TWI824015B - 邊緣珠粒移除系統及處理基板之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於用於處理基板(12)的邊緣珠粒移除系統(10)，其包括邊緣珠粒移除頭(20)，移除頭(20)具有主體(22)和從主體(22)突出的二臂(24)。臂(24)彼此有距離而在其間界定接收空間(26)以容納待處理的基板(12)。突出臂(24)各具有彼此面對的功能性表面(36)，並且其中功能性表面(36)各包括至少一流體出口(38)。本發明亦關於處理基板(12)的方法。

Description

邊緣珠粒移除系統及處理基板之方法
本發明有關用於處理基板的邊緣珠粒移除系統。進一步而言，本發明關於處理基板的方法。
本發明尤其關於藉由光微影術來製造微結構構件。微結構構件特別是整合表面、半導體晶片或微機電系統(micro-electromechanical system，MEMS)。基板(也已知為晶圓)乃用於光微影術過程，其中基板披覆了也稱為阻劑的光阻。披覆基板後續藉由遮罩而曝光，其中光阻的物理和/或化學特徵由於曝光的緣故而部分改變。
典型而言，光阻施加在基板上成一層，其中重要的是所施加的光阻層沒有不規則物或顆粒。因此，光阻特別在基板的旋轉期間施加，該過程也稱為旋塗。這確保施加的光阻(亦即披覆)盡可能均等地分布在基板的表面上。
然而，由於基板在旋塗期間旋轉的緣故，旋塗導致在基板上側的邊緣有光阻材料的珠粒。事實上，當旋轉基板時發生的離心力把施加在基板上的阻劑材料徑向往外推，如此便形成了邊緣珠粒。
迄今，披覆珠粒使用分配溶劑的巨針來移除，然而當晶圓彎曲時這不太正確。
進一步已知使用溶劑或氣體流動，其被指引朝向基板如此以移除既存的邊緣珠粒，或是移除多餘的光阻材料以避免珠粒形成在邊緣上。換言之，溶劑或氣體流動將避免珠粒發生和/或移除既存的珠粒。
已知的邊緣珠粒移除系統乃用於個別的披覆器模組，其中阻劑材料施加在基板上，如此則在邊緣珠粒移除過程期間必須考慮披覆器模組的幾何限制。一般而言，系統以及個別的過程對於待處理的基板之彎折變化極為敏感。
據此，需要一種邊緣珠粒移除系統以及處理基板的方法，其允許更有效率地移除邊緣珠粒。
本發明提供用於處理基板的邊緣珠粒移除系統，其包括邊緣珠粒移除頭，移除頭具有主體和從主體突出的二臂，其中臂彼此有距離而在其間界定接收空間以容納待處理的基板，其中臂各具有彼此面對的功能性表面，並且其中功能性表面各包括至少一流體出口。
據此，邊緣珠粒移除系統使用分別形成的邊緣珠粒移除頭，其大致呈C形，因為邊緣珠粒移除頭具有主體和從主體(尤其從主體同一側)所突出的二臂。因此，主體和二臂一起形成用於待處理的基板之接收空間，其中接收空間僅於一側開啟以容納待處理的基板。由於二臂各具有功能性表面，其具有至少一流體出口，故流體流動可以從個別的流體出口指引朝向接收空間和容納於接收空間中的基板。據此，第一流體流動可以指引朝向基板的上表面，尤其在施加於基板之上表面上的光阻材料上。再說，第二流體流動可以指引朝向基板之未披覆光阻材料的下側。
然而，第二流體流動可以指引到邊緣或沿著待處理的基板邊緣，如此以在基板的上側上產生負壓或是真空。既存的邊緣珠粒或是形成邊緣珠粒的阻劑材料由於產生的負壓或是真空而移除。這一般而言對應於噴射泵的原理；依據該原理，藉由從下側沿著基板邊緣而流動朝向上側的流體流動，而在基板的上側上產生輸送流動。事實上，產生的流體流動拉走多餘的光阻材料，如此以避免邊緣珠粒。換言之，由於適合的流體流動指引在基板的下緣(亦即第二流體流動)的事實，故可以採簡單方式來避免一般而言由於旋塗而發生在基板上側邊緣的光阻材料珠粒。
根據一方面，(各功能性表面的)至少一流體出口指派給噴嘴。因此，流體流動的速度可以因為噴嘴而更動。尤其，增加了流體流動的速度。再說，噴嘴可以確 保可以輕易指引源自至少一流體出口的流體流動。
事實上，各功能性表面可以包括噴嘴、多個噴嘴，外流狹縫、所謂的空氣刀片、類似刷子的外流單元或類似者，藉此則特別達成另一種輪廓的流體流動。這對於非圓形基板(舉例來說是方形基板)尤其重要。
