JP2020088013A - 磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記憶密度が向上できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、第１絶縁部、第２絶縁部、第３絶縁部、第１導電部材、第１磁性素子及び第２磁性素子を含む。前記第１絶縁部から前記第３絶縁部に向かう第１方向において前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部と前記第３絶縁部との間にある。前記第１導電部材は、前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第３絶縁部の少なくとも一部との間に設けられる。前記第１磁性素子は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に設けられる。前記第１導電部材から前記第１磁性素子への方向は、前記第１方向と交差する第３方向に沿う。前記第２磁性素子は、前記第２絶縁部と前記第３絶縁部との間に設けられる。前記第１導電部材から前記第２磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う。前記第１絶縁部の材料は、前記第２絶縁部の材料とは異なる。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気記憶装置に関する。

磁気記憶装置において、記憶密度の向上が望まれる。

特許第６２９７１０４号公報

本発明の実施形態は、記憶密度が向上できる磁気記憶装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気記憶装置は、第１絶縁部、第２絶縁部、第３絶縁部、第１導電部材、第１磁性素子及び第２磁性素子を含む。前記第１絶縁部から前記第３絶縁部に向かう第１方向において前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部と前記第３絶縁部との間にある。前記第１導電部材は、前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第３絶縁部の少なくとも一部との間に設けられる。前記第１磁性素子は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に設けられる。前記第１導電部材から前記第１磁性素子への方向は、前記第１方向と交差する第３方向に沿う。前記第２磁性素子は、前記第２絶縁部と前記第３絶縁部との間に設けられる。前記第１導電部材から前記第２磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う。前記第１絶縁部の材料は、前記第２絶縁部の材料とは異なる。

図１（ａ）〜図１（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式図である。 図４（ａ）〜図４（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図５（ａ）〜図５（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図６（ａ）〜図６（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１２は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。 図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図１７は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は、図１（ｃ）及び図１（ｅ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ｃ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。図１（ｄ）は、図１（ｂ）のＤ１−Ｄ２線断面図である。図１（ｅ）は、図１（ｂ）のＥ１−Ｅ２線断面図である。図１（ｆ）は、図１（ｂ）のＦ１−Ｆ２線断面図である。

これらの図に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置１１０は、第１絶縁領域４１と、第１対向絶縁領域４１ｃと、第１導電部材２１と、第１磁性素子ＳＢ１と、を含む。図１（ａ）に示すように、磁気記憶装置１１０は、制御部７０をさらに含んでも良い。

図１（ａ）に示すように、第１導電部材２１は、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間に設けられる。第１導電部材２１は、第１方向に延びる。

この例では、第１方向は、Ｘ軸方向である。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。

第１絶縁領域４１から第１対向絶縁領域４１ｃへの方向は、第２方向である。第１方向は、第２方向と交差する。第２方向は、例えば、Ｙ軸方向である。

図１（ｃ）に示すように、第１磁性素子ＳＢ１は、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間に設けられる。第１導電部材２１から第１磁性素子ＳＢ１への方向を第３方向とする。第３方向は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。第３方向は、例えば、Ｚ軸方向である。

図１（ａ）及び図１（ｄ）に示すように、第１導電部材２１は、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃを含む。第３部分２１ｃは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間にある。第１部分２１ａから第２部分２１ｂへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。

図１（ｃ）及び図１（ｄ）に示すように、第１磁性素子ＳＢ１は、第１磁性層１１、第１対向磁性層１１ｃ及び第１非磁性層１１ｎを含む。第１対向磁性層１１ｃは、第３方向（例えばＺ軸方向）において、第１導電部材２１（第３部分２１ｃ）と、第１磁性層１１と、の間に設けられる。第１非磁性層１１ｎは、第３方向において、第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｃとの間に設けられる。

図１（ａ）及び図１（ｄ）に示すように、制御部７０は、例えば、第１導電部材２１の第１部分２１ａ、及び、第１導電部材２１の第２部分２１ｂと電気的に接続される。例えば、制御部７０は、第１導電部材２１に第１電流ｉ１または第２電流ｉ２を供給する。第１電流ｉ１は、第１部分２１ａから第２部分２１ｂへの向きを有する。第２電流ｉ２は、第２部分２１ｂから第１部分２１ａへの向きを有する。これらの電流により、第１磁性素子ＳＢ１の電気抵抗が変化する。

