되어 있을 때 사용되는 것이 바람직하다. 단, 기판(W)의 외주면(A1b)을 에칭액의 침식으로부터 확실하게 보호하기 위해서는, 열가소성 수지(B1)에 의해 외주면(A1b)의 전체면을 완전히 덮는 것이 바람직하다.
또한, 제어부(70)는, 전술한 제1 내지 제3 예의 수지 도포의 방법에 있어서, 공급 노즐(52)이 테이블(30) 상의 기판(W)에 열가소성 수지를 공급하는 공급 위치, 즉 열가소성 수지가 공급되는 기판(W) 상의 위치를 바꾸도록 노즐 이동 기구(53)를 제어한다. 예를 들어, 제어부(70)는, 공급 노즐(52)이 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)에 열가소성 수지(B1)를 공급하는 경우(제1 예)와, 테이블(30) 상의 기판(W)의 상면의 외주 영역(A1a) 및 외주면(A1b)에 열가소성 수지(B1)를 도포하는 경우(제2 예)에, 테이블(30) 상의 기판(W)에 열가소성 수지(B1)를 공급하는 공급 위치를 바꾸도록 노즐 이동 기구(53)를 제어한다.
여기서, 예를 들어 전술한 제3 예에서, 기판(W)에 열가소성 수지(B1)가 도포된 후에 있어서, 가열부(60)에 의한 가열이 실행되지 않는 경우에는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 피처리면(Wa)에 공급된 열가소성 수지(B1)에 있어서, 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 접촉하지 않은 부분인 미접착부(C1)가 생기는 일이 있다. 이 미접착부(C1)는, 열가소성 수지(B1)의 시점(B1a)과 종점(B1b)이 겹침으로써 발생한다. 열가소성 수지(B1)의 시점(부착 개시점)(B1a)은, 공급 노즐(52)이 기판(W)에 대한 열가소성 수지의 공급을 개시하는 위치(공급 개시 위치)의 바로 밑의 위치이며, 열가소성 수지(B1)의 종점(부착 종료점)(B1b)은, 공급 노즐(52)이 기판(W)에 대한 열가소성 수지의 공급을 정지하는 위치(공급 정지 위치)의 바로 밑의 위치이다. 이 열가소성 수지(B1)의 미접착부(C1)가 가열부(60)에 의해 가열되면, 그 미접착부(C1)가 연화되고, 기판(W)의 피처리면(Wa)에 접촉하여 접착된다.
에칭 공정에서는, 회전하는 기판(W)의 피처리면(Wa)의 중앙 부근에 공급된 에칭액이, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 피처리면(Wa)의 전체로 확산된다. 그런데, 전술한 미접착부(C1)가 존재하면, 미접착부(C1)로부터 기판(W)의 외주면(A1b)으로 에칭액이 유입하여, 기판(W)의 외주면(A1b)이 에칭액에 의해 침식되게 된다. 그래서, 가열부(60)에 의해 열가소성 수지(B1)의 미접착부(C1)를 가열함으로써, 그 미접착부(C1)가 연화되어 기판(W)에 접착된다. 이 때문에, 기판(W)의 피처리면(Wa)에 공급된 열가소성 수지(B1)에 있어서 미접착부(C1)를 없앨 수 있다. 즉, 열가소성 수지(B1)의 도포 시점에 미접착부(C1)가 생겼다고 해도, 가열부(60)에 의해, 적어도 이 미접착부(C1)를 가열함으로써, 미접착부(C1)를 소멸시키고, 수복할 수 있다. 이에 의해, 에칭액이 기판(W)의 외주면(A1b)에 유입되는 것이 억제되므로, 기판 사이즈의 축소를 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 열가소성 수지(B1)에 있어서의 미접착부(C1)의 개소 이외의 밀착성에 문제가 없는 경우에는, 미접착부(C1)만을 없애면 된다. 이것에는, 예를 들어 미접착부(C1)가 가열부(60)에 마주보는 위치에서 기판(W)의 회전을 정지시키고, 가열부(60)에 의해 미접착부(C1)를 가열하여 연화시키도록 해도 된다. 또한, 공급 노즐(52)에 의한 공급 개시 위치 및 공급 정지 위치는 미리 설정되어 있기 때문에, 그들 공급 개시 위치 및 공급 정지 위치에 기초하여, 미접착부(C1)가 가열부(60)를 마주보는 위치에서 기판(W)의 회전을 정지시키는 것이 가능하다. 가열부(60)를, 기판(W)의 외주 단부(A1)에 대하여 접촉 분리하는 방향, 예를 들어 수평 방향으로 이동 가능하게 해도 된다. 가열부(60)가 소정 온도로 될 때까지 시간이 걸리는 경우에 있어서, 기판(W)으로부터 이격된 위치에서 사전에 가열부(60)를 가열 구동시켜 두고, 미접착부(C1)를 가열할 때, 가열부(60)를 미접착부(C1)에 접근하도록 이동시킨다.
(가열부 배치의 다른 예)
전술한 가열부(60)의 배치를 제1 예라고 하고, 배치의 다른 예로서 제2 예 및 제3 예에 대하여 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한다.
