JP2020149057A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】新規な電子機器を提供する。または、新規の形態を有する電子機器を提供する。【解決手段】支持体と、表示部と、を有し、支持体は曲面を有し、表示部は、支持体上に設けられ、表示部は、上面と、上面の少なくとも一つの辺に接する側面と、を有し、該側面は、曲面を有し、上面には第１の表示領域が設けられ、該側面には第２の表示領域が設けられ、第１の表示領域と、第２の表示領域と、は連続して設けられる電子機器。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電子機器、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法、ま
たはそれらの製造方法に関する。

なお、本明細書中において電子機器とは、電力を供給することで動作する装置全般を指
し、電源を有する電子機器、電源として例えば蓄電池を有する電子機器及び電気光学装置
、蓄電池を有する情報端末装置などは全て電子機器である。なお、本発明の一態様は、上
記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方
法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシ
ン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するもの
である。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては
、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮
像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができ
る。

近年、頭部に装着する表示装置など人体に装着して使用される表示装置が提案され、ヘ
ッドマウントディスプレイや、ウェアラブルディスプレイと呼ばれている。人体に装着し
て使用される電子機器、例えば補聴器などは軽量化、小型化が求められている。

また、可撓性を有する表示装置を備えた電子書籍リーダーが特許文献１及び特許文献２
に開示されている。

特開２０１０−２８２１８１ 特開２０１０−２８２１８３

使用者の装着感を快適なものとするため、人体に装着して使用される表示装置は軽量化
、及び小型化が求められ、さらに表示装置の駆動装置や電源を含めた電子機器全体の軽量
化が求められる。

また、人体に装着して使用される表示装置や、該表示装置を有する電子機器は、持ち運
びがしやすいことや、丈夫であることが求められる。

本発明の一態様は、新規な電子機器を提供することを課題の一とする。または、本発明
の一態様は、新規の形態を有する電子機器を提供することを課題の一とする。

または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または
、本発明の一態様は、新規の形態を有する表示装置を提供することを課題の一とする。

または、本発明の一態様は、身体に装着して使用する電子機器を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様は、腕に装着して使用する電子機器を提供することを
課題の一とする。

または、本発明の一態様は、身体に装着して使用する表示装置を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様は、腕に装着して使用する表示装置を提供することを
課題の一とする。

または、本発明の一態様は、身体の一部に装着して使用する蓄電装置を提供することを
課題の一とする。または、本発明の一態様は、腕に装着して使用する蓄電装置を提供する
ことを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、支持体と、表示部と、を有し、支持体は曲面を有し、表示部は、支
持体上に設けられ、表示部は、上面と、上面の少なくとも一つの辺に接する側面と、を有
し、該側面は、曲面を有し、上面には第１の表示領域が設けられ、該側面には第２の表示
領域が設けられ、第１の表示領域と、第２の表示領域と、は連続して設けられる電子機器
である。また、上記構成において、該側面は、円柱または楕円柱の側面の一部を有するこ
とが好ましい。

または、本発明の一態様は、支持体と、表示部と、を有し、支持体は曲面を有し、前記
表示部は、前記支持体上に設けられ、前記表示部は、筐体を有し、筐体は、上面と、上面
の少なくとも一つの辺に接する側面と、を有し、上面には第１の表示領域が設けられ、該
側面には第２の表示領域が設けられ、該側面は、曲面を有し、第１の表示領域と、第２の
表示領域と、は連続して設けられる電子機器である。また、上記構成において、第１の側
面は、円柱または楕円柱の側面の一部を有することが好ましい。

また、上記構成において、支持体は、帯状の領域を有し、支持体の帯状の領域の幅は、
表示部の幅よりも小さいことが好ましい。

また、上記構成において、電子機器は筐体を有し、表示部は、筐体の外側に接すること
が好ましい。

また、上記構成において、支持体が筒状体に装着する機能を有することが好ましい。

また、上記構成において、電子機器は、支持体に接して使用者の腕に装着することが好
ましい。

本発明の一態様により、新規な電子機器を提供することができる。また、本発明の一態
様により、新規の形態を有する電子機器を提供することができる。

または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。または、本
発明の一態様により、新規の形態を有する表示装置を提供することができる。

また、本発明の一態様により、身体の一部に装着して使用する電子機器を提供すること
ができる。また、本発明の一態様により、腕に装着して使用する電子機器を提供すること
ができる。

また、本発明の一態様により、身体の一部に装着して使用する蓄電装置を提供すること
ができる。また、本発明の一態様により、腕に装着して使用する蓄電装置を提供すること
ができる。

または、本発明の一態様により、身体に装着して使用する表示装置を提供することがで
きる。または、本発明の一態様により、腕に装着して使用する表示装置を提供することが
できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様の電子機器を示す斜視図、上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図、上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図および上面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図および上面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図および上面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図。 本発明の一態様を示す図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図、上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図、上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図。 本発明の一態様の電子機器を示す斜視図、上面図および断面図。 本発明の一態様の電子機器の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様の表示部の一例を示す図。 本発明の一態様を示す図。 実施の形態に係る、表示パネルの構成例。 実施の形態に係る、表示パネルの構成例。 実施の形態に係る、表示パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、表示パネルの一例を示す図。 本発明の一態様を示す斜視図。 本発明の一態様の蓄電池の外観を示す図。 本発明の一態様の蓄電池の断面図。 面の曲率半径を説明する図。 フィルムの曲率半径を説明する図。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であ
れば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈
されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に
応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電
膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という
用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置
されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略
平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態
をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、
二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。

また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表
す。

なお、本明細書中において、表示パネル（表示装置）にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆ
ｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒ
ｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板
が設けられたモジュール、または表示素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、表示装置を含
む場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器１００の一例を示す。

図１（Ａ）は、電子機器１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、電子機器１００の上面
図である。図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ‐Ｂの断面を、図１（Ｄ）は、図
１（Ｂ）に示す一点鎖線Ｃ‐Ｄの断面を、それぞれ示す。図１（Ｂ）において一点鎖線Ａ
‐Ｂと一点鎖線Ｃ‐Ｄは、およそ垂直の関係にある。

電子機器１００は、表示部１０２と、支持体１２５と、を有する。また、電子機器１０
０は、筐体１２６を有してもよい。

図１（Ｃ）および（Ｄ）に示すように表示部１０２は、例えば筐体１２６の外側に接して
設けられる。また、表示部１０２が筐体１２６の外側に接して設けられる場合に、さらに
表示部１０２の外側に接して第２の筐体を設けてもよい。または、表示部１０２上に保護
カバーなどを設けてもよい。

表示部１０２は、可撓性を有するフィルム上に表示領域を有する。表示領域には発光素
子が設けられる。また、表示部１０２は、可撓性を有するフィルム上に一つまたは複数の
駆動回路を有してもよい。

図１（Ａ）および図１（Ｃ）に示すように、表示部１０２は上面と、上面の少なくとも
一つの辺と接する第１の側面と、を有する。また、第１の側面は曲面を有する。また、電
子機器１００は、曲面を有し第１の側面と概略向かい合う、第２の側面を有してもよい。
また、表示部１０２は上面の一部と向かい合う裏面を有してもよい。

第１の側面および第２の側面は、例えば円柱または楕円柱の側面の一部の形状を有して
もよい。また、第１の側面および第２の側面は、例えば曲率半径が連続的に変化する曲面
を有してもよい。また、側面の形状が、上面から側面や、側面から下面にかけて接線の傾
きが連続して変化するような曲面を有することが好ましい。また、第１の側面および第２
の側面は、例えば上面と側面や、側面と下面との間に角部を有さず、これらの面が連続し
ていることが好ましい。

また特に第１の側面および第２の側面の形状が、平面を伸縮することなく変形させて得
られる可展面を有していることが好ましい。

ここで、電子機器１００の表示部１０２が２つの側面を有する例について説明したが、
表示部１０２は３つ以上の側面を有してもよい。

また、図１（Ａ）において、表示部１０２が有する第１の側面の凸部は、支持体１２５
が有する曲面の凸部と、例えば概略垂直である。また、図１（Ｃ）において、第１の側面
および第２の側面は、例えば一点鎖線Ａ‐Ｂに概略垂直な面を有する。

また、図１（Ｃ）に示すように、電子機器１００は回路基板１０６と、回路基板１０７
と、を有することが好ましい。回路基板１０６および回路基板１０７は、筐体１２６の内
部に位置することが好ましい。

回路基板１０６として、例えば、可撓性を有する樹脂フィルムに配線が設けられる、Ｆ
ＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）を用いることができる。回路基板１０６は、例えば表示部が有する駆動回路に電気的
に接続されることが好ましい。

回路基板１０７は、例えば電子機器１００が蓄電池を有する場合に、該蓄電池と電気的
に接続することが好ましい。また、回路基板１０７は、例えば蓄電池から給電するための
コンバータ回路が設けられることが好ましい。

表示部１０２は、表示パネルを有する。また、表示部１０２は、その表面にタッチセン
サを有することが好ましい。

また、表示部１０２が有するタッチセンサとしては、例えばシート状の静電容量方式
のタッチセンサを表示パネルに重ねて設ける構成とすればよい。静電容量方式としては、
表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

または、タッチセンサとして表示パネル自体にタッチセンサの機能を持たせたいわゆる
インセル型のタッチパネルを用いてもよい。インセル型のタッチパネルとしては、静電容
量方式のタッチセンサを適用してもよいし、光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサ
を適用してもよい。