例えば、第１電流ｉ１が流れたときの第１磁性素子ＳＢ１の第１電気抵抗は、第２電流ｉ２が流れたときの第１磁性素子ＳＢ１の第２電気抵抗とは異なる。

例えば、第１磁性層１１の磁化の向きが、実質的に固定される。一方、第１対向磁性層１１ｃの磁化の向きは、第１磁性層１１の磁化の向きに比べて変化し易い。第１磁性層１１は、例えば、参照層である。第１対向磁性層１１ｃは、例えば、磁化自由層である。

第１電流ｉ１または第２電流ｉ２により、例えば、スピンホール効果が第１対向磁性層１１ｃに生じる。これにより、例えば、第１電流ｉ１が流れたときの第１対向磁性層１１ｃの磁化の向きは、第１電流ｉ１に応じた向きになる。一方、第２電流ｉ２が流れたときの第１対向磁性層１１ｃの磁化の向きは、第２電流ｉ２に応じた向きになる。これらの磁化の向きは、互いに異なる。例えば、第１電流ｉ１が流れたときの、第１対向磁性層１１ｃの磁化と第１磁性層１１の磁化との間の角度は、第２電流ｉ２が流れたときの、第１対向磁性層１１ｃの磁化と第１磁性層１１の磁化との間の角度とは異なる。この角度の差により、電気抵抗が変化する。これは、例えば、磁気抵抗効果に基づく。

異なる電気抵抗の状態が、第１磁性素子ＳＢ１における異なる記憶状態に対応する。異なる記憶状態の１つは、例えば、「１」及び「０」の一方である。異なる記憶状態の別の１つは、例えば、「１」及び「０」の他方である。

図１（ｄ）に示すように、第１磁性素子ＳＢ１に端子Ｔ８が設けられても良い。端子Ｔ８は、第１磁性素子ＳＢ１の第１磁性層１１に電気的に接続される。制御部７０は、端子Ｔ８と電気的に接続される。接続のための配線は、図を見やすくするために省略されている。配線にスイッチなどが設けられても良い。制御部７０により、端子Ｔ８を介して、第１磁性素子ＳＢ１の電気抵抗に関する特性（電気抵抗、電流または電圧）が検出されても良い。

図１（ｄ）に示すように、上記のような磁性素子が複数設けられる。複数の磁性素子ＳＢＰの１つが、第１磁性素子ＳＢ１に対応する。複数の磁性素子ＳＢＰは、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿ってマトリクス状に並ぶ。

図１（ｄ）に示すように、複数の磁性素子ＳＢＰのそれぞれに、端子Ｔ８が設けられても良い。制御部７０により、端子Ｔ８を介して、複数の磁性素子ＳＢＰの電気抵抗に関する特性）が検出されても良い。制御部７０により、端子Ｔ８を介して、複数の磁性素子ＳＢＰのそれぞれの電位（第１磁性層１１の電位）が制御されても良い。例えば、複数の磁性素子ＳＢＰが、選択状態または非選択状態に設定されても良い。

図１（ｂ）及び図１（ｄ）に示すように、１つの第１導電部材２１に複数の磁性素子ＳＢＰが設けられても良い。複数の導電部材（第１導電部材２１）が設けられても良い。複数の導電部材は、Ｘ軸方向に沿って並ぶ。後述するように、１つの第１導電部材２１に設けられる複数の磁性素子ＳＢＰの数は、２でも良い。１つの第１導電部材２１に１つの磁性素子ＳＢＰが設けられても良い。

このように、実施形態においては、第１導電部材２１に電流が流されることで、記憶動作（書き込み動作）が行われる。例えば、電流（第１電流ｉ１及び第２電流ｉ２）は、第１導電部材２１だけではなく、第１対向磁性層１１ｃにも部分的に流れても良い。この場合、第１導電部材２１を含む電流経路のうちで、第１対向磁性層１１ｃと重なる部分と、重ならない部分（素子間領域）と、で、抵抗が異なる。

一方、図１（ｄ）に示すように、磁性素子ＳＢＰとなる積層膜を加工する際に、第１導電部材２１のうちで、磁性素子ＳＢＰと重ならない部分の厚さが薄くなる場合がある。この場合も、第１導電部材２１のうちで、第１磁性素子ＳＢ１と重なる部分と、重ならない部分（素子間領域）と、で、抵抗が異なる。

第１導電部材２１に電流が流れたときに、第１導電部材２１の温度が上昇する。上記のように、第１導電部材２１における抵抗は、均一ではなく、場所によって異なる。このような場合、第１導電部材２１の場所によって、局所的に過度に温度が高くなる。局所的な温度の上昇により、第１導電部材２１が損傷する場合あがる。例えば、第１導電部材２１に含まれる金属元素がマイグレーションを生じ、局所的に抵抗が高くなる場合もある。例えば、第１導電部材２１が局所的に膨張したときに、第１導電部材２１の周りに設けられた絶縁部（例えば、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃなど）により強い応力が生じ、第１導電部材２１に局所的なクラックなどが生じる場合もある。

一方、第１導電部材２１における局所的な温度の上昇により、第１導電部材２１の周りに設けられる絶縁部（例えば、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃなど）に局所的な応力が加わる。局所的な応力により、絶縁部の一部が損傷する場合もある。例えば、特性が不安定になる可能性がある。

実施形態においては、図１（ａ）に示すように、第１絶縁領域４１の第１導電部材２１に対向する第１絶縁側面４１ｓの一部は、第１方向（Ｘ軸方向）に対して傾斜する。第１対向絶縁領域４１ｃの第１導電部材２１に対向する第１対向絶縁側面４１ｃｓの一部は、第１方向（Ｘ軸方向）に対して傾斜する。

第１絶縁側面４１ｓの一部が、第１導電部材２１の延在方向（Ｘ軸方向）に対して傾斜することで、第１導電部材２１において局所的な温度上昇及び膨張などが生じたときに生じる応力を分散することができる。これにより、第１導電部材２１の損傷が抑制できる。例えば、第１導電部材２１の寿命が延びる。例えば、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃの損傷を抑制できる。動作が安定になる。例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持できる。その結果、例えば、記憶密度を向上できる。実施形態によれば、記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

図１（ｂ）及び図１（ｄ）に示すように、第１磁性素子ＳＢ１は、複数設けられても良い（例えば、複数の磁性素子ＳＢＰ）。図１（ａ）に示すように、第１絶縁側面４１ｓと第１対向絶縁側面４１ｃｓとの間の第２方向（例えばＹ軸方向）に沿う距離を距離ｄ４１とする。距離ｄ４１は、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）に対応して増減を繰り返しても良い。

例えば、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）が設けられる場合、第１導電部材２１に生じる局所的な温度上昇及び局所的な膨張は、複数の第１磁性素子ＳＢ１に対応して生じる。距離ｄ４１が増減を繰り返すことで複数の第１磁性素子ＳＢ１に対応して生じる局所的な温度上昇及び局所的な膨張による影響が抑制できる。

図１（ａ）に示す例では、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）に対応する位置における距離ｄ４１は、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）の間の領域に対応する位置における距離ｄ４１よりも長い。

図１（ｂ）に示すように、複数の磁性素子ＳＢＰが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に並ぶ。複数の磁性素子ＳＢＰの周りに、第１絶縁領域４１、第１対向絶縁領域４１ｃ及び絶縁領域４２Ｐが設けられる。磁気記憶装置１１０は、例えば、第２絶縁領域４２及び第２対向絶縁領域４２ｃをさらに含んでも良い。複数の絶縁領域４２Ｐの１つが、第２絶縁領域４２に対応する。複数の絶縁領域４２Ｐの別の１つが、第２対向絶縁領域４２ｃに対応する。第２絶縁領域４２及び第２対向絶縁領域４２ｃは、第２方向（例えばＹ軸方向）において、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間にある。

既に説明したように、第１導電部材２１は、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃを含む。図１（ｄ）に示すように、第１部分２１ａから第２絶縁領域４２への方向は、第３方向（例えば、Ｚ軸方向）に沿う。第２部分２１ｂから第２対向絶縁領域４２ｃへの方向は、第３方向に沿う。既に説明したように、第３部分２１ｃから第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向に沿う。

図１（ｂ）に示すように、第１磁性素子ＳＢ１は、Ｘ軸方向において、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間にある。第１磁性素子ＳＢ１は、Ｙ軸方向において、第２絶縁領域４２と第２対向絶縁領域４２ｃとの間にある。

図１（ａ）及び図１（ｃ）に示すように、第１導電部材２１は、Ｙ軸方向において、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間にある。図１（ｄ）に示すように、第１導電部材２１の一部の上に、第２絶縁領域４２及び第２対向絶縁領域４２ｃが設けられる。

