JP2020155756A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020155756A JP2020155756A JP2019135325A JP2019135325A JP2020155756A JP 2020155756 A JP2020155756 A JP 2020155756A JP 2019135325 A JP2019135325 A JP 2019135325A JP 2019135325 A JP2019135325 A JP 2019135325A JP 2020155756 A JP2020155756 A JP 2020155756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thermoplastic resin
- outer peripheral
- peeling
- supply nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 382
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 279
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 153
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 88
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 65
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 61
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 16
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
エッチング対象となる基板を支持するテーブルと、
熱可塑性樹脂を軟化させる加熱部と、
前記テーブルにより支持された前記基板に対して相対移動し、前記加熱部により軟化した前記熱可塑性樹脂を、前記テーブルにより支持された前記基板の外周端部に供給する供給ノズルと、
を備える。
エッチング対象となる基板をテーブルにより支持する工程と、
熱可塑性樹脂を加熱部により軟化させる工程と、
前記テーブルにより支持された前記基板に対して供給ノズルを相対移動させ、前記加熱部により軟化した前記熱可塑性樹脂を、前記テーブルにより支持された前記基板の外周端部に前記供給ノズルにより供給する工程と、
を有する。
第1の実施形態について図1から図8を参照して説明する。
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置10は、処理室20と、テーブル30と、回転機構40と、樹脂供給部50と、剥離部60と、回収部70と、制御部80とを備えている。
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程において制御部80が各部の動作を制御する。
前述の供給ノズル52による樹脂塗布の例を第1の例とし、樹脂塗布の他の例として第2の例、第3の例及び第4の例について説明する。
第2の実施形態について図9から図14を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(テーブル、カップ及び処理液供給部)について説明し、その他の説明を省略する。
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程においては、制御部80が各部の動作を制御する。
第3の実施形態について図15から図17を参照して説明する。なお、第3の実施形態では、第2の実施形態との相違点(テーブル及びガイド部材)について説明し、その他の説明を省略する。
第4の実施形態について図18から図20を参照して説明する。なお、第4の実施形態では、第1の実施形態との相違点(剥離ハンド61及び回収部70)について説明し、その他の説明を省略する。
第5の実施形態について図21及び図22を参照して説明する。なお、第5の実施形態では、第4の実施形態との相違点(回収部70)について説明し、その他の説明を省略する。
前述の説明においては、剥離ハンド61として、硬化状態の熱可塑性樹脂B1の一部をつかむクランプ状やピンセット状のハンドを用いることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、針状のハンド(ピン)、フォーク状のハンド、ニクロム線やランプなどの発熱体、また、吸引部を用いるようにしても良い。針状のハンドは、硬化状態の熱可塑性樹脂B1の一部に突き刺さって熱可塑性樹脂B1の一部を保持する。発熱体は、線状や環状、棒状などに形成されており、発熱して硬化状態の熱可塑性樹脂B1の一部を溶かし、その一部に付着して熱可塑性樹脂B1の一部を保持する。吸引部は、硬化状態の熱可塑性樹脂B1の一部を吸引して保持する。
30 テーブル
31 保持部材
51a1 ヒータ
52 供給ノズル
52a ヒータ
60 剥離部
61 剥離ハンド
70 回収部
72 除去部
72a シャッター部材
72c ローラ
100 ガイド部材
A1 基板の外周端部
A1a 基板の上面の外周領域
A1b 基板の外周面
B1 熱可塑性樹脂
W 基板
Claims (16)
- エッチング対象となる基板を支持するテーブルと、
熱可塑性樹脂を軟化させる加熱部と、
前記テーブルにより支持された前記基板に対して相対移動し、前記加熱部により軟化した前記熱可塑性樹脂を、前記テーブルにより支持された前記基板の外周端部に供給する供給ノズルと、
を備える基板処理装置。 - 前記供給ノズルは、前記テーブルにより支持された前記基板の外周面及び前記テーブルにより支持された前記基板の上面の外周領域のどちらか一方又は両方に前記熱可塑性樹脂を供給する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記テーブルは、前記テーブルの上面側に前記基板を保持する複数の保持部材を有し、前記複数の保持部材により保持された前記基板の外周面を囲むように形成されており、
前記供給ノズルは、前記複数の保持部材により保持された前記基板の上面の外周領域、その外周領域に隣り合う前記テーブルの上面、及び、前記複数の保持部材により保持された前記基板の上面と前記テーブルの上面との隙間を覆うように前記熱可塑性樹脂を供給する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記テーブルは、
前記テーブルの上面側に前記基板を保持する複数の保持部材と、
前記複数の保持部材により保持された前記基板の外周面を囲むように形成されたガイド部材と、
を有し、
前記供給ノズルは、前記複数の保持部材により支持された前記基板の上面の外周領域、その外周領域に隣り合う前記ガイド部材の上面、及び、前記複数の保持部材により保持された前記基板の上面と前記ガイド部材の上面との隙間を覆うように前記熱可塑性樹脂を供給する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記供給ノズルは、前記熱可塑性樹脂を前記基板の前記外周端部に供給する前に、前記熱可塑性樹脂を吐出させる事前吐出を行う請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離する剥離部を備える請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記剥離部は、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂をつかむハンドを有する請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記剥離部は、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を加熱する発熱体を有する請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記剥離部は、前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を吸引する吸引部を有する請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記剥離部により前記基板から剥離された前記熱可塑性樹脂を回収する回収部を備える請求項6から請求項9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記剥離部は、剥離した前記熱可塑性樹脂を保持し、
前記回収部は、前記剥離部により保持された前記熱可塑性樹脂を前記剥離部から除去する除去部を備える請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記除去部は、除去部材を有し、
前記除去部材は、前記剥離部を間にし、前記剥離部の移動に応じて、前記剥離部により保持された前記熱可塑性樹脂に当接し、前記剥離部により保持された前記熱可塑性樹脂を前記剥離部から除去する請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記除去部は、回転可能な一対のローラを有し、
前記一対のローラは、前記剥離部により保持された前記熱可塑性樹脂を挟み込んで回転し、前記剥離部により保持された前記熱可塑性樹脂を前記剥離部から除去する請求項11に記載の基板処理装置。 - エッチング対象となる基板をテーブルにより支持する工程と、
