KR20200035364A - 기판을 처리하는 에지 비드 제거 시스템 및 방법 - Google Patents

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KR20200035364A
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루도빅 랏타드
라이너 타르구스
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수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
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Abstract

에지 비드 제거 시스템(10)이 기판(12)을 처리하기 위하여 설명되고, 상기 시스템은, 본체(22) 및 상기 본체(22)로부터 돌출하는 2게의 아암(24)을 갖는 에지 비드 제거 헤드(20)를 포함한다. 아암(24)들은 처리될 기판(120을 수용하기 위하여 그들 사이에 리셉션 공간(26)을 규정하며 서로로부터 이격된다. 돌출하는 아암(24)들은 서로 면하는 기능면(36)을 각각 갖고, 상기 기능면(36)들은 적어도 하나의 유체 아울렛(38)을 각각 포함한다. 또한, 기판(12)을 처리하기 위한 방법이 설명된다.

Description

기판을 처리하는 에지 비드 제거 시스템 및 방법{EDGE BEAD REMOVAL SYSTEM AND METHOD OF TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하기 위한 에지 비드 제거 시스템에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 특히 포토리소그래피에 의한 미세 구조화된 구성 요소의 제조에 관한 것이다. 미세 구조 구성 요소는 그 중에서도 집적 표면, 반도체 칩 또는 MEMS(micro-electromechanical systems)이다. 웨이퍼로도 알려진 기판이 포토리소그래피 공정에 사용되며, 여기서 기판은 레지스트라고도하는 포토레지스트로 코팅된다. 코팅된 기판은 마스크에 의해 후속적으로 노출되며, 여기서 포토레지스트의 물리적 및/또는 화학적 특성은 노출로 인해 부분적으로 변한다.
전형적으로, 포토레지스트는 층으로 기판 상에 적용되며, 적용된 포토레지스트 층은 요철 또는 입자가 없는 것이 중요하다. 따라서, 포토레지스트는 특히 기판의 회전 동안 적용되는데, 이러한 공정은 스핀 코팅으로도 불린다. 이것은 적용된 포토레지스트, 즉 코팅이 기판의 표면에 가능한 한 균등하게 분포되는 것을 보장한다.
그러나, 스핀 코팅은 스핀 코팅 동안 기판의 회전으로 인해 기판의 상부 측면의 에지에서 포토레지스트 재료의 비드를 초래한다. 실제로, 기판을 회전시킬 때 발생하는 원심력은 에지 비드가 형성되도록 기판 상에 적용된 레지스트 재료를 방사상 외측으로 밀어낸다.
지금까지, 코팅 비드는 용매 분배를 위한 매크로 니들을 사용하여 제거되되, 상기 니들은 웨이퍼가 구부러질 때 부정확하다.
이미 존재하는 에지 비드를 제거하거나 또는 포토레지스트의 과잉 물질을 제거하여 에지 상에 비드가 형성되는 것을 방지하기 위해 기판을 향하는 용매 또는 가스 흐름이 사용되는 것이 추가로 알려져 있다. 다시 말해서, 용매 또는 가스 흐름은 비드의 발생을 회피하고 그리고/또는 이미 존재하는 비드를 제거해야 한다.
알려진 에지 비드 제거 시스템은 레지스트 재료가 기판 상에 적용되는 각각의 코터(coater) 모듈에 사용되므로, 에지 비드 제거 공정 동안 코터 모듈의 기하학적 제한이 고려되어야 한다. 일반적으로, 시스템 및 각각의 공정은 처리될 기판의 보우 변동(bow variation)에 매우 민감하다.
따라서, 에지 비드를 보다 효율적으로 제거할 수 있게 하는, 기판을 처리하는 방법뿐만 아니라 에지 비드 제거 시스템이 필요하다.
본 발명은 본체와 본체로부터 돌출된 2개의 아암을 갖는 에지 비드 제거 헤드를 포함하는 기판을 처리하기 위한 에지 비드 제거 시스템을 제공하며, 상기 아암들은 처리될 기판을 수용하기 위해 그들 사이에 리셉션 공간을 규정하며 서로로부터 이격되고, 상기 아암들은 서로 마주하는 기능면을 각각 갖고, 상기 기능면들은 적어도 하나의 유체 배출구를 각각 포함한다.
따라서, 에지 비드 제거 시스템은, 에지 비드 제거 헤드가 본체 및 특히 본체의 동일한 측면으로부터 돌출하는 2개의 아암 및 본체를 갖기 때문에 실질적으로 C 형상인 별개로 형성된 에지 비드 제거 헤드를 사용한다. 따라서, 본체와 2개의 아암은 함께 처리될 기판을 위한 리셉션 공간을 형성하고, 리셉션 공간은 처리될 기판을 수용하기 위해 한쪽으로만 개방된다. 양 아암이 각각 적어도 하나의 유체 배출구를 갖는 기능면을 갖기 때문에, 유체 흐름은 각각의 유체 배출구로부터 리셉션 공간을 향하고 기판이 리셉션 공간에 수용될 수 있다. 따라서, 제 1 유체 흐름은 기판의 상부 표면, 특히 기판의 상부 표면 상에 적용된 포토레지스트 재료를 향하여 지향될 수 있다. 또한, 제 2 유체 흐름은 포토레지스트 재료로 코팅되지 않은 기판의 하부를 향할 수 있다.