제2 예로서, 도 9에 도시하는 바와 같이, 가열부(60)는, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)의 하방에 마련되어 있다. 이 가열부(60)는, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)를 직접 가열한다. 이에 의해, 열가소성 수지(B1)를 직접 가열하여 전체적으로 연화시켜, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
제3 예로서, 도 10에 도시하는 바와 같이, 가열부(60)는, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 영역(A1c)의 하방에 마련되어 있다. 이 가열부(60)는, 기판(W)을 비접촉으로 가열함으로써, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)를 간접적으로 가열한다. 이에 의해, 기판(W)에 접촉된 열가소성 수지의 일부분(기판(W)측의 부분)만을 연화시켜, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 가열부(60)는, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)에 도포된 열가소성 수지(B1)를 직접적 또는 간접적, 혹은 직접적 및 간접적으로 가열하는 것이 가능한 위치에 마련되어 있으면 되며, 예를 들어 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)의 상방에 마련되어 있어도 되고, 또한 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)의 상방, 하방 및 측방 중 어느 쪽 또는 전부에 마련되어도 된다. 예를 들어, 가열부(60)를 상방 및 측방에 마련하거나, 하방 및 측방에 마련하거나, 상방, 하방 및 측방에 마련하거나 하는 경우에는, 그들 가열부(60)(각 가열부(60)에 의해 구성되는 가열부)가, 제1 예와 같이 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)를, 그 열가소성 수지(B1)가 기판(W)의 외주면(A1b)에 접촉하지 않은 면측(부분측)으로부터 가열하는 것에 추가하여, 제2 예나 제3 예와 같이 기판(W) 자체를 가열하게 된다.
<제2 실시 형태>
제2 실시 형태에 대하여 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(가열부 및 기판 처리 공정)에 대하여 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.
도 11에 도시하는 바와 같이, 제2 실시 형태에서는, 가열부(60)는, 방사열에 의해 기판(W)을 가열하는 할로겐 램프 히터 또는 마이카 히터(예를 들어, 원환형 마이카 히터)이며, 테이블(30)의 바로 위에 마련되어 있다. 이 가열부(60)는, 열가소성 수지(B1)의 도포 전에, 기판(W)을 비접촉으로 가열해 두고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)에 기판(W)으로부터 열을 전달함으로써, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)(예를 들어, 외주면(A1b))에 도포된 열가소성 수지(B1)를 간접적으로 가열한다.
(기판 처리 공정)
이어서, 상술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정의 흐름에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 공정에 있어서는, 제어부(70)가 각 부의 동작을 제어한다.
도 12에 도시하는 바와 같이, 스텝 S11에 있어서, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 로봇 핸드에 의해 미처리의 기판(W)이 처리실(20) 내에 반입되어 테이블(30) 상에 적재되고, 그 적재된 기판(W)이 테이블(30)에 의해 흡착 보유 지지된다. 로봇 핸드는, 기판(W)의 적재 후, 처리실(20)로부터 퇴피한다. 또한, 기판(W)의 반입 시에는, 공급 노즐(52)은 대기 위치에 있다.
전술한 로봇 핸드가 처리실(20)로부터 퇴피하면, 스텝 S12에 있어서, 테이블(30)의 회전이 회전 기구(40)에 의해 개시되고, 가열부(60)의 가열 동작이 개시된다. 이 가열에 의해, 기판(W)의 온도가 소정 온도(예를 들어 150도) 이상으로 상승한다. 기판(W)의 온도가 소정 온도 이상으로 되면, 스텝 S13에 있어서, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)가 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)에 도포된다. 구체적으로는, 다음 수순으로 행해진다. 제1 실시 형태와 마찬가지로, 공급 노즐(52)은 노즐 이동 기구(53)에 의해 대기 위치로부터 공급 위치로 이동한다. 공급 노즐(52)이 공급 위치에 도달하면, 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)의 바로 위에 위치하고, 테이블(30)의 회전수가 소정의 회전수(예를 들어 10rpm)로 되면, 기판(W)의 외주면(A1b)의 상부를 향하여 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 토출한다. 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 외주면(A1b)을 따라 순차적으로 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판(W)에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점이 1주하면, 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면에 열가소성 수지(B1)가 도포되고, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주면(A1b)의 전체면만이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다. 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 두께는, 예를 들어 0.5 내지 3mm이다.
이 도포 동작 중, 기판(W)의 온도는 소정 온도 이상으로 되어 있고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)에는 기판(W)으로부터 열이 전달되기 때문에, 기판(W)의 외주면(A1b)에 접촉한 열가소성 수지(B1)의 온도가 급격하게 낮아지는 것이 억제되고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 표층도 연화된다. 따라서, 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 접촉하여 바로 경화되는 것이 억제되고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 확실하게 접착된다. 이에 의해, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 향상된다.