熱可塑性樹脂を加熱部により軟化させる工程と、
前記テーブルにより支持された前記基板に対して供給ノズルを相対移動させ、前記加熱部により軟化した前記熱可塑性樹脂を、前記テーブルにより支持された前記基板の外周端部に前記供給ノズルにより供給する工程と、
を有する基板処理方法。 - 前記基板に供給されて硬化した前記熱可塑性樹脂を剥離部により剥離する工程を有する請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記剥離部により前記基板から剥離された前記熱可塑性樹脂を回収部により回収する工程を有する請求項15に記載の基板処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109108325A TWI743704B (zh) | 2019-03-18 | 2020-03-13 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
KR1020200032129A KR102315110B1 (ko) | 2019-03-18 | 2020-03-16 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN202010189477.4A CN111710624A (zh) | 2019-03-18 | 2020-03-18 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019050420 | 2019-03-18 | ||
JP2019050420 | 2019-03-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155756A true JP2020155756A (ja) | 2020-09-24 |
JP7273643B2 JP7273643B2 (ja) | 2023-05-15 |
Family
ID=72559776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019135325A Active JP7273643B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-07-23 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7273643B2 (ja) |
KR (1) | KR102315110B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023182351A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992646A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | パッシベーション材の塗布方法およびその装置 |
JP2006128174A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハ処理方法及びウエハ処理装置 |
JP2007324369A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周処理装置 |
JP2011071198A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013074126A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020155757A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020155496A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2707189B2 (ja) * | 1992-08-26 | 1998-01-28 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の基板からの取外し方法及び装置 |
TWI576938B (zh) * | 2012-08-17 | 2017-04-01 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
JP6002115B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
-
2019
- 2019-07-23 JP JP2019135325A patent/JP7273643B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-16 KR KR1020200032129A patent/KR102315110B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992646A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | パッシベーション材の塗布方法およびその装置 |
JP2006128174A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハ処理方法及びウエハ処理装置 |
JP2007324369A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周処理装置 |
JP2011071198A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013074126A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020155757A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020155496A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023182351A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7273643B2 (ja) | 2023-05-15 |
KR102315110B1 (ko) | 2021-10-21 |
KR20200111112A (ko) | 2020-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101798320B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI421974B (zh) | 基板保持旋轉裝置,具備該裝置之基板洗淨裝置及基板處理裝置 | |
CN107026109B (zh) | 基板清洗装置及方法、基板处理装置及方法 | |
CN107615456B (zh) | 基板处理装置以及基板处理方法 | |
CN108630569B (zh) | 基板处理装置 | |
JP6461748B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN109326535B (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
US20140284000A1 (en) | Separation apparatus, separation system, separation method and non-transitory computer readable storage medium | |
TWI712081B (zh) | 基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法 | |
US7758717B2 (en) | Wafer treating apparatus | |
KR102315110B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2013207272A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI753380B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
TWI743704B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP7293023B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TWI665025B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置 | |
CN111710625A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
KR20170061749A (ko) | 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
JP2010258067A (ja) | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20200626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7273643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |