TWI733370B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

提供一種能夠對於基板尺寸之縮小作抑制的基板處理裝置及基板處理方法。 實施形態之基板處理裝置(10)，係具備有：台(30)，係支持成為蝕刻對象之基板(W)；和供給噴嘴(52)，係相對於藉由台(30)而被作支持的基板(W)，而進行相對移動，並將軟化了的熱可塑性樹脂，供給至藉由台(30)而被作支持的基板(W)之外周端部(A1)處；和加熱部(60)，係對於藉由供給噴嘴(52)而被供給至了基板(W)之外周端部(A1)處的熱可塑性樹脂進行加熱。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明之實施形態，係有關於基板處理裝置及基板處理方法。

基板處理裝置，係被使用於半導體或液晶面板等之製造工程中，基於均一性以及再現性之理由，係廣泛使用有將基板1枚1枚地藉由專用之處理室來進行處理的單片方式之基板處理裝置。例如，在半導體之製造工程中，係存在有層積記憶體元件製造工程，但是，作為在該製造工程中之層積矽晶圓之薄化工程，係存在有將基板之元件層上之Si層以蝕刻液來薄化的蝕刻工程，在此蝕刻工程中，係使用有單片方式之基板處理裝置。 在前述之蝕刻工程中，蝕刻液係被供給至基板之中央附近處，並藉由基板旋轉之離心力而從基板之外周流落。此時，基板之外周面(基板之外周的端面)也會被蝕刻液所侵蝕，並會有基板之直徑變短或基板尺寸變小的情形(基板尺寸之縮小)。若是發生此基板尺寸之縮小，則係成為無法在基板之外周部分處得到所期望之尺寸的元件晶片，而發生有元件晶片之損失(能夠從1枚之基板所得到的所期望之尺寸之元件晶片數量的減少)。又，在後續工程中之由機器人所致之搬送等之中，由於係以基板尺寸作為基準而進行有搬送裝置之設計和設定，因此，若是基板尺寸成為較容許值而更小，則在後續工程中之基板搬送係成為無法進行。

本發明所欲解決之課題，係在於提供一種能夠對於基板尺寸之縮小作抑制的基板處理裝置及基板處理方法。 本發明之實施形態之基板處理裝置，係具備有：台，係支持成為蝕刻對象之基板；和供給噴嘴，係相對於藉由前述台而被作支持的前述基板，而進行相對移動，並將軟化了的熱可塑性樹脂，供給至藉由前述台而被作支持的前述基板之外周端部處；和加熱部，係對於藉由前述供給噴嘴而被供給至了前述基板之外周端部處的熱可塑性樹脂進行加熱。 本發明之實施形態之基板處理方法，係具備有：藉由台而支持成為蝕刻對象之基板之工程；和相對於藉由前述台而被作支持的前述基板而使供給噴嘴進行相對移動，並藉由前述供給噴嘴來將軟化了的前述熱可塑性樹脂供給至藉由前述台而被作支持的前述基板之外周端部處之工程；和將藉由前述供給噴嘴而被供給至了前述基板之外周端部處之前述熱可塑性樹脂，藉由加熱部來進行加熱之工程。 若依據本發明之實施形態，則係能夠對於基板尺寸之縮小作抑制。