전술한 수지 도포가 완료되어 토출이 정지되면, 공급 노즐(52)은 도포 위치로부터 대기 위치로 이동하여, 스텝 S14에 있어서, 테이블(30)의 회전이 정지되고, 가열부(60)의 가열 동작이 정지된다. 또한, 기판(W)에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점이 1주한 시점에서 공급 노즐(52)로부터 열가소성 수지(B1)의 토출이 정지한 후에도, 가열부(60)에 의해 기판(W)의 가열을 소정 시간만큼 계속시키도록 해도 된다. 여기서의 소정 시간이란, 예를 들어 도 8에 도시한 미접착부(C1)가 만일 생겼을 때에도, 그 미접착부(C1)를 수복할 수 있는 시간이다. 이 소정 시간은, 제1 실시 형태에 있어서의, 가열부(60)에 의한 가열 시간보다는 짧아도 상관없으며, 테이블(30)의 1회전분의 시간이어도 된다. 가열부(60)에 의한 가열 동작이 정지하면, 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)는, 온도 저하에 의해 경화 상태로 된다. 전술한 공급 노즐(52)이 대기 위치로 복귀되고, 또한 테이블(30)의 회전이 정지되면, 스텝 S15에 있어서, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 수지 도포 완료의 기판(W)이, 테이블(30) 상으로부터 전술한 로봇 핸드(도시하지 않음)에 의해 처리실(20) 밖으로 반출되고, 에칭 처리 장치(도시하지 않음)에 반입된다. 그 후, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 에칭 처리 장치에 의해 기판(W)의 피처리면(Wa)이 에칭액에 의해 처리된다.
이러한 기판 처리 공정에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 연화 상태의 열가소성 수지가 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)의 일부인 외주면(A1b)에 도포되고, 그 외주면(A1b)의 전체면만이 경화 상태의 열가소성 수지(B1)에 의해 덮인다. 이에 의해, 후공정인 에칭 공정에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)가 에칭액으로부터 기판(W)의 외주면(A1b)을 보호하는 보호재로서 기능하기 때문에, 기판(W)의 외주면(A1b)이 에칭액에 의해 침식되는 것이 억제되어, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 외주 부분에 있어서도 원하는 사이즈의 디바이스 칩을 얻는 것이 가능하게 되므로, 디바이스 칩 로스의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 후공정에서의 로봇에 의한 반송 등, 후공정에서의 기판 반송을 가능하게 하여, 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 기판(W)의 피처리면(Wa)에 대한 열가소성 수지(B1)의 공급 전에(공급 전부터) 기판(W)을 가열함으로써, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)가 기판(W)의 외주면(A1b)에 접촉하면, 그 열가소성 수지(B1)에 기판(W)으로부터 열이 전달된다. 이 때문에, 기판(W)의 외주면(A1b)에 접촉한 열가소성 수지(B1)의 온도가 급격하게 낮아지는 것이 억제되고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 표층도 연화되므로, 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 접촉하여 바로 경화되는 것이 억제된다. 따라서, 기판(W)을 가열함으로써, 열가소성 수지(B1)의 경화를 지연시켜 기판(W)의 외주면(A1b)에 열가소성 수지(B1)를 확실하게 접착시키는 것이 가능해지므로, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 이 밀착성이 향상된 상태에서 열가소성 수지(B1)는 경화된다. 이에 의해, 에칭 공정에 있어서, 기판(W)의 외주면(A1b)을 덮는 열가소성 수지(B1)가 에칭액의 흐름이나 회전에 의한 원심력 등에 의해 박리되는 것이나, 기판(W)과 열가소성 수지(B1)의 사이의 밀착성이 좋지 않은 곳으로부터 에칭액이 유입하여 외주면(A1b)에 도달하는 것을 억제하는 것이 가능해지므로, 보다 확실하게 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 열가소성 수지(B1)의 도포 전에 기판(W)을 가열해 두고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)에 기판(W)으로부터 열을 전달함으로써, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)를 간접적으로 가열한다. 이에 의해, 공급 노즐(52)로부터 토출되어 기판(W)에 부착된 열가소성 수지(B1)의 온도가 급격하게 떨어지는 것이 억제되고, 기판(W)의 외주면(A1b)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 표층도 연화된다. 이 때문에, 열가소성 수지(B1)의 경화가 지연되고, 열가소성 수지(B1)가 기판(W)에 확실하게 접착하기 때문에, 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 향상된다. 따라서, 에칭 공정에 있어서, 기판(W)의 외주면(A1b)을 덮는 열가소성 수지(B1)가 박리되는 것이나, 기판(W)과 열가소성 수지(B1)의 사이의 밀착성이 좋지 않은 곳으로부터 에칭액이 유입하여 외주면(A1b)에 도달하는 것이 억제되어, 기판(W)의 외주면(A1b)은 경화 상태의 열가소성 수지(B1)에 의해 확실하게 보호된다. 이에 의해, 기판(W)의 외주면(A1b)이 에칭액에 의해 침식되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
<제3 실시 형태>
제3 실시 형태에 대하여 도 13 및 도 14를 참조하여 설명한다. 또한, 제3 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(수지 도포의 다른 예)에 대하여 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.
제3 실시 형태에 관한 수지 도포는, 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제3 예와 기본적으로 동일하지만, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 기판(W)의 외주를 따라 환형으로 도포하는 횟수가 다르다. 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제3 예에서는, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭(반경 방향의 폭)으로 기판(W)의 1주분 환형으로 도포한다. 한편, 제3 실시 형태에서는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭보다 좁은 소정 폭으로 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 1주분 환형으로 도포하는 것을 소정 횟수(도 13에서는 2회) 반복한다. 소정 폭(도포 폭)은, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭을 도포 횟수로 나눔으로써, 미리 설정되어 있다. 예를 들어, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭이 4mm이고, 도포 횟수가 2회인 경우에는, 소정 폭은 2mm로 된다.