第１導電部材２１の特性は、第１絶縁領域４１、第１対向絶縁領域４１ｃ、第２絶縁領域４２及び第２対向絶縁領域４２ｃの影響を受けても良い。例えば、これらの絶縁領域の少なくとも一部から第１導電部材２１に応力が加わっても良い。例えば、第１導電部材２１が有する応力が、これらの絶縁領域の少なくとも一部により緩和されても良い。

実施形態に係る１つの例において、第１絶縁領域４１の材料は、第２絶縁領域４２の材料とは異なっても良い。第１絶縁領域４１の材料は、第２対向絶縁領域４２ｃの材料とは異なっても良い。例えば、第１絶縁領域４１の材料は、第１対向絶縁領域４１ｃの材料と実質的に同じでも良い。例えば、第２絶縁領域４２の材料は、第２対向絶縁領域４２ｃの材料と実質的に同じでも良い。

これらの絶縁領域の影響により、第１導電部材２１の特性（例えば導電率など）に異方性が生じても良い。例えば、第１導電部材２１が結晶である場合、これらの絶縁領域の影響により、格子長に異方性が生じても良い。以下、格子長の例について説明する。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式図である。
これらの図は、第１導電部材２１の格子長を例示している。図２（ａ）は、Ｘ−Ｚ平面における格子長を例示している。図２（ｂ）は、Ｙ−Ｚ平面における格子長を例示している。例えば、図２（ａ）に示すように、第１導電部材２１の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う格子長を第１格子長Ｌｘとする。図２（ｂ）に示すように、第１導電部材２１の第２方向（例えばＹ軸方向）に沿う格子長を第２格子長Ｌｙとする。実施形態の１つの例において、第１格子長Ｌｘは、第２格子長Ｌｙとは異なる。例えば、第２格子長Ｌｙは、第１格子長Ｌｘよりも大きい。例えば、第２格子長Ｌｙと第１格子長Ｌｘとの差の絶対値は、第１格子長Ｌｘの０．１％以上でも良い。

例えば、格子長に異方性が生じると、第１導電部材２１の特性（例えば導電率など）に異方性が生じる。例えば、第１導電部材２１を流れる電流の向きの均一性が向上する。例えば、第１導電部材２１から第１対向磁性層１１ｃに与える効果（例えばスピンホール効果）の均一性が高まる。より安定した動作が得られる。

実施形態において、第１対向磁性層１１ｃにおいて、格子長の異方性が生じても良い。例えば、第１対向磁性層１１ｃの第２方向（Ｙ軸方向）に沿う格子長は、第１対向磁性層１１ｃの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う格子長よりも大きくても良い。第１非磁性層１１ｎにおいて、格子長の異方性が生じても良い。例えば、第１非磁性層１１ｎの第２方向（Ｙ軸方向）に沿う格子長は、第１非磁性層１１ｎの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う格子長よりも大きくても良い。第１対向磁性層１１ｃの格子長が上記のような異方性を有することで、第１導電部材２１における格子長の異方性が安定になり易い。

第１格子長Ｌｘ（図２（ａ）参照）は、第１対向磁性層１１ｃまたは第１非磁性層１１ｎのＸ軸方向の格子長に対応しても良い。第２格子長Ｌｙ（図２（ｂ）参照）は、第１対向磁性層１１ｃまたは第１非磁性層１１ｎのＹ軸方向の格子長に対応しても良い。

格子長に関する情報は、例えば、ＴＥＭ像などから得られる。例えば、ＴＥＭ像から得られる格子像をフーリエ変化した結果から、格子長の大小関係に関する情報を得ることができる。このフーリエ変換は、例えば、結晶面（すなわち、格子面）において行われる。

磁気記憶装置１１０の１つの例において、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃは、ＳＯＧ（Spin On Glass）により形成されても良い。ＳＯＧにおいては、シリコンを含む有機材料が塗布され、加熱処理などにより、絶縁部が形成できる。シリコンを含む有機材料は、例えば、メチルシロキサンを含む。別の例において、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃは、例えば、樹脂（例えばポリイミドなど）を含んでも良い。一方、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）などにより、酸化シリコンの絶縁部が形成できる。

例えば、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃがＳＯＧなどにより形成され、第２絶縁領域４２及び第２対向絶縁領域４２ｃがＣＶＤにより形成されると、良好な記憶動作が得られることが分かった。これは、このような材料の違いにより、第１導電部材２１における応力が緩和されことが原因であると考えられる。

例えば、ＳＯＧにより得られる第１材料において、ＣＶＤにより得られる第２材料と比べて、変形し易いと考えられる。例えば、第１材料はポーラスでも良い。例えば、第１材料に含まれる原子（例えばシリコン）は、結合していない基を多く含んでも良い。このような特性により、第１材料は、第２材料よりも柔らかくなる。

