KR20200111112A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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KR20200111112A
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다카아키 츠치모치
사키 아키모토
고노스케 하야시
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 에칭 대상이 되는 기판 W를 지지하는 테이블(30)과, 열가소성 수지를 연화시키는 히터(51a1) 또는 히터(52a)와, 테이블(30)에 의하여 지지된 기판 W에 대하여 상대 이동하여, 히터(51a1) 또는 히터(52a)에 의하여 연화된 열가소성 수지를, 테이블(30)에 의하여 지지된 기판 W의 외주 단부 A1에 공급하는 공급 노즐(52)을 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명의 실시 형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서 사용되고 있으며, 균일성이나 재현성 면에서 기판을 1매씩 전용 처리실에서 처리하는 매엽 방식의 기판 처리 장치가 널리 이용되고 있다. 예를 들어 반도체의 제조 공정으로서 적층 메모리 디바이스 제조 공정이 있는데, 그 제조 공정에서의 적층 Si 웨이퍼의 박화 공정으로서, 기판의 디바이스층 상의 Si층을 에칭액으로 박화하는 에칭 공정이 존재하고 있으며, 이 에칭 공정에 매엽 방식의 기판 처리 장치가 이용되고 있다.
전술한 에칭 공정에서는 에칭액이 기판의 중앙 부근에 공급되고, 기판 회전의 원심력에 의하여 기판의 외주로부터 흘러 떨어진다. 이때, 기판의 외주면(기판의 외주의 단부면)도 에칭액에 의하여 침식되어, 기판의 직경이 짧아져 기판 사이즈가 작아지는 경우가 있다(기판 사이즈의 축소). 이 기판 사이즈의 축소가 생기면, 기판의 외주 부분에 있어서 원하는 사이즈의 디바이스 칩을 얻는 것이 불가능해져 디바이스 칩 로스(1매의 기판으로부터 얻어지는, 원하는 사이즈의 디바이스 칩 수의 감소)가 발생한다. 또한 후공정에서의 로봇에 의한 반송 등에 있어서는, 기판 사이즈가 기준이 되어 반송 장치의 설계나 설정이 행해지고 있기 때문에, 기판 사이즈가 허용값보다 작아지면 후공정에서의 기판 반송이 불가능해진다.
일본 특허 공개 평6-9300호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 에칭 대상이 되는 기판을 지지하는 테이블과, 열가소성 수지를 연화시키는 가열부와, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판에 대하여 상대 이동하여, 상기 가열부에 의하여 연화된 상기 열가소성 수지를, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판의 외주 단부에 공급하는 공급 노즐을 구비한다.
본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 방법은, 에칭 대상이 되는 기판을 테이블에 의하여 지지하는 공정과, 열가소성 수지를 가열부에 의하여 연화시키는 공정과, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판에 대하여 공급 노즐을 상대 이동시키고, 상기 가열부에 의하여 연화된 상기 열가소성 수지를, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판의 외주 단부에 상기 공급 노즐에 의하여 공급하는 공정을 갖는다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제1 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제1 예에 의하여 수지가 도포된 기판을 도시하는 평면도다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 공정의 흐름을 도시하는 흐름도다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제2 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제2 예에 의하여 수지가 도포된 기판을 도시하는 평면도다.
도 7은 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제3 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태에 관한 수지 도포의 제4 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 10은 제2 실시 형태에 관한 회전 승강 기구를 도시하는 도면이다.
도 11은 제2 실시 형태에 관한 수지 도포의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 제2 실시 형태에 관한 수지 도포의 일례에 의하여 수지가 도포된 기판 및 테이블을 도시하는 평면도다.
도 13은 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 공정의 흐름을 도시하는 흐름도다.
도 14는 제2 실시 형태에 관한 수지 박리 동작의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 도시하는 도면이다.
도 16은 제3 실시 형태에 관한 가이드 부재를 도시하는 평면도다.
도 17은 제3 실시 형태에 관한 수지 도포의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 제4 실시 형태에 관한 수지 박리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 제4 실시 형태에 관한 회수부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 20은 제4 실시 형태에 관한 회수부의 개략 구성을 도시하는 평면도다.
도 21은 제5 실시 형태에 관한 회수부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 22는 제5 실시 형태에 관한 회수부의 개략 구성을 도시하는 평면도다.
<제1 실시 형태>
제1 실시 형태에 대하여 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한다.
(기본 구성)
도 1에 도시한 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 처리실(20)과, 테이블(30)과, 회전 기구(40)와, 수지 공급부(50)와, 박리부(60)와, 회수부(70)와, 제어부(80)를 구비하고 있다.
처리실(20)은, 피처리면 Wa를 갖는 기판 W를 처리하기 위한 처리 박스이다. 이 처리실(20)은, 예를 들어 상자형으로 형성되어 있으며, 테이블(30), 회전 기구(40)의 일부, 수지 공급부(50)의 일부, 박리부(60) 등을 수용한다. 기판 W로서는, 예를 들어 웨이퍼나 액정 기판이 이용된다. 이 기판 W는 에칭 처리의 대상, 즉, 에칭 대상으로 된다.
전술한 처리실(20)의 상면에는 클린 유닛(21)이 마련되어 있다. 이 클린 유닛(21)은, 예를 들어 HEPA 필터 등의 필터나 팬(모두 도시하지 않음)을 갖고 있으며, 기판 처리 장치(10)가 설치되는 클린 룸의 천장으로부터 내리 부는 다운 플로우를 정화하여 처리실(20) 내에 도입하여, 처리실(20) 내에 위로부터 아래로 흐르는 기류를 생기게 한다. 클린 유닛(21)은 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
테이블(30)은, 처리실(20) 내의 중앙 부근에 위치 부여되어 회전 기구(40) 상에 수평으로 마련되며, 수평면 내에서 회전 가능하게 되어 있다. 이 테이블(30)은, 예를 들어 스핀 테이블(회전 테이블)이라 칭해진다. 기판 W의 피처리면 Wa의 중심은 테이블(30)의 회전축 상에 위치 부여된다. 테이블(30)은, 예를 들어 그 상면에 적재된 기판 W를 흡착하여 보유 지지한다(흡착 보유 지지).
회전 기구(40)는 테이블(30)을 지지하고, 그 테이블(30)을 수평면 내에서 회전시키도록 구성되어 있다. 예를 들어 회전 기구(40)는, 테이블(30)의 중앙에 연결된 회전축이나, 그 회전축을 회전시키는 모터(모두 도시하지 않음)를 갖고 있다. 이 회전 기구(40)는 모터의 구동에 의하여 회전축을 통하여 테이블(30)을 회전시킨다. 회전 기구(40)는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
수지 공급부(50)는, 저류 유닛(51)과, 공급 노즐(52)과, 노즐 이동 기구(53)를 갖고 있다. 이 수지 공급부(50)는 노즐 이동 기구(53)에 의하여 공급 노즐(52)을 이동시켜 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1의 상방에 위치 부여하고, 저류 유닛(51)으로부터 공급 노즐(52)에 연화 상태의 열가소성 수지를 보내고, 공급 노즐(52)로부터 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1에 연화 상태의 열가소성 수지를 공급한다. 또한 기판 W의 외주 단부 A1의 상세에 대해서는 후술한다.
여기서, 열가소성 수지로서는, 예를 들어 PVA(폴리비닐알코올), EVA(에틸렌아세트산비닐 공중합체), 우레탄계 수지가 이용된다. 이 열가소성 수지는, 에칭 공정에서 이용되는 에칭액에 대하여 난용성, 즉, 내성을 갖고 있으며, 에칭액으로부터 기판 W를 보호하는 보호재로서 기능한다. 열가소성 수지는, 예를 들어 그 온도가 150℃ 이상으로 되면 연화되고 150℃보다 낮아지면 경화된다. 경화 상태는 겔상이어도 된다.
저류 유닛(51)은, 탱크(51a)와, 개폐 밸브(51b)와, 펌프(51c)를 갖고 있다. 탱크(51a)는 히터(51a1)를 갖고 있으며, 히터(51a1)에 의하여 열가소성 수지를 가열하여 연화 상태의 열가소성 수지를 저류한다. 히터(51a1)는, 열에 의하여 열가소성 수지를 연화시키는 가열부로서 기능한다. 탱크(51a)는 공급 노즐(52)에 공급관(51a2)을 통하여 접속되어 있다. 개폐 밸브(51b) 및 펌프(51c)는 공급관(51a2)의 경로의 도중에 마련되어 있다. 전자 밸브 등의 개폐 밸브(51b)는, 공급관(51a2)을 흐르는 연화 상태의 열가소성 수지의 유통(공급량이나 공급 타이밍 등)을 제어하고, 펌프(51c)는, 탱크(51a) 내의 연화 상태의 열가소성 수지를 공급 노즐(52)로 보내기 위한 구동원이다. 개폐 밸브(51b) 및 펌프(51c), 히터(51a1) 등의 가열부는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다. 또한 공급관(51a2)의 외주벽에도, 공급관(51a2)의 연신 경로를 따라 연신되는 히터(도시하지 않음)를 마련하는 것이 바람직하다. 이 경우, 그 히터도, 열에 의하여 열가소성 수지를 연화시키는 가열부로서 기능하며, 공급관(51a2)을 흐르는 열가소성 수지의 연화 상태를 유지한다.
공급 노즐(52)은, 노즐 이동 기구(53)에 의하여 테이블(30)의 상방을, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa를 따라 수평 방향으로 요동 가능하게 형성되어 있고, 또한 연직 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 이 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1에 대향하고, 탱크(51a)로부터 공급관(51a2)을 통하여 공급된 연화 상태의 열가소성 수지를 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1을 향하여 공급한다. 공급 노즐(52)로서는, 예를 들어 디스펜서가 이용된다. 또한 공급 노즐(52)은 히터(52a)를 갖고 있다. 이 히터(52a)는, 열에 의하여 열가소성 수지를 연화시키는 가열부로서 기능하며, 공급 노즐(52)을 흐르는 열가소성 수지의 연화 상태를 유지한다. 히터(52a)는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
노즐 이동 기구(53)는 가동 암(53a)과 암 이동 기구(53b)를 갖고 있다. 가동 암(53a)은 암 이동 기구(53b)에 의하여 수평으로 지지되며, 일 단부에 공급 노즐(52)을 보유 지지하고 있다. 암 이동 기구(53b)는, 가동 암(53a)에 있어서의 공급 노즐(52)과 반대측의 일 단부를 보유 지지하며, 그 가동 암(53a)을, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa를 따라 수평 방향으로 요동시키고, 또한 연직 방향으로 승강시킨다. 이 암 이동 기구(53b)는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
예를 들어 노즐 이동 기구(53)는, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1 바로 위의 공급 위치와, 테이블(30)의 상방으로부터 퇴피하여 기판 W의 반입이나 반출을 가능하게 하는 대기 위치 사이에서 공급 노즐(52)을 이동시킨다. 또한 도 1에 도시하는 공급 노즐(52)은 공급 위치에 있다.