그러나, 제 2 유체 흐름은 기판의 상부 측에 음압 또는 그 보다는 진공을 발생 시키도록 처리될 기판의 에지로 지향되거나 또는 에지를 따라 지향될 수 있다. 에지 비드를 형성하는 이미 존재하는 에지 비드 또는 그보다는 레지스트 물질은 부압 또는 발생된 진공으로 인해 제거된다. 이는 일반적으로 제트 펌프의 원리에 해당하며, 이에 따라 기판의 에지를 따라 하부에서 상부로 유동하는 유체 흐름에 의해 기판의 상부에서 이송 흐름이 발생된다. 실제로, 생성된 유체 흐름은 에지 빔을 피하기 위해 과잉 포토레지스트 재료를 끌어당긴다. 다시 말해서, 스핀 코팅으로 인해 기판의 상부 측의 에지에서 일반적으로 발생하는 포토레지스트 재료의 비드는, 적절한 유체 흐름, 즉, 제 2 유체 흐름이 기판의 하부 에지로 향한다는 사실에 의해 간단한 방식으로 방지될 수 있다.
일 측면에 따르면,(각 기능면의) 적어도 하나의 유체 배출구는 노즐에 할당된다. 따라서, 유체 흐름의 속도는 노즐로 인해 변경될 수 있다. 특히, 유체 흐름의 속도가 증가한다. 또한, 노즐은 적어도 하나의 유체 배출구에서 발생하는 유체 흐름이 용이하게 향할 수 있도록 보장할 수 있다.
실제로, 각각의 기능면은 노즐, 다중 노즐, 유출 슬롯, 소위 에어 블레이드, 브러시형 유출 유닛 또는 유사물을 포함할 수 있으며, 이를 통해 특히 유체 흐름의 다른 프로파일이 달성된다. 이것은 예를 들어 정사각형 기판과 같이 비원형 기판에 특히 중요하다.
다른 측면에 따르면, 적어도 하나의 유체 배출구는 에지 비드 제거 헤드에 내장된 질소 라인과 연결된다. 따라서, 질소 흐름 또는 일반적으로 가스 흐름은( 각 기능면의) 적어도 하나의 유체 배출구에 의해 분배될 수 있다. 다시 말해서, 질소는 에지 비드를 제거하기 위해 또는 그보다는 에지 비드의 존재를 방지하기 위해 사용되며, 여기서 각각의 가스 흐름은 처리될 기판을 향한다. 질소 라인과 연결된 적어도 하나의 유체 배출구에 의해 제공되는 유체 흐름에는 용매가 없을 수 있다. 이는 에지 비드 제거 시스템의 챔버가 일반적으로 질소로 범람될 수 있기 때문에 더 이상의 물질이 도입되지 않도록 한다. 챔버는 에지 비드 제거 헤드 및 특정 분위기에서 처리될 기판을 수용한다. 실제로, 질소 흐름은 실질적으로 기계적 또는 물리적으로 과잉 레지스트 물질을 제거하기 위해 사용된다.
일반적으로, 질소 라인은 적어도 하나의 유체 배출구에 의해 사용되는 질소를 제공하는 질소 소스에 연결될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 유체 배출구는 에지 비드 제거 헤드에 내장된 용매 라인에 연결된다. 따라서, 이미 존재하는 에지 비드를 제거하기 위해 또는 에지 비드의 존재를 방지하기 위해 용매가 사용될 수 있다. 레지스트 물질을 직접 제거하기 위해 용매 흐름이 레지스트 물질로 직접 향할 수 있다. 따라서, 과잉 레지스트 물질은 실질적으로 화학적 방식으로 제거된다. 용매는 각각의 포토레지스트 물질을 위한 아세톤 또는 임의의 다른 적합한 용매일 수 있다.
일반적으로, 용매 라인은 적어도 하나의 유체 배출구에 의해 사용되는 용매를 제공하는 용매 소스에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 각각의 기능면은 적어도 2개의 유체 배출구를 갖는다. 따라서, 적어도 2개의 유체 배출구는 용매 라인뿐만 아니라 질소 라인에 연결될 수 있어서, 양쪽 유체 흐름이 일반적으로 에지 비드를 제거하기 위해 사용될 수 있다. 실제로, 에지 비드 제거 시스템의 사용자는 에지 비드를 제거하기 위한 각각의 유체를 선택할 수 있다. 또한, 에지 비드 제거 시스템의 제어 유닛은 각각의 질소 소스 또는 그 보다는 용매 소스를 자동 방식으로 제어할 수 있다.