第１材料は、例えば、シラノール基を含んでも良い。第１材料は、例えば、水酸基を含んでも良い。第１材料は、例えば、炭化水素基を含んでも良い。

例えば、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃの少なくともいずれかは、第２絶縁領域４２に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第２絶縁領域４２に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第２絶縁領域４２に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第２絶縁領域４２に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第２絶縁領域４２の空孔率よりも高い第１空孔率、及び、第２絶縁領域４２の密度よりも低い第１密度の少なくともいずれかを有しても良い。

これらの化学基に関する情報は、例えば、赤外分光分析などにより得られる。空孔率に関する情報は、実用的には、断面の顕微鏡観察などにより得られても良い。

第１絶縁領域４１の材料が第２絶縁領域４２の材料とは異なる場合、第１導電部材２１に局所的に生じる応力が緩和され易くなる。このため、第１絶縁側面４１ｓ及び第１対向絶縁側面４１ｃｓが、第１方向（Ｘ軸方向）に実質的に平行でも良い。例えば、距離ｄ４１（図１（ａ）参照））は、一定でも良い。この場合も、材料の違いにより応力が緩和される。

すなわち、１つの例において、磁気記憶装置１１０は、第１導電部材２１、第１絶縁領域４１、第１磁性素子ＳＢ１及び第２絶縁領域４２を含んでも良い。第１導電部材２１は、第１部分２１ａと、第２部分２１ａと、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間の第３部分２１ｃと、を含む。第１導電部材２１は、第１部分２１ａから第２部分２１ｂへの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿って延びる。第１絶縁領域４１から第１導電部材２１への第２方向（例えばＹ軸方向）は、第１方向と交差する。第３部分２１ｃから第１磁性素子ＳＢ１への第３方向（Ｚ軸方向）は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。第１部分２１ａから第２絶縁領域４２への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。第２絶縁領域４２から第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う（図１（ｄ）参照）。第１絶縁領域４１は、第２絶縁領域４２に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第２絶縁領域４２に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第２絶縁領域４２に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第２絶縁領域４２に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第２絶縁領域４２の空孔率よりも高い第１空孔率、及び、第２絶縁領域４２の密度よりも低い第１密度の少なくともいずれかを有しても良い。これにより、例えば、第１導電部材２１及び第１絶縁領域４１の少なくとも一部における応力が緩和される。例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持できる。その結果、例えば、記憶密度を向上できる。実施形態によれば、記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

図１（ｃ）〜図１（ｆ）に示すように、第１部材２０ｓがさらに設けられても良い。第１部材２０ｓは、例えば、基板（または基材）でも良い。例えば、第１部材２０ｓの上に、第１導電部材２１及び絶縁領域が設けられる。１つの例において、第１部材２０ｓは、絶縁材料（例えば酸化アルミニウムなど）を含む。別の例において、第１部材２０ｓは、シリコン層を含んでも良い。シリコン層は、トランジスタなどのスイッチング素子を含んでも良い。シリコン層は、例えば、制御部７０の少なくとも一部を含んでも良い。

図１（ｃ）に示すように、第１部材２０ｓは、第１部材領域２０ｓａ、第２部材領域２０ｓｂ及び第３部材領域２０ｓｃを含んでも良い。第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（例えば、Ｙ軸方向）において、第１部材領域２０ｓａと第２部材領域２０ｓｂとの間にある。第１部材領域２０ｓａから第２部材領域２０ｓｂへの方向は、第２方向に沿う。

図１（ｃ）に示すように、第１部材領域２０ｓａから第１絶縁領域４１への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。第３部材領域２０ｓｃから第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向に沿う。第２部材領域２０ｓｂから第１対向絶縁領域４１ｃへの方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。

図１（ｃ）に示すように、第１部材２０ｓの一部は、第１導電部材２１と重ならない領域において、後退しても良い。第１部材２０ｓのうちの第１導電部材２１と重なる領域は、凸部になり、第１導電部材２１と重ならない領域は、凹部となる。第１部材２０ｓの後退した領域（凹部）に、第１絶縁領域４１が設けられても良い。例えば、第１絶縁領域４１は、第１部材２０ｓのうちの第１導電部材２１と重なる領域（凸部）の側面に対向する。