〈第1實施形態〉 參考圖1~圖10，針對第1實施形態作說明。 (基本構成) 如同圖1中所示一般，第1實施形態之基板處理裝置10，係具備有處理室20、和台30、和旋轉機構40、和樹脂供給部50、和加熱部60、以及控制部70。 處理室20，係為用以對於具備有被處理面Wa之基板W進行處理的處理盒。此處理室20，例如，係被形成為箱形狀，並收容台30、旋轉機構40之一部分、樹脂供給部50之一部分、加熱部60等。作為基板W，例如，係使用有晶圓或液晶基板。此基板W，係成為蝕刻處理之對象、亦即是成為蝕刻對象。 在前述之處理室20之上面處，係被設置有清淨單元21。此清淨單元21，例如，係具備有HEPA濾網等之濾網和風扇(均未圖示)，並將從基板處理裝置10所被作設置的清淨室的頂面所下吹的下吹流淨化而導入至處理室20內，以在處理室20內產生從上方而流動至下方的氣流。清淨單元21，係被與控制部70作電性連接，其之驅動係被控制部70所控制。 台30，係被定位在處理室20內之中央附近處，並被水平地設置在旋轉機構40上，而成為能夠在水平面內旋轉。此台30，例如，係被稱作旋轉台(spin table)。基板W之被處理面Wa之中心，係被定位於台30之旋轉軸上。台30，例如，係將被載置於其之上面處的基板W作吸附並作保持(吸附保持)。 旋轉機構40，係支持台30，並構成為使該台30在水平面內作旋轉。例如，旋轉機構40，係具備有被與台30之中央作了連結的旋轉軸、和使該旋轉軸旋轉的馬達(均未圖示)。此旋轉機構40，係藉由馬達之驅動而經由旋轉軸來使台30旋轉。旋轉機構40，係被與控制部70作電性連接，其之驅動係被控制部70所控制。 樹脂供給部50，係具備有儲存單元51、和供給噴嘴52、以及噴嘴移動機構53。此樹脂供給部50，係藉由噴嘴移動機構53來使供給噴嘴52移動並定位於台30上之基板W之外周端部A1之上方處，並從儲存單元51來對於供給噴嘴52而送出軟化狀態之熱可塑性樹脂，並且從供給噴嘴52來對於台30上之基板W之外周端部A1供給軟化狀態之熱可塑性樹脂。另外，針對基板W之外周端部A1之詳細內容，係於後再述。 於此，作為熱可塑性樹脂，例如，係使用有PVA(聚乙烯醇)、EVA(乙烯醋酸乙烯酯共聚物)、胺基甲酸乙酯系樹脂。此熱可塑性樹脂，係相對於在蝕刻工程中所使用之蝕刻液而具備有難溶性、亦即是具備有耐性，而作為保護基板W免於受到蝕刻液之影響的保護材而起作用。熱可塑性樹脂，例如，若是其之溫度成為150℃以上則會軟化，若是成為較150℃更低則會硬化。硬化狀態，係亦可為凝膠狀。 儲存單元51，係具備有槽51a、和開閉閥51b、以及幫浦51c。槽51a，係具備有加熱器51a1，並藉由加熱器51a1來將熱可塑性樹脂加熱而儲存軟化狀態之熱可塑性樹脂。加熱器51a1，係作為藉由熱而使熱可塑性樹脂軟化之加熱部而起作用。槽51a，係經由供給管51a2而被與供給噴嘴52作連接。開閉閥51b以及幫浦51c，係被設置在供給管51a2之路徑的途中。電磁閥等之開閉閥51b，係對於在供給管51a2中而流動的軟化狀態之熱可塑性樹脂之流通(供給量和供給時序等)作控制，幫浦51c係身為用以將槽51a內之軟化狀態之熱可塑性樹脂送至供給噴嘴52處的驅動源。開閉閥51b以及幫浦51c、加熱器51a1等之加熱部，係被與控制部70作電性連接，其之驅動係被控制部70所控制。另外，較理想，在供給管51a2之外周壁處，亦係設置有沿著供給管51a2之延伸路徑而延伸的加熱器(未圖示)。於此情況，該加熱器，亦係作為藉由熱而使熱可塑性樹脂軟化之加熱部而起作用，而維持在供給管51a2中流動的熱可塑性樹脂之軟化狀態。 供給噴嘴52，係被形成為能夠藉由噴嘴移動機構53來在台30之上方處沿著台30上之基板W之被處理面Wa而於水平方向上搖動，又，係被形成為能夠在鉛直方向上移動。此供給噴嘴52，係與台30上之基板W之外周端部A1相對向，並將從槽51a而經由供給管51a2所作了供給的軟化狀態之熱可塑性樹脂，朝向台30上之基板W之外周端部A1作供給。作為供給噴嘴52，例如係使用有分配器。又，供給噴嘴52，係具備有加熱器52a。此加熱器52a，係作為藉由熱而使熱可塑性樹脂軟化之加熱部而起作用，而維持在供給噴嘴52中流動的熱可塑性樹脂之軟化狀態。加熱器52a，係被與控制部70作電性連接，其之驅動係被控制部70所控制。 噴嘴移動機構53，係具備有可動臂53a、和臂移動機構53b。可動臂53a，係藉由臂移動機構53b而被水平地作支持，並於其中一端處保持供給噴嘴52。臂移動機構53b，係將可動臂53a處之與供給噴嘴52相反側之一端作保持，並使該可動臂53a沿著台30上之基板W之被處理面Wa而於水平方向上搖動，並使其在鉛直方向上作升降。此臂移動機構53b，係被與控制部70作電性連接，其之驅動係被控制部70所控制。 例如，噴嘴移動機構53，係使供給噴嘴52，在「台30上之基板W之外周端部A1之正上方之供給位置」與「從台30之上方避開而成為能夠進行基板W之搬入和搬出之待機位置」之間作移動。另外，圖1中所示之供給噴嘴52，係位置於供給位置。 加熱部60，係以不會對於台30之旋轉動作造成妨礙的方式，而被設置在台30之周圍。此加熱部60，係為了使相對於基板W之熱可塑性樹脂之密著性提升，而對於被塗布在基板W之外周端部A1處的熱可塑性樹脂以非接觸來進行加熱。作為加熱部60，係使用有藉由熱風來進行加熱之加熱器、或者是藉由輻射熱來進行加熱之加熱器等。此加熱部60，係被與控制部70作電性連接，其之驅動係被控制部70所控制。圖示中，係對於由熱風所致之加熱器作展示。 控制部70，係具備有對於各部作集中性控制之微電腦、和將關連於基板處理之基板處理資訊和各種程式等作記憶之記憶部(均未圖示)。此控制部70，係基於基板處理資訊和各種程式，而進行對於由旋轉機構40所致之台30之旋轉動作、由樹脂供給部50所致之熱可塑性樹脂之供給動作、由加熱部60所致之加熱動作等的控制(亦包含關連於控制之各種處理)。 於此，如同圖2中所示一般，基板W之外周端部A1，係藉由基板W之上面(被處理面Wa)之外周區域A1a、和基板W之外周面(基板W之外周之端面)A1b、以及基板W之下面之外周區域A1c，而構成之。又，如同圖2以及圖3中所示一般，在基板W之上面處，係存在有在蝕刻處理工程中而成為蝕刻處理之對象的蝕刻對象區域R1。蝕刻對象區域R1，係身為將基板W之上面之外周區域A1a去除後的基板W之上面之區域。此蝕刻對象區域R1以外之區域，係身為在蝕刻處理工程中而並非為蝕刻處理之對象的非蝕刻對象區域。在圖3中，蝕刻對象區域R1係為圓狀之區域，基板W之上面之外周區域A1a、基板W之下面之外周區域A1c (參照圖2)，係分別身為從基板W之外周起朝向內側(基板W之中心側)而具備有數mm(例如4mm以下)的特定寬幅之圓環狀之區域。 例如，供給噴嘴52，係如同圖2中所示一般，位置於台30上之基板W之外周面A1b的正上方處，並對於該外周面A1b之上部而供給軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。另外，軟化狀態之熱可塑性樹脂B1，由於係具備有所期望之黏性，因此，被供給至基板W之外周面A1b之上部處的熱可塑性樹脂B1，係以覆蓋基板W之外周面A1b的方式而逐漸朝向下方擴廣。熱可塑性樹脂B1，係若是被從供給噴嘴52而吐出，則會從表層起而逐漸地硬化，若是附著於基板W上，則熱可塑性樹脂B1之溫度係急遽地降低，附著於基板W上的部分之熱可塑性樹脂係急速地硬化。台30上之基板W之溫度，係起因於處理室20內之氣流(例如，從上方而流動至下方之氣流)而有所降低。因此，若是從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1附著於基板W上，則熱可塑性樹脂B1之溫度係會有急遽地降低的傾向。 於此樹脂之供給時，由於台30係藉由旋轉機構40而作旋轉，因此，台30上之基板W亦係身為旋轉之狀態。因此，從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1，係因應於基板W之旋轉而沿著基板W之外周面A1b來依序附著。藉由此，如同圖3中所示一般，在基板W之外周面A1b之全面上，熱可塑性樹脂B1係被作塗布，該基板W之外周面A1b之全面係被熱可塑性樹脂B1所覆蓋(樹脂塗布完成)。而，被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1，係起因於溫度之降低而硬化。之後，在台30正在旋轉的狀態下，若是硬化狀態之熱可塑性樹脂B1藉由加熱部60而被加熱，則該熱可塑性樹脂B1係軟化並接著於基板W之外周面A1b上。藉由此，相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性係提升。此時，加熱部60，係將被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1，從該熱可塑性樹脂B1並未與基板W之外周面A1b相接觸之面側(參照圖2)來瞬間性地(例如數秒)加熱，並使熱可塑性樹脂B1軟化。於此，由加熱部60所致之熱可塑性樹脂B1之加熱溫度，係被限制在會使熱可塑性樹脂B1之黏度被維持於不會使熱可塑性樹脂B1從基板W之外周面A1b而下垂的程度之黏度的溫度以下。另外，雖然熱可塑性樹脂材料的一部分係會成為被浪費掉，但是，就算是成為會使熱可塑性樹脂B1之一部分從基板W之外周面A1b而下垂一般的溫度，只要最終而言能夠在基板W之外周面A1b處塗布所必要之厚度的熱可塑性樹脂B1，則亦可將該加熱溫度作為限制溫度。此限制溫度，係依存於所使用之熱可塑性樹脂B1之種類等而有所相異，並預先實驗性地被求取出來。此完成樹脂塗布之基板W，係藉由具備有機器手等之搬送裝置(未圖示)而被從處理室20搬出，並被搬入至身為與基板處理裝置10相異之個體的蝕刻處理裝置(未圖示)中，並且藉由蝕刻液而被作處理(詳細內容係於後再述)。 另外，在供給噴嘴52為位置於供給位置處的狀態下，供給噴嘴52與台30上之基板W之間的垂直分離距離，係被設定為特定之距離。此特定之距離，係因應於所使用的熱可塑性樹脂B1之種類(在軟化狀態下之黏度)，來與熱可塑性樹脂之供給量和台30之旋轉數等一同地而實驗性地預先求取出來。亦即是，特定之距離和熱可塑性樹脂之供給量以及台30之旋轉數等，係以會使從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1僅將基板W之外周面A1b作覆蓋並硬化的方式，而預先有所設定。