図１（Ｄ）に示すように、表示部１０２および筐体１２６は支持体１２５上に設けられ
ることが好ましい。

電子機器１００は、例えば人体等の腕に装着して使用することができる。図１（Ａ）お
よび（Ｄ）に示すように電子機器１００が有する支持体１２５は、例えば腕に沿う形状と
することが好ましい。また、電子機器１００はロボット等の腕に装着してもよい。ここで
ロボットの一例として、作業用のロボット、装置に付随するロボット、ヒト型ロボット、
等が挙げられる。電子機器１００が支持体１２５を有することにより、電子機器１００を
人体等の部位に装着した時に、位置がずれにくい。また、支持体１２５を有することによ
り位置が固定される。

また、支持体１２５は、丸みを帯びた形状であることが好ましい。支持体１２５は、例
えば曲面に沿うような形状を有することが好ましい。また、支持体１２５は、例えば楕円
柱の側面に沿う形状を有することが好ましい。また、例えば、アーチ形状や、アルファベ
ットの「Ｃ」のような形状、楕円状、あるいは楕円が一部切れたような形状、をその一部
に有してもよい。このように丸みを帯びた形状を有することにより、腕などの身体への装
着性が向上する。また、腕の形に合わせて電子機器１００が腕を覆うことができる。また
、支持体１２５は、四角形の３辺に沿う断面形状を有してもよい。

支持体１２５は、例えば筒状体に沿う形状を有してもよい。また、支持体１２５は、例
えば円柱、楕円柱、角柱に沿う形状を有してもよい。または、支持体１２５は、円錐や角
錐等の錐に沿う形状を有してもよい。

また、支持体１２５は、筒状体に装着する機能を有することが好ましい。ここで筒状体
の例として、例えば柱状や錐状、あるいは側面の向きが連続的に変化する筒、などが挙げ
られる。

また、支持体１２５は可撓性を有することが好ましい。支持体１２５が可撓性を有する
ことにより、例えば腕に装着および脱着しやすくなる。また、支持体１２５は電子機器１
００の装着や脱着の際に、断面の形状において曲率半径の大きい領域がほとんど変形せず
、端部が撓む形状とすることが好ましい。

筐体１２６は、例えば可撓性を有してもよい。筐体１２６が可撓性を有することにより
、表示部１０２を例えば図１（Ｄ）に示すＣ−Ｄ方向に曲げることができる場合がある。
表示部１０２を曲げることにより、例えば腕に装着および脱着する際に、表示部１０２の
破壊が起こりにくくなる場合があり、好ましい。

筐体１２６として、例えばガラス、石英、プラスチック、可撓性の板、樹脂を用いた貼
り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラスの一例
としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガ
ラスなどがある。可撓性の基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては
、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロ
エチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリ
ル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポ
リフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、
ポリイミド、アラミド、エポキシ、又は無機蒸着フィルムなどがある。また、金属、ステ
ンレス・スチル、ステンレス・スチル・ホイルを有する板、タングステン、タングステン
・ホイルを有する板、紙類又は半導体（例えば単結晶又はシリコン）などを用いてもよい
。

支持体１２５に用いることができる材料として、例えば筐体１２６に用いることができ
る材料の記載を参照してもよい。

図１（Ｃ）に示す断面の変形例を図２に示す。図１（Ｃ）では表示部の側面の断面が半
円状であったのに対し、図２（Ａ）は、表示部の側面の断面が４分の１円に沿う形状を有
するる例を示す。また、図２（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、表示部の側面の一方が平
面であり、他方が曲面であってもよい。図２（Ｂ）では曲面を有する側面は半円に沿う断
面を有し、図２（Ｃ）では曲面を有する側面は４分の１円に沿う断面を有する。

図３（Ａ）は電子機器１００の斜視図である。図３（Ｂ）は、電子機器１００の上面図
である。図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ‐Ｂの断面を、図３（Ｄ）は、図３
（Ｂ）に示す一点鎖線Ｃ‐Ｄの断面を、それぞれ示す。図３（Ａ）に示す電子機器１００
は、表示部１０２と、筐体１２６と、支持体１２５と、を有する。表示部１０２は、曲面
を有する第１の側面を有する。また、電子機器１００は、曲面を有し第１の側面と概略向
かい合う、第２の側面を有してもよい。図１（Ａ）に示す電子機器１００と比較して、図
３（Ａ）は上面から見た表示部１０２の向きが例えば９０°異なる。また、図３（Ｄ）に
おいて、例えば第１の側面および第２の側面は、一点鎖線Ｃ‐Ｄに概略垂直な面を有する
。

図１（Ａ）や図３（Ａ）に示すように、表示部１０２は、例えば概略四辺形の上面と、
上面の向かい合う２辺に接する第１の側面および第２の側面を有する。

ここで上面を表示領域１５１、第１の側面を表示領域１５２、第２の側面を表示領域１
５３とし、複数の表示領域を設けることが好ましい。

また、表示領域１５２は、第１の側面と、第１の側面と隣接する上面と表示部１０２の
裏面との２つの面にわたって設けられてもよい。また、表示領域１５３は、第２の側面と
、第２の側面と隣接する上面と下面との２つの面にわたって設けられてもよい。

このような構成とすることで、従来の電子機器のように表示部１０２の上面にのみ表示
するのではなく、側面にも表示を行うことが可能となる。特に、表示部１０２の２以上の
側面に沿って表示領域を設けると、表示の多様性がより高まるため好ましい。

表示部１０２の上面に設けられる表示領域１５１と、側面に沿って配置された各表示領
域は、それぞれ独立な表示領域として用いて異なる画像等を表示してもよいし、いずれか
２つ以上の表示領域にわたって一つの画像等を表示してもよい。例えば、表示部１０２の
上面に設けられた表示領域１５１に表示する画像を、表示部１０２の側面に沿って設けら
れる表示領域１５２等に連続して表示してもよい。

また、電子機器の表示部１０２において、曲面を有する第１の側面および第２の側面に
表示領域が設けられることにより、表示部１０２の上面のみに表示領域が設けられる場合
と比較して、表示部１０２が有する表示領域の表面積を広くすることができる。ここで、
例えば図１（Ｂ）に示すように、表示部１０２の表示領域の幅２０１は、支持体１２５の
幅２０２よりも広いことが好ましい。また、図１（Ｂ）において、表示部１０２の上面の
幅は、支持体１２５の幅とおおよそ一致している。このように表面積を広くすることによ
り、より多くの情報を表示することができる。また、第１の側面に設けられる表示領域を
、より広範囲から視認することができるため、視認性が向上する。

図１（Ｂ）および（Ｃ）に示す構造の変形例を、図４（Ａ−１）および（Ｂ−１）に示
す。図４（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、表示部１０２の幅２０１は、支持体１２
５の幅２０２よりも広い。また、表示部１０２の上面の幅２０３は、支持体１２５の幅２
０２よりも狭い。

図１（Ｂ）および（Ｃ）に示す構造の別の変形例を、図４（Ａ−２）および（Ｂ−２）
に示す。図４（Ａ−２）および（Ｂ−２）において、表示部１０２の幅２０１は、支持体
１２５の幅２０２よりも広い。また、表示部１０２の上面の幅２０３は、支持体１２５の
幅２０２よりも広い。ここで、表示部１０２の上面の幅２０３が支持体１２５の幅よりも
広くすると、例えば腕に装着する場合に腕の一部に触れやすくなる場合がある。このよう
な場合においても、表示部１０２の側面は曲面を有し、丸みを帯びているため、高い装着
性を実現することができる。

図５に、図１および図２に示した電子機器１００が有する表示部１０２の使用状態の例
を示す。図５（Ａ）では、表示部１０２の上面に設けられる表示領域１５１には、画像情
報１６７や文字情報１６２、およびアプリケーション等に関連付けられた複数のアイコン
１６１などを表示している。表示部１０２の側面に設けられる表示領域１５２には、アプ
リケーション等に関連付けられたアイコン１６１などを表示している。また、表示領域１
５２に電子機器１００の電源操作のためのボタンや、画面のロックや起動を行うためのボ
タン等を設けることが好ましい。これらのボタンは、タッチセンサにより操作できること
が好ましい。タッチセンサにより操作できるボタンを用いることにより、メカニカルボタ
ン（物理的に設けられたボタン）を設ける場合と比較して、ボタン部分及びボタンに接続
する周辺部分が占める体積を、より小さくすることができる。よって、電子機器１００の
厚さを、より薄くすることができるため好ましい。電子機器１００を薄くすることにより
、例えば腕などへの装着性を向上することができる。また、電子機器１００は、タッチセ
ンサにより操作できるボタンと、メカニカルボタンと、の両方を有してもよい。

また、例えば電話の着信時やメールの受信時などに、表示領域１５１だけでなく表示領
域１５２などの側面に沿って設けられる表示領域に、発信者情報（例えば発信者の名前、
電話番号、メールアドレス等）を表示する構成としてもよい。図５（Ａ）では、メールの
受信時に発信者情報が表示領域１５２に流れるように表示されている場合の例を示してい
る。

また、図５（Ｂ）に示すように、表示領域１５１乃至表示領域１５３に連続して画像情
報１６７やアイコン１６１等を表示してもよい。表示領域１５１乃至表示領域１５３を連
続した表示領域として用いることにより、表示領域をより広く用いることができる。よっ
て、例えば、表示領域１５１のみを用いて画像情報１６７などを表示する場合と比較して
、また表示領域をより広い角度から視認することができるため、視認性が向上する。また
、より迫力のある画像情報とすることができる。