すなわち、第１部材２０ｓの第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（例えばＹ軸方向）と交差する側面２０ｓｃｓを含む。第１絶縁領域４１は、第２方向（例えばＹ軸方向）において、この側面２０ｓｃｓの少なくとも一部と対向する。例えば、第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（例えばＹ軸方向）と交差する別の側面２０ｓｃｃをさらに含んでも良い。第１対向絶縁領域４１ｃは、第２方向において、この側面２０ｓｃｃの少なくとも一部と対向する。

この場合、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間に、第１導電部材２１に加えて、第１部材２０ｓの凸部（第３部材領域２０ｓｃ）が設けられる（図１（ｃ）参照）。このため、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間に第１導電部材２１が設けられ第１部材２０ｓの凸部が設けられない場合に比べて、第１導電部材２１に生じる局所的な応力が緩和されやすくなる。これにより、例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持し易くなる。記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

この際、第１部材２０ｓの凸部の側面（例えば、側面２０ｓｃｓなど）に設けられる絶縁部が柔らかく、応力を緩和し易い場合は、第１部材２０ｓにおける局所的な温度上昇及び局所的な膨張の影響をより緩和し易くなる。第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃの少なくともいずれかが、上記の第１〜第４濃度、第１空孔率、及び、第１密度の少なくともいずれかを有することで、局所的な温度上昇及び局所的な膨張の影響をより緩和し易くなる。

第１絶縁領域４１が、第２方向において側面２０ｓｃｓの少なくとも一部と対向し、第１対向絶縁領域４１ｃが、第２方向において側面２０ｓｃｃの少なくとも一部と対向する構成（図１（ｃ）参照）においては、上記のように、第１導電部材２１に生じる局所的な応力が緩和されやすくなる。このため、第１絶縁側面４１ｓ及び第１対向絶縁側面４１ｃｓが、第１方向（Ｘ軸方向）に実質的に平行でも良い。例えば、距離ｄ４１（図１（ａ）参照））は、一定でも良い。この場合も、上記の構成により、応力が緩和される。

すなわち、例えば、磁気記憶装置１１０は、第１導電部材２１、第１絶縁領域４１、第１磁性素子ＳＢ１及び第１部材２０ｓを含む。第１導電部材２１は、第１部分２１ａと、第２部分２１ｂと、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間の第３部分２１ｃと、を含む。第１導電部材２１は、第１部分２１ａから第２部分２１ｂへの第１方向（例えばＸ軸方向）に沿って延びる。第１絶縁領域４１から第１導電部材２１への第２方向（例えばＹ軸方向）は、第１方向と交差する。第３部分２１ｃから第１磁性素子ＳＢ１への第３方向（例えば、Ｚ軸方向）は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。第１部材２０ｓは、第１部材領域２０ｓａと、第２部材領域２０ｓｂと、第１部材領域２０ｓａと第２部材領域２０ｓｂとの間の第３部材領域２０ｓｃと、を含む。第１部材領域２０ｓａから第２部材領域２０ｓｂへの方向は、第２方向（例えばＹ軸方向）に沿う。第１部材領域２０ｓａから第１絶縁領域４１への方向は、第３方向に沿う。第３部材領域２０ｓｃから第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向に沿う。第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（Ｙ軸方向）と交差する側面２０ｓｃｓを含む。第１絶縁領域４１は、第２方向（Ｙ軸方向）において、この側面２０ｓｃｓの少なくとも一部と対向する（図１（ｃ）参照）。このような構成により、例えば、第１導電部材２１に生じる局所的な応力が緩和されやすくなる。これにより、例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持し易くなる。記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

実施形態において、以下に説明するように、第１絶縁領域４１の側面の凹凸形状が、第２絶縁領域４２の側面の凹凸形状と異なっても良い。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置の一部を例示する模式図である。
図３（ａ）は、図１（ｃ）に対応する断面図である。図３（ｂ）は、図１（ｄ）に対応する断面図である。これらの図に例示する磁気記憶装置１１１においては、絶縁領域の側面の形状が、磁気記憶装置１１０におけるそれとは異なる。磁気記憶装置１１１におけるこの他の構成は、磁気記憶装置１１０におけるそれと同じで良い。以下、磁気記憶装置１１１における絶縁領域の側面の形状の例について説明する。

図３（ａ）に示すように、第１絶縁領域４１は、第１側面４１ａｓを含む。第１側面４１ａｓは、第２方向（例えばＹ軸方向）において、第１磁性素子ＳＢ１に対向する。一方、第１対向絶縁領域４１ｃは、側面４１ｃａｓを含む。側面４１ｃａｓは、第２方向（例えばＹ軸方向）において、第１磁性素子ＳＢ１に対向する。