根據另一方面，至少一流體出口連接於嵌埋在邊緣珠粒移除頭中的氮線路。因此，氮流動或一般而言氣體流動可以由(各功能性表面的)至少一流體出口所分配。換言之，氮乃用於移除邊緣珠粒或是避免存在邊緣珠粒，其中個別氣體流動被指引朝向待處理的基板。連接於氮線路之至少一流體出口所提供的流體流動可以沒有溶劑。這確保不引入進一步的物質，因為邊緣珠粒移除系統的腔室一般而言可以溢滿了氮。腔室以特定氣氛來容納邊緣珠粒移除頭以及待處理的基板。事實上，氮流動乃用於以大致機械或是物理方式來移除多餘阻劑材料。
一般而言，氮線路可以連接到氮來源，其提供至少一流體出口所用的氮。
根據另一具體態樣，至少一流體出口連接到嵌埋在邊緣珠粒移除頭中的溶劑線路。因此，溶劑可以用於移除既存的邊緣珠粒或是避免存在邊緣珠粒。溶劑流動可以直接指引在阻劑材料上以直接移除阻劑材料。因此，多餘阻劑材料是以大致化學的方式所移除。溶劑可以是丙酮或任何其他適合個別光阻材料的溶劑。
一般而言，溶劑線路可以連接到溶劑來源， 其提供至少一流體出口所用的溶劑。
根據具體態樣，各功能性表面具有至少二流體出口。因此，至少二流體出口可以連接到氮線路以及溶劑線路，如此則二流體流動一般而言可以用於移除邊緣珠粒。事實上，邊緣珠粒移除系統的使用者可以選擇個別的流體來移除邊緣珠粒。再者，邊緣珠粒移除系統的控制單元可以採自動方式來控制個別的氮來源或是溶劑來源。
由於邊緣珠粒移除頭的各功能性表面可以分別連接於溶劑線路和氮線路，故溶劑流動和氮流動可以從基板下側以及上側而指引朝向基板。據此，由於邊緣珠粒移除頭之特定設計的緣故，就邊緣珠粒移除處理而言的彈性最大化。
某一方面提供的是至少一流體出口相對於個別功能性表面而傾斜。因而，指派給至少一流體出口的流體流動可以採相對於功能性表面呈傾斜的方式而指引朝向接收空間。因而，流體流動的指向可以不同於垂直指向。這確保負壓或是真空可以輕易發生在基板的上側上，即使流體流動源自面對基板下側的功能性表面亦然。事實上，個別的流體沿著邊緣流動，如此以拉走在基板上側邊緣的材料。
再者，主體可以包括指派給接收空間的引流開口，其中引流開口連接到真空來源。因此，在邊緣珠粒移除過程期間可以發生的任何材料或是顆粒可以由引流開口所連接的真空抽吸。這確保從腔室有效移除任何雜質， 如此則基板的披覆(亦即施加在基板上的光阻材料)不受損或不會不純。
再者，邊緣珠粒移除頭可以包括邊緣感應器，其建構成感應待處理之基板的邊緣。據此，確保了至少一流體出口相對於基板邊緣的距離在處理過程期間維持為穩定的。為此目的，邊緣感應器可以連接於邊緣珠粒移除系統的控制單元，如此則可以適當控制邊緣珠粒移除頭的相對位置，而確保對邊緣的距離在邊緣珠粒移除過程期間是恆定的。事實上，邊緣感應器建構成感應基板邊緣和至少一流體出口之間的相對水平距離。
再說，可以設置感應器，其建構成感應功能性表面和基板之對應側(舉例而言為基板的上側或是基板的下側)之間的垂直距離。
再說，邊緣珠粒移除系統可以包括線性驅動器，其連接於邊緣珠粒移除頭。因此，可以適當驅動邊緣珠粒移除頭，如此以確保(相對水平)距離維持恆定的。舉例而言，線性驅動器可以確保邊緣珠粒移除頭可以沿著圓形基板的邊緣而以徑向方式來移動。換言之，線性驅動器沿著基板的圓周來移動邊緣珠粒移除頭。
附帶而言，同一線性驅動器或另一線性驅動器建構成控制邊緣珠粒移除頭相對於基板的垂直移動，如此則適當設定功能性表面對於基板個別側的垂直距離。因而，相對垂直距離可以在邊緣珠粒移除過程期間維持恆定的。
根據另一方面，邊緣珠粒移除系統包括邊緣珠粒移除夾頭，其具有用於握持待處理之基板的處理表面。尤其，舉例而言，處理表面具有高達280毫米的直徑。事實上，相對於將光阻材料施加在基板之上表面上的披覆器模組而言，邊緣珠粒移除過程可以在外部模組中來做。因此，可以使用大的邊緣珠粒移除夾頭，其不同於披覆器模組裡的處理夾頭。個別的邊緣珠粒移除夾頭確保大基板或是大晶圓可以大致在其整個直徑上平坦化。事實上，這確保邊緣珠粒移除系統較不取決於基板的任何彎折，因為邊緣珠粒移除夾頭所具有的直徑匹配(大)基板的直徑。換言之，大幅減少彎折和邊緣珠粒移除正確性之間的相依性。
一般而言，邊緣珠粒移除夾頭的處理表面可以連接到真空來源。因此，基板可以經由施加的真空而定位在邊緣珠粒移除夾頭上，尤其是置中。施加的真空進一步確保基板在處理表面上被適當平坦化。
附帶而言，邊緣珠粒移除頭可以包括距離調整單元，其建構成調整臂之間的距離，使得接收空間的體積是可調整的。據此，從主體突出之臂的至少一臂可以相對於另一臂而沿著主體來位移，如此則可以採所欲方式來設定二臂之間的距離。這確保具有不同厚度的基板可以由相同的邊緣珠粒移除系統(尤其是相同的邊緣珠粒移除頭)來處理。
另一方面提供的是邊緣珠粒移除系統建構成 在水平方向移動邊緣珠粒移除頭，以便維持至少一流體出口相對於基板之邊緣的水平距離是恆定的。在基板的處理期間，亦即在個別的邊緣珠粒移除過程中，邊緣珠粒移除頭在水平方向移動而致使至少一流體出口和基板邊緣之間的相對水平距離維持恆定的。為此目的，適當控制線性驅動器。事實上，邊緣珠粒移除頭是由線性驅動器沿著基板的圓周所驅動。
再者，邊緣感應器感應待處理的基板之邊緣並且轉送個別資訊，如此則回應於邊緣感應器所取得的資訊來控制線性驅動器。至少一流體出口相對於邊緣的相對水平位置是由邊緣感應器所測量，其中線性驅動器移動邊緣珠粒移除頭，如此以保持水平距離是恆定的。
事實上，邊緣珠粒移除系統的構件(亦即邊緣感應器、線性驅動器和/或控制單元)確保至少一流體出口相對於基板邊緣的(水平)距離在基板的處理期間維持恆定的。據此，邊緣珠粒移除系統建構成維持(相對)水平距離恆定的。
一般而言，邊緣珠粒移除頭的功能性表面在水平方向延伸。
邊緣珠粒移除夾頭的處理表面也在水平方向延伸。
進一步而言，基板上面施加了光阻材料的表面大致在水平方向延伸。
邊緣珠粒移除頭的臂在垂直於水平方向的垂 直方向上彼此隔開。
進一步而言，本發明提供處理基板的方法，其包括以下步驟：提供邊緣珠粒移除系統，尤其是如上所述的邊緣珠粒移除系統，其具有邊緣珠粒移除頭，該邊緣珠粒移除頭在其二臂之間提供接收空間，提供待處理的基板，以及將邊緣珠粒移除頭和基板定位成致使基板容納於邊緣珠粒移除頭的臂之間的接收空間中。
這確保基板的上側以及下側可以由邊緣珠粒移除系統所輕易處理。尤其，可以同時處理基板的二側或是二表面。再說，上面所言的優點也以類似方式而適用於處理基板的方法。
一般而言，用於移除邊緣珠粒之處理基板的方法以及邊緣珠粒移除系統是在平坦化的基板或是平坦化的晶圓上進行。這可以由邊緣珠粒移除系統之僅用於邊緣珠粒移除的特定邊緣珠粒移除夾頭所確保。
尤其，邊緣珠粒移除系統的正確性主要取決於邊緣感應器的正確性和/或線性驅動器的正確性。因而，有損先前技術所知的移除系統之正確性的其他效應就沒有效了。
事實上，邊緣珠粒移除系統不再取決於晶圓類型。尤其，接收空間夠大以容納不同類型的晶圓。在極大或極小晶圓的情形，可以適當調整接收空間的體積。
一般而言，邊緣珠粒移除系統有效率，因為用於邊緣珠粒移除之流體的體積最少化，這是由於邊緣珠粒移除系統有緊湊設計(亦即流體出口相對於基板的距離最小化)的緣故。
10:邊緣珠粒移除系統
12:基板
14:腔室
16:邊緣珠粒移除夾頭
18:處理表面
20:邊緣珠粒移除頭
22:主體
24:臂
26:接收空間
28:上側
30:光阻材料
32:下側
34:真空出口
36:功能性表面
38:流體出口
40:第一流體出口
42:氮線路
44:第二流體出口
46:溶劑線路
48:氮來源
50:溶劑來源
52:引流開口
54:真空來源
56:邊緣感應器
58:線性驅動器
59:水平移動方向
60:控制單元
62:距離調整單元
63:垂直移動方向
d:距離
H:水平方向
S1~S7:處理基板的方法步驟
V:垂直方向
隨著搭配伴隨圖式來參考以下詳細敘述而有更佳理解，則將更輕易體會所請標的之前述方面和許多達到的優點，其中：圖1示意顯示根據本發明的邊緣珠粒移除系統之一部分的截面圖；以及圖2示意顯示流程圖，其示範根據本發明之處理基板的方法。