又，與先前所敘述的由加熱部60所致之加熱溫度相同的，由加熱部60所致之加熱時間，亦係因應於所使用的熱可塑性樹脂B1之種類(在軟化狀態下之黏度)，來以不會使被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1軟化並從基板W之外周面A1b下垂、或者是就算會下垂最終而言也能夠在基板W之外周面A1b處塗布所必要之厚度的熱可塑性樹脂B1的方式，來實驗性地預先求取出來並作設定。 (基板處理工程) 接著，針對前述之基板處理裝置10所進行之基板處理工程之流程作說明。在此基板處理工程中，控制部70係對於各部之動作進行控制。 如同圖4中所示一般，在步驟S1中，係藉由機器手而將未處理之基板W搬入至處理室20內並載置於台30上，該被作了載置的基板W係藉由台30而被作吸附保持。機器手，在基板W之載置後，係從處理室20而避開。另外，在基板W之搬入時，供給噴嘴52係位置於待機位置。 若是前述之機器手從處理室20而避開，則在步驟S2中，台30之旋轉係藉由旋轉機構40而被開始，在步驟S3中，軟化狀態之熱可塑性樹脂係被塗布在台30上之基板W之外周端部A1處。具體而言，係藉由以下之處理程序來進行。供給噴嘴52係藉由噴嘴移動機構53而從待機位置來移動至供給位置處。若是供給噴嘴52到達供給位置處，則供給噴嘴52，係位置於台30上之基板W之外周面A1b的正上方處(參照圖2)，若是台30之旋轉數成為特定之旋轉數(例如10rpm)，則係朝向基板W之外周面A1b之上部而吐出軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1，係因應於基板W之旋轉而沿著基板W之外周面A1b來依序附著。而，例如若是在基板W處之熱可塑性樹脂B1之附著開始點環繞了1周，則在基板W之外周面A1b之全面上，熱可塑性樹脂B1係被作塗布(參照圖3)，台30上之基板W之外周面A1b之全面係被熱可塑性樹脂B1所覆蓋。被塗布在外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1之厚度，例如係為0.5~3mm。另外，被塗布在外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1，係起因於溫度之降低而成為硬化狀態。 若是此樹脂塗布結束而吐出被停止，則供給噴嘴52係從塗布位置而移動至待機位置處，在步驟S4中，加熱部60之加熱動作係被開始。被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1，係藉由加熱部60而被加熱。此加熱，係因應於基板W之旋轉，而涵蓋基板W之外周面A1b之全體地來作特定時間之進行。在經過特定時間後，加熱部60之加熱動作係被停止。藉由此加熱動作，由於被塗布在基板W之外周面A1b處的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1係再度軟化，並接著於基板W之外周面A1b處，因此相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性係提升。之後，在此使密著性作了提升的狀態下，熱可塑性樹脂B1係硬化(再硬化)。若是此樹脂加熱結束，則在步驟S5中，台30之旋轉係被停止。 若是前述之供給噴嘴52回到待機位置處，台30之旋轉被停止，則在步驟S6中，完成樹脂塗布之基板W，係從台30上藉由前述之機器手(未圖示)而被搬出至處理室20外，並被搬入至蝕刻處理裝置(未圖示)中。之後，藉由蝕刻處理裝置，基板W之被處理面Wa係藉由蝕刻液而被作處理。在蝕刻工程中，蝕刻液係被供給至例如以50rpm而進行旋轉的基板W之被處理面Wa之中央附近處，被作了供給的蝕刻液，係藉由以基板W之旋轉所致之離心力而擴廣至基板W之被處理面Wa之全體。藉由此，在基板W之被處理面Wa上係被形成有蝕刻液之液膜，基板W之被處理面Wa係藉由蝕刻液而被作處理。此時，硬化狀態之熱可塑性樹脂B1，係作為保護基板W之外周面A1b免於受到蝕刻液之影響的保護材而起作用。蝕刻處理後之基板W，係在蝕刻處理裝置內，依序被進行使用有洗淨液之洗淨處理、由使基板W進行高速旋轉一事所致的乾燥處理。 在此種基板處理工程中，軟化狀態之熱可塑性樹脂B1係被塗布在台30上之基板W之身為外周端部A1之一部分的外周面A1b上，該外周面A1b之全面係被硬化狀態之熱可塑性樹脂B1所覆蓋。藉由此，在身為後續工程之蝕刻工程中，由於硬化狀態之熱可塑性樹脂B1係作為保護基板W之外周面A1b免於受到蝕刻液之影響的保護材而起作用，因此，基板W之外周面A1b被蝕刻液所侵蝕的情形係被作抑制，而能夠對於基板W之直徑變小、亦即是基板尺寸縮小的情形作抑制。其結果，由於係成為就算是在基板W之外周部分處也能夠得到所期望之尺寸的元件晶片，因此係能夠對於元件晶片之損失的發生作抑制。又，係成為能夠進行像是後續工程中之由機器人所致之搬送等的後續工程中之基板搬送，而能夠使良率提升。 於此，從供給噴嘴52而被吐出了的熱可塑性樹脂B1，係從表層起而逐漸地開始硬化，又，若是從供給噴嘴52所吐出了的熱可塑性樹脂B1附著於基板W上，則熱可塑性樹脂B1之溫度係急遽地降低。基於此些理由，相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性係會有變低的傾向。因此，藉由將被塗布在基板W之外周面A1b處的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1以加熱部60來進行加熱並使其軟化，係成為能夠將熱可塑性樹脂B1確實地接著於基板W處，而能夠使相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性提升。之後，在此使密著性作了提升的狀態下，熱可塑性樹脂B1係硬化。藉由此，在蝕刻工程中，係成為能夠對於硬化狀態之熱可塑性樹脂B1起因於蝕刻液之流動或由旋轉所導致之離心力而剝離、或者是起因於基板W與熱可塑性樹脂B1之間之密著性不良而導致蝕刻液流入並到達外周面A1b處的情形作抑制，並能夠更確實地對於基板尺寸的縮小作抑制。 又，在本實施形態中，係亦可將由加熱部60所致之加熱，構成為並不在當正在對於基板W塗布熱可塑性樹脂B1時而進行，而是在塗布後再開始進行。由於在塗布時之熱可塑性樹脂B1的軟化係被作抑制，因此，在針對被塗布在基板W上之熱可塑性樹脂B1之塗布寬幅或膜厚而特別要求有高的精確度或均一性的情況時，較理想，係在塗布後再開始進行加熱。 如同以上所作了說明一般，若依據第1實施形態，則藉由將軟化狀態之熱可塑性樹脂供給至台30上之基板W之外周端部A1處、例如供給至基板W之外周面A1b處，該外周面A1b係被硬化狀態之熱可塑性樹脂B1所覆蓋。進而，藉由將覆蓋基板W之外周面A1b的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1加熱並使其軟化，由於熱可塑性樹脂B1係確實地接著於基板W處，因此係能夠使相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性提升。故而，在蝕刻工程中，係成為能夠對於覆蓋基板W之外周面A1b之熱可塑性樹脂B1剝離或者是起因於基板W與熱可塑性樹脂B1之間之密著性不良而導致蝕刻液侵入的情形作抑制，基板W之外周面A1b係藉由硬化狀態之熱可塑性樹脂B1而被確實地作保護。藉由此，係成為能夠對於基板W之外周面A1b被蝕刻液所侵蝕的情形作抑制，而能夠對於基板尺寸的縮小作抑制。 (樹脂塗布之其他例) 將前述之由供給噴嘴52所致之樹脂塗布之例，作為第1例，並作為樹脂塗布之其他例，而針對第2例以及第3例來參照圖5~圖7而作說明。 作為第2例，如同圖5中所示一般，供給噴嘴52，係位置於台30上之基板W之外周區域A1a的正上方、例如在外周區域A1a處而位置在接近基板W之外側之位置的正上方處，並對於該外周區域A1a而供給軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。在第2例中，相較於第1例，軟化狀態之熱可塑性樹脂B1之供給量係為多。被供給至基板W之外周區域A1a處的熱可塑性樹脂B1，係以覆蓋該外周區域A1a、並且進而覆蓋與外周區域A1a相連之外周面A1b的方式，而逐漸擴廣。在此樹脂供給時，由於台30上之基板W係與台30一同旋轉，因此，從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1，係因應於基板W之旋轉而沿著基板W之外周區域A1a以及外周面A1b來依序附著。而，例如若是在基板W處之熱可塑性樹脂B1之附著開始點環繞了1周，則如同圖6中所示一般，在基板W之外周區域A1a之全體以及外周面A1b之全面上，熱可塑性樹脂B1係被作塗布，該基板W之外周區域A1a之全面以及外周面A1b之全面係被熱可塑性樹脂B1所覆蓋。 作為第3例，如同圖7中所示一般，供給噴嘴52，係位置於台30上之基板W之外周區域A1a的正上方、例如在外周區域A1a處而位置在較第2例之位置而更加接近基板W之內側之位置的正上方處，並對於該外周區域A1a而供給軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。在第3例中，相較於第2例，軟化狀態之熱可塑性樹脂B1之供給量係為少。被供給至基板W之外周區域A1a處的熱可塑性樹脂B1，係以覆蓋基板W之外周區域A1a的方式，而逐漸擴廣。在此樹脂供給時，由於台30上之基板W係與台30一同旋轉，因此，從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1，係因應於基板W之旋轉而沿著基板W之外周區域A1a來依序附著。而，例如若是在基板W處之熱可塑性樹脂B1之附著開始點環繞了1周，則在基板W之外周區域A1a之全面上，熱可塑性樹脂B1係被作塗布，該基板W之外周區域A1a之全面係被熱可塑性樹脂B1所覆蓋。 在前述之第2以及第3例中，亦係與前述之第1例相同的，能夠對於基板尺寸之縮小作抑制。另外，在熱可塑性樹脂B1之供給時的供給噴嘴52與台30上之基板W之間之垂直分離距離、供給位置、供給量、台30之旋轉數等，係實驗性地預先求取出來，關於此點，係與第1例相同。又，在第2例、第3例中，關於將被塗布在基板W處之熱可塑性樹脂B1藉由加熱部60來進行加熱並使其軟化一點，亦係與第1例相同。在第3例中，基板W之外周面A1b之全面係並未被熱可塑性樹脂B1所覆蓋，但是基板W之外周區域A1a之全面係被熱可塑性樹脂B1所覆蓋(參照圖7)。在蝕刻工程中，被供給至進行旋轉的基板W之被處理面Wa之中央附近處的蝕刻液，係藉由以基板W之旋轉所致之離心力而擴廣至基板W之被處理面Wa之全體。