また、表示部１０２の表示領域として円形、または楕円形の表示領域を用いてもよい。
図６（Ａ）は、筐体１２６に設置する前の表示部１０２の上面図を示す。図６（Ｂ）乃至
（Ｆ）は、円形の表示領域を有する表示部１０２を設けた電子機器１００を示す。図６（
Ｂ）乃至（Ｆ）のうち、図６（Ｄ）は円形の表示領域が３つの表示領域（表示領域１５１
、表示領域１５２および表示領域１５３）を有する例を示し、その他の図は円形の表示領
域は２つの表示領域（表示領域１５１および表示領域１５２）を有する例を示す。表示領
域１５２および表示領域１５３は、曲面を有する。図６（Ｂ）では上面と上面の右辺に接
する曲面を有する側面に、図６（Ｃ）では上面と上面の左辺に接する曲面を有する側面に
、図６（Ｄ）では上面と上面の左辺および右辺に接する曲面を有する側面に、図６（Ｅ）
では上面と上面の下辺に接する曲面を有する側面に、図６（Ｆ）では上面と上面の上辺に
接する曲面を有する側面に、表示領域が設けられる例を示す。

また、電子機器を使用しない待機時間において、表示部１０２の上面に沿って設けられ
る表示領域１５１の表示をオフ（例えば黒表示）とし、側面に沿って設けられる表示領域
１５２等にのみ情報を表示するようにしてもよい。他に比べて面積の大きい表示領域１５
１の表示を行わないようにすることで、待機時の消費電力を低減することができる。

なお、電子機器１００において、表示領域１５３を設けなくてもよい。

また、電子機器１００はボタンを有してもよい。図７（Ａ）は、図１（Ａ）に示す電子
機器１００がボタン１２８を有する例を示す。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す電子機器
１００の上面図を示す。また、図７（Ｃ）、（Ｄ）は図７（Ａ）、（Ｂ）にて破線で囲ん
だ領域の拡大図をそれぞれ示す。図７（Ａ）乃至（Ｄ）に示すボタン１２８は、押しボタ
ンの一例を示すが、ボタンの形状及び機能は、これに限らない。

図８（Ａ）は、図２（Ａ）に示す電子機器１００がボタン１２８を有する例を示す。図
８（Ｂ）は、図８（Ａ）の上面図を示す。図８に示すように、電子機器１００はボタン１
２８を側面に有してもよい。ボタン１２８として、例えば前述のメカニカルボタンを用い
てもよい。

また、図２（Ａ）に示す電子機器１００の変形例を、図９に示す。図９では、曲面を有
する第１の側面の一部、ここでは上側の約半分に切欠きを設け、その領域にボタン１２８
を設ける例を示す。

図１０（Ａ）は、電子機器１００を腕に装着する例を示す。また、図１０（Ｂ）は、図
１０（Ａ）において、電子機器１００の破線で囲まれた領域の拡大図を示す。

例えば、表示領域１５２に前述のメール受信時の発信者情報等を表示することにより、
視認しやすい。

また、例えば図１０（Ｂ）に示すように表示領域１５３を照明として用いてもよい。

図１および図３に示す電子機器１００が有する表示部１０２は、筐体１２６の外側に少
なくとも一部が接する例を示す。ここで、図１１に示すように、表示部１０２を筐体１２
６の内側に設けてもよい。表示部１０２を筐体１２６の内側に設ける場合には、筐体１２
６は透光性を有することが好ましい。

図１１（Ａ）は電子機器１００の斜視図である。図１１（Ｂ）は、電子機器１００の上
面図である。図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ‐Ｂの断面を、図１１（Ｄ
）は、図１１（Ｂ）に示す一点鎖線Ｃ−Ｄの断面を、それぞれ示す。電子機器１００は表
示部１０２と、筐体１２６と、回路基板１０６と、回路基板１０７と、を有する。表示部
１０２は、曲面を有する第１の側面を有する。また、電子機器１００は、曲面を有し第１
の側面と概略向かい合う、第２の側面を有してもよい。図１１（Ｃ）および（Ｄ）に示す
ように、表示部１０２は少なくともその一部が筐体１２６の内側に位置する。また、回路
基板１０６および回路基板１０７は、筐体１２６の内側に位置することが好ましい。また
、回路基板１０６は表示部１０２と電気的に接続することが好ましい。

表示部１０２を筐体１２６の内側に設けることにより丈夫な構成とすることができ、落
下や衝突により表示部１０２が他の物体とぶつかった場合に壊れにくい場合がある。

また、図１２（Ａ）は、電子機器１００の斜視図である。図１２（Ｂ）は、電子機器１
００の上面図である。図１２（Ｃ）は、図１２（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ‐Ｂの断面を、図
１２（Ｄ）は、図１２（Ｂ）に示す一点鎖線Ｃ‐Ｄの断面を、それぞれ示す。図１２（Ａ
）において、表示部１０２は概略四辺形の上面を有し、上面の有する４つの辺に接する第
１の側面乃至第４の側面を有する。第１の側面乃至第４の側面は、曲面を有する。また、
第１の側面および第２の側面は例えば図１２（Ｃ）に示すように、一点鎖線Ａ‐Ｂに概略
垂直な面を有し、第３の側面および第４の側面は例えば図１２（Ｄ）に示すように、一点
鎖線Ｃ‐Ｄに概略垂直な面を有してもよい。このように上面、第１乃至第４の側面にそれ
ぞれ表示領域を設けると、表示の多様性がより高まるため好ましい。

電子機器１００が有する複数の表示領域にわたって、文字情報１６４などが流れる（移
動する）ように表示することもできる。このように表示部１０２の２面以上にわたって表
示を行うことで、電子機器の向きによらず、例えば着信時などにおいてユーザが情報を見
逃してしまうことを防止することができる。

ここで、図１３に示す例のように、電子機器１００において、支持体１２５が対をなす
２つの構造体を有し、２つの構造体が筐体１２６を挟んで向かい合うように位置してもよ
い。図１３（Ａ）は電子機器１００の上面図を示し、図１３（Ｂ）および（Ｃ）は、図１
３（Ａ）に一点鎖線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄで示す断面である。また、図１３（Ｄ）は電子機
器１００の上面図を示し、図１３（Ｅ）および（Ｆ）は、図１３（Ｄ）に一点鎖線Ａ−Ｂ
およびＣ−Ｄで示す断面である。図１３（Ａ）乃至（Ｃ）では、支持体１２５が筐体１２
６の下面に接して設けられる例を示す。また、図１３（Ｄ）乃至（Ｆ）は、支持体１２５
が筐体１２６の側面に接して設けられる例を示す。

ここで電子機器１００が有する支持体１２５は、例えば、ベルト状の形状を有してもよ
い。また図１４（Ａ）に示す斜視図の例のように、ベルト状の支持体１２５は、高い柔軟
性を有してもよい。例えば、支持体１２５が筐体１２６よりも高い柔軟性を有することが
好ましい。高い柔軟性を有することにより、例えば腕に装着する際に、支持体１２５と腕
との隙間を小さくし、装着性を高めることができる。また、図１４（Ｂ）に示す斜視図の
ように鎖状としてもよい。鎖状とすることにより、変形しやすく、装着性を高めることが
できる。

図１５（Ａ）に電子機器１００の斜視図の一例を示す。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）
に示す電子機器１００の上面図を示す。図１５（Ｃ）は、図１５（Ｂ）に一点鎖線Ａ−Ｂ
で示す断面を、図１５（Ｄ）は、図１５（Ｂ）に示す破線で囲まれた領域の拡大図を示す
。図１５（Ｂ）に示す例において、電子機器１００の断面は、アーチ状である。表示部１
０２は、アーチ状の断面を有する表示領域１５１と、表示領域１５１に隣接して位置し、
表示部１０２の側面から裏面にかけて曲面を有する表示領域１５２と、を有する。ここで
、裏面とは、例えばアーチ状の断面を有する表示領域１５１と向かい合って位置する面で
ある。

なお、図１５においては表示部１０２の片側の側面のみに表示領域を設けたが、両側の
側面に表示領域を設けてもよい。例えば、表示領域１５１に隣接し、表示領域１５２と向
かい合う第３の表示領域を設けてもよい。

また、図１５（Ｄ）に示すように、電子機器１００は表示部１０２に電気的に接続する
回路基板１０６と、回路基板１０６に電気的に接続する回路基板１０７と、回路基板１０
７に電気的に接続する蓄電池１０８と、を有することが好ましい。

ここで、蓄電池１０８として、例えば外装体にラミネートフィルムを用いた薄型の蓄電
池を用いることができる。可撓性を有するラミネートフィルムを外装体に用いることによ
り、可撓性を有する蓄電池１０８とすることができる。また、蓄電池１０８として、コイ
ン型（またはボタン型）の蓄電池、角型の蓄電池、円筒型の蓄電池等を用いることができ
る。図１５（Ｄ）では、蓄電池１０８として可撓性を有する薄型の蓄電池を用いる例を示
している。

また、図１乃至図１４に示す電子機器１００等の例においても、電子機器１００は蓄電
池を有することが好ましい。該蓄電池としては、蓄電池１０８の記載を参照すればよい。
ここで、蓄電池１０８として、可撓性を有する薄型の蓄電池をもちいることにより、ここ
で、蓄電池１０８として、可撓性を有する薄型の蓄電池をもちいることにより、表示部１
０２や、筐体１２６等の曲面に合わせて蓄電池を配置することができる。また、蓄電池１
０８は可撓性を有するため、変形することが容易である。他の部品、例えば回路基板１０
６や回路基板１０７等を配置した後に、空いたスペースに合わせて変形して蓄電池１０８
を配置することができる。よって、電子機器１００の厚さを薄くすることができる場合が
あり、好ましい。