図３（ｂ）に示すように、第２絶縁領域４２は、第２側面４２ａｓを含む。第２側面４２ａｓは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１磁性素子ＳＢ１に対向する。第２対向絶縁領域４２ｃは、側面４２ｃａｓを含む。側面４２ｃａｓは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１磁性素子ＳＢ１に対向する。

図３（ａ）に示すように、第２方向及び第３方向を含む第１切断面（Ｙ−Ｚ平面）において、第１側面４１ａｓは、第１磁性素子ＳＢ１に向かって凸状である。例えば、第１切断面において、第１側面４１ａｓは、大きくカーブしている。例えば、第１側面４１ａｓのうちの、第１磁性素子ＳＢ１の中央部分に対向する部分は突出している。例えば、第１側面４１ａｓのうちの、第１非磁性層１１ｎに対向する部分は突出している。

一方、図３（ｂ）に示すように、第１方向及び第３方向を含む第２切断面（Ｘ−Ｚ平面）において、第１側面４１ａｓは、ほぼ直線状である。

例えば、第１切断面における第１側面４１ａｓの曲率は、第２切断面における第２側面４２ａｓの曲率よりも高い。例えば、第１切断面における第１側面４１ａｓの曲率半径は、第２切断面における第２側面４２ａｓの曲率半径よりも小さい。

同様に、例えば、第１切断面における側面４１ｃａｓの曲率は、第２切断面における側面４２ｃａｓの曲率よりも高い。例えば、第１切断面における側面４１ｃａｓの曲率半径は、第２切断面における側面４２ｃａｓの曲率半径よりも小さい。

このように、第１絶縁領域４１と第２絶縁領域４２とにおいて、側面の曲率が異なっても良い。例えば、既に説明したように、第１絶縁領域４１は、第１導電部材２１の厚さ方向の全体において、第１導電部材２１と対向する（図３（ａ）参照）。一方、第２絶縁領域４２は、第１導電部材２１の厚さ方向の一部と対向する。または、第２絶縁領域４２は、第１導電部材２１と対向しない場合もある。このように、第１絶縁領域４１と第２絶縁領域４２とにおいて、第１導電部材２１に対向する状態が互いに異なる。第１絶縁領域４１の第１側面４１ａｓが凸状であると、Ｚ軸方向を規準にしたときに、第１側面４１ａｓの傾斜方向が異なる２つの領域が得られる。この２つの領域は、例えば、図３（ａ）の図中において、第１側面４１ａｓの上側部分、及び、下側部分である。上側部分における傾斜方向は、下側部分における傾斜方向とは逆である。

第１導電部材２１の厚さ方向の全体で対向する第１絶縁領域４１の第１側面４１ａｓにこのような傾斜を設けることで、例えば、第１導電部材２１に局所的な温度の上昇または局所的な膨張が生じたときに局所的に生じる応力を分散し、緩和できる。

一方、第２絶縁領域４２の第２側面４２ａｓを比較的フラットにすることで、例えば、第１磁性素子ＳＢ１の膨張などに起因する応力を緩和できる。

このような側面の形状は、例えば、第１磁性素子ＳＢ１及び第１導電部材２１を含む積層膜の加工条件を制御することで制御できる。例えば、Ｘ軸方向に沿って積層膜を加工する際において、第１磁性素子ＳＢ１の厚さ方向の中央部分のエッチング速度が速くなる条件を用いることで、上記のような凸状の形状が得られる。

このように、第１絶縁領域４１と第２絶縁領域４２とにおいて、側面の曲率が異なることで、局所的な応力が緩和されやすくなる。このため、第１絶縁側面４１ｓ及び第１対向絶縁側面４１ｃｓが、第１方向（Ｘ軸方向）に実質的に平行でも良い。例えば、距離ｄ４１（図１（ａ）参照））は、一定でも良い。この場合も、側面の曲率の違いにより、応力が緩和される。