此作了擴廣的蝕刻液，係起因於由基板W之旋轉所致的離心力而朝向基板W之外飛散，但是，此時，藉由附著在基板W之外周區域A1a上的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1，蝕刻液之飛散方向係相對於水平面而偏向至上方。因此，蝕刻液流入至基板W之外周面A1b處的情形係被作抑制。藉由此，與前述之第1例相同的，係能夠對於基板尺寸之縮小作抑制。另外，第3例，較理想，係使用在當基板W之外周面A1b或下面為藉由SiN或SiO₂ 而作了被膜時的情況中。但是，較理想，為了確實地保護基板W之外周面A1b免於受到蝕刻液之侵蝕，係藉由熱可塑性樹脂B1來將外周面A1b之全面完全地作覆蓋。 另外，控制部70，在前述之第1~第3例之樹脂塗布之方法中，係以對於供給噴嘴52之對台30上之基板W供給熱可塑性樹脂之供給位置、亦即是對於熱可塑性樹脂所被作供給的基板W上之位置作改變的方式，來對於噴嘴移動機構53進行控制。例如，控制部70，在使供給噴嘴52對於台30上之基板W之外周面A1b供給熱可塑性樹脂B1的情況時(第1例)、和在對於台30上之基板W之上面的外周區域A1a以及外周面A1b塗布熱可塑性樹脂B1的情況時(第2例)，係以改變對於台30上之基板W而供給熱可塑性樹脂B1之供給位置的方式，來對於噴嘴移動機構53進行控制。 於此，例如在前述之第3例中，當在對於基板W而塗布了熱可塑性樹脂B1之後，由加熱部60所致之加熱並未被實行的情況時，如同圖8中所示一般，在被供給至了基板W之被處理面Wa處的熱可塑性樹脂B1中，係會有產生身為熱可塑性樹脂B1並未與基板W相接觸的部分之未接著部C1的情形。此未接著部C1，係起因於熱可塑性樹脂B1之起點B1a與終點B1b相互重疊一事而發生。熱可塑性樹脂B1之起點(附著開始點)B1a，係身為供給噴嘴52開始對於基板W之熱可塑性樹脂之供給的位置(供給開始位置)的正下方之位置，熱可塑性樹脂B1之終點(附著結束點)B1b，係身為供給噴嘴52停止對於基板W之熱可塑性樹脂之供給的位置(供給停止位置)的正下方之位置。若是此熱可塑性樹脂B1之未接著部C1藉由加熱部60而被加熱，則該未接著部C1係軟化，並與基板W之被處理面Wa相接觸而作接著。 在蝕刻工程中，被供給至進行旋轉的基板W之被處理面Wa之中央附近處的蝕刻液，係藉由以基板W之旋轉所致之離心力而擴廣至基板W之被處理面Wa之全體。但是，若是存在有前述之未接著部C1，則蝕刻液係會從未接著部C1而流入至基板W之外周面A1b處，基板W之外周面A1b係成為被蝕刻液所侵蝕。因此，藉由以加熱部60來加熱熱可塑性樹脂B1之未接著部C1，該未接著部C1係軟化並接著於基板W處。故而，在被供給至基板W之被處理面Wa處的熱可塑性樹脂B1處，係能夠將未接著部C1消除。亦即是，就算是在熱可塑性樹脂B1之塗布時間點處係產生有未接著部C1，亦可藉由以加熱部60來至少將此未接著部C1加熱，而將未接著部C1消滅並作修復。藉由此，由於蝕刻液流入至基板W之外周面A1b處的情形係被作抑制，因此係能夠確實地對於基板尺寸的縮小作抑制。 又，當在熱可塑性樹脂B1處的未接著部C1之場所以外的部分並沒有密著性之問題的情況時，係只需要將未接著部C1消滅即可。關於此，例如，係亦可構成為在未接著部C1會與加熱部60相對向之位置處，停止基板W之旋轉，並藉由加熱部60來加熱未接著部C1而使其軟化。另外，由於由供給噴嘴52所致之供給開始位置以及供給停止位置係預先被有所設定，因此，係能夠基於該些之供給開始位置以及供給停止位置，來在未接著部C1會與加熱部60相對向之位置處而使基板W之旋轉停止。係亦可構成為使加熱部60能夠在相對於基板W之外周端部A1而作接近遠離之方向上、例如在水平方向上進行移動。當加熱部60在直到成為特定溫度為止係需要耗費時間的情況時，係在從基板W而離開了的位置處，事先對加熱部60進行加熱驅動，並在對於未接著部C1進行加熱時，以使加熱部60接近未接著部C1的方式來使其作移動。 (加熱部配置之其他例) 將前述之加熱部60之配置，作為第1例，並作為配置之其他例，而針對第2例以及第3例來參照圖9以及圖10而作說明。 作為第2例，如同在圖9中所示一般，加熱部60，係被設置在台30上之基板W之外周面A1b的下方處。此加熱部60，係對於被塗布在台30上之基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1直接進行加熱。藉由此，來直接加熱熱可塑性樹脂B1並使其全體性地軟化，而能夠使相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性提升。 作為第3例，如同在圖10中所示一般，加熱部60，係被設置在台30上之基板W之外周區域A1c的下方處。此加熱部60，係藉由對於基板W而以非接觸來進行加熱，而將被塗布在台30上之基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1間接性地加熱。藉由此，來僅使與基板W有所接觸的熱可塑性樹脂B1之一部分(基板W側之部分)軟化，而能夠使相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性提升。 另外，加熱部60，係只要設置在對於被塗布在台30上之基板W之外周端部A1處的熱可塑性樹脂B1而直接性或間接性地、或者是能夠直接性或間接性地進行加熱的位置處即可，例如，係亦可被設置在台30上之基板W之外周端部A1之上方處，又，係亦可被設置在台30上之基板W之外周端部A1之上方、下方以及側方的任一者或者是全部處。例如，在將加熱部60設置在上方以及側方處、設置在下方以及側方處、或者是設置在上方、下方以及側方處的情況時，該些之加熱部60(藉由各加熱部60所構成的加熱部)，係成為除了如同第1例一般地來將被塗布在台30上之基板W之外周面A1b處的熱可塑性樹脂B1而從該熱可塑性樹脂B1並未與基板W之外周面A1b相接觸之面側(部分側)來進行加熱之外，亦如同第2例和第3例一般地而對於基板W自身進行加熱。 〈第2實施形態〉 參考圖11以及圖12，針對第2實施形態作說明。另外，在第2實施形態中，係針對與第1實施形態間的相異點(加熱部以及基板處理工程)作說明，並省略其他之說明。 如同圖11中所示一般，在第2實施形態中，加熱部60，係身為藉由輻射熱來加熱基板W之鹵素燈加熱器或雲母加熱器(例如，圓環狀之雲母加熱器)，並被設置在台30之正上方處。此加熱部60，係在熱可塑性樹脂B1之塗布前，預先對於基板W而以非接觸來進行加熱，而藉由從基板W來對於被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1傳導熱，而將被塗布在台30上之基板W之外周端部A1 (例如，外周面A1b)處之熱可塑性樹脂B1間接性地加熱。 (基板處理工程) 接著，針對前述之基板處理裝置10所進行之基板處理工程之流程作說明。在此基板處理工程中，控制部70係對於各部之動作進行控制。 如同圖12中所示一般，在步驟S11中，與第1實施形態相同的，係藉由機器手而將未處理之基板W搬入至處理室20內並載置於台30上，該被作了載置的基板W係藉由台30而被作吸附保持。機器手，在基板W之載置後，係從處理室20而避開。另外，在基板W之搬入時，供給噴嘴52係位置於待機位置。 若是前述之機器手從處理室20而避開，則在步驟S12中，台30之旋轉係藉由旋轉機構40而被開始，加熱部60之加熱動作係被開始。藉由此加熱，基板W之溫度係上升至特定溫度(例如150℃)以上。若是基板W之溫度成為特定溫度以上，則在步驟S13中，軟化狀態之熱可塑性樹脂B1係被塗布在台30上之基板W之外周端部A1處。具體而言，係藉由以下之處理程序來進行。與第1實施形態相同的，供給噴嘴52係藉由噴嘴移動機構53而從待機位置來移動至供給位置處。若是供給噴嘴52到達供給位置處，則供給噴嘴52，係位置於台30上之基板W之外周面A1b的正上方處，若是台30之旋轉數成為特定之旋轉數(例如10rpm)，則係朝向基板W之外周面A1b之上部而吐出軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。從供給噴嘴52所吐出的熱可塑性樹脂B1，係因應於基板W之旋轉而沿著基板W之外周面A1b來依序附著。而，例如若是在基板W處之熱可塑性樹脂B1之附著開始點環繞了1周，則在基板W之外周面A1b之全面上，熱可塑性樹脂B1係被作塗布，台30上之基板W之外周面A1b之全面係被熱可塑性樹脂B1所覆蓋。被塗布在外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1之厚度，例如係為0.5~3mm。 在此塗布動作中，由於基板W之溫度係成為特定溫度以上，而從基板W來對於被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1傳導有熱，因此，與基板W之外周面A1b作了接觸的熱可塑性樹脂B1之溫度急遽降低的情形係被作抑制，被塗布在基板W之外周面A1b處之熱可塑性樹脂B1的表層亦係軟化。故而，熱可塑性樹脂B1與基板W作接觸並立即硬化的情形係被作抑制，並確實地接著於基板W之外周面A1b處。藉由此，相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性係提升。 若是前述之樹脂塗布結束而吐出被停止，則供給噴嘴52係從塗布位置而移動至待機位置處，在步驟S14中，台30之旋轉係被停止，加熱部60之加熱動作係被停止。另外，係亦可構成為：當在基板W處之熱可塑性樹脂B1之附著開始點作了1圈的環繞並將從供給噴嘴52而來之熱可塑性樹脂B1之吐出作了停止之後，亦藉由加熱部60來將基板W之加熱作特定時間之持續進行。於此之所謂特定時間，例如係為就算是在萬一產生了圖8中所示之未接著部C1時也能夠將該未接著部C1作修復的時間。此特定時間，係可為較在第1實施形態中之由加熱部60所致之加熱時間而更短，亦可為台30之一圈旋轉的時間。若是由加熱部60所致之加熱動作停止，則被塗布在外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1，係起因於溫度之降低而成為硬化狀態。若是前述之供給噴嘴52回到待機位置處，台30之旋轉被停止，則在步驟S15中，與第1實施形態相同的，完成樹脂塗布之基板W，係從台30上藉由前述之機器手(未圖示)而被搬出至處理室20外，並被搬入至蝕刻處理裝置(未圖示)中。之後，與第1實施形態相同的，藉由蝕刻處理裝置，基板W之被處理面Wa係藉由蝕刻液而被作處理。 在此種基板處理工程中，與第1實施形態相同的，軟化狀態之熱可塑性樹脂係被塗布在台30上之基板W之身為外周端部A1之一部分的外周面A1b上，該外周面A1b之全面係被硬化狀態之熱可塑性樹脂B1所覆蓋。藉由此，在身為後續工程之蝕刻工程中，由於硬化狀態之熱可塑性樹脂B1係作為保護基板W之外周面A1b免於受到蝕刻液之影響的保護材而起作用，因此，基板W之外周面A1b被蝕刻液所侵蝕的情形係被作抑制，而能夠對於基板尺寸之縮小作抑制。其結果，由於係成為就算是在基板W之外周部分處也能夠得到所期望之尺寸的元件晶片，因此係能夠對於元件晶片之損失的發生作抑制。又，係成為能夠進行像是後續工程中之由機器人所致之搬送等的後續工程中之基板搬送，而能夠使良率提升。 又，藉由在對於基板W之被處理面Wa的熱可塑性樹脂B1之供給前(從供給前起)便對於基板W進行加熱，若是從供給噴嘴52所被吐出了的熱可塑性樹脂B1與基板W之外周面A1b作接觸，則會從基板W而對於該熱可塑性樹脂B1傳導熱。因此，與基板W之外周面A1b作了接觸的熱可塑性樹脂B1之溫度急遽降低的情形係被作抑制，被塗布在基板W之外周面A1b處之熱可塑性樹脂B1的表層亦係軟化，故而，係能夠對於熱可塑性樹脂B1與基板W作接觸並立即硬化的情形作抑制。故而，藉由加熱基板W，由於係成為能夠使熱可塑性樹脂B1之硬化延遲並將熱可塑性樹脂B1確實地接著於基板W之外周面A1b處，因此係能夠相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性提升。之後，在此使密著性作了提升的狀態下，熱可塑性樹脂B1係硬化。藉由此，在蝕刻工程中，係成為能夠對於覆蓋基板W之外周面A1b之熱可塑性樹脂B1起因於蝕刻液之流動或由旋轉所導致之離心力而剝離、或者是起因於基板W與熱可塑性樹脂B1之間之密著性不良而導致蝕刻液流入並到達外周面A1b處的情形作抑制，並能夠更確實地對於基板尺寸的縮小作抑制。 如同以上所作了說明一般，若依據第2實施形態，則係能夠得到與第1實施形態相同之效果。又，係藉由在熱可塑性樹脂B1之塗布前預先對於基板W進行加熱，而從基板W來對於被塗布在基板W之外周面A1b上的熱可塑性樹脂B1傳導熱，來將被塗布在基板W之外周面A1b處之熱可塑性樹脂B1間接性地加熱。藉由此，被從供給噴嘴52而吐出並附著在基板W上的熱可塑性樹脂B1之溫度急遽降低的情形係被作抑制，被塗布在基板W之外周面A1b處之熱可塑性樹脂B1的表層亦係軟化。因此，熱可塑性樹脂B1之硬化係延遲，熱可塑性樹脂B1係確實地接著於基板W處，故而，相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性係提升。故而，在蝕刻工程中，係成為能夠對於覆蓋基板W之外周面A1b之熱可塑性樹脂B1剝離或者是起因於基板W與熱可塑性樹脂B1之間之密著性不良而導致蝕刻液流入並到達外周面A1b處的情形作抑制，基板W之外周面A1b係藉由硬化狀態之熱可塑性樹脂B1而被確實地作保護。藉由此，係成為能夠對於基板W之外周面A1b被蝕刻液所侵蝕的情形作抑制，而能夠對於基板尺寸的縮小作抑制。 〈第3實施形態〉 參考圖13以及圖14，針對第3實施形態作說明。另外，在第3實施形態中，係針對與第1實施形態間的相異點(樹脂塗布之其他例)作說明，並省略其他之說明。 第3實施形態之樹脂塗布，基本上係與第1實施形態之樹脂塗布之第3例相同，但是，在將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1在基板W之外周區域A1a處而沿著基板W之外周來環狀地作塗布的次數上係為相異。在第1實施形態之樹脂塗布的第3例中，係將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1在基板W之外周區域A1a之寬幅(半徑方向之寬幅)上而作基板W之一周之量的環狀塗布。另一方面，在第3實施形態中，如同圖13中所示一般，係將「以較基板W之外周區域A1a之寬幅而更狹窄之特定寬幅來將熱可塑性樹脂B1作基板W之一周之量的環狀塗布」一事，作特定次數(在圖13中係為2次)的反覆進行。特定寬幅(塗布寬幅)，係藉由將基板W之外周區域A1a之寬幅除以塗布次數，來預先設定之。例如，當基板W之外周區域A1a之寬幅係為4mm，而塗布次數係為2次的情況時，特定寬幅係成為2mm。 在基板處理工程中，供給噴嘴52，係如同圖13中所示一般，在台30上之基板W之外周區域A1a的內側(基板W之中心側)處，將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1作基板W之一周之量的環狀塗布，之後，朝向基板W之外周區域A1a之外側而在基板W之半徑方向上移動，並於該外側而將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1與內側之完成塗布之熱可塑性樹脂B1相互鄰接地而作基板W之一周之量的環狀塗布。藉由此，在基板W之外周區域A1a處，係以相鄰接之複數之環狀(在圖13中係為2個的圓環狀)而被塗布有熱可塑性樹脂B1，被作了塗布的熱可塑性樹脂B1係在基板W之外周區域A1a上而硬化。之後，係以特定時間而進行加熱部60之加熱動作。基板W之外周區域A1a上的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1，係藉由前述之加熱動作而再度軟化，並如同圖14中所示一般，一體化而成為1個的環(在圖14中係為圓環)，並接著於基板W之外周區域A1a處。相對於基板W之熱可塑性樹脂B1的密著性係提升，若是加熱動作被停止，則熱可塑性樹脂B1係再度硬化。另外，如同前述一般之由供給噴嘴52所致之軟化狀態之熱可塑性樹脂B1之供給(例如，供給開始時序和供給停止時序)或供給噴嘴52與基板W之間之相對移動(例如，基板W之旋轉動作)等，係被控制部70所控制。 於此，如同圖13中所示一般，當軟化狀態之熱可塑性樹脂B1以特定寬幅而被作基板W之一周之量之環狀之塗布時，熱可塑性樹脂B1，係以在1個的環(圓環)中而終點(附著結束點)B1b會超過起點(附著開始點)B1a的方式而被作塗布，並被形成有重疊部(重疊部分)B1c。若是以使終點B1b並不超過起點B1a地而僅與該起點B1a相接觸的程度來進行塗布，則在起點B1a之周圍，基板W之外周區域A1a係並不會被熱可塑性樹脂B1所覆蓋，而產生有使基板W之外周區域A1a露出的場所。若是在此基板W之外周區域A1a之一部分作了露出的狀態下而進行蝕刻處理，則該露出了的部分係會被蝕刻(不必要之蝕刻)。為了避免此不必要之蝕刻，係如同前述一般地以終點B1b會超過起點B1a的方式來進行塗布。另外，若是從供給噴嘴52而來之每單位時間之吐出量變多，則因被塗布在基板W處的熱可塑性樹脂B1之寬幅、厚度均會成為難以控制。因此，為了避免不必要的蝕刻，若是塗布寬幅變廣，則係有必要將重疊部B1c之長度增長，在塗布寬幅與重疊部B1c之長度之間係存在有正比關係。 然而，若是以在1個的環處而終點B1b會超過起點B1a的方式來進行塗布，則重疊部B1c係相較於其他之部分(未重疊部分)而熱可塑性樹脂B1之量會變多。雖然若是此量為被有所抑制則不會發生問題，但是，若是如同使軟化狀態之熱可塑性樹脂B1以基板W之外周區域A1a之寬幅來作基板W之一周之量之環狀之塗布的情況一般地而重疊部B1c之熱可塑性樹脂B1變多，則在由加熱部60之加熱動作所致之再度之軟化時，重疊部B1c之熱可塑性樹脂B1會擴廣並進入至蝕刻對象區域R1中，而會有蝕刻對象區域R1之一部分被熱可塑性樹脂B1所覆蓋的情形。若是在此狀態下而蝕刻處理被進行，則在蝕刻對象區域R1中係會產生並未被蝕刻的場所(未蝕刻)。 因此，在本實施形態中，係將「以較基板W之外周區域A1a之寬幅而更狹窄之特定寬幅來將熱可塑性樹脂B1作基板W之一周之量的環狀塗布」一事，作特定次數的反覆進行。於此情況，就算是以在1個的環處而終點B1b會超過起點B1a的方式來進行塗布，相較於前述之以基板W之外周區域A1a之寬幅來作基板W之一周之量之環狀之塗布的情況，由於一周之量的塗布寬幅係變窄，因此，係能夠將重疊部B1c之長度縮短，而能夠對於重疊部B1c之熱可塑性樹脂B1之量作抑制。藉由此，在由加熱部60之加熱動作所致之再度之軟化時，係成為能夠對於熱可塑性樹脂B1擴廣並進入至蝕刻對象區域R1中的情形作抑制，而能夠使再硬化後之塗布寬幅成為均一。此係因為，相較於前述之以基板W之外周區域A1a之寬幅來作基板W之一周之量之環狀之塗布的情況，係能夠將從供給噴嘴52而來之每單位時間之吐出量減少，被塗布在基板W處的熱可塑性樹脂B1之寬幅、厚度均會成為易於控制之故。故而，係能夠對於基板W之外周區域A1a之一部分有所露出的情形作抑制，而避免不必要的蝕刻，並且，在由加熱部60之加熱動作所致之再度之軟化時，也能夠對於熱可塑性樹脂B1擴廣並進入至蝕刻對象區域R1中的情形作抑制，而成為能夠避免未蝕刻的情形，因此，係能夠對起因於前述之不必要之蝕刻或未蝕刻所導致的基板W之品質降低作抑制。 另外，各環之重疊部B1c之長度、亦即是重疊量(重合量：使終點B1b超過起點B1a而延伸的長度)，係為相同，但是，係並不被限定於此，而亦可為相異。例如，重疊量，在能夠對於在起點B1a之周圍處而基板W之外周區域A1a有所露出的情形作抑制之範圍內，為了避免前述之起因於重疊部B1c之熱可塑性樹脂B1之擴廣所導致的未蝕刻，係以盡可能少為理想。 如同以上所作了說明一般，若依據第3實施形態，則係能夠得到與第1實施形態相同之效果。又，供給噴嘴52，係對於藉由台30而被作支持的基板W之外周區域A1a，來以沿著基板W之外周而延伸並且相互鄰接的複數之環狀(例如，同心圓之環狀)而供給軟化狀態之熱可塑性樹脂B1，並且以使被供給至外周區域A1a處的複數之環狀之熱可塑性樹脂B1會在各環處而於對於外周區域A1a之熱可塑性樹脂B1之起點B1a處相互重疊的方式，來供給軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。藉由此，由於在各環之起點B1a處係分別被形成有重疊部B1c，因此，係成為能夠對於在起點B1a之周圍處而基板W之外周區域A1a之一部分有所露出的情形作抑制，而能夠避免不必要的蝕刻。又，由於在各環處之重疊部B1c之熱可塑性樹脂B1之量為被有所抑制，因此，在由加熱部60之加熱動作所致之再度之軟化時，係成為能夠對於熱可塑性樹脂B1擴廣並進入至蝕刻對象區域R1中的情形作抑制，而能夠避免未蝕刻的情形。故而，係能夠對起因於前述之不必要蝕刻或未蝕刻所導致的基板W之品質降低作抑制。 又，供給噴嘴52，係使被供給至外周區域A1a處的環狀之熱可塑性樹脂(第1熱可塑性樹脂)B1之重疊部B1c，相對於與該環狀之熱可塑性樹脂B1相鄰接之環狀之熱可塑性樹脂(第2熱可塑性樹脂)B1的重疊部B1c而在基板W之周方向上而作偏移，並供給軟化狀態之熱可塑性樹脂B1。詳細而言，供給噴嘴52，係以使各環之起點B1a以及終點B1b在相鄰接之環處而不會相鄰的方式，來將各環之起點B1a以及終點B1b於相鄰接之環處而在基板W之周方向(例如，圓周方向)上作偏移，並將軟化了的熱可塑性樹脂B1塗布為複數之環狀。藉由此，由於各環之起點B1a以及終點B1b係在相鄰接之環處而分別並不相鄰，因此，各環之重疊部B1c亦係在相鄰接之環處而並不相鄰。故而，相較於各環之重疊部B1c在相鄰接之環處而為相鄰的情況，在由加熱部60之加熱動作所致之再度之軟化時，係成為能夠將熱可塑性樹脂B1朝向蝕刻對象區域R1所流動之量減少，故而，係能夠對於熱可塑性樹脂B1擴廣並進入至蝕刻對象區域R1中的情形確實地作抑制。 〈其他實施形態〉 另外，在熱可塑性樹脂B1之供給中，係只要使台30上之基板W與供給噴嘴52進行相對移動即可，例如，係亦可構成為並不進行台30之旋轉，而相對於台30上之基板W之外周端部A1來使供給噴嘴52移動，而進行熱可塑性樹脂B1之供給。作為使基板W以及供給噴嘴52作相對移動之機構，除了使台30作旋轉之移動機構40以外，例如，係亦可使用使供給旋轉機構52沿著圓環或矩形環等之環或者是沿著直線來移動的移動機構(作為其中一例，例如，將供給噴嘴52作支持並成為能夠使其曲線狀或直線狀地進行滑動移動的導引構件、成為滑動移動之驅動源之馬達等)。除了將熱可塑性樹脂B1塗布為圓環狀之外，亦可塗布為矩形環狀等之各種形狀之環狀。 又，在圖3中，雖係針對將加熱部60配置在台30之周圍之1個場所處的例子作了展示，但是，係亦可在台30之周圍而設置複數個。例如，係亦可相對於圖3中所示之加熱部60，而包夾著台30之旋轉中心地來在相反側處配置另外1個的加熱部。於此情況，例如，熱可塑性樹脂B1之附著開始點，由於係至少在作半周之移動之間會被作1次的加熱，因此硬化之程度係更被抑制，而能夠期待有密著性的提升。又，加熱部60，係亦可為以包圍基板W之周圍的方式來作了配置的環狀之加熱部。 又，在圖11中，係構成為藉由被設置在台30之正上方處的加熱部60，來在熱可塑性樹脂B1之塗布之前(從塗布前起)，便對於基板W進行加熱。但是，係亦可如同在圖1或圖9、圖10中所示一般，將加熱部60，配置在台30之周圍或者是基板W之下方處。 又，雖係構成為若是在基板W處之熱可塑性樹脂B1之附著開始點作了1圈的環繞，則使從供給噴嘴52而來之熱可塑性樹脂B1之吐出停止，但是，係亦可構成為將從供給噴嘴52而來之熱可塑性樹脂B1的吐出在使附著開始點作了2圈以上之移動之後再停止。特別是，在如同圖5或圖7中所示一般之對於在基板W處之與重力方向相正交之外周區域A1a處進行塗布的情況時，較理想，係涵蓋2圈以上地來進行塗布。此係因為，相較於以1圈來進行塗布的情況，為了得到相同之塗布寬幅、相同之膜厚的熱可塑性樹脂B1，係能夠使從供給噴嘴52而來之每單位時間之吐出量減少。因此，係能夠使被塗布在基板W處的熱可塑性樹脂B1之寬幅、厚度均成為易於控制之故。進而，於此情況，係亦可構成為在每次繞圈時使供給噴嘴52在基板之半徑方向上而有所偏移。 又，在第2實施形態中，藉由加熱部60所進行的基板W之加熱，雖係構成為在由供給噴嘴52所致之熱可塑性樹脂B1的塗布前、塗布中乃至於塗布後亦繼續地被進行，但是，係亦可構成為僅在塗布熱可塑性樹脂B1之前置階段中，使加熱部60動作。亦即是，係亦可構成為：藉由加熱部60而僅進行基板W之預熱，並對於預熱狀態之基板W，而從供給噴嘴52來進行熱可塑性樹脂B1之吐出。 又，係亦能夠以使熱可塑性樹脂B1被從供給噴嘴52而適當地吐出的方式，來在供給位置處之吐出動作之前，先進行試行吐出。例如，在供給噴嘴52被定位於供給位置處時，係事先於待機位置處而從供給噴嘴52來吐出熱可塑性樹脂B1(事先吐出)。被從供給噴嘴52所吐出了的熱可塑性樹脂B1，係亦可構成為藉由設置在供給噴嘴52之下方處的承盤來作承接。 又，係亦可將由供給噴嘴52所致之熱可塑性樹脂B1之塗布，構成為一面使供給噴嘴52進行移動一面例如在台30之旋轉半徑方向上移動地來進行。 又，作為台30，除了將基板W作吸附並作保持之台以外，亦可構成為使用「具備有複數(例如，3個)的保持構件，並藉由該些之保持構件來將基板W夾入，並保持於水平狀態」之台。 又，除了在基板處理裝置10之外而實行蝕刻處理以外，係亦可構成為在處理室20內設置供給蝕刻液(處理液之其中一例)之供給噴嘴，並在基板處理裝置10內而實行蝕刻處理。 又，在第3實施形態中，當在基板W之外周區域A1a處將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1以沿著基板W之外周而延伸之複數之環狀來作塗布的情況時，雖係針對從基板W之外周區域A1a之內側起朝向外側而依序進行塗布的情況作了例示，但是，係並不被限定於此，亦可構成為從基板W之外周區域A1a之外側起朝向內側而依序進行塗布，又，當複數之環係為3個以上的情況時，係亦可構成為並非為依序而是隨機性地進行塗布。 又，在第3實施形態中，當在基板W之外周區域A1a處將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1以沿著基板W之外周而延伸之複數之環狀來作塗布的情況時，雖係針對以使各環之起點B1a以及終點B1b在相鄰接之環處而在基板W之周方向上作偏移，並使各環之重疊部B1c在相鄰接之環處而不會相鄰的情形來作了例示，但是，係並不被限定於此。亦可並不使各環之起點B1a以及終點B1b在基板W之周方向上作偏移，亦即是分別定位於同一半徑上，並構成為使各環之重疊部B1c在相鄰接之環處而相鄰。但是，為了對於熱可塑性樹脂B1擴廣並進入至蝕刻對象區域R1中的情形更加確實地作抑制，較理想，係構成為使各環之重疊部B1c在相鄰接之環處而不會相鄰。 又，在第3實施形態中，雖係針對當在基板W之外周區域A1a處將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1作塗布時，塗布寬幅係在各環處而為相同的情形作了例示，但是，係並不被限定於此，該塗布寬幅係亦可在各環處而為相異。例如，係亦可構成為從基板W之外周區域A1a之內側起朝向外側而逐漸將塗布寬幅增粗或者是縮細，又，當複數之環係為3個以上的情況時，係亦可構成為隨機性將塗布寬幅作變更。 又，熱可塑性樹脂B1，由於相較於熱硬化性樹脂等之材料，其之相對於基板W之密著度係為低，因此，係能夠並不使基板W破損地而將密著於基板W上並硬化了的熱可塑性樹脂B1機械性地剝離。因此，係亦可構成為設置有在蝕刻工程後從基板W而將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1剝離之剝離部。例如，係可藉由剝離手(鉗狀或鑷狀之手、鎳鉻線等之發熱體、或者是吸引部)來將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1之一部分作捏抓，並使將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1之一部分作了捏抓的剝離手移動，而從基板W來將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1剝離。另外，若是想要將密著於基板W上並硬化了的熱硬化性樹脂機械性地剝離，則基板W係會破損。熱硬化性樹脂，若是一度硬化，則便無法藉由熱來使熱硬化性樹脂軟化，為了並不使基板W損傷地而將硬化狀態之熱硬化性樹脂去除，係需要藉由藥液等來將熱硬化性樹脂溶解。故而，相較於使用藥液來將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1溶解並從基板W而去除的情況，藉由將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1從基板W而剝離，係能夠以短時間來將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1從基板W而去除，並且也不需要使用藥液，因此係能夠對起因於藥液之廢棄所致的對環境所造成的負擔有所抑制。另外，由於熱可塑性樹脂B1相較於熱硬化性樹脂，其之對於基板W之密著度係為低，因此，藉由並非使用熱硬化性樹脂而是使用熱可塑性樹脂B1，係成為易於將基板W上之硬化狀態之熱可塑性樹脂B1從基板W而剝離，而能夠並不對於基板W造成損傷地而將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1從基板W去除。在使用有熱硬化性樹脂的情況時，為了並不對於基板W造成損傷地而將硬化狀態之熱硬化性樹脂從基板W去除，係成為需要設置進行由藥液等所致之去除的裝置，並成為導致裝置之複雜化和成本的提升。 又，係亦可構成為將剝離了的熱可塑性樹脂B1藉由回收部來作回收，進而，係亦可構成為對於回收了的熱可塑性樹脂B1作再利用。例如，作為回收手段，係可使前述之剝離手在回收部之正上方處而將硬化狀態之熱可塑性樹脂B1剝落，回收部係接收落下的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1並作收容。又，作為再利用手段，係亦可構成為在處理室20內設置具備有加熱器之回收部，並藉由配管來將回收部與儲存單元51之槽51a作連接，而將作了回收的硬化狀態之熱可塑性樹脂B1藉由加熱器來作加熱並使其軟化，再將軟化狀態之熱可塑性樹脂B1藉由配管來回送至槽51a處。於此情況，由於係成為能夠對於熱可塑性樹脂B1進行再利用，因此，係能夠對成本作抑制，又，係能夠對起因於熱可塑性樹脂B1之廢棄所致的對環境所造成的負擔有所抑制。另外，係亦可構成為將供給噴嘴52定位於回收部之上方處並進行事先吐出。又，在對於熱可塑性樹脂B1進行再利用的構成中，係亦可構成為於待機時將供給噴嘴52定位於回收部之上方處並將熱可塑性樹脂B1連續性地持續吐出。 以上，雖係針對本發明之數個實施形態作了說明，但是，此些之實施形態係僅為作為例子所提示者，而並非為對於發明之範圍作限定。此些之新穎的實施形態，係可藉由其他之各種形態來實施，在不脫離發明之要旨的範圍內，係可進行各種之省略、置換、變更。此些之實施形態或其變形，係亦被包含於發明之範圍或要旨中，並且亦被包含在申請專利範圍中所記載的發明及其均等範圍內。