次に、図１６を用いて電子機器１００の作製方法の一例を説明する。図１６（Ａ−１）
乃至（Ａ−３）は図１（Ｃ）に示す断面を、図１６（Ｂ−１）乃至（Ｂ−３）は図１（Ｄ
）に示す断面を、作製する方法を示す。

まず図１６（Ａ−１）および（Ｂ−１）に示すように、表示部１０２と、筐体１２６と
、を準備する。ここで筐体１２６が開口部を有する例を示すが、筐体１２６は開口部を有
さなくてもよい。筐体１２６は、図１６（Ａ−１）に示す断面において丸み１３６を有す
る。表示部１０２には、回路基板１０６が接続されている。また、表示部１０２は可撓性
を有する。可撓性を有する表示部１０２の作製方法については後述する。

次に、図１６（Ａ−２）および（Ｂ−２）に示すように、Ａ−Ｂ方向に沿って筐体１２
６の外側に表示部１０２を巻き付けるように設ける。ここで、例えば筐体１２６と表示部
１０２との間に接着層を設け、筐体１２６の外側に表示部１０２を接着してもよい。丸み
１３６を有する筐体１２６の外側に接するように表示部１０２を設けることにより、側面
に曲面を有する表示部１０２を形成することができる。

次に、筐体１２６の外側に設けられた表示部１０２を、曲面を有する支持体１２５上に
設ける。ここで、例えば表示部１０２と、支持体１２５との間に接着層を設け、表示部１
０２と支持体１２５とを接着してもよい。

以上に示す工程により、図１乃至図１５に示す電子機器１００を作製することができる
。

また、図１５（Ａ）に示す電子機器１００に表示部１０２を設ける場合について、図１
７を用いて更に詳細に説明する。図１７（Ａ）は表示部１０２の上面図である。表示部１
０２は、表示領域１５１と、表示領域１５２と、を有することが好ましい。曲面を有する
表示領域１５２を設ける際に、側面が曲面を有する筐体１２６を準備し、筐体１２６の側
面に沿うように表示部１０２を変形させればよい。また、例えば表示部１０２において、
図１７（Ｂ）に示すように、表示領域１５２を設ける領域に切れ目１３５を設けてもよい
。切れ目１３５を設けることにより、表示領域１５２に皺などが発生しにくくなる場合が
あり、好ましい。

次に、電子機器１００の装着例を示す。図１８（Ａ）は、電子機器１００を腕の上部に
装着する例を示す。また、図１８（Ｂ）は、腕章型デバイスである電子機器１００の例を
示す。

電子機器１００に表示部１０２を設ける場合の画面サイズについて説明する。例えば、
手首に装着する場合、成人の手首付近の腕回りは１８ｃｍ±５ｃｍであるので、画面サイ
ズは最大で腕回りの２３ｃｍ×手首から肘までの距離が好ましい。また、成人の手首から
肘までの距離は１フィート（３０．４８ｃｍ）以下であり、例えば円筒状の支持体１２５
に配置できる２３ｃｍ×３０．４８ｃｍが腕装着型の電子機器１００の表示部の最大の画
面サイズといえる。なお、ここでいう画面サイズは、曲面を有する状態でのサイズではな
く、平坦な画面とした場合のサイズを指す。また、複数の表示部を一つの電子機器に設け
てもよく、例えば第１の表示部よりも小さい第２の表示部を有する電子機器としてもよい
。支持体１２５の寸法は、表示部の画面サイズよりも大きいものを用いる。ＥＬ素子を用
いた場合、画面サイズが支持構造体上に配置できるサイズであれば、表示部１０２と回路
基板１０６との合計重量は１ｇ以上１０ｇ未満とすることができる。

また、表示部１０２が設けられた電子機器１００の最も薄い部分は、５ｍｍ以下とする
ことができる。また、電子機器１００の最も厚い部分は、表示部１０２と回路基板１０６
との接続部分であるが、１ｃｍ未満とすることができる。

また、電子機器１００の総重量は１００ｇ未満とすることができる。

［表示パネルの構成例］
次に、表示部１０２が有する表示パネルの構成例について、図面を参照して説明する。

図１９（Ａ）は、以下で例示する表示パネル１１０の上面概略図である。表示パネル１
１０は可撓性を有する基板１２０を備え、基板１２０上に形成された複数の画素を有する
。表示パネル１１０は、第１の表示領域１１１、第２の表示領域１１２、第３の表示領域
１１３および第４の表示領域１１４を有する。なお、ここでは明瞭化のため、各表示領域
のハッチングパターンを異ならせて明示している。表示領域１１１乃至表示領域１１４は
、基板１２０に連続して設けられる。表示領域１１１乃至表示領域１１４において、２つ
以上の表示領域に渡って連続する画像が表示されてもよい。

第１の表示領域１１１は、その輪郭が四辺形の形状を有する。第２の表示領域１１２は
、第１の表示領域１１１の輪郭を形成する４辺のうち一辺（第１の辺１３１）に接して設
けられている。第１の表示領域１１１と第２の表示領域１１２のそれぞれの第１の辺１３
１に平行な方向における幅は一致していることが好ましい。第３の表示領域１１３は、上
記第１の辺１３１に接する第２の辺１３２に接して設けられている。第１の表示領域１１
１と第３の表示領域１１３の第２の辺１３２に平行な方向の幅は一致していることが好ま
しい。また、第１の辺１３１と第２の辺１３２とが成す角（第１の角）に、第２の表示領
域１１２の角部の一つと、第３の表示領域１１３の角部の一つとがそれぞれ一致している
ことが好ましい。

また、図１９（Ａ）中に示すように、第１の辺１３１と第２の辺１３２とが成す第１の
角を挟んで第１の表示領域１１１と対向する領域において、基板１２０に切欠き部１３８
を有している。このように切欠き部１３８を設けることにより、第２の表示領域１１２と
第３の表示領域１１３とをそれぞれ異なる向きに湾曲させることが可能となる。

また、図１９（Ａ）では、第１の辺１３１と対向する第３の辺１３３に接して、第４の
表示領域１１４を設ける構成を示している。第４の表示領域１１４の角部の一つは、第２
の辺１３２と第３の辺１３３とが成す第２の角に一致していることが好ましい。第２の角
を挟んで第１の表示領域１１１と対向する領域において、基板１２０には上記切欠き部１
３８と同様の切欠き部を有する。このような構成とすることで、第４の表示領域１１４を
第３の表示領域１１３とは異なる向きに湾曲させることができる。

また、基板１２０の一部には、画素を駆動するための信号や電力を供給するＦＰＣ１０
３を備える。図１９（Ａ）では、ＦＰＣ１０３上にＣＯＦ法によって実装されたＩＣ１０
４を備える構成を示しているが、ＩＣ１０４は不要であれば設けなくてもよいし、基板１
２０上にＣＯＦ法を用いて直接、ＩＣ１０４を実装する構成としてもよい。ここで、ＦＰ
Ｃ１０３の幅が、第１の表示領域１１１の幅よりも小さいことが好ましい。特に第２の表
示領域１１２および第４の表示領域１１４を湾曲させ、第１の表示領域１１１を平面状に
して用いる場合には、ＦＰＣ１０３と基板１２０との接合部が湾曲することなく、ＦＰＣ
１０３が剥がれてしまうことを抑制することができる。

図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）中の領域Ａを拡大した上面概略図である。

図１９（Ｂ）に示す構成では、第１の表示領域１１１および第２の表示領域１１２に対
して、これらに含まれる画素を駆動するための信号を出力する第１の駆動回路１４１と、
第３の表示領域１１３に対して同様の信号を出力する第２の駆動回路１４２を有する。第
１の駆動回路１４１は、第２の表示領域１１２の第１の辺１３１に対向する辺に沿って設
けられている。また、第２の駆動回路１４２は、第３の表示領域１１３の第１の辺１３１
の延伸方向の辺に沿って設けられている。また、第１の駆動回路１４１と第２の駆動回路
１４２は配線１４５によって電気的に接続され、配線１４５を介してＦＰＣ１０３から入
力される信号を第２の駆動回路１４２に供給することができる。

また、図１９（Ｃ）は、図１９（Ｂ）に示した構成とは異なる構成を示している。図１
９（Ｃ）に示す構成では、上記第１の駆動回路１４１に代えて駆動回路１４３を備える。
駆動回路１４３は、第１の表示領域１１１および第２の表示領域１１２に含まれる画素を
駆動するための信号を出力するとともに、第３の表示領域１１３に含まれる画素を駆動す
るための信号を出力することができる。駆動回路１４３から出力される信号は、配線１４
６を介して、それぞれ第３の表示領域１１３内の画素に電気的に接続される配線に出力す
ることができる。

第１の駆動回路１４１、第２の駆動回路１４２および駆動回路１４３は、例えばゲート
駆動回路またはソース駆動回路のいずれか一として機能する回路を用いることができるが
、ゲート駆動回路を適用することが好ましい。その場合、ＩＣ１０４はソース駆動回路と
しての機能を有することが好ましい。

なお、ここでは基板１２０上に駆動回路を備えるいわゆるドライバ一体型の表示パネル
の構成を示したが、駆動回路を備えない構成としてもよい。

このように、第３の表示領域１１３に含まれる画素を駆動するための信号を出力する第
２の駆動回路１４２、または当該画素を駆動するための信号を供給する配線１４６を、第
３の表示領域１１３の一辺に沿って設けることで、切欠き部１３８の面積を大きくするこ
とが可能となり、表示パネル１１０の表面積に対する非表示部の面積を低減することがで
きる。また、第３の表示領域１１３を第２の辺１３２に平行な方向に湾曲させる場合、図
１９（Ｃ）に示すように湾曲部に駆動回路を設けない構成とすることが好ましい。湾曲に
伴って駆動回路内のトランジスタなどの半導体素子の電気的特性がその応力により変化し
てしまう恐れがあるため、このような構成とすることで、駆動回路からの出力信号が不安
定になってしまうことを回避できる。

なお、図１９では第１乃至第４の表示領域を備える構成について示したが、第１乃至第
３の表示領域を備える構成としてもよいし、第５の表示領域１１５を備える構成とするこ
とができる。図２０（Ａ）では、第５の表示領域１１５を有する場合の上面概略図を示し
ている。第５の表示領域１１５と第２の表示領域１１２との間の配線や駆動回路の構成は
、図１９（Ｂ）または図１９（Ｃ）と同様の構成を用いればよい。

また図２０（Ｂ）ではＦＰＣ１０３ａを設ける構成の例を示している。ＦＰＣ１０３ａ
は、例えば上記で例示した各駆動回路に信号や電力を供給する機能を有する。なお、表示
パネル１１０が駆動回路を設けない場合には、ＦＰＣ１０３ａにＣＯＦ方式等でＩＣを実
装してもよい。

ここで、表示パネル１１０に設けられる各表示領域が備える画素や、各駆動回路に用い
られるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特
にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリ
コンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、ト
ランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは
亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される
酸化物を含む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の
高いトランジスタを実現できる。

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

なお、半導体層に適用可能な酸化物半導体の好ましい形態とその形成方法については、
後の実施の形態で詳細に説明する。

また、本発明の一態様の電子機器は、表示装置の他に、他の半導体回路、例えば過充電
を防止するための制御回路や、撮像素子、ジャイロセンサー、加速度センサーなどのセン
サー、タッチパネルなどを具備させてもよい。また、人体の一部に接して脈拍や、表面温
度、血中酸素濃度などを測定するセンサー等を具備させてもよい。例えば、表示装置の他
に撮像素子を搭載することで撮影した画像を表示装置に表示することができる。また、ジ
ャイロセンサーや、加速度センサーなどのセンサーを搭載することで腕装着型電子機器の
向きや動きによってオン状態とオフ状態を切り替えて省電力化を図ることができる。また
、タッチパネルを搭載することで、タッチパネルの所望の位置をタッチすることで電子機
器の操作や、情報の入力を行うことができる。また、上記構成において、表示装置の他に
メモリや、ＣＰＵを搭載することでウェアラブルコンピュータを実現することもできる。

また、本発明の一態様の電子機器を腕装着型電子機器の表示部として用い、従来の携帯
情報端末の表示部との両方を用いることで、本発明の一態様の電子機器をサブディスプレ
イとしても機能させることができる。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルの具体例について説
明する。

［具体例１］
図２１（Ａ）に表示パネルの平面図を示し、図２１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２
間の断面図の一例を図２１（Ｃ）に示す。具体例１で示す表示パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたトップエミッション型の表示パネルである。本実施の形態において、表示パ
ネルは、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構
成や、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）、またはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特
に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ
などで構成されてもよい。

図２１（Ａ）に示す表示パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅ
ｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動
回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び封止層
８２３によって封止されている。

図２１（Ｃ）に示す表示パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数の
トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８
２１、封止層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４
３、接着層８４１、及び基板８０３を有する。封止層８２３、オーバーコート８４９、絶
縁層８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重な
る遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で
覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は封止層８２３で充填されて
いる。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図２１（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、
１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層
８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層
８４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、ス
タート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図２１（Ｃ）に示す表示パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体
８２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及
び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８
２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７
は電気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口
する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦ
ＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる表示パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５
及び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に
絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる表示パネルを
示している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかける
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１や基板８０３へと転置
することで、信頼性の高い表示パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い表示パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。

［具体例２］
図２１（Ｂ）に表示パネルの平面図を示し、図２１（Ｂ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４
間の断面図の一例を図２１（Ｄ）に示す。具体例２で示す表示パネルは、具体例１とは異
なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の表示パネルである。ここでは
、具体例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図２１（Ｄ）に示す表示パネルは、図２１（Ｃ）に示す表示パネルと下記の点で異なる
。

図２１（Ｄ）に示す表示パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペー
サ８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図２１（Ｄ）に示す表示パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。
接続体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶
縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して
導電層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の
材料が制限されない。

［具体例３］
図２２（Ａ）に表示パネルの平面図を示し、図２２（Ａ）における一点鎖線Ａ５−Ａ６
間の断面図の一例を図２２（Ｃ）に示す。具体例３で示す表示パネルは、塗り分け方式を
用いたトップエミッション型の表示パネルである。

図２２（Ａ）に示す表示パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を
有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８
０１、基板８０３、枠状の封止層８２４、及び封止層８２３によって封止されている。

図２２（Ｃ）に示す表示パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数の
トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８
２１、封止層８２３、枠状の封止層８２４、及び基板８０３を有する。封止層８２３及び
基板８０３は可視光を透過する。

枠状の封止層８２４は、封止層８２３よりもガスバリア性が高い層であることが好まし
い。これにより、外部から水分や酸素が表示パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い表示パネルを実現することができる。

具体例３では、封止層８２３を介して発光素子８３０の発光が表示パネルから取り出さ
れる。したがって、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図２２（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、
１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。

図２２（Ｃ）に示す表示パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体
８２５は、基板８０３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開
口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続して
いる。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる表示パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い表示パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い表示パネルを実現で
きる。

［具体例４］
図２２（Ｂ）に表示パネルの平面図を示し、図２２（Ｂ）における一点鎖線Ａ７−Ａ８
間の断面図の一例を図２２（Ｄ）に示す。具体例４で示す表示パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたボトムエミッション型の表示パネルである。

図２２（Ｄ）に示す表示パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数の
トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８
１７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３
を有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、
及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層
８１７ｂ上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の
上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又は
ドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われてい
る。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過
する。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、
絶縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設けれ
ばよい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図２２（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、
２つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層
８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる表示パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い表示パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い表示パネルを実
現できる。

［具体例５］
図２２（Ｅ）に具体例１乃至４とは異なる表示パネルの例を示す。

図２２（Ｅ）に示す表示パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層
８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、封止層８２
３、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、表示パネルの外部接続電極としての機能を有し
、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下
部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１
と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに
設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は
、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０
．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、
該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３
０等を転置することで作製できる表示パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板８０１へと転置することで、信頼性
の高い表示パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり
、且つ信頼性の高い表示パネルを実現できる。

なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光
素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々
な素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素
子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）
、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子
インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ
（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素
子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッ
ター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーシ
ョン）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレ
クトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用い
た表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的または磁気的作
用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していても
よい。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放
出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ
）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた
表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶デ
ィスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレ
イ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示
装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射
型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極と
しての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アル
ミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、Ｓ
ＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減
することができる。なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤの電極や窒化物半導体の下に、グ
ラフェンやグラファイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重
ねて、多層膜としてもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより
、その上に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層などを容易に成膜
することができる。さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体層などを設けて、
ＬＥＤを構成することができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型
ＧａＮ半導体層との間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体
層は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設けることにより、ＬＥＤが
有するＧａＮ半導体層は、スパッタ法で成膜することも可能である。

［材料の一例］
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説
明した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発
光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の
厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、
ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破
損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もし
くは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しに
くい発光パネルを実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であ
ることがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、チタン、ニッケル等の金属、またはこれら金属から選ばれた一以上の金属を
含む合金を用いることができる。合金としては、例えば、アルミニウム合金もしくはステ
ンレス等を好適に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを
抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱
放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構
造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹
脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。特に、熱膨張率の低い材料を用いることが好ましく、
例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる
。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）や、無機フィラーを有機樹
脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用することもできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハード
コート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラ
ミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成
とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることが
できる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基
板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好
ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に
対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１
０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有
機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し
、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を
基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることが
できる。

接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂
、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート
等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガ
リウム等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガ
リウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタな
どの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバン
ドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャ
ップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態
における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは
亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される
酸化物を含む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の
高いトランジスタを実現できる。

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ
（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁
層８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発
光する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。

発光素子８３０として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層８３３に２種
類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発
光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができ
る。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示
す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光
物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子８３０からの発光のスペクト
ルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍから７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピーク
を有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材
料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料である
ことが好ましい。

より好ましくは、ＥＬ層８３３は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色
を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、Ｅ
Ｌ層８３３における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介
して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に分離層を設ける構
成としてもよい。

分離層は、例えば燐光発光層中で生成する燐光材料等の励起状態から蛍光発光層中の蛍
光材料等へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐ
ために設けることができる。分離層は数ｎｍ程度の厚さがあればよい。具体的には、０．
１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上５ｎｍ
以下である。分離層は、単一の材料（好ましくはバイポーラ性の物質）、又は複数の材料
（好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料）を含む。

分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これによ
り、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が
、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料（ゲスト材料）からなる場合、分離層を、該
ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光
材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、
分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような
構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。
これにより、製造コストを削減することができる。

また、発光素子８３０は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数の
ＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これに
より、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）
］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１
０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄ
ａｙ）］以下とする。