에지 비드 제거 헤드의 각각의 기능면은 각각 용매 라인 및 질소 라인에 연결될 수 있기 때문에, 용매 흐름 및 질소 흐름은 그것의 하부 및 상부로부터 기판을 향할 수 있다. 따라서, 에지 비드 제거 헤드의 특정 설계로 인해 에지 비드 제거 처리에 관한 유연성이 최대화된다.
일 측면은 적어도 하나의 유체 배출구가 각각의 기능면에 대해 경사져있는 것을 규정한다. 따라서, 적어도 하나의 유체 배출구에 할당된 유체 흐름은 기능면에 대해 경사진 방식으로 리셉션 공간을 향할 수 있다. 따라서, 유체 흐름의 배향은 수직 배향과 상이할 수 있다. 이는 유체 흐름이 기판의 하부 측을 면하는 기능면으로부터 유래하더라도, 기판의 상부 측에 부압 또는 그 보다는 진공이 용이하게 발생할 수 있게 한다. 실제로, 각각의 유체는 기판의 상부 측의 에지에서 재료를 끌어당기기 위해 에지를 따라 흐른다.
또한, 본체는 리셉션 공간에 할당된 배수 개구를 포함할 수 있으며, 배수 개구는 진공 소스에 연결된다. 따라서, 에지 비드 제거 공정 동안 발생할 수 있는 임의의 재료 또는 입자는 배수 개구가 연결된 진공에 의해 흡입될 수 있다. 이는, 기판의 코팅, 즉 기판 상에 적용된 포토레지스트 물질이 손상되거나 불순화되지 않도록, 임의의 불순물이 챔버로부터 효과적으로 제거되는 것을 보장한다.
또한, 에지 비드 제거 헤드는 처리될 기판의 에지를 감지하도록 구성된 에지 센서를 포함할 수 있다. 따라서, 처리 공정 동안 기판의 에지에 대한 적어도 하나의 유체 배출구의 거리가 안정적으로 유지되는 것이 보장된다. 이를 위해, 에지 센서는 에지 비드 제거 시스템의 제어 유닛과 연결되어, 에지 비드 제거 헤드의 상대 위치가 에지 비드 제거 공정 동안 에지까지의 거리가 일정하게 유지되도록 적절히 제어될 수 있다. 실제로, 에지 센서는 기판의 에지와 적어도 하나의 유체 배출구 사이의 상대적 수평 거리를 감지하도록 구성된다.
또한, 기능면과 기판의 대응면, 예를 들어 기판의 상부 측 또는 그 보다는 기판의 하부 측 사이의 수직 거리를 감지하도록 구성된 센서가 제공될 수 있다.
또한, 에지 비드 제거 시스템은 에지 비드 제거 헤드와 연결된 리니어 드라이브를 포함할 수 있다. 따라서, 에지 비드 제거 헤드는 (상대 수평) 거리가 일정하게 유지되도록 적절하게 구동될 수 있다. 예를 들어, 리니어 드라이브는 에지 비드 제거 헤드가 원형 기판의 에지를 따라 방사상 방식으로 이동될 수 있도록 보장할 수 있다. 다시 말해서, 리니어 드라이브는 에지 비드 제거 헤드를 기판의 원주를 따라 이동시킨다.
또한, 동일한 리니어 드라이브 또는 다른 리니어 드라이브는 기판에 대한 에지 비드 제거 헤드의 수직 이동을 제어하여 기판의 각 측면까지의 기능면의 수직 거리가 적절하게 설정되도록 구성된다. 따라서, 에지 비드 제거 공정 동안 상대 수직 거리가 일정하게 유지될 수 있다.
다른 측면에 따르면, 에지 비드 제거 시스템은 처리될 기판을 홀드하기 위한 처리 표면을 갖는 에지 비드 제거 척을 포함한다. 특히, 처리 표면은 예를 들어 최대 280mm의 직경을 갖는다. 실제로, 에지 비드 제거 공정은 포토레지스트 재료가 기판의 상부 표면 상에 적용되는 코터 모듈에 대해 외부 모듈에서 수행될 수 있다. 따라서, 코터 모듈 내의 프로세싱 척과 상이한 큰 에지 비드 제거 척이 사용될 수 있다. 각각의 에지 비드 제거 척은 큰 기판 또는 그 보다는 큰 웨이퍼가 전체 직경에 걸쳐 실질적으로 평탄화될 수 있도록 보장한다. 실제로, 이는, 에지 비드 제거 척이 (대형) 기판의 직경과 일치하는 직경을 갖기 때문에 에지 비드 제거 시스템이 기판의 임의의 보우(bow)에 덜 의존하는 것을 보장한다 . 즉, 보우와 에지 비드 제거 정확도 사이의 의존성이 크게 감소된다.
일반적으로, 에지 비드 제거 척의 처리 표면은 진공 소스에 연결될 수 있다. 따라서, 기판은 적용된 진공을 통해 에지 비드 제거 척 상에, 특히 중심에 위치될 수 있다. 적용된 진공은, 기판이 처리 표면상에서 적절히 평탄화되는 것을 추가로 보장한다.
또한, 에지 비드 제거 헤드는 리셉션 공간의 부피가 조절될 수 있도록 아암들 사이의 거리를 조절하도록 구성된 거리 조절 유닛을 포함할 수 있다. 따라서, 본체로부터 돌출된 아암의 적어도 하나의 아암은 다른 아암에 비해 본체를 따라 변위될 수 있어서, 양 아암 사이의 거리가 원하는 방식으로 설정될 수 있다. 이는 상이한 두께를 갖는 기판이 동일한 에지 비드 제거 시스템, 특히 동일한 에지 비드 제거 헤드에 의해 처리될 수 있게 한다.
다른 측면은, 에지 비드 제거 시스템이 기판의 에지에 대한 적어도 하나의 유체 배출구의 수평 거리를 일정하게 유지하기 위해 에지 비드 제거 헤드를 수평 방향으로 이동시키도록 구성되는 것을 규정한다. 기판의 처리, 즉 각각의 에지 비드 제거 공정 동안, 에지 비드 제거 헤드는 수평 방향으로 이동하여 적어도 하나의 유체 배출구와 기판의 에지 사이의 상대적 수평 거리가 일정하게 유지된다. 이를 위해 리니어 드라이브가 적절하게 제어된다. 실제로, 에지 비드 제거 헤드는 리니어 드라이브에 의해 기판의 원주를 따라 구동된다.
또한, 에지 센서는 처리될 기판의 에지를 감지하고 각각의 정보를 전달하여 에지 센서에 의해 검색된 정보에 응답하여 리니어 드라이브이 제어된다. 에지에 대한 적어도 하나의 유체 배출구의 상대 수평 위치는 에지 센서에 의해 측정되며, 리니어 드라이브는 수평 거리를 일정하게 유지하기 위해 에지 비드 제거 헤드를 이동시킨다.
실제로, 에지 비드 제거 시스템의 구성 요소, 즉 에지 센서, 리니어 드라이브기 및/또는 제어 유닛은 기판의 에지에 대한 적어도 하나의 유체 배출구의 (수평) 거리가 기판의 처리 동안 일정하게 유지된다는 것을 보장한다. 따라서, 에지 비드 제거 시스템은 (상대) 수평 거리를 일정하게 유지하도록 구성된다.
일반적으로, 에지 비드 제거 헤드의 기능면은 수평 방향으로 연장된다.
에지 비드 제거 척의 처리 표면은 또한 수평 방향으로 연장된다.
또한, 포토레지스트 재료가 적용되는 기판의 표면은 실질적으로 수평 방향으로 연장된다.
에지 비드 제거 헤드의 아암은 수평 방향에 수직인 수직 방향으로 서로 이격되어 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공하고, 상기 방법은 :
- 에지 비드 제거 헤드의 2개의 아암 사이에 리셉션 공간을 제공하는 에지 비드 제거 헤드를 갖는, 에지 비드 제거 시스템, 특히 상기 기술된 바와 같은 에지 비드 제거 시스템을 제공하는 단계,
- 처리될 기판을 제공하는 단계, 및
- 기판이 에지 비드 제거 헤드의 아암들 사이의 리셉션 공간에 수용되도록 에지 비드 제거 헤드와 기판을 위치시키는 단계를 포함한다.
이는 기판의 상부 및 하부가 에지 비드 제거 시스템에 의해 용이하게 처리될 수 있도록 보장한다. 특히, 기판의 양측 또는 그 보다는 표면이 동시에 처리될 수 있다. 또한, 전술한 장점은 유사한 방식으로 기판을 처리하는 방법에도 적용된다.
일반적으로, 에지 비드 제거 시스템 뿐만 아니라 에지 비드를 제거하기 위한 기판의 처리 방법은 평탄화된 기판 또는 그 보다는 평탄화된 웨이퍼 상에서 수행된다. 이것은 에지 비드 제거 시스템에 의한 에지 비드 제거에만 사용되는 특정 에지 비드 제거 척에 의해 보장될 수 있다.
특히, 에지 비드 제거 시스템의 정확도는 주로 에지 센서의 정확도 및/또는 리니어 드라이브의 정확도에 의존한다. 따라서, 종래 기술에 공지된 제거 시스템의 정확도를 손상시키는 다른 효과는 영향을 미치지 않는다.
실제로, 에지 비드 제거 시스템은 더 이상 웨이퍼 유형에 의존하지 않는다. 특히, 리셉션 공간은 상이한 유형의 웨이퍼를 수용하기에 충분히 크다. 매우 큰 또는 매우 작은 웨이퍼의 경우, 리셉션 공간의 부피는 적절하게 조정될 수 있다.
일반적으로, 에지 비드 제거 시스템의 컴팩트 한 설계, 즉 기판에 대한 유체 배출구의 최소 거리로 인해 에지 비드 제거에 사용되는 유체의 부피가 최소화되므로 에지 비드 제거 시스템이 효율적이다.