於圖1，顯示的是用於處理基板12的邊緣珠粒移除系統10。
邊緣珠粒移除系統10包括腔室14，其中定位了邊緣珠粒移除夾頭16，其具有處理表面18，基板12則放置在上面以由邊緣珠粒移除系統10所處理。
進一步而言，邊緣珠粒移除系統10包括邊緣珠粒移除頭20，其也位在腔室14裡。邊緣珠粒移除頭20具有主體22和從主體22所突出的二臂24。臂24在垂直於水平方向H的垂直方向V彼此隔開。
垂直方向V以及水平方向H示範於圖1所示之分開的標示。
事實上，從圖1所示的側面來看，邊緣珠粒移除頭20大致為C形，因為臂24彼此有距離以致界定接收空間26，其部分容納待處理的基板12。
如圖1所示，基板12具有披覆了光阻材料30的上側28，而基板12的下側32沒有披覆光阻材料。基板12經由其下側32而放置在邊緣珠粒移除夾頭16上，尤其是其處理表面18上。
邊緣珠粒移除夾頭16連接於真空來源，其產生負壓如此以抽吸基板12到其處理表面18上，這確保基板12被適當平坦化。幾個真空出口34指派給處理表面18，基板12(尤其是其下側32)經由此被真空所抽吸。
再說，邊緣珠粒移除夾頭16相對於披覆器模組所用的典型處理夾頭而有所不同，因為邊緣珠粒移除夾頭16(尤其是其處理表面18)具有高達280毫米的直徑。因而，基板12可以具有高達300毫米的直徑，如此則基板12徑向重疊邊緣珠粒移除夾頭16而有距離d，其為10毫米，如圖1所指。
典型而言，基板12在其上側28(也稱為上表面)披覆了光阻材料30，如此則可以由於用來將光阻材料施加到基板12之上側28上的旋塗而發生邊緣珠粒。這邊緣珠粒典型而言發生在邊緣珠粒移除頭20的接收空間26中所容納之基板12的靠外10毫米裡。
如圖1所示，二臂24各具有面對彼此的功能性表面36，並且基板12容納於接收空間26中。
事實上，第一臂24具有面對基板12之上側28的功能性表面36，而第二臂24具有面對基板12之下側32的功能性表面36。
於所示具體態樣，二功能性表面36各具有二流體出口38，也稱為流體開口。各功能性表面36的第一流體出口40指派給氮線路42，其嵌埋於邊緣珠粒移除頭20中，而第二流體出口44指派給溶劑線路46，其也嵌埋於邊緣珠粒移除頭20中。
氮線路42從腔室14導引出來以連接於氮來源48。以類似方式，溶劑線路46從腔室14導引出來以連接於溶劑來源50。
一般而言，流體出口38可以相對於個別的功能性表面36而傾斜，如此則源自個別流體出口38的流體流動相對於功能性表面36而傾斜，如此則流體流動以傾斜方式而指引朝向接收空間26或是基板12。
這確保個別的流體流動無損於基板12的特徵，尤其是先前施加的光阻材料30。
事實上，源自面對基板12的上側28之流體出口38的流體流動僅可以沿著施加在基板12上的光阻材料30來刷洗。
相對此而言，源自面對基板12的下側32之流體出口38的流體流動可以指引成以致在基板12的上側28上 產生負壓或是真空，如此以移除既存邊緣珠粒的多餘光阻材料30或是可以形成邊緣珠粒的多餘光阻材料30。
一般而言，源自流體出口38的流體流動可以遞送或是釋放可以干擾或是損害基板12之特徵(尤其是上面所施加的光阻材料30)之顆粒。舉例而言，連接於溶劑線路46之流體出口38所提供的溶劑流動將溶劑排放到腔室14中。
據此，邊緣珠粒移除頭20(尤其是其主體22)具有指派給接收空間26的引流開口52，其中引流開口52連接到真空來源54。
因此，可以在邊緣珠粒移除過程期間發生的雜質或是顆粒經由位於基板12之邊緣的引流開口52而從接收空間26抽走，如圖1所示。
這確保施加在基板12的光阻材料30不被顆粒或溶劑所不純或損害。如已所言，連接於氮線路42之流體出口38所排放的氮不損害光阻材料30，因為腔室14可以溢滿了氮。
一般而言，個別流體出口38(亦即指派給氮線路42或是溶劑線路46的出口)可以包括至少一噴嘴、類似槽道的形狀、外流狹縫、類似刷子的形狀、所謂的空氣刀片(排放溶劑或是氮)或類似者。事實上，流體流動的速度及其形狀可以由流體出口38的個別設計所更動。