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニ
ウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、
及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミド
アミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、
低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させ
ることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、そ
の開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印
刷等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することが
できる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができ
る各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることが
できる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成と
することで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８
２７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに
用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を
用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化
物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等
）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉ
ｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を
透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラ
ーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いるこ
とができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソ
グラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光
を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光
層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、
発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含
む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部
などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるた
め好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設け
ることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オ
ーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用い
ることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料とし
て封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコ
ートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属
膜を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の
、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、
例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用
いることが好ましい。または、粒状の樹脂の表面を金属で被覆した材料を用いることが好
ましい。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることができる酸化物半導体の構造についい
て説明する。

以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。

酸化物半導体膜は、非単結晶酸化物半導体膜と単結晶酸化物半導体膜とに分けられる。
または、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けら
れる。

なお、非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化
物半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半
導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化
物半導体などがある。

まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について説明する。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである
。

透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の明視野像および回折パターンの複合解析像
（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数の結晶部を確認することができる
。一方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレイン
バウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、
結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。

試料面と略平行な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の断面の高分解能ＴＥＭ像を観察すると
、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は
、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映し
た形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。

一方、試料面と略垂直な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の平面の高分解能ＴＥＭ像を観察
すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認
できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）
装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ
膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（００９）面に帰属され
ることから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に
略垂直な方向を向いていることが確認できる。

なお、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ
法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現
れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素
、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリ
コンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸
化物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させ
る要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半
径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜
の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不
純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化
物半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによっ
てキャリア発生源となることがある。

不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性また
は実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体
膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって
、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性
（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高
純度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半
導体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタと
なる。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要
する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度
が高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定
となる場合がある。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特
性の変動が小さい。

次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。

微結晶酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる
領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体
膜に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大
きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の
微結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎ
ｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
）膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に
確認できない場合がある。

ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以
上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異な
る結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。
したがって、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付か
ない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸ
ＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶
面を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプロー
ブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）
を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対
し、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電
子回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折
を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また
、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポット
が観測される場合がある。

ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも規則性の高い酸化物半導体膜である。そ
のため、ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし
、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−
ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。

次に、非晶質酸化物半導体膜について説明する。

非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸
化物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。

非晶質酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない
。

非晶質酸化物半導体膜に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−
ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物
半導体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物
半導体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターン
が観測される。

なお、酸化物半導体膜は、ｎｃ−ＯＳ膜と非晶質酸化物半導体膜との間の物性を示す構
造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸
化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。

ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜は、高分解能ＴＥＭ像において鬆（ボイドともいう。）が観察さ
れる場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのでき
る領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜は
、ＴＥＭによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見
られる場合がある。一方、良質なｎｃ−ＯＳ膜であれば、ＴＥＭによる観察程度の微量な
電子照射による結晶化はほとんど見られない。

なお、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜およびｎｃ−ＯＳ膜の結晶部の大きさの計測は、高分解能
ＴＥＭ像を用いて行うことができる。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶は層状構造を有し
、Ｉｎ−Ｏ層の間に、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を２層有する。ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の単位格
子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に
層状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面
の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎ
ｍと求められている。そのため、高分解能ＴＥＭ像における格子縞に着目し、格子縞の間
隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所においては、それぞれの格子縞がＩｎ
ＧａＺｎＯ_４の結晶のａ−ｂ面に対応する。

また、酸化物半導体膜は、構造ごとに密度が異なる場合がある。例えば、ある酸化物半
導体膜の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより
、その酸化物半導体膜の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、ａ
−ｌｉｋｅ ＯＳ膜の密度は７８．６％以上９２．３％未満となる。また、例えば、単結
晶の密度に対し、ｎｃ−ＯＳ膜の密度およびＣＡＡＣ−ＯＳ膜の密度は９２．３％以上１
００％未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が７８％未満となる酸化物半導体膜は
、成膜すること自体が困難である。

上記について、具体例を用いて説明する。例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原
子数比］を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ
_４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ^３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：
１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜の密度は５．０
ｇ／ｃｍ^３以上５．９ｇ／ｃｍ^３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１
：１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ｎｃ−ＯＳ膜の密度およびＣＡＡＣ
−ＯＳ膜の密度は５．９ｇ／ｃｍ^３以上６．３ｇ／ｃｍ^３未満となる。

なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異な
る単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出すること
ができる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対し
て、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶
を組み合わせて算出することが好ましい。

なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜、微
結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい
。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、蓄電装置を充電する方法として無線給電により充電させる例を示す
。無線給電には電界、磁界、電磁波等を用いることができる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナ、コイル等の電界、磁界、電磁波等を受信する
ものを有することが好ましい。また、本発明の一態様の電子機器は、充電のためのコンデ
ンサーを有することが好ましい。

結合コイル、結合コンデンサーを用いれば非接触で蓄電装置への充電が可能となる。ま
た、結合コイルはアンテナに変えることができる。ここでは蓄電装置として、二次電池を
用いる例を示す。充電器の一次コイルと、電子機器の二次コイルとを磁気的に結合し、一
次コイルから発生する交流磁場で二次コイルに電圧を発生させる電磁誘導方式によって、
非接触で二次コイル側に電力が伝送されるしくみによって充電が行われる。構造体の曲面
に接してコイルを設けることが好ましいため、電子機器のコイルも可撓性を有するフィル
ムに設けることが好ましい。ここで、電子機器に設けられるコイルをアンテナとして用い
てもよい。

表示モジュールを有する腕装着型の電子機器の二次電池にアンテナを設ける場合、非接
触で二次電池の充電することに限定されず、さらにメモリを設け、電子データを送受信さ
せる、またはＧＰＳ機能を持たせて位置情報やＧＰＳ時刻を取得して位置表示や時計表示
するなどができるようなアンテナを設けてもよい。

人体の一部に接触させるため、安全上、二次電池を充電または放電する出入力端子が露
出させないことが好ましい。出入力端子が露出していると、雨などの水によって出入力端
子がショートする恐れや、出入力端子が人体に触れて感電する恐れがある。アンテナを用
いればその出入力端子を電子機器の表面に露出させない構成とすることができる。

なお、アンテナやコイル、及び無線給電用コンバータを設ける点以外は、実施の形態１
と同一であるため、その他の詳細な説明はここでは省略することとする。

実施の形態１に従って、板上に蓄電装置、ここでは二次電池を固定し、二次電池上に表
示モジュールを貼り付ける。二次電池は、曲がった形状を有することが好ましい。また、
二次電池は可撓性を有することが好ましい。二次電池に電気的に接続する無線給電用コン
バータとアンテナを設ける。また、無線給電用コンバータと表示部の一部が重なるように
固定する。

無線給電用コンバータやアンテナは１０ｇ以下であり、総重量は、実施の形態１とほと
んど変わらない重量とすることができる。

図２３にアンテナ（図示しない）を有する電子機器４００と、充電器４０１の模式図を
示す。充電器４０１上に電子機器４００を配置すれば、充電器４０１のアンテナから電力
を電子機器４００に供給して、電子機器４００の二次電池に充電することができる。

また、充電の残量や、満充電までの残り時間などの情報は、電子機器４００の表示部で
表示させることが可能である。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることのできる、可撓性を有する蓄電池１０
８について説明する。

本実施の形態では、可撓性を有する蓄電池１０８として、フィルムからなる外装体を用
いた薄型の二次電池を用いる例を示す。図２４に薄型の二次電池の外観図を示す。また、
図２４中の鎖線Ａ１−Ａ２及び鎖線Ｂ１−Ｂ２で切断した断面をそれぞれ図２５（Ａ）及
び図２５（Ｂ）に示す。

薄型の二次電池は、シート状の正極２０３と、シート状の負極２０６と、セパレータ２
０７と、電解液２０８と、フィルムからなる外装体２０９と、正極リード電極５１０と、
負極リード電極５１１と、を有する。外装体２０９内に設けられた正極２０３と負極２０
６との間にセパレータ２０７が設置されている。また、外装体２０９内は、電解液２０８
が注入されている。正極２０３は、正極集電体２０１および正極活物質層２０２を有する
。負極２０６は、負極集電体２０４および負極活物質層２０５を有する。

正極集電体２０１、及び負極集電体２０４の材料としては、蓄電装置内で顕著な化学変
化を引き起こさずに高い導電性を示す限り、特別な制限はない。例えば、金、白金、亜鉛
、鉄、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、タンタル等の金属、及びこれらの合金（ス
テンレスなど）や、これらの金属と他の金属との合金などを用いることができる。また、
シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性を向上させる元素
が添加されたアルミニウム合金を用いることができる。また、シリコンと反応してシリサ
イドを形成する金属元素で形成してもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金
属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル等がある。正極集電体２０１、
及び負極集電体２０４は、箔状、板状（シート状）、網状、円柱状、コイル状、パンチン
グメタル状、エキスパンドメタル状等の形状を適宜用いることができる。正極集電体２０
１、及び負極集電体２０４は、厚みが５μｍ以上３０μｍ以下のものを用いるとよい。

正極活物質層２０２としては、キャリアイオンが挿入及び脱離することが可能な材料を
用いることができ、例えば、オリビン型の結晶構造、層状岩塩型の結晶構造、またはスピ
ネル型の結晶構造を有するリチウム含有材料等がある。キャリアイオンとなる金属として
、例えばアルカリ金属（例えば、リチウム、ナトリウムやカリウム等）、アルカリ土類金
属（例えば、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等）、ベリリウム、マグネシウムな
どを用いることができる。