청구된 대상의 상기 측면들 및 수반되는 이점들은 첨부 도면들과 관련하여 이해될 때, 다음의 상세한 설명을 참조하여 더 잘 이해되는 바와 같이 더 용이하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 에지 비드 제거 시스템의 일부의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 기판을 처리하는 방법을 도시한 흐름도를 개략적으로 도시한다.
도 1에서, 기판(12)을 처리하기 위한 에지 비드 제거 시스템(10)이 도시되어있다.
에지 비드 제거 시스템(10)은 에지 비드 제거 시스템(10)에 의해 처리되도록 기판(12)이 배치되는 처리 표면(18)을 갖는 에지 비드 제거 척(16)이 위치된 챔버(14)를 포함한다.
또한, 에지 비드 제거 시스템(10)은 챔버(14) 내에 또한 위치되는 에지 비드 제거 헤드(20)를 포함한다. 에지 비드 제거 헤드(20)는 본체(22)와 본체(22)로부터 돌출된 2개의 아암(24)을 갖는다. 아암(24)은 수평 방향(H)에 수직인 수직 방향(V)으로 서로 이격되어 있다.
수평 방향(H) 뿐만 아니라 수직 방향(V)은 도 1에 도시된 별도의 다이어그램으로 도시되어있다.
실제로, 에지 비드 제거 헤드(20)는 아암(24)이 부분적으로 처리될 기판(12)을 수용하는 리셉션 공간(26)을 형성하기 위해 서로 이격되어 있기 때문에 도 1에 도시된 바와 같이 측면에서 볼 때 실질적으로 C-자 형상이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(12)은 포토레지스트 재료(30)로 코팅된 상부 측(28)을 갖는 반면, 기판(12)의 하부 측(32)은 포토레지스트 재료로 코팅되지 않는다. 기판(12)은 하부 측(32)을 통해 에지 비드 제거 척(16), 특히 처리 표면(18) 상에 배치된다.
에지 비드 제거 척(16)은 기판(12)이 프로세싱 표면(18) - 기판(12)이 적절하게 평탄화되는 것을 보장하기 위함 - 상으로 흡입되도록 부압을 발생시키는 진공 소스과 연결된다. 기판(12), 특히 그 하부 면(32)이 진공에 의해 흡입되는 프로세싱 표면(18) 에는 여러 개의 진공 배출구(34)가 할당된다 .
또한, 에지 비드 제거 척(16)은 코터 모듈에 사용되는 전형적인 처리 척과 관련하여 상이한데, 이는 에지 비드 제거 척(16), 특히 처리 표면(18)이 최대 280mm의 직경을 갖기 때문이다. 따라서, 기판(12)은 도 1에 도시된 바와 같이 10mm인 거리(d)인 만큼 기판(12)이 에지 비드 제거 척(16)과 반경 방향으로 중첩하도록 최대 300mm의 직경을 가질 수 있다.
통상적으로, 기판(12)은 상부 면이라고도하는 상부 측(28) 상에 포토레지스트 재료(30)로 코팅되어, 포토레지스트 재료를 기판(12)의 상부 측(28) 상에 적용하는데 사용되는 스핀 코팅으로 인해 에지 비드가 발생할 수 있다. 이 에지 비드는 전형적으로 에지 비드 제거 헤드(20)의 리셉션 공간(26)에 수용되는 기판(12)의 외부 10mm 내에서 발생한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 양 아암(24) 각각은 서로 마주 보는 기능면(36) 및 리셉션 공간(26)에 수용된 기판(12)을 갖는다.
실제로, 제 1 아암(24)은 기판(12)의 상부 측(28)을 면하는 기능면(36)을 갖는 반면, 제 2 아암(24)은 기판(12)의 하부 측(32)을 면하는 기능면(36)을 갖는다.
도시된 실시 예에서, 양쪽 기능면(36)은 각각 유체 개구라고도 하는 2개의 유체 배출구(38)를 갖는다. 각 기능면(36)의 제 1 유체 배출구(40)는 에지 비드 제거 헤드(20)에 내장된 질소 라인(42)에 할당되는 반면, 제 2 유체 배출구(44)는 에지 비드 제거 헤드(20)에 또한 내장된 용매 라인(46)에 할당된다.
질소 라인(42)은 질소 소스(48)과 연결되도록 챔버(14) 밖으로 안내된다. 유사한 방식으로, 용매 라인(46)은 용매 소스(50)과 연결되도록 챔버(14) 밖으로 안내된다.
일반적으로, 유체 배출구(38)는 각각의 기능적 표면(36)에 대해 경사질 수 있어서, 각각의 유체 배출구(38) 로부터 발생하는 유체 흐름이 기능면(36)에 대해 경사져서 유체 흐름이 리셉션 공간(26) 또는 그 보다는 기판(12)을 향해 경사진 방식으로 지향된다.