여기서, 도 2에 도시한 바와 같이 기판 W의 외주 단부 A1은, 기판 W의 상면(피처리면 Wa)의 외주 영역 A1a와, 기판 W의 외주면(기판 W의 외주의 단부면) A1b와, 기판 W의 하면의 외주 영역 A1c에 의하여 구성되어 있다. 또한 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 기판 W의 상면에는, 에칭 처리 공정에 있어서 에칭 처리의 대상이 되는 에칭 대상 영역 R1이 있다. 에칭 대상 영역 R1은, 기판 W의 상면의 외주 영역 A1a를 제외한 기판 W의 상면의 영역이다. 이 에칭 대상 영역 R1 이외의 영역은, 에칭 처리 공정에 있어서 에칭 처리의 대상이 아닌 비에칭 대상 영역이다. 도 3에서는, 에칭 대상 영역 R1은 원형 영역이며, 기판 W의 상면의 외주 영역 A1a, 그리고 기판 W의 하면의 외주 영역 A1c(도 2 참조)는 각각, 기판 W의 외주로부터 내측(기판 W의 중심측)으로 수 ㎜(예를 들어 4㎜ 이하)의 소정 폭을 갖는 원환형 영역이다.
예를 들어 공급 노즐(52)은, 도 2에 도시한 바와 같이 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b 바로 위에 위치하며, 그 외주면 A1b의 상부에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 공급한다. 또한 연화 상태의 열가소성 수지 B1은, 원하는 점성을 갖고 있으므로, 기판 W의 외주면 A1b의 상부에 공급된 열가소성 수지 B1은, 기판 W의 외주면 A1b를 덮도록 하방으로 퍼져 간다. 열가소성 수지 B1은, 공급 노즐(52)로부터 토출되면 표층으로부터 점차 경화되기 시작하며, 기판 W에 부착되면 열가소성 수지 B1의 온도가 급격히 낮아져서, 기판 W에 부착된 부분의 열가소성 수지 B1은 급속히 경화된다. 테이블(30) 상의 기판 W의 온도는 처리실(20) 내의 기류(예를 들어 위로부터 아래로 흐르는 기류)에 의하여 저하되어 있다. 이 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1이 기판 W에 부착되면, 열가소성 수지 B1의 온도는 급격히 낮아지는 경향이 있다.
이 수지 공급 시, 테이블(30)은 회전 기구(40)에 의하여 회전하고 있기 때문에, 테이블(30) 상의 기판 W도 회전하고 있는 상태이다. 이 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은, 기판 W의 회전에 따라 기판 W의 외주면 A1b를 따라 순차 부착되어 간다. 이것에 의하여, 도 3에 도시한 바와 같이 기판 W의 외주면 A1b의 전체면에 열가소성 수지 B1이 도포되고, 그 기판 W의 외주면 A1b의 전체면만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다(수지 도포 완료). 이 수지 도포 완료된 기판 W는, 로봇 핸드 등을 갖는 반송 장치(도시하지 않음)에 의하여 처리실(20)로부터 반출되고, 기판 처리 장치(10)과 별체의 에칭 처리 장치(도시하지 않음)에 반입되어 에칭액에 의하여 처리된다(상세하게는 후술함).
또한 공급 노즐(52)이 공급 위치에 있는 상태에 있어서, 공급 노즐(52)과 테이블(30) 상의 기판 W 사이의 수직 이격 거리는 소정 거리로 설정되어 있다. 이 소정 거리는, 사용하는 열가소성 수지 B1의 종류(연화 상태에서의 점도)에 따라, 열가소성 수지 B1의 공급량이나 테이블(30)의 회전수 등과 함께 실험적으로 미리 구해져 있다. 즉, 소정 거리나 열가소성 수지 B1의 공급량이나 테이블(30)의 회전수 등은, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1이 기판 W의 외주면 A1b만을 덮어서 경화되도록 미리 설정되어 있다.
도 1로 되돌아가, 박리부(60)는 박리 핸드(61)와 핸드 이동 기구(62)를 구비하고 있다. 이 박리부(60)는 핸드 이동 기구(62)에 의하여 박리 핸드(61)를 이동시켜 테이블(30)의 외주 단부 A1의 상방에 위치 부여하고, 그 박리 핸드(61)에 의하여 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리한다.
여기서, 열가소성 수지 B1은, 열경화성 수지 등의 재료에 비해 기판 W에 대한 밀착도가 낮기 때문에, 기판 W를 파손시키지 않고, 기판 W에 밀착되어 경화된 열가소성 수지 B1을 기계적으로 박리하는 것이 가능하다. 한편, 기판 W에 밀착되어 경화된 열경화성 수지를 기계적으로 박리하려고 하면, 기판 W는 파손된다. 또한 열경화성 수지는 일단 경화되면, 열에 의하여 열경화성 수지를 연화시키는 것도 불가능하며, 열경화성 수지를 제거하기 위해서는 약액 등으로 열경화성 수지를 용해시킬 필요가 있다.
박리 핸드(61)는 핸드 이동 기구(62)에 의하여 테이블(30)의 상방을 이동 가능하게 형성되어 있다. 이 박리 핸드(61)는, 핸드 이동 기구(62)에 의하여 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1에 대향하여 하강하고, 그 외주 단부 A1의 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡고 상승하여 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa를 따라 이동하여, 테이블(30) 상의 기판 W로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리한다. 박리 핸드(61)로서는, 예를 들어 클램프형이나 핀셋형 핸드가 이용된다.
핸드 이동 기구(62)는 가동 암(62a)과 암 이동 기구(62b)를 갖고 있다. 가동 암(62a)은 암 이동 기구(62b)에 의하여 지지되며, 일 단부에 박리 핸드(61)를 보유 지지하고 있다. 암 이동 기구(62b)는 가동 암(62a)에 있어서의 박리 핸드(61)과 반대측의 일 단부를 보유 지지하며, 그 일 단부를 회전 중심으로 하는 상하 방향에 있어서의 가동 암(62a)의 요동과, 암 이동 기구(62b) 자체의 수평 방향에 있어서의 요동에 의하여 박리 핸드(61)를 이동시킨다. 이 암 이동 기구(62b)는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
예를 들어 전술한 핸드 이동 기구(62)는, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1 바로 위의 박리 개시 위치(일례로서 기판 W의 외주면 A1b 바로 위의 위치 근방)와, 그 박리 개시 위치에 대하여 테이블(30)의 회전축(기판 W의 회전축)을 중심으로 하여 점대칭으로 되는 박리 종료 위치와, 회수부(70) 바로 위의 회수 위치와, 기판 W의 반입이나 반출을 가능하게 하는 대기 위치 사이에서 박리 핸드(61)를 이동시킨다. 또한 도 1에 도시하는 박리 핸드(61)는 대기 위치에 있다.
회수부(70)는, 테이블(30)의 회전 동작을 방해하지 않도록 테이블(30)의 주위에 마련되어 있다. 이 회수부(70)는, 박리 핸드(61)에 의하여 박리된, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 회수한다. 예를 들어 회수부(70)는, 상부가 개구된 상자형으로 형성되어 있으며, 박리 핸드(61)로부터 분리되어 낙하하는 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 수취하여 회수한다.
제어부(80)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 제어부(80)는 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 회전 기구(40)에 의한 테이블(30)의 회전 동작, 수지 공급부(50)에 의한 열가소성 수지 B1의 공급 동작, 박리부(60)에 의한 열가소성 수지 B1의 박리 동작 등의 제어(제어에 따른 각종 처리도 포함함)를 행한다.
(기판 처리 공정)
다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정의 흐름에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 공정에 있어서 제어부(80)가 각 부의 동작을 제어한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 스텝 S1에 있어서, 로봇 핸드에 의하여 미처리 기판 W가 처리실(20) 내에 반입되어 테이블(30) 상에 적재되고, 그 적재된 기판 W가 테이블(30)에 의하여 흡착 보유 지지된다. 로봇 핸드는 기판 W의 적재 후, 처리실(20)로부터 퇴피한다. 또한 기판 W의 반입 시에는, 공급 노즐(52)이나 박리 핸드(61)는 대기 위치에 있다.
전술한 로봇 핸드가 처리실(20)로부터 퇴피하면, 스텝 S2에 있어서, 연화 상태의 열가소성 수지 B1이 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1에 도포된다. 먼저, 테이블(30)이 회전 기구(40)에 의하여 회전을 개시하고, 또한 공급 노즐(52)은 노즐 이동 기구(53)에 의하여 대기 위치로부터 공급 위치로 이동한다. 공급 노즐(52)이 공급 위치에 도달하면, 공급 노즐(52)은 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b 바로 위에 위치하며(도 2 참조), 테이블(30)의 회전수가 소정의 회전수(예를 들어 10rpm)로 되면, 기판 W의 외주면 A1b의 상부를 향하여 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 토출한다. 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은, 기판 W의 회전에 따라 기판 W의 외주면 A1b를 따라 순차 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주(周)하면, 기판 W의 외주면 A1b의 전체면에 열가소성 수지 B1이 도포되고(도 3 참조), 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b의 전체면만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다. 외주면 A1b에 도포된 열가소성 수지 B1의 두께는, 예를 들어 0.5 내지 3㎜이다. 이 수지 도포가 완료되어 토출이 정지되면, 테이블(30)은 회전을 정지하고, 공급 노즐(52)은 도포 위치로부터 대기 위치로 이동한다. 또한 외주면 A1b에 도포된 열가소성 수지 B1은 온도 저하에 의하여 경화 상태로 된다.
전술한 공급 노즐(52)이 대기 위치로 복귀되면, 스텝 S3에 있어서, 수지 도포 완료된 기판 W가, 테이블(30) 상으로부터 전술한 로봇 핸드(도시하지 않음)에 의하여 처리실(20) 밖으로 반출되고 에칭 처리 장치(도시하지 않음)에 반입된다. 그리고 에칭 처리 장치에 의하여 기판 W의 피처리면 Wa가 에칭액에 의하여 처리된다. 에칭 공정에서는, 예를 들어 50rpm으로 회전하는 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근에 에칭액이 공급되고, 공급된 에칭액은 기판 W의 회전에 의한 원심력에 의하여 기판 W의 피처리면 Wa의 전체로 퍼진다. 이것에 의하여, 기판 W의 피처리면 Wa 상에는 에칭액의 액막이 형성되고, 기판 W의 피처리면 Wa는 에칭액에 의하여 처리된다. 이때, 경화 상태의 열가소성 수지 B1은, 에칭액으로부터 기판 W의 외주면 A1b를 보호하는 보호재로서 기능한다. 에칭 처리 후의 기판 W는 에칭 처리 장치 내에서, 세정액을 이용한 세정 처리, 기판 W를 고속 회전시키는 것에 의한 건조 처리가 순차 행해진다.
스텝 S4에 있어서, 전술한 로봇 핸드에 의하여 에칭 처리 완료된 기판 W가 처리실(20) 내로 다시 반입되어 테이블(30) 상에 적재되고, 그 적재된 기판 W가 테이블(30)에 의하여 흡착 보유 지지된다. 로봇 핸드는 기판 W의 적재 후, 처리실(20)로부터 퇴피한다. 또한 기판 W의 반입 시에는, 공급 노즐(52)이나 박리 핸드(61)는 대기 위치에 있다.
전술한 로봇 핸드가 처리실(20)로부터 퇴피하면, 스텝 S5에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1로부터 제거된다. 먼저, 박리 핸드(61)는 핸드 이동 기구(62)에 의하여 대기 위치로부터 박리 개시 위치로 이동한다. 박리 핸드(61)가 박리 개시 위치에 도달하면, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b 바로 위에 위치하여 하강하여, 외주면 A1b에 부착되어 있는 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡는다. 또한 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 탄성을 갖고 있으면, 박리 핸드(61)에 의한 붙잡기는 극히 용이하게 행할 수 있다. 박리 핸드(61)는, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡은 상태에서 상승하고, 박리 개시 위치로부터 박리 종료 위치를 향하여 이동하여, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 기판 W의 외주면 A1b로부터 박리한다. 이것에 의하여, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 기판 W로부터 제거된다. 이 수지 제거가 완료되면, 박리 핸드(61)는 박리 종료 위치로부터 회수 위치로 이동하고, 회수 위치에 도달하면 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 떼어 회수부(70)를 향하여 떨어뜨린다. 회수부(70)는, 낙하해 온 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 받아서 수용한다. 박리 핸드(61)는, 회수 위치에서 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 떨어뜨리면, 회수 위치로부터 대기 위치로 이동한다.
전술한 박리 핸드(61)가 대기 위치로 복귀되면, 스텝 S6에 있어서, 수지 박리 완료된 기판 W가, 테이블(30) 상으로부터 전술한 로봇 핸드(도시하지 않음)에 의하여 처리실(20) 밖에 반출되고, 다음 공정을 위하여 반송 장치에 의하여 반송되어 간다.
이와 같은 기판 처리 공정에서는, 연화 상태의 열가소성 수지 B1이, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1의 일부인 외주면 A1b에 도포되고, 그 외주면 A1b의 전체면만이 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다. 이것에 의하여, 후공정인 에칭 공정에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이, 에칭액으로부터 기판 W의 외주면 A1b를 보호하는 보호재로서 기능하기 때문에, 기판 W의 외주면 A1b가 에칭액에 의하여 침식되는 것이 억제되어, 기판 W의 직경이 작아지는 것, 즉, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판 W의 외주 부분에 있어서도 원하는 사이즈의 디바이스 칩을 얻는 것이 가능해지므로, 디바이스 칩 로스의 발생을 억제할 수 있다. 또한 후공정에서의 로봇에 의한 반송 등, 후공정에서의 기판 반송을 가능하게 하여 수율을 향상시킬 수 있다.
또한 경화 상태의 열가소성 수지 B1은 박리 핸드(61)에 의하여 박리되어 기판 W로부터 제거된다. 이것에 의하여, 약액에 의하여 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 용해시켜 기판 W로부터 제거하는 경우에 비해, 단시간에 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 기판 W로부터 제거할 수 있고, 또한 약액을 사용하지 않기 때문에, 약액의 폐기에 의한 환경 면에 대한 부하를 억제할 수 있다. 또한 열가소성 수지 B1은 열경화성 수지에 비해 기판 W에 대한 밀착도가 낮은 것이다. 이 때문에, 열경화성 수지가 아니라 열가소성 수지 B1을 이용함으로써, 기판 W 상의 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 기판 W로부터 박리하는 것이 용이해져, 기판 W를 손상시키지 않고 기판 W로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 제거할 수 있다. 열경화성 수지를 이용한 경우, 기판 W를 손상시키지 않고 경화 상태의 열경화성 수지를 기판 W로부터 제거하기 위해서는, 약액 등에 의한 제거를 행하는 장치가 필요해져 장치의 복잡화나 비용 상승을 초래하게 된다.
이상 설명한 바와 같이 제1 실시 형태에 따르면, 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1, 예를 들어 기판 W의 외주면 A1b에 공급함으로써, 그 외주면 A1b가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다. 이것에 의하여, 에칭 공정에 있어서, 기판 W의 외주면 A1b가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 의하여 보호되어, 에칭액에 의하여 침식되는 것이 억제되므로, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다.
(수지 도포의 다른 예)
전술한 공급 노즐(52)에 의한 수지 도포의 예를 제1 예라 하고, 수지 도포의 다른 예로서 제2 예, 제3 예 및 제4 예에 대하여 설명한다.
제2 예로서, 도 5에 도시한 바와 같이 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a 바로 위, 예를 들어 외주 영역 A1a에 있어서 기판 W의 외측에 가까운 위치의 바로 위에 위치하며, 그 외주 영역 A1a에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 공급한다. 제2 예에서는, 제1 예보다도 연화 상태의 열가소성 수지 B1의 공급량은 많다. 기판 W의 외주 영역 A1a에 공급된 열가소성 수지 B1은, 그 외주 영역 A1a를 덮도록, 또한 외주 영역 A1a로 이어지는 외주면 A1b를 덮도록 퍼져 간다. 이 수지 공급 시에는, 테이블(30) 상의 기판 W는 테이블(30)과 함께 회전하고 있기 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은 기판 W의 회전에 따라 기판 W의 외주 영역 A1a 및 외주면 A1b를 따라 순차 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주하면, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체 및 외주면 A1b의 전체면에 열가소성 수지 B1이 도포되고, 그 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체면 및 외주면 A1b의 전체면만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다.
제3 예로서, 도 7에 도시한 바와 같이 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a 바로 위, 예를 들어 외주 영역 A1a에 있어서 제2 예의 위치보다도 기판 W의 외측에 가까운 위치의 바로 위에 위치하며, 그 외주 영역 A1a에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 공급한다. 제3 예에서는, 제2 예보다도 연화 상태의 열가소성 수지 B1의 공급량은 많다. 기판 W의 외주 영역 A1a에 공급된 열가소성 수지 B1은, 기판 W의 외주 영역 A1a를 덮도록, 또한 외주 영역 A1a로 이어지는 외주면 A1b, 외주면 A1b로 이어지는 외주 영역 A1c를 덮도록 퍼져 간다. 이 수지 공급 시에는, 테이블(30) 상의 기판 W는 테이블(30)과 함께 회전하고 있기 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은 기판 W의 회전에 따라 기판 W의 외주 영역 A1a, 외주면 A1b 및 외주 영역 A1c를 따라 순차 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주하면, 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체면, 외주면 A1b의 전체면, 및 외주 영역 A1c의 일부에 열가소성 수지 B1이 도포되고, 그 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체면, 외주면 A1b의 전체면, 및 외주 영역 A1c의 일부만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다.
제4 예로서, 도 8에 도시한 바와 같이 공급 노즐(52)은, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a 바로 위, 예를 들어 외주 영역 A1a에 있어서 제2 예의 위치보다도 기판 W의 내측에 가까운 위치의 바로 위에 위치하며, 그 외주 영역 A1a에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 공급한다. 제4 예에서는, 제2 예보다도 연화 상태의 열가소성 수지 B1의 공급량은 적다. 기판 W의 외주 영역 A1a에 공급된 열가소성 수지 B1은 기판 W의 외주 영역 A1a를 덮도록 퍼져 간다. 이 수지 공급 시에는, 테이블(30) 상의 기판 W는 테이블(30)과 함께 회전하고 있기 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은 기판 W의 회전에 따라 기판 W의 외주 영역 A1a를 따라 순차 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주하면, 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체면에 열가소성 수지 B1이 도포되고, 그 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체면만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다.
전술한 제2 내지 제4 예에서도, 전술한 제1 예와 마찬가지로 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 또한 열가소성 수지 B1의 공급 시에 있어서의, 공급 노즐(52)과 테이블(30) 상의 기판 W 사이의 수직 이격 거리, 공급 위치, 공급량, 테이블(30)의 회전수 등은 실험적으로 미리 구해져 있다는 점은 제1 예와 마찬가지이다. 제4 예에서는, 기판 W의 외주면 A1b의 전체면이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮여 있지 않지만, 기판 W의 외주 영역 A1a의 전체면이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮여 있다(도 8 참조). 에칭 공정에서는, 회전하는 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근에 공급된 에칭액이, 기판 W의 회전에 의한 원심력에 의하여 기판 W의 피처리면 Wa의 전체로 퍼진다. 이 퍼진 에칭액은, 기판 W의 회전에 의한 원심력에 의하여 기판 W 밖을 향하여 비산되는데, 이때, 기판 W의 외주 영역 A1a에 부착된 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 의하여 에칭액의 비산 방향이 수평면에 대하여 상방으로 편향된다. 이 때문에, 에칭액이 기판 W의 외주면 A1b로 흘러드는 것이 억제된다. 이것에 의하여, 전술한 제1 예와 마찬가지로 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 제4 예는, 기판 W의 외주면 A1b나 하면이 SiN이나 SiO2로 피막되어 있을 때 이용되는 것이 바람직하다. 단, 기판 W의 외주면 A1b를 에칭액의 침식으로부터 확실히 보호하기 위해서는, 열가소성 수지 B1에 의하여 외주면 A1b의 전체면을 완전히 덮는 것이 바람직하다.
또한 제어부(80)는, 전술한 제1 내지 제4 예의 수지 도포의 방법에 있어서, 공급 노즐(52)이 테이블(30) 상의 기판 W에 열가소성 수지 B1을 공급하는 공급 위치, 즉, 열가소성 수지 B1이 공급되는 기판 W 상의 위치를 바꾸도록 노즐 이동 기구(53)를 제어한다. 예를 들어 제어부(80)는, 공급 노즐(52)이 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b에 열가소성 수지 B1을 공급하는 경우(제1 예)와, 테이블(30) 상의 기판 W의 상면의 외주 영역 A1a 및 외주면 A1b에 열가소성 수지 B1을 도포하는 경우(제2 예)간에, 테이블(30) 상의 기판 W에 열가소성 수지 B1을 공급하는 공급 위치를 바꾸도록 노즐 이동 기구(53)를 제어한다.
<제2 실시 형태>
제2 실시 형태에 대하여 도 9 내지 도 14를 참조하여 설명한다. 또한 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(테이블, 컵 및 처리액 공급부)에 대하여 설명하고 그 외의 설명을 생략한다.
도 9에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 제1 실시 형태에 관한 각 부(20 내지 80)에 더해 컵(85)과 처리액 공급부(90)를 구비하고 있다. 또한 제2 실시 형태에 관한 테이블(30)은, 제1 실시 형태와 기판 보유 지지 기구가 다른 테이블이다.
테이블(30)은, 제1 실시 형태와 같이 기판 W를 흡착하여 보유 지지하는 것이 아니라 복수의 보유 지지 부재(31)를 갖고 있으며, 그 보유 지지 부재(31)들에 의하여 테이블(30)의 상면측에서 기판 W를 사이에 끼워서 수평 상태로 유지한다. 예를 들어 보유 지지 부재(31)의 개수는 6개이다.
각 보유 지지 부재(31)는, 도 10에 도시한 바와 같이 각각 회전 부재(31a) 및 핀(31b)을 갖고 있다. 회전 부재(31a)는 테이블(30)에 의하여 회전 가능하게 지지되어 있으며, 코일 스프링 등의 가압 부재(31c)에 의하여 연직 방향에 있어서 하방을 향하여 가압되어 있다. 핀(31b)은 회전 부재(31a)의 상면에, 회전 부재(31a)의 회전 중심에 대하여 편심되어 마련되어 있다. 6개의 회전 부재(31a)는, 회전 승강 기구(32)에 의하여 회전과 승강이 가능해지도록 형성되어 있다. 예를 들어 평면으로 보아 각 회전 부재(31a)가 시계 방향으로 회전하면, 각 핀(31b)은 편심 회전하여 기판 W의 외주면 A1b에 수평 방향으로부터 각각 맞닿고, 기판 W를 사이에 끼워서 보유 지지한다. 또한 각 회전 부재(31a)가, 평면으로 보아 반시계 방향으로 회전하면, 각 핀(31b)에 의한 기판 W의 보유 지지가 개방된다. 또한 도 12에 도시한 바와 같이, 각 보유 지지 부재(31)에 대응시켜, 테이블(30)의 중심을 중심으로 하여 60도마다 절결부(30a)가 위치 부여되고, 각각 보유 지지 부재(31)의 파지 동작이나 승강 동작을 방해하지 않도록 테이블(30)에 형성되어 있다.
회전 승강 기구(32)는, 도 10에 도시한 바와 같이 회전 기구(32a)와 승강 기구(32b)를 갖고 있다. 회전 기구(32a)는, 테이블(30)에 대하여 6개의 회전 부재(31a)를 동기시켜 회전시킨다. 승강 기구(32b)는 6개의 회전 부재(31a)를 동기시켜 연직 방향으로 승강시킨다. 예를 들어 회전 기구(32a)로서는 기어가 이용되고, 승강 기구(32b)로서는, 에어 실린더(32b1)로 승강되는 원환형의 판(32b2)이 이용된다. 승강 기구(32b)는 각 보유 지지 부재(31)를 함께 밀어 올려 상승시킨다. 이 밀어 올림 상태가 해제되면, 각 보유 지지 부재(31)는 각각의 가압 부재(31c)에 의한 가압력에 의하여 밀어내려져 원래의 위치로 복귀된다. 회전 승강 기구(32)는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
도 9로 되돌아가, 예를 들어 회전 승강 기구(32)는, 테이블(30) 상의 기판 W를 컵(85) 내에 위치 부여하여, 그 기판 W의 피처리면 Wa로부터 비산되는 처리액을 컵(85)의 내주면에서 받는 처리 위치와, 테이블(30) 상의 기판 W를 컵(85) 밖에 위치 부여하여, 기판 W의 반입이나 반출을 가능하게 하는 반입 반출 위치 사이에서 각 보유 지지 부재(31)를 이동시킨다. 또한 도 9에 도시하는 각 보유 지지 부재(31)는 처리 위치에 있다.
컵(85)은 테이블(30)을 수용하고, 그 테이블(30)에 의하여 보유 지지된 기판 W의 피처리면 Wa로부터 비산된 처리액을 수취하도록 형성되어 있다. 예를 들어 컵(85)은, 상부가 개구된 원통형으로 형성되어 있다. 이 컵(85)의 주위벽의 상부는, 내측을 향하여 경사지고, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa를 노출시키도록 개구되어 있다. 컵(85)은, 테이블(30)의 회전에 의하여 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa로부터 비산되는 처리액을 내주면에서 받는다. 비산된 처리액은 컵(85)의 내주면에 충돌하여, 컵(85)의 내주면을 따라 컵(85)의 하방으로 흘러 떨어져서, 컵(85)의 저면에 있는 배출구(도시하지 않음)로부터 배출된다.
처리액 공급부(90)는 복수의 공급 노즐(91)과, 노즐 이동 기구(92)를 갖고 있다. 이 처리액 공급부(90)는, 노즐 이동 기구(92)에 의하여 각 공급 노즐(91)을 이동시켜 테이블(30)의 중앙 부근의 상방에 위치 부여하고, 그 공급 노즐(91)들로부터 각각 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근에 처리액을 공급한다.
각 공급 노즐(91)은, 노즐 이동 기구(92)에 의하여 테이블(30)의 상방을, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa를 따라 수평 방향으로 요동 가능하게 형성되어 있다. 이들 공급 노즐(91)은, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근 바로 위에 위치하며, 그 피처리면 Wa를 향하여 처리액(예를 들어 에칭액이나 세정액, 초순수)을 각각 공급한다. 또한 각 공급 노즐(91)에는 각각, 처리실(20) 밖의 탱크(도시하지 않음)로부터 처리액이 공급된다. 예를 들어 각 공급 노즐(91) 중 하나의 공급 노즐(91)에는 에칭액이 공급되고, 다른 하나의 공급 노즐(91)에는 세정액이 공급되고, 다른 하나의 공급 노즐(91)에는 초순수가 공급된다.
노즐 이동 기구(92)는 가동 암(92a)과 암 이동 기구(92b)를 갖고 있다. 가동 암(92a)은 암 이동 기구(92b)에 의하여 수평으로 지지되며, 일 단부에 각 공급 노즐(91)을 보유 지지하고 있다. 암 이동 기구(92b)는, 가동 암(92a)에 있어서의 각 공급 노즐(91)과 반대측의 일 단부를 보유 지지하며, 그 가동 암(92a)을, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa를 따라 수평 방향으로 요동시킨다. 이 암 이동 기구(92b)는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
예를 들어 노즐 이동 기구(92)는, 테이블(30) 상의 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근 바로 위의 공급 위치와, 테이블(30)의 상방으로부터 퇴피하여 기판 W의 반입이나 반출을 가능하게 하는 대기 위치 사이에서 각 공급 노즐(91)을 이동시킨다. 또한 도 9에 도시하는 각 공급 노즐(91)은 공급 위치에 있다.
여기서, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 테이블(30)은, 처리 위치에 있는 각 보유 지지 부재(31)에 의하여 보유 지지되어 있는 기판 W, 즉, 처리 위치에 있는 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주면 A1b를 둘러싸도록 형성되어 있다. 도 11에 도시한 바와 같이, 테이블(30)의 상면의 높이 위치와, 처리 위치에 있는 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 상면의 높이 위치는, 거의 동일하다. 또한 도 12에 있어서, 각 보유 지지 부재(31)는, 테이블(30)의 회전축을 중심으로 하는 동일 원주 상에 60도마다 배치되어 있다.
공급 노즐(52)은, 도 11에 도시한 바와 같이, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 테이블(30)의 상면 사이의 간극 바로 위에 위치하며, 그 간극(예를 들어 0.1㎜ 내지 0.5㎜ 정도)을 향하여 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 토출하여, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 테이블(30)의 상면 사이의 간극, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부, 및 그 외주 영역 A1a에 인접하는 테이블(30)의 상면의 일부를 덮도록 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 공급한다. 또한 연화 상태의 열가소성 수지 B1은, 원하는 점성을 갖고 있으므로, 전술한 간극을 향하여 토출된 열가소성 수지 B1은 그 간극을 덮도록 퍼져 간다. 열가소성 수지 B1은, 공급 노즐(52)로부터 토출되면 표층으로부터 점차 경화되기 시작하며, 테이블(30)이나 각 보유 지지 부재(31), 기판 W에 부착되면 열가소성 수지 B1의 온도가 급격히 낮아져서, 그것들에 부착된 부분의 열가소성 수지 B1은 급속히 경화된다.
이 수지 공급 시에는, 테이블(30)은 회전 기구(40)에 의하여 회전하고 있기 때문에, 테이블(30) 상의 기판 W도 회전하고 있는 상태이다. 이때, 보유 지지 부재(31)는 테이블(30)에 지지되어 있으므로, 보유 지지 부재(31)로 보유 지지되어 있는 기판 W와, 테이블(30)의 상대 이동은 생기지 않는다. 이 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은, 기판 W의 회전에 따라, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 테이블(30)의 상면 사이의 간극을 덮도록, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부, 및 그 외주 영역 A1a에 인접하는 테이블(30)의 상면의 일부에 순차 부착되어 간다. 이것에 의하여, 도 12에 도시한 바와 같이 열가소성 수지 B1이 소정 폭의 환형 영역에 도포되고, 소정 폭의 환형 영역만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다(수지 도포 완료). 이 수지 도포 완료된 기판 W는 처리실(20) 내에서 에칭액에 의하여 처리된다(상세하게는 후술함).
(기판 처리 공정)
다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정의 흐름에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 공정에 있어서는, 제어부(80)가 각 부의 동작을 제어한다.
도 13에 도시한 바와 같이, 스텝 S11에 있어서, 로봇 핸드에 의하여 미처리 기판 W가 처리실(20) 내에 반입되어 테이블(30)에 공급되고, 그 공급된 기판 W가 테이블(30)의 각 보유 지지 부재(31)에 의하여 끼워져서 보유 지지된다. 로봇 핸드는 기판 W의 공급 후, 처리실(20)로부터 퇴피한다. 또한 기판 W의 반입 시에는, 공급 노즐(52)이나 박리 핸드(61), 각 공급 노즐(91)은 대기 위치에 있다.
전술한 로봇 핸드가 처리실(20)로부터 퇴피하면, 스텝 S12에 있어서, 연화 상태의 열가소성 수지 B1이 전술한 소정 폭의 환형 영역에 도포된다. 먼저, 테이블(30)이 회전 기구(40)에 의하여 회전을 개시하고, 또한 공급 노즐(52)은 노즐 이동 기구(53)에 의하여 대기 위치로부터 공급 위치로 이동한다. 공급 노즐(52)이 공급 위치에 도달하면, 공급 노즐(52)은, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 테이블(30)의 상면 사이의 간극 바로 위에 위치하며(도 11 참조), 테이블(30)의 회전수가 소정의 회전수로 되면, 전술한 간극을 향하여 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 토출한다. 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은, 기판 W의 회전에 따라, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 테이블(30)의 상면 사이의 간극을 덮도록, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부, 및 그 외주 영역 A1a에 인접하는 테이블(30)의 상면의 일부에 순차 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주하면, 열가소성 수지 B1이 소정 폭의 환형 영역에 도포되고(도 12 참조), 전술한 소정 폭의 환형 영역만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다. 이 수지 도포가 완료되어 토출이 정지되면, 공급 노즐(52)은 도포 위치로부터 대기 위치로 이동한다. 또한 도포된 열가소성 수지 B1은 온도 저하에 의하여 경화 상태로 된다.
전술한 공급 노즐(52)이 대기 위치로 복귀되면, 스텝 S13에 있어서, 일련의 에칭 처리가 실행된다. 먼저, 각 공급 노즐(91)은 노즐 이동 기구(92)에 의하여 대기 위치로부터 공급 위치로 이동한다. 각 공급 노즐(91)이 공급 위치에 도달하면, 회전하고 있는 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근에 각각 차례로 처리액을 공급한다. 처리액의 공급 순번은 에칭액, 세정액 및 초순수의 순번이다. 기판 W의 피처리면 Wa의 중앙 부근에 공급된 처리액은, 기판 W의 회전에 의한 원심력에 의하여 기판 W의 피처리면 Wa의 전체로 퍼진다. 이것에 의하여, 기판 W의 피처리면 Wa 상에는 처리액의 액막이 형성되고, 기판 W의 피처리면 Wa는 처리액에 의하여 처리된다. 맨 처음에 에칭액의 공급이 개시되고, 에칭액의 공급 개시로부터 소정 시간이 경과하면, 세정액의 공급이 개시되어 에칭액의 공급이 정지된다. 그 후, 세정액의 공급 개시로부터 소정 시간이 경과하면, 초순수의 공급이 개시되고 세정액의 공급이 정지된다. 초순수의 공급 개시로부터 소정 시간이 경과하면, 초순수의 공급이 정지되고 각 공급 노즐(91)은 도포 위치로부터 대기 위치로 이동한다.
전술한 초순수의 공급이 정지되면, 스텝 S14에 있어서, 건조 처리가 실행된다. 즉, 초순수의 공급이 정지되면, 테이블(30)의 회전수가 소정의 회전수로 높아진다(액의 털어내기 건조). 이때의 회전수는 스텝 S12이나 S13의 회전수보다도 크다. 초순수의 공급 정지로부터 소정 시간이 경과하면, 테이블(30)은 회전을 정지한다.
전술한 각 공급 노즐(91)이 대기 위치에 도달하고 테이블(30)의 회전이 정지하면, 스텝 S15에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 전술한 소정 폭의 환형 영역으로부터 제거된다. 먼저, 박리 핸드(61)는 핸드 이동 기구(62)에 의하여 대기 위치로부터 박리 개시 위치로 이동하고, 또한 각 보유 지지 부재(31)는 회전 승강 기구(32)에 의하여 테이블(30)의 상면보다도 상승한다. 이 상승에 의하여, 도 14에 도시한 바와 같이, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 테이블(30)의 상면의 일부로부터 박리된다. 박리 핸드(61)가 박리 개시 위치에 도달하면, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b의 근방 바로 위에 위치하며, 그 후 하강하여, 각 보유 지지 부재(31)의 상면이나 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부에 부착되어 있는 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡는다. 그리고 박리 핸드(61)는 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 쥔 상태에서 상승하고, 박리 개시 위치로부터 박리 종료 위치를 향하여 이동하여, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 기판 W로부터 박리한다. 이것에 의하여, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 기판 W로부터 제거된다. 이 수지 제거가 완료되면, 박리 핸드(61)는 박리 종료 위치로부터 회수 위치로 이동하고, 회수 위치에 도달하면 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 떼어내어 회수부(70)를 향하여 떨어뜨린다. 회수부(70)는, 낙하해 온 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 받아서 수용한다. 박리 핸드(61)는 회수 위치에서 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 떨어뜨리면, 회수 위치로부터 대기 위치로 이동한다.
전술한 박리 핸드(61)가 대기 위치로 복귀되면, 스텝 S16에 있어서, 수지 박리 완료된 기판 W가 각 보유 지지 부재(31) 상으로부터 전술한 로봇 핸드(도시하지 않음)에 의하여 처리실(20) 밖으로 반출되고, 다음 공정을 위하여 반송 장치에 의하여 반송되어 간다.
이와 같은 기판 처리 공정에서는, 연화 상태의 열가소성 수지 B1이, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 상면과 테이블(30)의 상면 사이의 간극을 덮도록 소정 폭의 환형 영역에 도포되고, 그 소정 폭의 환형 영역이 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다. 기판 W의 상면에 공급된 에칭액은 원심력에 의하여, 기판 W의 상면으로부터 열가소성 수지 B1의 상면을 경유하여 테이블(30)의 상면으로 옮겨 타고 테이블(30)의 외주로부터 배출된다. 이것에 의하여, 후공정인 에칭 공정에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이, 에칭액으로부터 기판 W의 외주면 A1b를 보호하는 보호재로서 기능한다. 이 때문에, 기판 W의 외주면 A1b가 에칭액에 의하여 침식되는 것이 억제되어, 기판 사이즈의 축소를 억제할 수 있다. 그 결과, 기판 W의 외주 부분에 있어서도 원하는 사이즈의 디바이스 칩을 얻는 것이 가능해지므로, 디바이스 칩 로스의 발생을 억제할 수 있다. 또한 후공정에서의 로봇에 의한 반송 등, 후공정에서의 기판 반송을 가능하게 하여 수율을 향상시킬 수 있다.
또한 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 기판 W로부터 제거하는 공정에서는, 박리 핸드(61)에 의하여 기판 W 상의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡기 전에, 기판 W를 보유 지지하는 각 보유 지지 부재(31)가 회전 승강 기구(32)에 의하여 상승하고, 테이블(30)의 상면의 일부로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 박리된다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡기 쉬워지므로, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 기판 W로부터 제거하는 작업을 용이화할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 제2 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 상면과 테이블(30)의 상면 사이의 간극을 덮도록 소정 폭의 환형 영역에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 도포함으로써, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주면 A1b에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 직접 도포하는 경우에 비해, 수지 도포에 따른 각종 설정이나 장치 조정을 용이화할 수 있다. 이는, 제1 실시 형태에서는, 기판 W의 외주면 A1b의 상부에 공급된 열가소성 수지 B1이 기판 W의 외주면 A1b를 덮도록 하방으로 퍼져 감으로써 외주면 A1b에 열가소성 수지 B1을 도포하는 것이었다. 이에 비해, 제2 실시 형태에서는, 테이블(30)의 상면, 기판 W의 상면, 양자 사이의 간극의 각각에 열가소성 수지 B1이 도포되게 하면 되기 때문이다. 기판 W의 외주면 A1b에 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 직접 도포하는 경우, 사용하는 열가소성 수지 B1의 점도 등에 따라서는, 수지 도포에 따른 각종 설정이나 장치 조정이 어려운 경우가 있다.
<제3 실시 형태>
제3 실시 형태에 대하여 도 15 내지 도 17을 참조하여 설명한다. 또한 제3 실시 형태에서는, 제2 실시 형태와의 상위점(테이블 및 가이드 부재)에 대하여 설명하고 그 외의 설명을 생략한다.
도 15에 도시한 바와 같이, 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 제2 실시 형태에 관한 각 부(20 내지 90)에 더해 가이드 부재(100)를 구비하고 있다. 또한 제3 실시 형태에 관한 테이블(30)은 제2 실시 형태와 일부가 다른 테이블이다.
테이블(30)은 회전 중심부에 중공부(30b)를 갖고 있다. 이 중공부(30b)에는 복수의 공급 노즐(33)이 고정 배치되어 있다. 따라서 각 공급 노즐(33)은 테이블(30)과 함께 회전하지는 않는다. 예를 들어 테이블(30)에 연결된 회전축으로 되는 통형 지주 내를 중공부(30b)로 한다. 이들 공급 노즐(33)은 각각, 테이블(30) 상의 기판 W의 하면의 중앙 부근을 향하여 처리액(예를 들어 초순수)을 공급한다. 이것에 의하여, 기판 W의 하면을 초순수에 의하여 청정하게 할 수 있다.
가이드 부재(100)는, 처리 위치에 있는 각 보유 지지 부재(31)에 의하여 기판 W가 보유 지지되어 있는 상태에서, 그 기판 W의 외주면 A1b를 둘러싸도록, 예를 들어 원환형으로 형성되어 있으며, 테이블(30)의 상면에 마련한 복수의 지주(101)에 의하여, 테이블(30)의 상면으로부터 이격되어 테이블(30)의 상면의 상방에 위치하도록 마련되어 있다. 각 지주(101)는, 가이드 부재(100)의 원환의 중심을 중심으로 하는 동일 원주 상에 60도마다 배치되어 있다. 또한 가이드 부재(100)의 상면의 높이 위치와, 처리 위치에 있는 각 보유 지지 부재(31)에 의하여 보유 지지되어 있는 기판 W의 상면의 높이 위치는, 거의 동일하다.
전술한 가이드 부재(100)에는, 도 16에 도시한 바와 같이, 각 보유 지지 부재(31)에 대응시켜 복수의 절결부(102)가 형성되어 있다. 즉, 각 절결부(102)는, 각 보유 지지 부재(31)에 대응시켜 가이드 부재(100)의 원환의 중심을 중심으로 하여 60도마다 배치되어 있으며, 각각 보유 지지 부재(31)의 파지 동작이나 승강 동작을 방해하지 않도록 형성되어 있다.
공급 노즐(52)은, 도 17에 도시한 바와 같이, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 가이드 부재(100)의 상면 사이의 간극 바로 위에 위치하며, 그 간극을 향하여 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 토출하여, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 가이드 부재(100)의 상면 사이의 간극, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부, 및 그 외주 영역 A1a에 인접하는 가이드 부재(100)의 상면의 일부를 덮도록 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 공급한다. 또한 연화 상태의 열가소성 수지 B1은, 원하는 점성을 갖고 있으므로, 전술한 간극을 향하여 토출된 열가소성 수지 B1은 그 간극을 덮도록 퍼져 간다. 열가소성 수지 B1은 공급 노즐(52)로부터 토출되면 표층으로부터 점차 경화되기 시작하며, 가이드 부재(100)가나 각 보유 지지 부재(31), 기판 W에 부착되면 열가소성 수지 B1의 온도가 급격히 낮아져서, 그것들에 부착된 부분의 열가소성 수지 B1은 급속히 경화된다.
이 수지 공급 시에는, 테이블(30)은 회전 기구(40)에 의하여 회전하고 있기 때문에 테이블(30) 상의 기판 W도 회전하며, 기판 W와 가이드 부재(100) 사이에 상대 이동은 생기지 않는 상태이다. 이 때문에, 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 가이드 부재(100)의 상면 사이의 간극을 덮도록, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부, 및 그 외주 영역 A1a에 인접하는 가이드 부재(100)의 상면의 일부에 순차 부착되어 간다. 그리고, 예를 들어 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주하면, 열가소성 수지 B1이 소정 폭의 환형 영역에 도포되고, 그 소정 폭의 환형 영역만이 열가소성 수지 B1에 의하여 덮인다(수지 도포 완료). 이 수지 도포 완료된 기판 W는 처리실(20) 내에서 에칭액에 의하여 처리된다.
에칭 공정에서는, 제2 실시 형태와 같이 처리액(에칭액, 세정액 및 초순수)이 공급되는데, 이 처리액의 공급 중, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 하면의 전체에 초순수가 각 공급 노즐(33)로부터 공급된다. 이것에 의하여, 에칭 처리 중에서도 기판 W의 하면을 청정하게 유지할 수 있다. 이때, 가이드 부재(100)가 존재하기 때문에, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 하면에 공급되고, 그 기판 W의 하면을 따라 기판 W의 외주를 향하여 흐르는 초순수를, 가이드 부재(100)와 테이블(30)의 상면 사이의 공간에 흘려서 테이블(30) 밖으로 배출하는 것이 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이 제3 실시 형태에 따르면, 제2 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한 가이드 부재(100)를 마련함으로써, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W와 가이드 부재(100)의 상면 사이의 간극, 각 보유 지지 부재(31) 상의 기판 W의 외주 영역 A1a의 일부, 및 그 외주 영역 A1a에 인접하는 가이드 부재(100)의 상면의 일부를 열가소성 수지 B1로 덮을 수 있다. 이것에 의하여, 에칭액으로부터 기판 W의 외주면 A1b를 보호하면서, 기판 W의 하면에 공급된 초순수를 테이블(30) 밖으로 배출하는 것이 가능해진다. 이것에 의하여, 기판 W의 하면에 초순수를 공급할 수 있으므로 기판 W의 하면을 청정하게 유지할 수 있다.
<제4 실시 형태>
제4 실시 형태에 대하여 도 18 내지 도 20을 참조하여 설명한다. 또한 제4 실시 형태에서는, 제1 실시 형태와의 상위점(박리 핸드(61) 및 회수부(70))에 대하여 설명하고 그 외의 설명을 생략한다.
도 18에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태에 관한 박리 핸드(61)는, 선단이 뾰족한 침형 핀이다. 이 박리 핸드(61)는, 열전도성이 높은 재료에 의하여 형성되어 있으며, 니크롬선 등의 가열체(62c)를 내장하고 있다. 이 가열체(62c)는 박리 핸드(61)를 가열한다. 가동 암(62a)은, 회전 기구(62d)에 의하여 도중에 절곡되는 것이 가능하게 형성되어 있다. 회전 기구(62d)는 회전축이나 모터(모두 도시하지 않음)를 갖고 있으며, 자유로운 절곡을 실현하는 관절로서 기능한다. 박리 핸드(61)는 회전 기구(62e)를 통하여 가동 암(62a)에 연결되어 있다. 회전 기구(62e)는 회전축이나 모터(모두 도시하지 않음)를 갖고 있으며, 회전축을 회전 중심으로 하여 박리 핸드(61)를 회전시키는 회전 구동부로서 기능한다. 가열체(62c)나 각 회전 기구(62d, 62e)는 각각 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그것들의 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
도 19에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태에 관한 회수부(70)는 본체(71)와 제거부(72)를 갖고 있다. 본체(71)의 일부는 처리실(20) 내에 마련되어 있고, 다른 부분이 처리실(20) 밖에 마련되어 있다. 본체(71)에 있어서의 처리실(20) 내의 공간은, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리 핸드(61)로부터 제거하기 위한 공간이며, 처리실(20) 밖의 공간은, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 수용하기 위한 공간이다. 본체(71)는 상면에 개구부(71a)를 갖고 있으며, 이 개구부(71a)는 박리 핸드(61)가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 보유 지지한 상태에서 본체(71) 내로 진입하는 것이 가능한 크기로 형성되어 있다. 제거부(72)는, 개폐 가능한 1쌍의 셔터 부재(제거 부재의 일례)(72a)를 갖고 있다. 이들 셔터 부재(72a)는, 본체(71)의 상단의 개구부(71a)를 막는 덮개체로서 서로 대향하도록 마련되어 있으며, 접근하는 방향 및 멀어지는 방향으로 이동 기구(72b)에 의하여 이동 가능하게 형성되어 있다. 이동 기구(72b)는 연동 부재나 모터(모두 도시하지 않음) 등에 의하여 구성되어 있으며, 모터는 제어부(80)에 전기적으로 접속되고, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다.
1쌍의 셔터 부재(72a)는, 도 20에 도시한 바와 같이 서로 이동하여 완전히 닫힌 상태로 되지만, 완전히 닫힌 상태에서도, 침형의 박리 핸드(61)만이 통과하는 것이 가능한 관통 구멍 H1을 갖도록 형성되어 있다. 즉, 1쌍의 셔터 부재(72a)가 완전히 닫힌 상태에 있어서, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 보유 지지한 박리 핸드(61)가 관통 구멍 H1을 통과할 때, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1은 1쌍의 셔터 부재(72a)에 맞닿게 된다.
수지 박리 공정에서는, 박리 핸드(61)가 가열체(62c)에 의하여 가열되고, 가열된 박리 핸드(61)가 박리 개시 위치로부터 접촉 위치까지 하강한다. 박리 핸드(61)의 이동은, 제1 실시 형태와 마찬가지로 핸드 이동 기구(62)에 의하여 행해진다(이하 마찬가지). 박리 핸드(61)는, 누운 상태(거의 수평인 상태) 그대로 기판 W 상의 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부에 접촉하고, 가열체(62c)에 의한 열에 의하여 기판 W 상의 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 연화(용융)시킨다. 그 후, 박리 핸드(61)가 열가소성 수지 B1의 일부에 접촉한 상태에서, 박리 핸드(61)에 대한 가열체(62c)에 의한 가열이 정지되고, 열에 의하여 연화된 열가소성 수지 B1의 일부는 방랭에 의하여 다시 경화된다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)가 열가소성 수지 B1에 접착되고, 박리 핸드(61)는 열가소성 수지 B1을 확실히 보유 지지한다. 또한 여기서는, 열가소성 수지 B1은 직접 가열되고 있지 않지만, 박리 핸드(61)가 접촉하는 영역의 열가소성 수지 B1을 미리 스폿 할로겐 램프 등의 가열부(도시하지 않음)에 의하여 가열하도록 해도 된다. 이 경우, 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 대한 박리 핸드(61)의 접착을 보다 용이화할 수 있다.
이어서, 박리 핸드(61)는, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 보유 지지한 상태에서, 접촉 위치로부터 박리 개시 위치까지 상승하여, 기판 W로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 박리한다. 박리 개시 위치에 위치한 박리 핸드(61)는, 회전 기구(62d)에 의하여 회전축을 회전 중심으로 하여 회전하면서, 박리 개시 위치로부터 박리 종료 위치를 향하여 기판 W의 표면을 따라 이동하고, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 권취하여 기판 W의 외주면 A1b로부터 박리한다(도 18 참조). 이것에 의하여, 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 기판 W로부터 박리된다.
이 수지 박리 공정에 따르면, 경화 상태의 열가소성 수지 B1은 박리 핸드(61)에 의하여 권취되어 기판 W로부터 제거된다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)에 의한 권취를 실행하지 않고 박리 핸드(61)를 이동시켜 열가소성 수지 B1의 제거를 행하는 경우에 비해, 열가소성 수지 B1을 박리할 때의 이동 거리인 이동 스트로크를 짧게 하는 것이 가능해진다. 따라서 장치 내에 있어서의 박리 핸드(61)의 이동 스페이스를 최소한으로 억제할 수 있다. 또한 박리 핸드(61)에 의한 권취를 실행하지 않고 박리 핸드(61)를 이동시켜 열가소성 수지 B1의 제거를 행하는 경우에 비해, 열가소성 수지 B1을 작게 뭉쳐서 회수할 수 있다.
전술한 수지 박리 공정이 완료되면, 박리 핸드(61)는 박리 종료 위치로부터 회수부(70) 바로 위의 회수 대기 위치로 이동하여 회수 대기 위치에 도달하고, 누운 상태로부터 일어선 상태(거의 연직인 상태에서 선단이 하방을 향하고 있는 상태)로 된다. 이때, 제거부(72)의 1쌍의 셔터 부재(72a)는 서로 떨어져서, 박리 핸드(61)가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 보유 지지한 상태에서 본체(71) 내로 진입하는 것이 가능한 사이즈로 개구되어 있으며, 박리 핸드(61)는 1쌍의 셔터 부재(72a)의 개구 바로 위에 위치하고 있다. 박리 핸드(61)가 회수 대기 위치로부터 연직 방향으로 소정 거리 하강하면, 1쌍의 셔터 부재(72a)가 이동 기구(72b)에 의하여 닫히고, 그 셔터 부재(72a)들은 박리 핸드(61)를 사이에 두고 마주본다. 1쌍의 셔터 부재(72a)가 박리 핸드(61)를 사이에 두고 마주보고 있는 상태에서, 박리 핸드(61)는 회전 기구(62e)에 의하여 회전하면서 상승하여 원래의 회수 대기 위치로 복귀된다. 이때, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1은, 1쌍의 셔터 부재(72a)의 하단에 맞닿아서(도 19 참조), 1쌍의 셔터 부재(72a)에 의하여 가로막히고, 박리 핸드(61)의 상승에 의하여 박리 핸드(61)의 하단(선단)을 향하여 점차 이동하여 박리 핸드(61)로부터 빠져 떨어진다. 박리 핸드(61)로부터 빠진 경화 상태의 열가소성 수지 B1은 본체(71)의 저면을 향하여 낙하하여, 본체(71)에 의하여 수용된다.
이 수지 회수 공정에서는, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1이, 박리 핸드(61)의 이동에 따라 1쌍의 셔터 부재(72a)에 의하여 제거된다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리 핸드(61)로부터 제거하는 것이 가능해진다. 따라서 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 제거하여 회수하는 회수 작업이 자동화되므로, 작업자(유저)가 박리 핸드(61)를 청소하고 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 회수하는 회수 작업을 행하는 경우에 비해 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 또한 기판 W의 오염을 억제할 수 있다. 작업원이 작업을 행한다는 것은, 장치의 도어를 열고 난 후에 작업을 행하는 것이 되기 때문에, 장치를 정지시키고 난 후의 작업이 필수로 된다. 따라서 작업 시간도 걸리는 만큼 생산 효율이 떨어진다. 회수 작업이 자동화되면, 한창 회수하고 있는 와중에 다른 기판 W에 열가소성 수지 B1을 도포할 수 있으므로 생산 효율이 향상된다. 또한 작업자의 작업에 의하여 열가소성 수지 B1을 취하기 때문에, 장치의 도어를 열고 난 후에 작업을 행하게 된다. 즉, 장치의 도어를 연다는 것은, 장치 내에 외부로부터의 분위기를 넣게 되기 때문에, 장치 내가 청정한 분위기로 유지되지 못하고 기판 W가 오염되는 경우가 있다. 회수 작업이 자동화되면, 장치 내의 분위기를 청정하게 유지하면서 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 회수할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 제4 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한 제거부(72)는, 개폐 가능한 1쌍의 셔터 부재(72a)를 갖고 있으며, 그 셔터 부재(72a)들은 박리 핸드(61)를 사이에 두고 마주보고, 박리 핸드(61)의 이동에 따라, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 맞닿고, 박리 핸드(61)로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 제거한다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 제거하여 회수하는 회수 작업이 자동화되므로, 작업자가 회수 작업을 행하는 경우에 비해 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 또한 기판 W의 오염을 억제할 수 있다.
또한 수지 회수 공정에 있어서, 박리 핸드(61)를 상방으로 이동시킬 때, 박리 핸드(61)를 회전시키고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며 회전시키지 않아도 된다. 단, 제거 효율을 향상시키기 위해서는, 박리 핸드(61)를 상방으로 이동시키면서 박리 핸드(61)를 회전시키는 것이 바람직하다. 또한 박리 핸드(61)에 1쌍의 셔터 부재(72a)를 접촉시키고 있지 않지만, 이에 한정되는 것은 아니며 접촉시켜도 된다. 단, 박리 핸드(61)나 1쌍의 셔터 부재(72a)의 손상, 그리고 손상에 의한 티끌의 발생을 억제하기 위해서는, 박리 핸드(61)에 1쌍의 셔터 부재(72a)를 접촉시키지 않는 것이 바람직하다.
<제5 실시 형태>
제5 실시 형태에 대하여 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한다. 또한 제5 실시 형태에서는, 제4 실시 형태와의 차이점(회수부(70))에 대하여 설명하고 그 외의 설명을 생략한다.
도 21 및 도 22에 도시한 바와 같이, 제5 실시 형태에 관한 본체(71)는 상면에 개구부(71b)를 갖고 있다. 이 개구부(71b)는, 박리 핸드(61)가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 보유 지지한 상태에서 본체(71) 내로 진입하는 것이 가능한 크기로 형성되어 있다. 또한 제5 실시 형태에 관한 제거부(72)는 복수의 롤러(72c)를 갖고 있다. 이들 롤러(72c)는, 박리 핸드(61)가 이동하는 방향으로 2열로 나열되어 있으며, 그 열들이 소정 거리 떨어지도록 마련되어 있다. 또한 각 롤러(72c)는 연동하여 본체(71)의 내측(도 21 중의 화살표 방향)으로 회전 기구(72d)에 의하여 회전하도록 형성되어 있다. 회전 기구(72d)는 연동 부재나 모터(모두 도시하지 않음) 등에 의하여 구성되어 있으며, 모터는 제어부(80)에 전기적으로 접속되고, 그 구동은 제어부(80)에 의하여 제어된다. 전술한 열 사이의 소정 거리는, 각 롤러(72c)가, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1에 접촉하고, 그 열가소성 수지 B1을 사이에 끼우는 것이 가능한 거리로 설정되어 있다. 각 롤러(72c)는, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리 핸드(61)의 선단측(도 21의 하단측)으로 이동시키고, 박리 핸드(61)로부터 발취하는 방향으로 회전한다.
수지 회수 공정에서는, 박리 핸드(61)는 박리 종료 위치로부터 회수 대기 위치로 이동하여 회수 대기 위치에 도달하고, 누운 상태로부터 일어선 상태로 된다. 이때, 박리 핸드(61)는 일어선 상태에서 본체(71)의 개구부(71b) 바로 위에 위치하며, 제거부(72)의 각 롤러(72c)는, 박리 핸드(61)의 선단으로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 발취하는 방향으로 회전하기 시작한다. 이어서, 박리 핸드(61)는 회전 기구(62e)에 의하여 회전하면서 회수 대기 위치로부터 연직 방향으로 소정 거리 하강한다. 각 롤러(72c)는 회전하면서, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 사이에 끼워넣고, 박리 핸드(61)로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 하방으로 이동시킨다. 또한 박리 핸드(61)는 소정 거리 하강하면, 각 롤러(72c)에 의하여 경화 상태의 열가소성 수지 B1이 사이에 끼워진 상태에서 회전하면서 상승하여 원래의 회수 대기 위치로 복귀된다. 이때, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1은, 각 롤러(72c)의 회전 및 박리 핸드(61)의 상승에 의하여 박리 핸드(61)의 하단(선단)을 향하여 이동하여, 박리 핸드(61)로부터 빠져 떨어진다. 박리 핸드(61)로부터 빠진 경화 상태의 열가소성 수지 B1은 본체(71)의 저면을 향하여 낙하하고, 본체(71)에 의하여 수용된다. 박리 핸드(61)가 원래의 회수 대기 위치로 복귀되면 각 롤러(72c)의 회전은 정지된다.
이 수지 회수 공정에서는, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1이, 각 롤러(72c)의 회전 및 박리 핸드(61)의 이동에 따라 각 롤러(72c)에 의하여 박리 핸드(61)로부터 발취된다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리 핸드(61)로부터 제거하여 회수하는 것이 가능해진다. 따라서 제4 실시 형태와 동일하도록 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 제거하여 회수하는 회수 작업이 자동화되므로, 작업자가 회수 작업을 행하는 경우에 비해 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 또한 기판 W의 오염을 억제할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 제5 실시 형태에 따르면, 제4 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한 제거부(72)는 회전 가능한 1쌍의 롤러(72c)를 갖고 있으며, 그 롤러(72c)들은, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 사이에 끼워넣고 회전하여 박리 핸드(61)로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 제거한다. 이것에 의하여, 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 제거하여 회수하는 회수 작업이 자동화되므로, 작업자가 회수 작업을 행하는 경우에 비해 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 또한 기판 W의 오염을 억제할 수 있다.
또한 제거부(72)로서는, 각 롤러(72c)에 의한 제거 이외에도, 예를 들어 각 롤러(72c) 대신, 본체(71)의 내부에 척 핸드를 마련하여, 박리 핸드(61)에 감긴 열가소성 수지 B1을 파지하고, 이동 기구에 의하여 척 핸드를 하강시켜 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 제거하도록 해도 된다. 또한 롤러 기구 혹은 셔터 기구에 의하여 열가소성 수지 B1을 제거하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 수평으로 마련된 제거 부재(예를 들어 판재)의 측면에, 박리 핸드(61)를 삽입할 수 있는 직선형 홈을 상하 방향으로 마련하고, 그 제거 부재(U자 형상의 부재)의 홈의 연신 방향에 교차하는 방향(예를 들어 직교하는 방향)으로부터 홈 내에 박리 핸드(61)를 넣고, 그 박리 핸드(61)를 홈의 연신 방향으로 끌어올려, 제거 부재에 열가소성 수지 B1을 걸어 뽑는 기구를 이용하는 것도 가능하다. 제거 부재는, 박리 핸드(61)를 사이에 끼우고, 박리 핸드(61)의 이동에 따라, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 열가소성 수지 B1에 맞닿아, 박리 핸드(61)에 의하여 보유 지지된 열가소성 수지 B1을 박리 핸드(61)로부터 제거한다. 또한 전술한 1쌍의 셔터 부재(72a)도 제거 부재의 일례이다.
또한 수지 회수 공정에 있어서, 각 롤러(72c)에 의하여 박리 핸드(61)로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 제거할 때, 박리 핸드(61)를 상방으로 이동시키고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며 이동시키지 않고 고정하도록 해도 된다. 또한 수지 회수 공정에 있어서, 박리 핸드(61)를 상방으로 이동시킬 때, 박리 핸드(61)를 회전시키고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 박리 핸드(61)의 이동 시나 고정 시에 회전시켜도, 혹은 회전시키지 않아도 된다. 단, 제거 효율을 향상시키기 위해서는, 박리 핸드(61)를 상방으로 이동시키면서 박리 핸드(61)를 회전시키는 것이 바람직하다.
<다른 실시 형태>
전술한 설명에 있어서는, 박리 핸드(61)로서, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 붙잡는 클램프형이나 핀셋형 핸드를 이용하는 것을 예시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 침형 핸드(핀), 포크형 핸드, 니크롬선이나 램프 등의 발열체, 또한 흡인부를 이용하도록 해도 된다. 침형 핸드는, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부에 꽂혀 열가소성 수지 B1의 일부를 보유 지지한다. 발열체는 선형이나 환형, 봉형 등으로 형성되어 있으며, 발열하여 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 녹이고 그 일부에 부착되어 열가소성 수지 B1의 일부를 보유 지지한다. 흡인부는, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 흡인하여 보유 지지한다.