キャリアイオンとしてリチウムを用いる場合には、正極活物質として、例えばＬｉＦｅ
Ｏ_２、ＬｉＣｏＯ_２、ＬｉＮｉＯ_２、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_５、ＭｎＯ_２
等の化合物を用いることができる。

またはリチウム含有複合リン酸塩（一般式ＬｉＭＰＯ_４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｍｎ（
ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）の一以上））を用いることができる。一般式ＬｉＭ
ＰＯ_４の代表例としては、ＬｉＦｅＰＯ_４、ＬｉＮｉＰＯ_４、ＬｉＣｏＰＯ_４、ＬｉＭｎ
ＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＮｉ_ｂＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＣｏ_ｂＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＭｎ_ｂＰＯ_４、
ＬｉＮｉ_ａＣｏ_ｂＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ａＭｎ_ｂＰＯ_４（ａ＋ｂは１以下、０＜ａ＜１、０＜
ｂ＜１）、ＬｉＦｅ_ｃＮｉ_ｄＣｏ_ｅＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ｃＮｉ_ｄＭｎ_ｅＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ｃ
Ｃｏ_ｄＭｎ_ｅＰＯ_４（ｃ＋ｄ＋ｅは１以下、０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、０＜ｅ＜１）、Ｌ
ｉＦｅ_ｆＮｉ_ｇＣｏ_ｈＭｎ_ｉＰＯ_４（ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉは１以下、０＜ｆ＜１、０＜ｇ＜１
、０＜ｈ＜１、０＜ｉ＜１）等がある。

特にＬｉＦｅＰＯ_４は、安全性、安定性、高容量密度、高電位、初期酸化（充電）時に
引き抜けるリチウムイオンの存在等、正極活物質に求められる事項をバランスよく満たし
ているため、好ましい。

層状岩塩型の結晶構造を有するリチウム含有材料としては、例えば、コバルト酸リチウ
ム（ＬｉＣｏＯ_２）、ＬｉＮｉＯ_２、ＬｉＭｎＯ_２、Ｌｉ_２ＭｎＯ_３を用いることができ
る。また、ＬｉＮｉ_０．８Ｃｏ_０．２Ｏ_２等のＮｉＣｏ系（一般式は、ＬｉＮｉ_ｘＣｏ_１
−ｘＯ_２（０＜ｘ＜１））や、ＬｉＮｉ_０．５Ｍｎ_０．５Ｏ_２等のＮｉＭｎ系（一般式は
、ＬｉＮｉ_ｘＭｎ_１−ｘＯ_２（０＜ｘ＜１））、ＬｉＮｉ_１／３Ｍｎ_１／３Ｃｏ_１／３Ｏ
_２等のＮｉＭｎＣｏ系（ＮＭＣともいう。一般式は、ＬｉＮｉ_ｘＭｎ_ｙＣｏ_{１−ｘ−ｙ}Ｏ
_２（ｘ＞０、ｙ＞０、ｘ＋ｙ＜１））を用いることができる。また、Ｌｉ（Ｎｉ_０．８Ｃ
ｏ_０．１５Ａｌ_０．０５）Ｏ_２、Ｌｉ_２ＭｎＯ_３−ＬｉＭＯ_２（Ｍ＝Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ）
等を用いることができる。

スピネル型の結晶構造を有するリチウム含有材料としては、例えば、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４、
Ｌｉ_１＋ｘＭｎ_２−ｘＯ_４、Ｌｉ（ＭｎＡｌ）_２Ｏ_４、ＬｉＭｎ_１．５Ｎｉ_０．５Ｏ_４等
がある。

ＬｉＭｎ_２Ｏ_４等のマンガンを含むスピネル型の結晶構造を有するリチウム含有材料に
、少量のニッケル酸リチウム（ＬｉＮｉＯ_２やＬｉＮｉ_１−ｘＭＯ_２（Ｍ＝Ｃｏ、Ａｌ等
））を混合すると、マンガンの溶出を抑制する、電解液の分解を抑制する等の利点があり
好ましい。

また、正極活物質として、一般式Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＭＳｉＯ_４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｍ
ｎ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）の一以上、０≦ｊ≦２）等のリチウム含有材料
を用いることができる。一般式Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＭＳｉＯ_４の代表例としては、Ｌｉ_{（２−
ｊ）}ＦｅＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＮｉＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＣｏＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（
２−ｊ）}ＭｎＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｋＮｉ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｋＣ
ｏ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｋＭｎ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｎｉ_ｋＣｏ_ｌＳｉ
Ｏ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｎｉ_ｋＭｎ_ｌＳｉＯ_４（ｋ＋ｌは１以下、０＜ｋ＜１、０＜ｌ＜１
）、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｍＮｉ_ｎＣｏ_ｑＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｍＮｉ_ｎＭｎ_ｑＳ
ｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｎｉ_ｍＣｏ_ｎＭｎ_ｑＳｉＯ_４（ｍ＋ｎ＋ｑは１以下、０＜ｍ＜１
、０＜ｎ＜１、０＜ｑ＜１）、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｒＮｉ_ｓＣｏ_ｔＭｎ_ｕＳｉＯ_４（ｒ＋
ｓ＋ｔ＋ｕは１以下、０＜ｒ＜１、０＜ｓ＜１、０＜ｔ＜１、０＜ｕ＜１）等のリチウム
化合物を材料として用いることができる。

また、正極活物質として、Ａ_ｘＭ_２（ＸＯ_４）_３（Ａ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｍ＝Ｆｅ、
Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｘ＝Ｓ、Ｐ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｉ）の一般式で表される
ナシコン型化合物を用いることができる。ナシコン型化合物としては、Ｆｅ_２（ＭｎＯ_４
）_３、Ｆｅ_２（ＳＯ_４）_３、Ｌｉ_３Ｆｅ_２（ＰＯ_４）_３等がある。また、正極活物質とし
て、Ｌｉ_２ＭＰＯ_４Ｆ、Ｌｉ_２ＭＰ_２Ｏ_７、Ｌｉ_５ＭＯ_４（Ｍ＝Ｆｅ、Ｍｎ）の一般式で
表される化合物、ＮａＦ_３、ＦｅＦ_３等のペロブスカイト型フッ化物、ＴｉＳ_２、ＭｏＳ
_２等の金属カルコゲナイド（硫化物、セレン化物、テルル化物）、ＬｉＭＶＯ_４等の逆ス
ピネル型の結晶構造を有する材料、バナジウム酸化物系（Ｖ_２Ｏ_５、Ｖ_６Ｏ_１３、ＬｉＶ
_３Ｏ_８等）、マンガン酸化物、有機硫黄化合物等の材料を用いることができる。

また、正極活物質層２０２には、上述した正極活物質の他、活物質の密着性を高めるた
めの結着剤（バインダ）、正極活物質層２０２の導電性を高めるための導電助剤等を有し
てもよい。

負極活物質層２０５としては、キャリアイオンとなる金属の溶解・析出、又はキャリア
イオンが挿入・脱離することが可能な材料を用いることができる。例えば、リチウム金属
、炭素系材料、合金系材料等を用いることができる。ここで合金系材料とは、例えばキャ
リアイオンとの合金化・脱合金化反応により充放電を行うことが可能な材料を指す。

リチウム金属は、酸化還元電位が低く（標準水素電極に対して−３．０４５Ｖ）、重量
及び体積当たりの比容量が大きい（それぞれ３８６０ｍＡｈ／ｇ、２０６２ｍＡｈ／ｃｍ
^３）ため、好ましい。

炭素系材料としては、黒鉛、易黒鉛化性炭素（ソフトカーボン）、難黒鉛化性炭素（ハ
ードカーボン）、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンブラック等がある。

黒鉛としては、メソカーボンマイクロビーズ（ＭＣＭＢ）、コークス系人造黒鉛、ピッ
チ系人造黒鉛等の人造黒鉛や、球状化天然黒鉛等の天然黒鉛がある。

黒鉛はリチウムイオンが黒鉛に挿入されたとき（リチウム−黒鉛層間化合物の生成時）
にリチウム金属と同程度に卑な電位を示す（０．３Ｖ以下 ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ^＋）。これ
により、リチウムイオン二次電池は高い作動電圧を示すことができる。さらに、黒鉛は、
単位体積当たりの容量が比較的高い、体積膨張が小さい、安価である、リチウム金属に比
べて安全性が高い等の利点を有するため、好ましい。

また、負極活物質として、合金系材料を用いることができる。キャリアイオンがリチウ
ムイオンである場合、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ａｓ
、Ｂｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、及びＩｎ等のうち少なくとも一つを含む材料を
もちいることができる。このような元素は炭素に対して容量が大きく、特にシリコンは理
論容量が４２００ｍＡｈ／ｇと飛躍的に高い。このため、負極活物質にシリコンを用いる
ことが好ましい。また、このような元素を用いた材料として、例えば、ＳｉＯ、Ｍｇ_２Ｓ
ｉ、Ｍｇ_２Ｇｅ、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｍｇ_２Ｓｎ、ＳｎＳ_２、Ｖ_２Ｓｎ_３、ＦｅＳｎ_２、
ＣｏＳｎ_２、Ｎｉ_３Ｓｎ_２、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ａｇ_３Ｓｎ、Ａｇ_３Ｓｂ、Ｎｉ_２ＭｎＳｂ、
ＣｅＳｂ_３、ＬａＳｎ_３、Ｌａ_３Ｃｏ_２Ｓｎ_７、ＣｏＳｂ_３、ＩｎＳｂ、ＳｂＳｎ等を用
いることができる。