이는 각각의 유체 흐름이 기판(12), 특히 미리 도포된 포토레지스트 재료(30)의 특성을 손상시키지 않도록 보장한다.
실제로, 기판(12)의 상부 측(28)을 면하는 유체 배출구(38)로부터 발생하는 유체 흐름은 기판(12) 상에 적용된 포토레지스트 재료(30)를 따라서만 스크러빙될 수 있다.
이에 반하여, 기판(12)의 하부 측(32)을 향하는 유체 배출구(38)로부터 발생하는 유체 흐름은 기판(12)의 상부 측(28)에 음압 또는 그 보다는 진공을 발생 시키도록 지시될 수 있어서, 이미 존재하는 에지 비드의 과잉 포토레지스트 재료(30) 또는 그 보다도 에지 비드를 형성할 수 있는 과잉 포토레지스트 재료(30)를 제거한다.
일반적으로, 유체 배출구(38)에서 발생하는 유체 흐름은 기판(12), 특히 그 위에 적용된 포토레지스트 재료(30)의 특성을 방해하거나 그 보다는 손상시킬 수 있는 입자를 전달하거나 그 보다는 방출할 수 있다. 예를 들어, 용매 라인(46)과 연결된 유체 배출구(38)에 의해 제공되는 용매 흐름은 챔버(14) 내로 용매를 방출한다.
따라서, 에지 비드 제거 헤드(20), 특히 본체(22)는 리셉션 공간(26)에 할당된 배수 개구(52)를 가지며, 배수 개구(52)는 진공 소스(54)에 연결된다.
따라서, 에지 비드 제거 공정 동안 발생할 수 있는 불순물 또는 그 보다는 입자는도 1에 도시된 바와 같이 기판(12)의 에지에 할당된 배수 개구(52)를 통해 리셉션 공간(26)으로부터 흡입된다.
이는 기판(12) 상에 적용된 포토레지스트 재료(30)가 입자 또는 용매에 의해 불순물화되거나 손상되지 않도록 보장한다. 이미 언급한 바와 같이, 질소 라인(42)과 연결된 유체 배출구(38)에 의해 배출된 질소는, 챔버(14)가 질소에 의해 범람될 수 있기 때문에 포토레지스트 재료(30)를 손상시키지 않는다 .
일반적으로, 각각의 유체 배출구(38), 즉 질소 라인(42) 또는 그 보다는 용매 라인(46)에 할당된 유체 유출구는 적어도 하나의 노즐, 채널형 형상, 유출 슬롯, 브러시형 형상, (용매 또는 그보다는 질소를 배출하는) 에어 블레이드 또는 유사한 것을 포함할 수 있다. 실제로, 유체 흐름 속도 및 그 형상은 유체 배출구(38)의 각각의 설계에 의해 변경될 수 있다.
또한, 에지 비드 제거 헤드(20)는 처리될 기판(12)의 에지를 감지하도록 구성된 에지 센서(56)를 포함한다. 실제로, (에지 비드 제거 헤드(20) 또는 그 구성 요소에 대한) 기판(12)의 에지의 수평 위치는 에지 센서(56)에 의해 감지된다.
또한, 에지 비드 제거 시스템(10)은 에지 비드 제거 헤드(20)와 연결되는 리니어 드라이브(58)를 포함하여, 에지 비드 제거 헤드(20)가 원하는 방식으로 기판(12)까지의 거리를 유지하기 위해 리니어 드라이브(58)에 의해 구동될 수 있다.
리니어 드라이브(58)는 에지 비드 제거 헤드(20)의 유체 배출구(38)가 기판(12)의 에지와 동일한 (상대적인 수평) 거리를 갖도록 보장한다.
이를 위해, 에지 비드 제거 헤드(20)는 기판(12)의 원주를 따라 적절히 구동된다.
에지 비드 제거 헤드(20)의 각각의 이동은 수평 이동 방향을 나타내는 화살표(59)로 표시되어있다. 따라서, 수평 이동 방향, 즉 화살표(59)는 수평 방향(H)에 평행하다.
실제로, 에지 센서(56) 및 리니어 드라이브(58)는 기판(12)의 에지에 대한 유체 배출구(38)의 (수평) 거리가 일정하게 유지되도록 보장한다.
에지에 대한 유체 배출구(38)의 상대적 수평 위치는 에지 센서(56)에 의해 측정되며, 리니어 드라이브(58)는 수평 비거리를 일정하게 유지하기 위해 에지 비드 제거 헤드(20)를 이동시킨다.
이를 위해, 리니어 드라이브(58)뿐만 아니라 에지 센서(56)는 에지 센서(56)로부터 각각의 데이터를 수신하고 리니어 드라이브(58)를 적절히 제어하는 ??제어 유닛(60)과 연결된다.
따라서, 에지 비드 제거 시스템(10)은 기판(12)의 에지에 대한 유체 배출구(38)의 수평 거리가 일정하게 유지되도록 에지 비드 제거 헤드(20)를 수평 방향으로 이동 시키도록 구성된다.