기판 처리 공정에 있어서, 공급 노즐(52)은, 도 13에 도시하는 바와 같이, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 내측(기판(W)의 중심측)에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 1주분 환형으로 도포하고, 그 후, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 외측을 향하여 기판(W)의 반경 방향으로 이동하여, 그 외측에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 내측의 도포 완료의 열가소성 수지(B1)에 인접시켜 기판(W)의 1주분 환형으로 도포한다. 이에 의해, 기판(W)의 외주 영역(A1a)에는, 인접하는 복수의 환형(도 13에서는 2개의 원환형)으로 열가소성 수지(B1)가 도포되고, 도포된 열가소성 수지(B1)는 기판(W)의 외주 영역(A1a) 상에서 경화된다. 그 후, 소정 시간, 가열부(60)의 가열 동작이 행해진다. 기판(W)의 외주 영역(A1a) 상의 경화 상태의 열가소성 수지(B1)는, 전술한 가열 동작에 의해 다시 연화되고, 도 14에 도시하는 바와 같이, 일체화하여 하나의 환(도 14에서는 원환)으로 되어, 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 접착한다. 기판(W)에 대한 열가소성 수지(B1)의 밀착성이 향상되고, 가열 동작이 정지되면, 열가소성 수지(B1)는 다시 경화된다. 또한, 전술한 바와 같은 공급 노즐(52)에 의한 연화 상태의 열가소성 수지(B1)의 공급(예를 들어, 공급 개시 타이밍이나 공급 정지 타이밍)이나, 공급 노즐(52)과 기판(W)의 상대 이동(예를 들어, 기판(W)의 회전 동작) 등은 제어부(70)에 의해 제어된다.
여기서, 도 13에 도시하는 바와 같이, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)가 소정 폭으로 기판(W)의 1주분 환형으로 도포될 때, 열가소성 수지(B1)는, 하나의 환(원환)에 있어서 종점(부착 종료점)(B1b)이 시점(부착 개시점)(B1a)을 초과하도록 도포되어, 오버랩부(겹침 부분)(B1c)가 형성된다. 종점(B1b)이 시점(B1a)을 초과하지 않고 그 시점(B1a)에 접촉할 정도로 도포가 행해지면, 시점(B1a)의 주위에 있어서, 기판(W)의 외주 영역(A1a)이 열가소성 수지(B1)에 의해 덮이지 않고, 기판(W)의 외주 영역(A1a)이 노출되는 개소가 생긴다. 이 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 일부가 노출된 상태에서 에칭 처리가 행해지면, 그 노출된 부분이 에칭되어 버린다(불필요한 에칭). 이 불필요한 에칭을 회피하기 위해, 전술한 바와 같이 종점(B1b)이 시점(B1a)을 초과하도록 도포가 행해진다. 또한, 공급 노즐(52)로부터의 단위 시간당 토출량이 많아지면, 기판(W)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 폭이나 두께를 함께 제어하기 어려워진다. 이 때문에, 불필요한 에칭을 회피하기 위해서는, 도포 폭이 넓어지면, 오버랩부(B1c)의 길이를 길게 할 필요가 있으며, 도포 폭과 오버랩부(B1c)의 길이에는 비례 관계가 있다.
그러나, 하나의 환에 있어서 종점(B1b)이 시점(B1a)을 초과하도록 도포가 행해지면, 오버랩부(B1c)는 다른 부분(미겹침 부분)에 비하여 열가소성 수지(B1)의 양이 많아진다. 이 양이 억제되어 있다면 문제는 없지만, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)가 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭으로 기판(W)의 1주분 환형으로 도포되는 경우와 같이, 오버랩부(B1c)의 열가소성 수지(B1)의 양이 많아지면, 가열부(60)의 가열 동작에 의한 재연화 시, 오버랩부(B1c)의 열가소성 수지(B1)가 확산되어 에칭 대상 영역(R1)에 진입하여, 에칭 대상 영역(R1)의 일부가 열가소성 수지(B1)에 의해 덮이는 일이 있다. 이 상태에서 에칭 처리가 행해지면, 에칭 대상 영역(R1)에 있어서 에칭되지 않는 개소가 발생해 버린다(미에칭).
그래서, 본 실시 형태에서는, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭보다 좁은 소정 폭으로 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 1주분 환형으로 도포하는 것이 복수회 반복된다. 이 경우에는, 하나의 환에 있어서 종점(B1b)이 시점(B1a)을 초과하도록 도포가 행해져도, 전술한 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭으로 기판(W)의 1주분 환형으로 도포를 행하는 경우와 비교하여, 1주분의 도포 폭이 좁아지기 때문에, 오버랩부(B1c)의 길이를 짧게 하는 것이 가능하여, 오버랩부(B1c)의 열가소성 수지(B1)의 양을 억제할 수 있다. 이에 의해, 가열부(60)의 가열 동작에 의한 재연화 시, 열가소성 수지(B1)가 확산되어 에칭 대상 영역(R1)에 진입하는 것을 억제하는 것이 가능해져, 재경화 후의 도포 폭을 균일하게 할 수 있다. 이것은, 전술한 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 폭으로 기판(W)의 1주분 환형으로 도포를 행하는 경우와 비교하면, 공급 노즐(52)로부터의 단위 시간당 토출량을 적게 하는 것이 가능하고, 기판(W)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 폭이나 두께를 함께 제어하기 쉬워지기 때문이다. 따라서, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 일부가 노출되는 것을 억제하고, 불필요한 에칭을 회피하면서, 가열부(60)의 가열 동작에 의한 재연화 시, 열가소성 수지(B1)가 확산되어 에칭 대상 영역(R1)에 진입하는 것을 억제하고, 미에칭을 회피하는 것이 가능해지므로, 전술한 불필요한 에칭이나 미에칭에 의한 기판(W)의 품질 저하를 억제할 수 있다.