또한 전술한 설명에 있어서는, 박리 핸드(61)의 재질을 특별히 한정하는 것은 아니지만, 박리 핸드(61)의 재질로서는, 박리 핸드(61)가 가열체(62c) 등의 가열 기구를 갖는 경우, 열전도성을 갖는 금속이나 세라믹 등을 채용하는 것이 가능하다. 또한 박리 핸드(61)로부터 열가소성 수지 B1을 제거하기 쉽게 하기 위해서는, 박리 핸드(61)의 표면을, 예를 들어 불소 수지 등의 재료에 의하여 코팅하는 것도 가능하다.
또한 전술한 설명에 있어서는(제4 실시 형태나 제5 실시 형태 참조), 박리 핸드(61)에 접촉한 열가소성 수지 B1을 가열 후에 방랭하는 것을 예시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 박리 핸드(61)의 내부에 냉각 기구(예를 들어 펠티에 소자)를 마련하고, 냉각 기구에 의하여 박리 핸드(61)를 식혀서, 박리 핸드(61)에 접촉한 열가소성 수지 B1을 냉각하도록 해도 된다.
또한 전술한 설명에 있어서는, 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 보유 지지한 박리 핸드(61)를 1방향으로 이동시켜 기판 W로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리하는 것을 예시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 경화 상태의 열가소성 수지 B1의 일부를 보유 지지한 박리 핸드(61)를 회전시켜 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 권취하여, 기판 W로부터 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 박리하도록 해도 된다(제4 실시 형태나 제5 실시 형태 참조).
또한 전술한 설명에 있어서는, 회수부(70)가, 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 회수하는 것만을 예시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 회수부(70)에 히터를 마련하고, 회수부(70)와 저류 유닛(51)의 탱크(51a)를 배관에 의하여 접속하고, 회수한 경화 상태의 열가소성 수지 B1을 히터에 의하여 가열하여 연화시키고, 연화 상태의 열가소성 수지 B1을 배관에 의하여 탱크(51a)로 되돌리도록 해도 된다. 이 경우에는, 열가소성 수지 B1을 재이용하는 것이 가능해지므로 비용을 억제할 수 있고, 또한 열가소성 수지 B1의 폐기에 의한 환경 면에 대한 부하를 억제할 수 있다.
또한 열가소성 수지 B1이 공급 노즐(52)로부터 적정하게 토출되도록, 공급 위치에서의 토출 동작 전에 시험 토출을 행하도록 해도 된다. 예를 들어 공급 노즐(52)이 공급 위치에 위치 부여될 때는, 사전에 대기 위치에서 공급 노즐(52)로부터 열가소성 수지 B1을 토출시킨다(사전 토출). 공급 노즐(52)로부터 토출된 열가소성 수지 B1은, 공급 노즐(52)의 하방에 마련한 받침 접시에서 받도록 한다. 공급 노즐(52)을 회수부(70)의 상방에 위치 부여하고 사전 토출을 행하도록 해도 된다. 상기한 열가소성 수지 B1을 재이용하는 구성에서는, 대기 시에 공급 노즐(52)을 회수부(70)의 상방에 위치 부여하고 열가소성 수지 B1을 연속적으로 계속해서 토출하도록 해도 된다.
또한 박리 핸드(61)를 이용하여, 경화된 열가소성 수지 B1을 박리할 때, 경화된 열가소성 수지 B1에 가열 유체를 분사하여 열가소성 수지 B1의 일부를 녹인 상태에서 붙잡도록 해도 된다.
또한 박리 핸드(61)의 이형성이 향상되는 것이면, 회수부(70)에 위치 부여된 박리 핸드(61), 혹은 박리 핸드(61)가 보유 지지하는 열가소성 수지 B1을 가열하는, 온풍 히터 등의 가열 부재를 마련해도 된다.
또한 공급 노즐(52)에 의한 열가소성 수지 B1의 도포를, 공급 노즐(52)을 이동시키면서, 예를 들어 테이블(30)의 회전 반경 방향으로 이동시키면서 행해도 된다.
또한 열가소성 수지 B1의 공급에 있어서는, 테이블(30) 상의 기판 W와 공급 노즐(52)을 상대 이동시키면 되며, 예를 들어 테이블(30)의 회전을 행하지 않고, 테이블(30) 상의 기판 W의 외주 단부 A1에 대하여 공급 노즐(52)을 이동시켜 열가소성 수지 B1의 공급을 행하도록 해도 된다. 기판 W 및 공급 노즐(52)을 상대 이동시키는 이동 기구로서는, 테이블(30)을 회전시키는 회전 기구(40) 이외에도, 예를 들어 공급 노즐(52)을 원환이나 직사각형환 등의 환, 또한 직선을 따라 이동시키는 이동 기구(일례로서, 공급 노즐(52)을 지지하여 곡선형이나 직선형으로 슬라이드 이동 가능하게 하는 가이드, 슬라이드 이동의 구동원으로 되는 모터 등)를 이용하는 것이 가능하다.
또한 기판 W에 있어서의 열가소성 수지 B1의 부착 개시점이 1주하면, 공급 노즐(52)로부터의 열가소성 수지 B1의 토출을 정지시키도록 하였지만, 공급 노즐(52)로부터의 열가소성 수지 B1의 토출을, 부착 개시점이 2주 이상에 걸쳐 이동한 후에 정지시키도록 하더라도 상관없다. 특히 도 5 이후에 나타내는 실시 형태과 같이, 기판 W에 있어서의, 중력 방향에 직교하는 외주 영역 A1a에 도포하는 경우에는, 2주 이상에 걸쳐 도포하는 것이 바람직하다. 1주로 도포할 때에 비하면, 동일한 도포 폭, 동일한 막 두께의 열가소성 수지 B1을 얻는 데 공급 노즐(52)로부터의 단위 시간당 토출량을 적게 할 수 있다. 이 때문에, 기판 W, 테이블(30), 혹은 가이드 부재(100)에 도포된 열가소성 수지 B1의 폭, 두께를 함께 제어하기 쉬워지기 때문이다. 또한 이 경우, 주회마다 공급 노즐(52)을 기판의 반경 방향으로 어긋나게 하도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 몇몇 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시 형태는 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.
10: 기판 처리 장치
30: 테이블
31: 보유 지지 부재
51a1: 히터
52: 공급 노즐
52a: 히터
60: 박리부
61: 박리 핸드
70: 회수부
72: 제거부
72a: 셔터 부재
72c: 롤러
100: 가이드 부재
A1: 기판의 외주 단부
A1a: 기판의 상면의 외주 영역
A1b: 기판의 외주면
B1: 열가소성 수지
W: 기판

Claims (16)

  1. 에칭 대상이 되는 기판을 지지하는 테이블과,
    열가소성 수지를 연화시키는 가열부와,
    상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판에 대하여 상대 이동하여, 상기 가열부에 의하여 연화된 상기 열가소성 수지를, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판의 외주 단부에 공급하는 공급 노즐
    을 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판의 외주면, 및 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 상기 열가소성 수지를 공급하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 테이블은, 상기 테이블의 상면측에 상기 기판을 보유 지지하는 복수의 보유 지지 부재를 갖고, 상기 복수의 보유 지지 부재에 의하여 보유 지지된 상기 기판의 외주면을 둘러싸도록 형성되어 있고,
    상기 공급 노즐은, 상기 복수의 보유 지지 부재에 의하여 보유 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역, 그 외주 영역에 인접하는 상기 테이블의 상면, 및 상기 복수의 보유 지지 부재에 의하여 보유 지지된 상기 기판의 상면과 상기 테이블의 상면 사이의 간극을 덮도록 상기 열가소성 수지를 공급하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 테이블은,
    상기 테이블의 상면측에 상기 기판을 보유 지지하는 복수의 보유 지지 부재와,
    상기 복수의 보유 지지 부재에 의하여 보유 지지된 상기 기판의 외주면을 둘러싸도록 형성된 가이드 부재
    를 갖고,
    상기 공급 노즐은, 상기 복수의 보유 지지 부재에 의하여 지지된 상기 기판의 상면의 외주 영역, 그 외주 영역에 인접하는 상기 가이드 부재의 상면, 및 상기 복수의 보유 지지 부재에 의하여 보유 지지된 상기 기판의 상면과 상기 가이드 부재의 상면 사이의 간극을 덮도록 상기 열가소성 수지를 공급하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공급 노즐은, 상기 열가소성 수지를 상기 기판의 상기 외주 단부에 공급하기 전에, 상기 열가소성 수지를 토출시키는 사전 토출을 행하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 공급되어 경화된 상기 열가소성 수지를, 상기 기판으로부터 박리하는 박리부를 구비하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 박리부는, 상기 기판에 공급되어 경화된 상기 열가소성 수지를 붙잡는 핸드를 갖는 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 박리부는, 상기 기판에 공급되어 경화된 상기 열가소성 수지를 가열하는 발열체를 갖는 기판 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 박리부는, 상기 기판에 공급되어 경화된 상기 열가소성 수지를 흡인하는 흡인부를 갖는 기판 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 박리부에 의하여 상기 기판으로부터 박리된 상기 열가소성 수지를 회수하는 회수부를 구비하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 박리부는, 박리한 상기 열가소성 수지를 보유 지지하고,
    상기 회수부는, 상기 박리부에 의하여 보유 지지된 상기 열가소성 수지를 상기 박리부로부터 제거하는 제거부를 구비하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제거부는, 제거 부재를 갖고,
    상기 제거 부재는, 상기 박리부를 사이에 끼우고, 상기 박리부의 이동에 따라, 상기 박리부에 의하여 보유 지지된 상기 열가소성 수지에 맞닿고, 상기 박리부에 의하여 보유 지지된 상기 열가소성 수지를 상기 박리부로부터 제거하는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제거부는, 회전 가능한 1쌍의 롤러를 갖고,
    상기 1쌍의 롤러는, 상기 박리부에 의하여 보유 지지된 상기 열가소성 수지를 사이에 끼워넣고 회전하여, 상기 박리부에 의하여 보유 지지된 상기 열가소성 수지를 상기 박리부로부터 제거하는 기판 처리 장치.
  14. 에칭 대상이 되는 기판을 테이블에 의하여 지지하는 공정과,
    열가소성 수지를 가열부에 의하여 연화시키는 공정과,
    상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판에 대하여 공급 노즐을 상대 이동시켜서, 상기 가열부에 의하여 연화된 상기 열가소성 수지를, 상기 테이블에 의하여 지지된 상기 기판의 외주 단부에 상기 공급 노즐에 의하여 공급하는 공정
    을 갖는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판에 공급되어 경화된 상기 열가소성 수지를, 박리부에 의하여 상기 기판으로부터 박리하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 박리부에 의하여 상기 기판으로부터 박리된 상기 열가소성 수지를 회수부에 의하여 회수하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.
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