10:基板處理裝置 30:台 52:供給噴嘴 60:加熱部 A1:基板之外周端部 A1a:基板之上面之外周區域 A1b:基板之外周面 B1:熱可塑性樹脂 B1a:起點(附著開始點) B1b:終點(附著結束點) B1c:重疊部(重疊部分) C1:未接著部 W:基板

[圖1]係為對於第1實施形態的基板處理裝置之概略構成作展示之圖。 [圖2]係為用以對於第1實施形態之樹脂塗布的第1例作說明之圖。 [圖3]係為對於藉由第1實施形態之樹脂塗布的第1例而被塗布有樹脂的基板作展示之平面圖。 [圖4]係為對於第1實施形態的基板處理工程之流程作展示之流程圖。 [圖5]係為用以對於第1實施形態之樹脂塗布的第2例作說明之圖。 [圖6]係為對於藉由第1實施形態之樹脂塗布的第2例而被塗布有樹脂的基板作展示之平面圖。 [圖7]係為用以對於第1實施形態之樹脂塗布的第3例作說明之圖。 [圖8]係為對於在前述之第3例中之樹脂塗布的起點以及終點附近作展示之圖。 [圖9]係為用以對於第1實施形態之加熱部配置的第2例作說明之圖。 [圖10]係為用以對於第1實施形態之加熱部配置的第3例作說明之圖。 [圖11]係為對於第2實施形態的基板處理裝置之概略構成作展示之圖。 [圖12]係為對於第2實施形態的基板處理工程之流程作展示之流程圖。 [圖13]係為對於藉由第3實施形態之樹脂塗布的其中一例而被塗布有樹脂的基板作展示之平面圖。 [圖14]係為對於藉由第3實施形態之樹脂塗布的其中一例而被塗布有樹脂並被作了加熱的基板作展示之平面圖。