또한, 환마다의 오버랩부(B1c)의 길이, 즉 오버랩양(겹침량: 종점(B1b)이 시점(B1a)을 초과하여 연장되는 길이)은 동일하지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 달라도 된다. 예를 들어, 오버랩양은, 시점(B1a)의 주위에 있어서 기판(W)의 외주 영역(A1a)이 노출되는 것을 억제할 수 있는 범위 내에서, 전술한 오버랩부(B1c)의 열가소성 수지(B1)의 확산에 의한 미에칭을 회피하기 위해, 가능한 한 적은 편이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이, 제3 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공급 노즐(52)은, 테이블(30)에 의해 지지된 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 대하여, 기판(W)의 외주를 따라 연신하여 서로 인접하는 복수의 환형(예를 들어, 동심원의 환형)으로 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 공급하며, 또한 외주 영역(A1a)에 공급된 복수의 환형 열가소성 수지(B1)가 환마다 외주 영역(A1a)에 대한 열가소성 수지(B1)의 시점(B1a)에서 겹치도록 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 공급한다. 이에 의해, 환마다의 시점(B1a)에 각각 오버랩부(B1c)가 형성되므로, 시점(B1a)의 주위에 있어서 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 일부가 노출되는 것을 억제하는 것이 가능하게 되어, 불필요한 에칭을 회피할 수 있다. 또한, 환마다의 오버랩부(B1c)의 열가소성 수지(B1)의 양이 억제되므로, 가열부(60)의 가열 동작에 의한 재연화 시, 열가소성 수지(B1)가 확산되어 에칭 대상 영역(R1)에 진입하는 것을 억제하는 것이 가능하게 되어, 미에칭을 회피할 수 있다. 따라서, 전술한 불필요한 에칭이나 미에칭에 의한 기판(W)의 품질 저하를 억제할 수 있다.
또한, 공급 노즐(52)은, 외주 영역(A1a)에 공급된 환형 열가소성 수지(제1 열가소성 수지)(B1)의 오버랩부(B1c)를, 당해 환형 열가소성 수지(B1)에 인접하는 환형 열가소성 수지(제2 열가소성 수지)(B1)의 오버랩부(B1c)에 대하여 기판(W)의 둘레 방향으로 어긋나게 하여, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 공급한다. 상세하게는, 공급 노즐(52)은, 환마다의 시점(B1a) 및 종점(B1b)이, 인접하는 환에 있어서 인접하지 않도록, 환마다의 시점(B1a) 및 종점(B1b)을 인접하는 환에 있어서 기판(W)의 둘레 방향(예를 들어, 원주 방향)으로 어긋나게 하여, 연화된 열가소성 수지(B1)를 복수의 환형으로 도포한다. 이에 의해, 환마다의 시점(B1a) 및 종점(B1b)이, 인접하는 환에서 각각 인접하지 않기 때문에, 환마다의 오버랩부(B1c)도, 인접하는 환에서 인접하지 않는다. 따라서, 환마다의 오버랩부(B1c)가, 인접하는 환에서 인접하는 경우에 비하여, 가열부(60)의 가열 동작에 의한 재연화 시, 열가소성 수지(B1)가 에칭 대상 영역(R1)을 향하여 흐르는 양을 저감시키는 것이 가능해지므로, 열가소성 수지(B1)가 확산되어 에칭 대상 영역(R1)에 진입하는 것을 확실하게 억제할 수 있다.
<다른 실시 형태>
또한, 열가소성 수지(B1)의 공급에 있어서는, 테이블(30) 상의 기판(W)과 공급 노즐(52)을 상대 이동시키면 되며, 예를 들어 테이블(30)의 회전을 행하지 않고, 테이블(30) 상의 기판(W)의 외주 단부(A1)에 대하여 공급 노즐(52)을 이동시켜, 열가소성 수지(B1)의 공급을 행하도록 해도 된다. 기판(W) 및 공급 노즐(52)을 상대 이동시키는 이동 기구로서는, 테이블(30)을 회전시키는 회전 기구(40) 이외에도, 예를 들어 공급 노즐(52)을 원환이나 직사각형환 등의 환, 또한 직선을 따라 이동시키는 이동 기구(일례로서, 공급 노즐(52)을 지지하고 곡선형이나 직선형으로 슬라이드 이동 가능하게 하는 가이드, 슬라이드 이동의 구동원으로 되는 모터 등)를 사용하는 것이 가능하다. 열가소성 수지(B1)를 원환형으로 도포하는 것 이외에도, 직사각형 환형 등의 각종 형상의 환형으로 도포하도록 해도 된다.
