JP2020105040A - 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明に係るグラフェン膜の製造装置100の構成を示す構成図である。図1に示されるように、製造装置100は、CVD反応容器1と、その上部に配設された導波管2とを有する。CVD反応容器1と導波管2との間には、石英から成るプラズマ励振板3が設けられている。プラズマ励振板3のCVD反応容器1側に面した面には多数の微小な凹部30が形成されている。この凹部30に電界が集中することにより、凹部30がプラズマの発生起点となり、低電力でのプラズマの発生が容易になる。また、CVD反応容器1の内部及びプラズマ励振板3をマイクロ波で励振するために導波管2の下部にスロットアンテナ4が設けられている。導波管2には2.45GHzのマイクロ波が供給され、スロットアンテナ4を介して、CVD反応容器1の内部及びプラズマ励振板3に電磁波が供給される。
なお、基板5の温度は、150〜600℃の範囲の任意の温度にすることができる。また、基板5の温度を150〜300℃の低温にしても、良質で広い面積のグラフェン膜を得ることができる。マイクロ波はパルス変調しなくとも良い。パルス変調することで、基板上にグラフェン膜が均一一様に形成される結果、光透過率と移動度が向上した。
3:励振板
5:基板
7:加熱装置
20…レーザ
30:凹部
Claims (9)
- 炭素源のプラズマ分解により、グラフェン膜を基板上に製造する方法であって、
前記基板の温度を500℃以下に保持し、少なくとも炭素と水素とを有する化合物の原料ガスを基板上に流し、マイクロ波励起により前記原料ガスの表面波プラズマを生成して、触媒を用いることなく前記基板上に直接グラフェン膜を成膜させることを特徴とするグラフェン膜の製造方法。 - 前記マイクロ波は、パルス変調された繰り返しパルスマイクロ波であることを特徴とする請求項1に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 前記基板は、シリコン、窒化ガリウム、銅インジウム硫黄、ガラス、又は石英のうちの1種であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 前記原料ガスの他に二酸化炭素ガス(CO2 )を、前記基板上に供給することを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 前記原料気体はメタンガス(CH4 )であり、二酸化炭素ガス(CO2 )と水素ガス(H2 )とアルゴンガス(Ar)が共に前記基板上に供給されることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 前記基板の温度は300℃以下、100℃以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 前記グラフェン膜は、前記基板上に直接成膜された後に、オゾンにより処理されることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 前記グラフェン膜は、前記基板上に直接成膜された後に、酸素を含む雰囲気中において紫外線により照射処理されることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載のグラフェン膜の製造方法。
- 走査型プローブ顕微鏡に用いられるカンチレバーにおいて、
前記カンチレバーは、シリコンで形成された突起にグラフェンから成る直接成膜層が被覆されている探針部を有することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー。
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