再說，邊緣珠粒移除頭20包括邊緣感應器56，其建構成感應待處理之基板12的邊緣。事實上，基板 12之邊緣的水平位置(相對於邊緣珠粒移除頭20或其構件)是由邊緣感應器56所感應。
附帶而言，邊緣珠粒移除系統10包括連接於邊緣珠粒移除頭20的線性驅動器58，如此則邊緣珠粒移除頭20可以由線性驅動器58所驅動，以便採所欲方式來保持對基板12的距離。
線性驅動器58確保邊緣珠粒移除頭20的流體出口38對基板12的邊緣具有相同(相對水平)距離。
為此目的，邊緣珠粒移除頭20沿著基板12的圓周而適當驅動。
邊緣珠粒移除頭20的個別移動是由箭號59所指示，其示範水平移動方向。因此，水平移動方向(亦即箭號59)平行於水平方向H。
事實上，邊緣感應器56和線性驅動器58確保流體出口38相對於基板12之邊緣的(水平)距離維持恆定。
流體出口38相對於邊緣的相對水平位置是由邊緣感應器56所測量，其中線性驅動器58將邊緣珠粒移除頭20移動成以致保持水平距離恆定的。
為此目的，邊緣感應器56以及線性驅動器58連接於控制單元60，其從邊緣感應器56接收個別的資料並且適當控制線性驅動器58。
因而，邊緣珠粒移除系統10建構成在水平方向上移動邊緣珠粒移除頭20，如此則流體出口38相對於基板12之邊緣的水平距離維持恆定的。
附帶而言，也可以適當控制相對垂直位置。因此，同一線性驅動器58或另一線性驅動器可以驅動邊緣珠粒移除頭20，如此以保持功能性表面36和基板12(尤其是基板12的對應表面)之間的垂直距離是恆定的。
在邊緣珠粒移除過程期間，控制單元60也可以控制邊緣珠粒移除夾頭16，尤其是其旋轉速度。一般而言，由於流體出口38和基板12之間的最小距離，故旋轉速度可以為低。據此，可以採具有成本效益的方式來設置邊緣珠粒移除夾頭16，因為所需的旋轉速度為低而低成本引擎可以用於邊緣珠粒移除夾頭16。低旋轉速度進一步改善清潔效率。
進一步而言，控制單元60也可以控制氮線路42或是氮來源48以及溶劑線路46或是溶劑來源50。
以類似方式，控制單元60建構成控制真空，其設置在邊緣珠粒移除夾頭16以將放置在邊緣珠粒移除夾頭16之處理表面18上的基板12定位和平坦化。
控制單元60可以進一步控制指派給引流開口52的真空來源54，以抽吸可以在邊緣珠粒移除過程期間發生的雜質或是顆粒。
一般而言，臂24彼此可以有距離，使得設置的接收空間26夠大以容納幾種不同類型的基板12。
然而，可以設置距離調整單元62，其確保二臂24之間的(垂直)距離可以調整成以致相對於待處理的基板12來調適接收空間26的體積。換言之，距離調整單元62 建構成藉由調整至少一臂24相對於另一臂24的垂直距離而調整二臂24之間的垂直距離。於圖1，這示意顯示於下臂24，其可以相對於另一臂24而在垂直方向V沿著箭號63來移動。
據此，體積可以縮減或是增加，此取決於基板12的尺寸，尤其是其厚度。於所示具體態樣，基板12具有775微米的典型厚度。然而，這厚度可以視基板的類型而不同。
再者，至少容納邊緣珠粒移除夾頭16以及邊緣珠粒移除系統10的腔室14可以不同於披覆模組之中將基板12披覆光阻材料30的披覆腔室。
一般而言，由於容納基板12(尤其是基板12之邊緣)的邊緣珠粒移除頭20有緊湊設計的緣故，邊緣珠粒移除系統10極為緊湊。
基板12一般而言藉由提供邊緣珠粒移除系統10而處理(步驟S1)。
進一步而言，也提供待處理的基板12(步驟S2)。
然後，基板12以及邊緣珠粒移除頭20定位成使得基板12經由其邊緣而容納於邊緣珠粒移除頭20所提供的接收空間26中(步驟S3)。
邊緣感應器56感應基板12的邊緣以提供用於適當對齊邊緣珠粒移除頭20的資料(步驟S4)。
為此目的，控制單元60控制線性驅動器58， 使得邊緣珠粒移除頭20以所欲方式而對齊於基板12(步驟S5)。
一旦邊緣珠粒移除頭20和基板12彼此對齊，則控制單元60可以控制邊緣珠粒移除夾頭16旋轉(步驟S6)。