또한, 도 3에서는, 가열부(60)를 테이블(30)의 주위의 1개소에 배치하는 예를 도시하였지만, 테이블(30)의 주위에 복수개 마련해도 된다. 예를 들어 도 3에 도시하는 가열부(60)에 대하여, 테이블(30)의 회전 중심을 사이에 두고 반대측에 또 다른 가열부를 배치해도 상관없다. 이 경우, 예를 들어 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점은, 적어도 반주하는 동안에 한번 가열되기 때문에, 경화 정도가 억제되어, 밀착성의 향상을 기대할 수 있다. 또한, 가열부(60)는, 기판(W)의 주위를 둘러싸도록 배치된, 환형 가열부여도 된다.
또한, 도 11에 있어서, 테이블(30)의 바로 위에 마련되는 가열부(60)에 의해, 열가소성 수지(B1)의 도포 전에(도포 부착 전부터), 기판(W)을 가열하도록 하였다. 그러나, 도 1이나 도 9, 도 10에 도시하는 바와 같이, 가열부(60)를 테이블(30)의 주위, 혹은 기판(W)의 하방에 배치해도 된다.
또한, 기판(W)에 있어서의 열가소성 수지(B1)의 부착 개시점이 1주하면, 공급 노즐(52)로부터의 열가소성 수지(B1)의 토출을 정지시키도록 하였지만, 공급 노즐(52)로부터의 열가소성 수지(B1)의 토출을, 부착 개시점이 2주 이상에 걸쳐 이동한 후에 정지시키도록 해도 상관없다. 특히, 도 5나 도 7에 도시하는 바와 같이, 기판(W)에 있어서의, 중력 방향에 직교하는 외주 영역(A1a)에 도포하는 경우에는, 2주 이상에 걸쳐 도포하는 것이 바람직하다. 이것은, 1주로 도포할 때와 비교하면, 동일한 도포 부착 폭, 동일한 막 두께의 열가소성 수지(B1)를 얻는 데, 공급 노즐(52)로부터의 단위 시간당 토출량을 적게 할 수 있다. 이 때문에, 기판(W)에 도포된 열가소성 수지(B1)의 폭, 두께를, 함께 제어하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 이 경우, 주회마다 공급 노즐(52)을 기판의 반경 방향으로 어긋나게 하도록 해도 된다.
또한, 제2 실시 형태에서는, 가열부(60)에 의해 기판(W)의 가열이, 공급 노즐(52)에 의한 열가소성 수지(B1)의 도포 전, 도포 중, 나아가 도포 부착 후에도 계속해서 행해지도록 하였지만, 열가소성 수지(B1)를 도포하기 전단계에 있어서만, 가열부(60)를 작동시키도록 해도 된다. 즉, 가열부(60)에 의해 기판(W)의 예열만을 행하고, 예열 상태의 기판(W)에 대하여, 공급 노즐(52)로부터 열가소성 수지(B1)의 토출을 행하도록 해도 된다.
또한, 열가소성 수지(B1)가 공급 노즐(52)로부터 적정하게 토출되도록, 공급 위치에서의 토출 동작 전에 시도하여 토출을 행하도록 해도 된다. 예를 들어, 공급 노즐(52)이 공급 위치에 위치 부여될 때에는, 사전에 대기 위치에서 공급 노즐(52)로부터 열가소성 수지(B1)를 토출시킨다(사전 토출). 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지(B1)는, 공급 노즐(52)의 하방에 마련한 받침 접시에서 받도록 해도 된다.
또한, 공급 노즐(52)에 의한 열가소성 수지(B1)의 도포를, 공급 노즐(52)을 이동시키면서, 예를 들어 테이블(30)의 회전 반경 방향으로 이동시키면서 행해도 된다.
또한, 테이블(30)로서, 기판(W)을 흡착하여 보유 지지하는 테이블 이외에도, 복수(예를 들어 3개)의 보유 지지 부재를 갖고, 그들 보유 지지 부재에 의해 기판(W)을 사이에 끼워 넣어, 수평 상태로 보유 지지하는 테이블을 사용하도록 해도 된다.
또한, 기판 처리 장치(10)의 밖에서 에칭 처리를 실행하는 것 이외에도, 처리실(20) 내에 에칭액(처리액의 일례)을 공급하는 공급 노즐을 마련하고, 기판 처리 장치(10) 내에서 에칭 처리를 실행하도록 해도 된다.
또한, 제3 실시 형태에서는, 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 외주를 따라 연장하는 복수의 환형으로 도포하는 경우, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 내측으로부터 외측으로 차례로 도포를 행하는 것을 예시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 외측에서부터 내측으로 차례로 도포를 행하도록 해도 되고, 또한 복수의 환이 셋 이상인 경우에는, 순번이 아니라 랜덤하게 도포를 행하도록 해도 된다.
또한, 제3 실시 형태에서는, 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)의 외주를 따라 연장하는 복수의 환형으로 도포하는 경우, 환마다의 시점(B1a) 및 종점(B1b)을 인접하는 환에 있어서 기판(W)의 둘레 방향으로 어긋나게 하여, 환마다의 오버랩부(B1c)를, 인접하는 환에서 인접시키지 않도록하는 것을 예시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 환마다의 시점(B1a) 및 종점(B1b)을 기판(W)의 둘레 방향으로 어긋나게 하지 않고, 즉 각각 동일 반경 상에 위치 부여하고, 환마다의 오버랩부(B1c)를, 인접하는 환에서 인접시키도록 해도 된다. 단, 열가소성 수지(B1)가 확산되어 에칭 대상 영역(R1)에 진입하는 것을 보다 확실하게 억제하기 위해서는, 환마다의 오버랩부(B1c)를, 인접하는 환에서 인접시키지 않도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 제3 실시 형태에서는, 기판(W)의 외주 영역(A1a)에 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 도포할 때의 도포 폭은 환마다 동일한 것을 예시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 그 도포 폭은 환마다 달라도 된다. 예를 들어, 기판(W)의 외주 영역(A1a)의 내측으로부터 외측으로 서서히 도포 폭을 굵게 또는 좁게 하도록 해도 되고, 또한 복수의 환이 셋 이상인 경우에는, 랜덤하게 도포 폭을 변경하도록 해도 된다.