10:基板處理裝置

20:處理室

21:清淨單元

30:台

40:旋轉機構

50:樹脂供給部

51:儲存單元

51a:槽

51a1:加熱器

51a2:供給管

51b:開閉閥

51c:幫浦

52:供給噴嘴

52a:加熱器

53:噴嘴移動機構

53a:可動臂

53b:臂移動機構

60:加熱部

70:控制部

A1:基板之外周端部

W:基板

Wa:被處理面

Claims (12)

1. 一種基板處理裝置，係具備有：台，係支持成為蝕刻對象之基板；和供給噴嘴，係相對於藉由前述台而被作支持的前述基板，而進行相對移動，並位置於藉由前述台而被作支持的前述基板之外周端部之正上方處，並且朝向前述基板之外周端部而供給軟化了的熱可塑性樹脂；和加熱部，係對於藉由前述供給噴嘴而被供給至了前述基板之外周端部處的熱可塑性樹脂進行加熱。
2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中，前述加熱部，係將被供給至前述基板之外周端部處的前述熱可塑性樹脂，從前述熱可塑性樹脂並未與前述基板作接觸之面側來進行加熱。
3. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中，前述加熱部，係對前述基板進行加熱，而將藉由前述供給噴嘴所被供給至前述基板之外周端部處的前述熱可塑性樹脂作加熱。
4. 如請求項1~3中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述供給噴嘴，係對於藉由前述台而被作支持的前述基板之外周面、以及藉由前述台而被作支持的前述基板之上面的外周區域，此些之其中一方或者是雙方，而供給前 述熱可塑性樹脂。
5. 如請求項1~3中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述供給噴嘴，係對於藉由前述台而被作支持的前述基板之上面的外周區域，來以沿著前述基板之外周而延伸並且相互鄰接的複數之環狀而供給前述熱可塑性樹脂，並且以使被供給至前述外周區域處的複數之環狀之前述熱可塑性樹脂會在各環處而於對於前述外周區域之前述熱可塑性樹脂之附著開始點處相互重疊的方式，來供給前述熱可塑性樹脂。
6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中，前述供給噴嘴，係使被供給至前述外周區域處的環狀之前述熱可塑性樹脂之重疊部分，相對於與該環狀之前述熱可塑性樹脂相鄰接之環狀之前述熱可塑性樹脂的重疊部分而在前述基板之周方向上而作偏移，並供給前述熱可塑性樹脂。
7. 一種基板處理方法，係具備有：藉由台而支持成為蝕刻對象之基板之工程；和相對於藉由前述台而被作支持的前述基板而使供給噴嘴進行相對移動，並將前述供給噴嘴定位於藉由前述台而被作支持的前述基板之外周端部之正上方處，並且朝向前述基板之外周端部而藉由前述供給噴嘴來供給軟化了的熱可塑性樹脂之工程；和 將藉由前述供給噴嘴而被供給至了前述基板之外周端部處之前述熱可塑性樹脂，藉由加熱部來進行加熱之工程。
8. 如請求項7所記載之基板處理方法，其中，前述加熱部，係將被供給至前述基板之外周端部處的前述熱可塑性樹脂，從前述熱可塑性樹脂並未與前述基板作接觸之面側來進行加熱。
9. 如請求項7所記載之基板處理方法，其中，前述加熱部，係對前述基板進行加熱，而將藉由前述供給噴嘴所被供給至前述基板之外周端部處的前述熱可塑性樹脂作加熱。
10. 如請求項7~9中之任一項所記載之基板處理方法，其中，前述供給噴嘴，係對於藉由前述台而被作支持的前述基板之外周面、以及藉由前述台而被作支持的前述基板之上面的外周區域，此些之其中一方或者是雙方，而供給前述熱可塑性樹脂。
11. 如請求項7~9中之任一項所記載之基板處理方法，其中，前述供給噴嘴，係對於藉由前述台而被作支持的前述基板之上面的外周區域，來以沿著前述基板之外周而延伸並且相互鄰接的複數之環狀而供給前述熱可塑性樹脂，並 且以使被供給至前述外周區域處的複數之環狀之前述熱可塑性樹脂會在各環處而於對於前述外周區域之前述熱可塑性樹脂之附著開始點處相互重疊的方式，來供給前述熱可塑性樹脂。
12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中，前述供給噴嘴，係使被供給至前述外周區域處的環狀之前述熱可塑性樹脂之重疊部分，相對於與該環狀之前述熱可塑性樹脂相鄰接之環狀之前述熱可塑性樹脂的重疊部分而在前述基板之周方向上而作偏移，並供給前述熱可塑性樹脂。

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