再說，控制單元60可以控制氮來源48和/或溶劑來源50以適當提供氮或是溶劑來處理基板12，如此以移除多餘光阻材料30(步驟S7)。因而，可以避免即將來臨的邊緣珠粒或是移除已有的邊緣珠粒。
事實上，邊緣珠粒移除系統10以及處理基板12的方法確保邊緣珠粒移除過程獨立於基板12的任何彎折，因為可以使用直徑調適於基板12之分別形成的邊緣珠粒移除夾頭16。這分別形成的邊緣珠粒移除夾頭16相對於披覆模組而用於不同的模組，亦即邊緣珠粒移除模組或是邊緣珠粒移除系統10。
10:邊緣珠粒移除系統
12:基板
14:腔室
16:邊緣珠粒移除夾頭
18:處理表面
20:邊緣珠粒移除頭
22:主體
24:臂
26:接收空間
28:上側
30:光阻材料
32:下側
34:真空出口
36:功能性表面
38:流體出口
40:第一流體出口
42:氮線路
44:第二流體出口
46:溶劑線路
48:氮來源
50:溶劑來源
52:引流開口
54:真空來源
56:邊緣感應器
58:線性驅動器
59:水平移動方向
60:控制單元
62:距離調整單元
63:垂直移動方向
d:距離
H:水平方向
V:垂直方向

Claims (12)

  1. 一種用於處理基板(12)的邊緣珠粒移除系統(10)，其包括邊緣珠粒移除頭(20)，該移除頭(20)具有主體(22)和從該主體(22)突出的二臂(24)，其中該臂(24)彼此有距離而在其間界定接收空間(26)以容納待處理的基板(12)，其中該臂(24)各具有彼此面對的功能性表面(36)，其中該功能性表面(36)各包括至少一流體出口(38)，且其中該邊緣珠粒移除頭(20)包括距離調整單元(62)，其建構成調整該臂(24)之間的該距離，使得該接收空間(26)的體積是可調整的。
  2. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該至少一流體出口(38)指派給噴嘴。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該至少一流體出口(38)連接於嵌埋在該邊緣珠粒移除頭(20)中的氮線路(42)。
  4. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該至少一流體出口(38)連接到嵌埋在該邊緣珠粒移除頭(20)中的溶劑線路(46)。
  5. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)， 其中各功能性表面(36)具有至少二流體出口(38)。
  6. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該至少一流體出口(38)相對於該功能性表面(36)之每一者而傾斜。
  7. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該主體(22)包括指派給該接收空間(26)的引流開口(52)，其中該引流開口(52)連接到真空來源(54)。
  8. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該邊緣珠粒移除頭(20)包括邊緣感應器(56)，其建構成感應待處理之該基板(12)的邊緣。
  9. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該邊緣珠粒移除系統(10)包括線性驅動器(58)，其連接於該邊緣珠粒移除頭(20)。
  10. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)，其中該邊緣珠粒移除系統(10)包括邊緣珠粒移除夾頭(16)，其具有用於握持待處理之該基板(12)的處理表面(18)，尤其其中該處理表面(18)具有高達280毫米的直徑。