또한, 열가소성 수지(B1)는, 열경화성 수지 등의 재료에 비하여 기판(W)에 대한 밀착도가 낮기 때문에, 기판(W)을 파손시키지 않고, 기판(W)에 밀착하여 경화된 열가소성 수지(B1)를 기계적으로 박리하는 것이 가능하다. 그래서, 에칭 공정 후, 기판(W)으로부터 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 박리하는 박리부를 마련하도록 해도 된다. 예를 들어, 박리 핸드(클램프형이나 핀셋형의 핸드, 니크롬선 등의 발열체, 혹은 흡인부)에 의해 경화 상태의 열가소성 수지(B1)의 일부를 잡고, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)의 일부를 잡은 박리 핸드를 이동시켜, 기판(W)으로부터 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 박리하는 것이 가능하다. 또한, 기판(W)에 밀착시켜 경화된 열경화성 수지를 기계적으로 박리하고자 하면, 기판(W)은 파손된다. 열경화성 수지는 한번 경화되면, 열에 의해 열경화성 수지를 연화시키는 것도 불가능하며, 기판(W)을 손상시키지 않고 경화 상태의 열경화성 수지를 제거하기 위해서는, 약액 등으로 열경화성 수지를 용해시킬 필요가 있다. 따라서, 약액을 사용하여, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 용해하여 기판(W)으로부터 제거하는 경우에 비하여, 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)으로부터 박리함으로써, 단시간에 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)으로부터 제거할 수 있고, 또한 약액을 사용하지 않기 때문에, 약액의 폐기에 따른 환경면에 대한 부하를 억제할 수 있다. 또한, 열가소성 수지(B1)는 열경화성 수지에 비하여 기판(W)에 대한 밀착도가 낮은 것이기 때문에, 열경화성 수지가 아니라 열가소성 수지(B1)를 사용함으로써, 기판(W) 상의 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 기판(W)으로부터 박리하는 것이 용이해져, 기판(W)을 손상시키지 않고 기판(W)으로부터 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 제거할 수 있다. 열경화성 수지를 사용한 경우, 기판(W)을 손상시키지 않고 경화 상태의 열경화성 수지를 기판(W)으로부터 제거하기 위해서는, 약액 등에 의한 제거를 행하는 장치가 필요해져, 장치의 복잡화나 비용 상승을 초래하게 된다.
또한, 박리한 열가소성 수지(B1)를 회수부에 의해 회수하도록 해도 되고, 또한 회수한 열가소성 수지(B1)를 재이용하도록 해도 된다. 예를 들어, 회수 수단으로서는, 전술한 박리 핸드가 회수부의 바로 위에서 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 떨어뜨리고, 회수부는, 낙하해 온 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 받아 수용한다. 또한, 재이용 수단으로서는, 처리실(20) 내에, 히터를 갖는 회수부를 마련하고, 회수부와 저류 유닛(51)의 탱크(51a)를 배관에 의해 접속하고, 회수한 경화 상태의 열가소성 수지(B1)를 히터에 의해 가열하여 연화시키고, 연화 상태의 열가소성 수지(B1)를 배관에 의해 탱크(51a)에 되돌리도록 해도 된다. 이 경우에는, 열가소성 수지(B1)를 재이용하는 것이 가능해지므로, 비용을 억제할 수 있고, 또한 열가소성 수지(B1)의 폐기에 의한 환경면에 대한 부하를 억제할 수 있다. 또한, 공급 노즐(52)을 회수부의 상방에 위치 부여하고, 사전 토출을 행하도록 해도 된다. 또한, 열가소성 수지(B1)를 재이용하는 구성에서는, 대기 시에 공급 노즐(52)을 회수부의 상방에 위치 부여하고, 열가소성 수지(B1)를 연속적으로 계속해서 토출하도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 몇몇 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그의 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.