また、負極活物質として、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）、リチウムチタン酸化物（Ｌｉ_４
Ｔｉ_５Ｏ_１２）、リチウム−黒鉛層間化合物（Ｌｉ_ｘＣ_６）、五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５
）、酸化タングステン（ＷＯ_２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物を用いること
ができる。

また、負極活物質として、リチウムと遷移金属の複窒化物である、Ｌｉ_３Ｎ型構造をも
つＬｉ_３−ｘＭ_ｘＮ（Ｍ＝Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）を用いることができる。例えば、Ｌｉ_２．
６Ｃｏ_０．４Ｎ_３は大きな充放電容量（９００ｍＡｈ／ｇ、１８９０ｍＡｈ／ｃｍ^３）を
示し好ましい。

リチウムと遷移金属の複窒化物を用いると、負極活物質中にリチウムイオンを含むため
、正極活物質としてリチウムイオンを含まないＶ_２Ｏ_５、Ｃｒ_３Ｏ_８等の材料と組み合わ
せることができ好ましい。なお、正極活物質にリチウムイオンを含む材料を用いる場合で
も、あらかじめ正極活物質に含まれるリチウムイオンを脱離させておくことで負極活物質
としてリチウムと遷移金属の複窒化物を用いることができる。

また、コンバージョン反応が生じる材料を負極活物質として用いることもできる。例え
ば、酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化鉄（ＦｅＯ）等の、リチウ
ムと合金化反応を行わない遷移金属酸化物を負極活物質に用いてもよい。コンバージョン
反応が生じる材料としては、さらに、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ、ＲｕＯ_２、Ｃｒ_２
Ｏ_３等の酸化物、ＣｏＳ_０．８９、ＮｉＳ、ＣｕＳ等の硫化物、Ｚｎ_３Ｎ_２、Ｃｕ_３Ｎ、
Ｇｅ_３Ｎ_４等の窒化物、ＮｉＰ_２、ＦｅＰ_２、ＣｏＰ_３等のリン化物、ＦｅＦ_３、ＢｉＦ
_３等のフッ化物でも起こる。なお、上記フッ化物の電位は高いため、正極活物質として用
いてもよい。

また、負極活物質層２０５には、上述した負極活物質の他、活物質の密着性を高めるた
めの結着剤（バインダ）、負極活物質層２０５の導電性を高めるための導電助剤等を有し
てもよい。

電解液２０８としては、電解質として、キャリアイオンを移動することが可能であり、
且つキャリアイオンを有する材料を用いることができる。キャリアイオンがリチウムイオ
ンである場合には、電解質の代表例としては、ＬｉＰＦ_６、ＬｉＣｌＯ_４、Ｌｉ（ＦＳＯ
_２）_２Ｎ、ＬｉＡｓＦ_６、ＬｉＢＦ_４、ＬｉＣＦ_３ＳＯ_３、Ｌｉ（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ、
Ｌｉ（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ、等のリチウム塩がある。これらの電解質は、一種を単独で
用いてもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。また、反応生成物
をより安定にするため、電解液にビニレンカーボネート（ＶＣ）を少量（１ｗｔ％）添加
して電解液の分解をより少なくしてもよい。

また、電解液２０８の溶媒としては、キャリアイオンの移動が可能な材料を用いる。電
解液の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例
としては、エチレンカーボネート（ＥＣ）、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネ
ート、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメト
キシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができ
る。また、電解液の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性等に対す
る安全性が高まる。また、蓄電池の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子
材料の代表例としては、シリコーンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエ
チレンオキサイド系ゲル、ポリプロピレンオキサイド系ゲル、フッ素系ポリマーのゲル等
がある。また、電解液の溶媒として、難燃性及び難揮発性であるイオン液体（常温溶融塩
）を一つまたは複数用いることで、蓄電池の内部短絡や、過充電等によって内部温度が上
昇しても、蓄電池の破裂や発火などを防ぐことができる。

セパレータ２０７としては、例えば絶縁体を用いることができる。絶縁体として、例え
ばセルロース（紙）、空孔が設けられたポリプロピレンやポリエチレン、等を用いること
ができる。

二次電池は、薄く柔軟性を有するフィルム（例えばラミネートフィルム）を外装体とし
て用いる。ラミネートフィルムとは、基材フィルムと接着性合成樹脂フィルムとの積層フ
ィルム、または２種類以上の積層フィルムを指す。基材フィルムとしては、ＰＥＴやＰＢ
Ｔ等のポリエステル、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド、また無機蒸着フィルム
、または紙類を用いればよい。また、接着性合成樹脂フィルムとしてはＰＥやＰＰ等のポ
リオレフィン、アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂などを用いればよい。ラミネー
トフィルムはラミネート装置により、被処理体と熱圧着によりラミネートされる。なお、
ラミネート工程を行う前処理としてアンカーコート剤を塗布することが好ましく、ラミネ
ートフィルムと被処理体との接着を強固なものとすることができる。アンカーコート剤と
してはイソシアネート系などを用いればよい。

上記構成において、二次電池の外装体２０９は、曲率半径３０ｍｍ以上好ましくは曲率
半径１０ｍｍ以上の範囲で変形することができる。二次電池の外装体であるフィルムは、
１枚または２枚で構成されており、積層構造の二次電池である場合、湾曲させた電池の断
面構造は、外装体であるフィルムの２つの曲線で挟まれた構造となる。

面の曲率半径について、図２６を用いて説明する。図２６（Ａ）において、曲面１７０
０を切断した平面１７０１において、曲面１７００に含まれる曲線１７０２の一部を円の
弧に近似して、その円の半径を曲率半径１７０３とし、円の中心を曲率中心１７０４とす
る。図２６（Ｂ）に曲面１７００の上面図を示す。図２６（Ｃ）に、平面１７０１で曲面
１７００を切断した断面図を示す。曲面を平面で切断するとき、曲面に対する平面の角度
や切断する位置に応じて、断面に現れる曲線の曲率半径は異なるものとなるが、本明細書
等では、最も小さい曲率半径を面の曲率半径とする。

２枚のフィルムを外装体として電極・電解液など１８０５を挟む二次電池を湾曲させた
場合には、二次電池の曲率中心１８００に近い側のフィルム１８０１の曲率半径１８０２
は、曲率中心１８００から遠い側のフィルム１８０３の曲率半径１８０４よりも小さい（
図２７（Ａ））。二次電池を湾曲させて断面を円弧状とすると曲率中心１８００に近いフ
ィルムの表面には圧縮応力がかかり、曲率中心１８００から遠いフィルムの表面には引っ
張り応力がかかる（図２７（Ｂ））。外装体の表面に凹部または凸部で形成される模様を
形成すると、このように圧縮応力や引っ張り応力がかかったとしても、ひずみによる影響
を許容範囲内に抑えることができる。そのため、二次電池は、曲率中心に近い側の外装体
の曲率半径が３０ｍｍ以上好ましくは１０ｍｍ以上となる範囲で変形することができる。

なお、二次電池の断面形状は、単純な円弧状に限定されず、一部が円弧を有する形状に
することができ、例えば図２７（Ｃ）に示す形状や、波状（図２７（Ｄ））、Ｓ字形状な
どとすることもできる。二次電池の曲面が複数の曲率中心を有する形状となる場合は、複
数の曲率中心それぞれにおける曲率半径の中で、最も曲率半径が小さい曲面において、２
枚の外装体の曲率中心に近い方の外装体の曲率半径が、１０ｍｍ以上好ましくは３０ｍｍ
以上となる範囲で二次電池が変形することができる。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

１００ 電子機器
１０２ 表示部
１０３ ＦＰＣ
１０３ａ ＦＰＣ
１０４ ＩＣ
１０６ 回路基板
１０７ 回路基板
１０８ 蓄電池
１１０ 表示パネル
１１１ 表示領域
１１２ 表示領域
１１３ 表示領域
１１４ 表示領域
１１５ 表示領域
１２０ 基板
１２５ 支持体
１２６ 筐体
１３１ 辺
１３２ 辺
１３３ 辺
１３５ 切れ目
１３８ 切欠き部
１４１ 駆動回路
１４２ 駆動回路
１４３ 駆動回路
１４５ 配線
１４６ 配線
１５１ 表示領域
１５２ 表示領域
１５３ 表示領域
１６１ アイコン
１６２ 文字情報
１６４ 文字情報
１６７ 画像情報
２０１ 正極集電体
２０２ 正極活物質層
２０３ 正極
２０４ 負極集電体
２０５ 負極活物質層
２０６ 負極
２０７ セパレータ
２０８ 電解液
２０９ 外装体
４００ 電子機器
４０１ 充電器
５１０ 正極リード電極
５１１ 負極リード電極
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 封止層
８２４ 封止層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
１７００ 曲面
１７０１ 平面
１７０２ 曲線
１７０３ 曲率半径
１７０４ 曲率中心
１８００ 曲率中心
１８０１ フィルム
１８０２ 曲率半径
１８０３ フィルム
１８０４ 曲率半径

Claims (1)

1. 支持体と、表示部と、を有し、
   前記支持体は曲面を有し、
   前記表示部は、上面と、上面の少なくとも一つの辺に接する第１の側面と、を有し、
   前記第１の側面は、曲面を有し、
   前記上面には第１の表示領域が設けられ、
   前記第１の側面には第２の表示領域が設けられ、
   前記第１の表示領域と、前記第２の表示領域と、は連続して設けられる電子機器。

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