또한, 상대적인 수직 위치도 적절하게 제어될 수 있다. 따라서, 동일한 리니어 드라이브(58) 또는 다른 리니어 드라이브는 기능면(36)과 기판(12), 특히 기판(12)의 대응 표면 사이의 수직 거리를 일정하게 유지하기 위해 에지 비드 제거 헤드(20)를 구동할 수 있다.
제어 유닛(60)은 또한 에지 비드 제거 공정 동안 에지 비드 제거 척(16), 특히 그 회전 속도를 제어할 수 있다. 일반적으로, 유체 배출구(38)와 기판(12) 사이의 최소 거리로 인해 회전 속도가 느려질 수 있다. 따라서, 에지 비드 제거 척(16)은 요구되는 회전 속도가 느리기 때문에 저비용 엔진이 사용될 수 있기 때문에 비용 효율적인 방식으로 제공될 수 있다. 에지 비드 제거 척(16)이 형성된다. 낮은 회전 속도는 세척 효율을 더욱 향상시킨다.
또한, 제어 유닛(60)은 또한 질소 라인(42) 또는 그 보다는 질소 소스(48)뿐만 아니라 용매 라인(46) 또는 그 보다는 용매 소스(50)를 제어할 수 있다.
유사한 방식으로, 제어 유닛(60)은 에지 비드 제거 척(16)의 처리 표면(18) 상에 배치된 기판(12)을 위치시키고 평탄화하기 위해 에지 비드 제거 척(16)에 제공되는 진공을 제어하도록 구성된다.
제어 유닛(60)은 에지 비드 제거 공정 동안 발생할 수 있는 불순물 또는 그 보다는 입자를 흡입하기 위해 배수 개구(52)에 할당된 진공 소스(54)을 추가로 제어할 수 있다.
일반적으로, 아암(24)은 제공된 리셉션 공간(26)이 몇몇 상이한 유형의 기판(12) 을 수용하기에 충분히 크도록 서로에 대해 이격될 수 있다 .
그러나, 처리될 기판(12)에 대한 리셉션 공간(26)의 부피를 적응 시키도록 양 아암(24) 사이의(수직) 거리가 조정될 수 있도록 거리 조정 유닛(62)이 규정될 수 있다. 즉, 거리 조정 유닛(62)은 다른 아암(24)에 대한 적어도 하나의 아암(24)의 수직 거리를 조정함으로써 양 아암(24) 사이의 수직 거리를 조정하도록 구성된다. 도 1에서, 다른 아암(24)에 대해 수직 방향(V)으로 화살표(63)를 따라 이동될 수 있는 하부 아암(24)에 대하여 개략적으로 도시된다.
따라서, 체적은 기판(12)의 크기, 특히 그 두께에 따라 감소되거나 다소 증가될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 기판(12)은 775㎛의 통상적인 두께를 갖는다. 그러나 이 두께는 기판의 종류에 따라 다를 수 있다.
또한, 에지 비드 제거 헤드(10)뿐만 아니라 적어도 에지 비드 제거 척(16)을 수용하는 챔버(14)는 기판(12)이 포토레지스트 재료(30)로 코팅되는 코팅 모듈의 코팅 챔버와 상이할 수 있다 .
일반적으로, 에지 비드 제거 시스템(10)은 기판(12), 특히 기판(12)의 에지를 수용하는 에지 비드 제거 헤드(20)의 컴팩트 한 설계로 인해 매우 컴팩트하다.
기판(12)은 일반적으로 에지 비드 제거 시스템(10)을 제공함으로써 처리된다(단계 S1).
또한, 처리될 기판(12)도 제공된다(단계 S2).
그 후, 에지 비드 제거 헤드(20)에 의해 제공된 리셉션 공간(26)에서 기판(12)이 에지를 통해 수용되도록 에지 비드 제거 헤드(20)뿐만 아니라 기판(12)이 위치된다(단계 S3).
에지 센서(56)는 기판(12)의 에지를 감지하여 에지 비드 제거 헤드(20)를 적절히 정렬하기 위한 데이터를 제공한다(단계 S4).
이를 위해, 제어 유닛(60)은 에지 비드 제거 헤드(20)가 의도된 방식으로 기판(12)과 정렬되도록 리니어 드라이브(58)를 제어한다(단계 S5).
일단, 에지 비드 제거 헤드(20)와 기판(12)이 서로 정렬되면, 제어 유닛(60) 은 에지 비드 제거 척(16)이 회전하도록 제어할 수 있다(단계 S6).
또한, 제어 유닛(60)은 과잉 포토레지스트 재료(30)를 제거하기 위해 기판(12)을 적절히 처리하기 위한 질소 또는 용매를 제공하도록 질소 소스(48) 및/또는 용매 소스(50)를 제어할 수 있다(단계 S7). 따라서, 다가오는 에지 비드를 방지할 수 있거나 그보다는 에지 비드를 제거할 수 있다.
