JP7478455B2 - 酸化グラフェンの還元方法 - Google Patents
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Description
また、他の発明は酸化グラフェンを還元する方法であって、酸化グラフェンを、マイクロ波励起された表面波プラズマの雰囲気に置き、酸化グラフェンは基板に支持されていない自立した柔軟屈曲性の酸化グラフェンであり、酸化グラフェンの還元後のシート抵抗は134Ω/□以下であることを特徴とする酸化グラフェンの還元方法である。
[結論]
最も還元に効果的なガスは、ArとH2 との混合ガスであることが、XPSと導電率解析から分かった。PETの両面に形成した酸化グラフェン膜も同様に還元することができた。表面波プラズマ処理によりシート抵抗は10MΩ/□から平均で1.07560KΩ/□まで減少させることができる。すなわち、シート抵抗を1/104 以下に低下できることが分かった。。ArとH2 ガスに窒素ガスを含めることで、窒素ドーパントを9.1at%にドープすることができた。このことから、各種のドーパントも添加可能であることが分かった。また、ArとH2 とCO2 の混合ガスの表面波プラズマも酸化グラフェンを十分に還元することが可能であることが分かった。また、マイクロポーラス自立性還元酸化グラフェン膜は、平均で134Ω/□のシート抵抗を示した。このことから、自立性還元酸化グラフェン膜は本発明の表面波プラズマ処理により134Ω/□以下のシート抵抗にできることが分かった。
3:励振板
5:基板
7:制御台
Claims (6)
- 酸化グラフェンを還元する方法であって、
酸化グラフェンを、マイクロ波励起された表面波プラズマの雰囲気に置き、
前記酸化グラフェンは、基板の両面に形成された膜であり、基板の裏面の酸化グラフェン膜も還元され、
前記酸化グラフェンの還元後のシート抵抗は1.075kΩ/□以下であることを特徴とする酸化グラフェンの還元方法。 - 酸化グラフェンを還元する方法であって、
酸化グラフェンを、マイクロ波励起された表面波プラズマの雰囲気に置き、
前記酸化グラフェンは基板に支持されていない自立した柔軟屈曲性の酸化グラフェンであり、
前記酸化グラフェンの還元後のシート抵抗は134Ω/□以下であることを特徴とする酸化グラフェンの還元方法。 - 前記基板は微孔性の紙であり、自立した柔軟屈曲性の酸化グラフェンは、該紙から剥離させた酸化グラフェンであることを特徴とする請求項2記載の酸化グラフェンの還元方法。
- 前記酸化グラフェンが置かれる雰囲気は、全プラズマ領域のうち、電子温度がより低く電子密度がより高いバルク領域であることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の酸化グラフェンの還元方法。
- 前記表面波プラズマは、水素とアルゴンとの混合ガス、酸化炭素とアルゴンとの混合ガス、窒素と水素とアルゴンとの混合ガスのうち少なくとも一つの混合ガスの表面波プラズマであることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の酸化グラフェンの還元方法。
- 前記表面波プラズマの前記酸化グラフェンへの照射は室温において実行されることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の酸化グラフェンの還元方法。
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