10: 기판 처리 장치
30: 테이블
52: 공급 노즐
60: 가열부
A1: 기판의 외주 단부
A1a: 기판의 상면의 외주 영역
A1b: 기판의 외주면
B1: 열가소성 수지
B1a: 시점(부착 개시점)
B1b: 종점(부착 종료점)
B1c: 오버랩부(겹침 부분)
C1: 미접착부
W: 기판

Claims (12)

  1. 에칭 대상으로 되는 기판을 지지하는 테이블과,
    상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판에 대하여 상대 이동하여, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 외주 단부에, 연화된 열가소성 수지를 공급하는 공급 노즐과,
    상기 공급 노즐에 의해 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지가 연화된 상태를 갖도록 상기 열가소성 수지를 가열하는 가열부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는, 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지를, 상기 열가소성 수지가 상기 기판에 접촉하지 않은 면측으로부터 가열하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는, 상기 기판을 가열하고, 상기 공급 노즐에 의해 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지를 가열하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 외주면 및 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 상기 열가소성 수지를 공급하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역에 대하여, 상기 기판의 외주를 따라 연신하여 서로 인접하는 복수의 환형으로 상기 열가소성 수지를 공급하고, 또한, 상기 외주 영역에 공급된 복수의 환형의 상기 열가소성 수지가 환마다 상기 외주 영역에 대한 상기 열가소성 수지의 부착 개시점에서 겹치도록 상기 열가소성 수지를 공급하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 외주 영역에 공급된 환형의 상기 열가소성 수지의 겹침 부분을, 당해 환형의 상기 열가소성 수지에 인접하는 환형의 상기 열가소성 수지의 겹침 부분에 대하여 상기 기판의 둘레 방향으로 어긋나게 하여, 상기 열가소성 수지를 공급하는, 기판 처리 장치.
  7. 에칭 대상으로 되는 기판을 테이블에 의해 지지하는 공정과,
    상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판에 대하여 공급 노즐을 상대 이동시켜, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 외주 단부에, 연화된 열가소성 수지를 상기 공급 노즐에 의해 공급하는 공정과,
    상기 공급 노즐에 의해 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지가 연화된 상태를 갖도록 상기 열가소성 수지를 가열부에 의해 가열하는 공정
    을 갖는, 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가열부는, 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지를, 상기 열가소성 수지가 상기 기판에 접촉하지 않은 면측으로부터 가열하는, 기판 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 가열부는, 상기 기판을 가열하고, 상기 공급 노즐에 의해 상기 기판의 외주 단부에 공급된 상기 열가소성 수지를 가열하는, 기판 처리 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 외주면 및 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 상기 열가소성 수지를 공급하는, 기판 처리 방법.
  11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역에 대하여, 상기 기판의 외주를 따라 연신하여 서로 인접하는 복수의 환형으로 상기 열가소성 수지를 공급하고, 또한 상기 외주 영역에 공급된 복수의 환형의 상기 열가소성 수지가 환마다 상기 외주 영역에 대한 상기 열가소성 수지의 부착 개시점에서 겹치도록 상기 열가소성 수지를 공급하는, 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 외주 영역에 공급된 환형의 상기 열가소성 수지의 겹침 부분을, 당해 환형의 상기 열가소성 수지에 인접하는 환형의 상기 열가소성 수지의 겹침 부분에 대하여 상기 기판의 둘레 방향으로 어긋나게 하여, 상기 열가소성 수지를 공급하는, 기판 처리 방법.
KR1020200031144A 2019-03-18 2020-03-13 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102315112B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019050421 2019-03-18
JPJP-P-2019-050421 2019-03-18
JP2019135326A JP7293023B2 (ja) 2019-03-18 2019-07-23 基板処理装置及び基板処理方法
JPJP-P-2019-135326 2019-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200111109A KR20200111109A (ko) 2020-09-28
KR102315112B1 true KR102315112B1 (ko) 2021-10-21

Family

ID=72559799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200031144A KR102315112B1 (ko) 2019-03-18 2020-03-13 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7293023B2 (ko)
KR (1) KR102315112B1 (ko)
TW (1) TWI733370B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7273643B2 (ja) * 2019-03-18 2023-05-15 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013074126A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04284629A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体基板の製造方法
JPH06283505A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Fuji Electric Co Ltd パッシベーション材塗布装置
JPH098018A (ja) * 1995-06-14 1997-01-10 Toshiba Chem Corp 半導体装置の製造方法
JP2002334879A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US20040023439A1 (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Kazunari Kimino Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
EP1827712B1 (en) * 2004-11-08 2015-04-08 Brewer Science, Inc. Device for coating the outer edge of a substrate during microelectronics manufacturing
JP2008040390A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Sharp Corp 表示装置の製造方法及び表示装置
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013074126A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200111109A (ko) 2020-09-28
JP7293023B2 (ja) 2023-06-19
TWI733370B (zh) 2021-07-11
TW202042300A (zh) 2020-11-16
JP2020155757A (ja) 2020-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8293063B2 (en) Combination of a substrate and a wafer
KR102113360B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI625818B (zh) 晶圓形物件之液體處理方法與設備
US20090207390A1 (en) Adhesion promoting process, adhesion promoting device, coating and developing system and storage medium
US11033929B2 (en) Application method
KR20130111533A (ko) 접합시스템, 기판 처리 시스템, 접합방법, 프로그램 및 컴퓨터 저장매체
TWI460807B (zh) 晶圓狀物件之液體處理方法與設備
JP5726686B2 (ja) 液処理装置、及び液処理装置の制御方法
KR102315112B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102312634B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111710625B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP3948930B2 (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
KR102315110B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2018041754A (ja) 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
TWI743704B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20170113081A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7337633B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6139440B2 (ja) 塗布方法、塗布装置および接合システム
JP7337634B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN117878006A (zh) 基板处理装置
JP3682968B2 (ja) ディスク貼り合わせ装置
JP2007053412A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP2009032888A (ja) 基板処理装置
JP2001297964A (ja) 塗布膜形成方法および塗布処理装置
KR20060040033A (ko) 기판 에지 노광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right