실제로, 에지 비드 제거 시스템(10) 및 기판(12)을 처리하는 방법은, 기판(12)에 적응된 직경을 갖는 별도로 형성된 에지 비드 제거 척(16)이 사용될 수 있으므로, 에지 비드 제거 공정이 기판(12)의 임의의 보우와 무관하다는 것을 보장한다. 이 개별적으로 형성된 에지 비드 제거 척(16)은 코팅 모듈과 관련하여 상이한 에지, 즉 에지 비드 제거 모듈 또는 그 보다는 에지 비드 제거 시스템(10)에 사용된다.

Claims (13)

  1. 기판(12)을 처리하기 위한 에지 비드 제거 시스템(10)으로서, 본체(22) 및 상기 본체(22)로부터 돌출하는 2개의 아암(24)을 갖는 에지 비드 제거 헤드(20)를 포함하고, 상기 아암(24)들은 서로로부터 이격되어 처리될 기판(12)을 수용하기 위한 리셉션 공간(26)을 상기 아암(24)들 사이에 형성하며, 상기 아암(24)들은 서로 마주하는 기능면(36)을 각각 갖고, 상기 기능면(36)들은 적어도 하나의 유체 배출구(38)를 각각 포함하는, 에지 비드 제거 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 유체 배출구(38)가 하나의 노즐에 할당되는, 에지 비드 제거 시스템.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 적어도 하나의 유체 배출구(38)는 상기 에지 비드 제거 헤드(20)에 내장되는 질소 라인(42)과 연결되는, 에지 비드 제거 시스템.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 유체 배출구(38)는 상기 에지 비드 제거 헤드(20)에 내장되는 용매 라인(46)에 연결되는, 에지 비드 제거 시스템.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 기능면(36)은 적어도 2개의 유체 배출구(38)를 갖는, 에지 비드 제거 시스템.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 유체 배출구(38)는 개별적인 상기 기능면(36)에 관하여 경사지는, 에지 비드 제거 시스템.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본체(22)는 상기 리셉션 공간(26)에 할당된 배수 개구(52)를 포함하고, 상기 배수 개구(52)는 진공 소스(54)에 연결되는, 에지 비드 제거 시스템.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에지 비드 제거 헤드(20)는 처리될 상기 기판(12)의 에지를 감지하도록 구성되는 에지 센서(56)를 포함하는, 에지 비드 제거 시스템.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에지 비드 제거 시스템(10)은 상기 에지 비드 제거 헤드(20)와 연결되는 리니어 드라이브(linear drive)(58)를 포함하는, 에지 비드 제거 시스템.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에지 비드 제거 시스템(10)은 처리될 상기 기판(12)을 홀드하기 위한, 처리 표면(18)을 갖는 에지 비드 제거 척(16)을 포함하고, 특히 상기 처리 표면(18)은 최대 280mm의 직경을 갖는, 에지 비드 제거 시스템.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에지 비드 제거 헤드(20)는, 상기 리셉션 공간(26)의 체적이 조절 가능하도록 상기 아암(24)들 간의 거리를 조절하도록 구성되는 거리 조절 유닛(62)을 포함하는, 에지 비드 제거 시스템.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에지 비드 제거 시스템(10)은 상기 기판(12)의 에지에 관하여 상기 적어도 하나의 유체 배출구(38)의 수평 거리를 일정하게 유지하기 위해 상기 에지 비드 제거 헤드(20)를 수평 방향으로 이동시키도록 구성되는, 에지 비드 제거 시스템.
  13. 기판(12)을 처리하는 방법으로서,
    - 에지 비드 제거 시스템(10), 특히, 상기 에지 비드 제거 헤드(20)의 2개의 아암(24) 간의 리셉션 공간(26)을 제공하는 에지 비드 제거 헤드(20)를 갖는, 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 상기 에지 비드 제거 시스템(10)을 제공하는 단계,
    - 처리될 기판(12)을 제공하는 단계, 및
    - 상기 기판(12)이 상기 에지 비드 제거 헤드(20)의 상기 아암(24)들 간의 상기 리셉션 공간(26)에 수용되도록 상기 에지 비드 제거 헤드(20)와 상기 기판(12)을 포지셔닝하는 단계를 포함하는, 기판을 처리하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022182436A1 (en) * 2021-02-23 2022-09-01 Tokyo Electron Limited Sensor technology integration into coating track

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022031268A1 (en) * 2020-08-04 2022-02-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing photoresist off of photomask
CN117497435A (zh) * 2022-07-21 2024-02-02 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法、处理装置及处理系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW419716B (en) * 1997-04-28 2001-01-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
US6453916B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
KR100436361B1 (ko) * 2000-12-15 2004-06-18 (주)케이.씨.텍 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치
US7673582B2 (en) * 2006-09-30 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
US20090211604A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Tokyo Electron Limited System and Method For Removing Edge-Bead Material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022182436A1 (en) * 2021-02-23 2022-09-01 Tokyo Electron Limited Sensor technology integration into coating track

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