  11. 根據申請專利範圍第1項的邊緣珠粒移除系統(10)， 其中該邊緣珠粒移除系統(10)建構成在水平方向移動該邊緣珠粒移除頭(20)，以便維持該至少一流體出口(38)相對於該基板(12)之邊緣的水平距離是恆定的。
  12. 一種處理基板(12)的方法，其包括以下步驟：提供邊緣珠粒移除系統(10)，尤其是根據申請專利範圍第1至11項中任一項的邊緣珠粒移除系統(10)，其具有邊緣珠粒移除頭(20)，該邊緣珠粒移除頭(20)在其二臂(24)之間提供接收空間(26)，提供待處理的基板(12)，以及將該邊緣珠粒移除頭(20)和該基板(12)定位成致使該基板(12)容納於該邊緣珠粒移除頭(20)的該臂(24)之間的該接收空間(26)中，其中該邊緣珠粒移除頭(20)包括距離調整單元(62)，其建構成調整該臂(24)之間的該距離，使得該接收空間(26)的體積是可調整的。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022031268A1 (en) * 2020-08-04 2022-02-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing photoresist off of photomask
US20220269177A1 (en) * 2021-02-23 2022-08-25 Tokyo Electron Limited Sensor technology integration into coating track
CN117497435A (zh) * 2022-07-21 2024-02-02 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法、处理装置及处理系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6453916B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
US20080081110A1 (en) * 2006-09-30 2008-04-03 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
US20090211604A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Tokyo Electron Limited System and Method For Removing Edge-Bead Material

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW419716B (en) * 1997-04-28 2001-01-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
KR100436361B1 (ko) * 2000-12-15 2004-06-18 (주)케이.씨.텍 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6453916B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
US20080081110A1 (en) * 2006-09-30 2008-04-03 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
US20090211604A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Tokyo Electron Limited System and Method For Removing Edge-Bead Material

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