すなわち、例えば、磁気記憶装置１１０は、第１導電部材２１、第１絶縁領域４１、第１磁性素子ＳＢ１、及び、第２絶縁領域４２を含む。第１導電部材２１は、第１部分２１ａと、第２部分２１ｂと、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間の第３部分２１ｃと、を含む。第１導電部材２１は、第１部分２１ａから第２部分２１ｂへの第１方向（Ｘ軸方向）に沿って延びる。第１絶縁領域４１から第１導電部材２１への第２方向（例えばＹ軸方向）は、第１方向と交差する。第３部分２１ｃから第１磁性素子ＳＢ１への第３方向（例えばＺ軸方向）は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。第１部分２１ａから第２絶縁領域４２への方向は、第３方向（Ｚ軸方向）に沿う。第２絶縁領域４２から第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。第１絶縁領域４１は、第２方向において第１磁性素子ＳＢ１に対向する第１側面４１ａｓを含む。第２絶縁領域４２は、第１方向において第１磁性素子ＳＢ１に対向する第２側面４２ａｓを含む。第２方向及び第３方向を含む第１切断面において、第１側面４１ａｓは、第１磁性素子ＳＢ１に向かって凸状である。第１切断面における第１側面４１ａｓの曲率は、第１方向及び第３方向を含む第２切断面における第２側面４２ａｓの曲率よりも高い（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）。例えば、第１導電部材２１に生じる局所的な応力が緩和されやすくなる。これにより、例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持し易くなる。記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

図４（ａ）〜図４（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図４（ａ）は、図４（ｃ）及び図４（ｅ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図４（ｂ）は、図４（ｃ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。図４（ｄ）は、図４（ｂ）のＤ１−Ｄ２線断面図である。図４（ｅ）は、図４（ｂ）のＥ１−Ｅ２線断面図である。図４（ｆ）は、図４（ｂ）のＦ１−Ｆ２線断面図である。

これらの図に示すように、磁気記憶装置１１２においては、絶縁領域が積層構造を有する。それ以外の磁気記憶装置１１２の構成は、磁気記憶装置１１０または１１１と同様で良い。以下、絶縁領域の構造の例について説明する。

図４（ｃ）に示すように、第１絶縁領域４１は、例えば、部分４１ｅ、部分４１ｆ及び部分４１ｇを含む。例えば、Ｙ軸方向において、部分４１ｆは、部分４１ｇと第１磁性素子ＳＢ１との間にある。Ｙ軸方向において、部分４１ｅは、部分４１ｇと部分４１ｆとの間にある。部分４１ｅの一部から第１導電部材２１への方向は、Ｙ軸方向に沿う。例えば、部分４２ｅの一部は、Ｙ軸方向において、第１導電部材２１と対向する。部分４１ｅは、第１部材２０ｓと接しても良い。例えば、部分４１ｅの材料は、部分４１ｆの材料とは異なる。例えば、部分４１ｅの材料は、部分４１ｇの材料とは異なる。第１絶縁領域４１は、このように積層構造を有しても良い。

図４（ｃ）に示すように、第１対向絶縁領域４１ｃは、例えば、部分４１ｃｅ、部分４１ｃｆ及び部分４１ｃｇを含んでも良い。

部分４１ｆ、部分４１ｇ、部分４１ｃｆ及び部分４１ｃｇは、例えば窒化珪素を含む。例えば、部分４１ｅ及び部分４１ｃｅは、上記の第１材料を含む。第１材料は、例えば、ＳＯＧ、ポーラス材料、シラノール基を含む材料、水酸基を含む材料、炭化水素基を含む材料、または、樹脂よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。

図４（ｄ）に示すように、第２絶縁領域４２は、例えば、部分４２ｅ、部分４２ｆ、部分４２ｇ及び部分４２ｉを含む。例えば、Ｘ軸方向において、部分４２ｆは、部分４２ｇと第１磁性素子ＳＢ１との間にある。Ｘ軸方向において、部分４２ｅは、部分４２ｇと部分４２ｆとの間にある。部分４２ｉは、Ｚ軸方向において、部分４２ｅと第１部材２０ｓとの間に設けられる。例えば、部分４２ｅの材料は、部分４２ｆの材料とは異なる。例えば、部分４２ｅの材料は、部分４２ｇの材料とは異なる。例えば、部分４２ｅの材料は、部分４２ｉの材料とは異なる。第２絶縁領域４２は、このように積層構造を有しても良い。

図４（ｄ）に示すように、第２対向絶縁領域４２ｃは、例えば、部分４２ｃｅ、部分４２ｃｆ、部分４２ｃｇ及び部分４２ｃｉを含んでも良い。

部分４２ｆ、部分４２ｇ、部分４２ｉ、部分４２ｃｆ、部分４２ｃｇ及び４２ｃｉは、例えば窒化珪素を含む。例えば、部分４２ｅ及び部分４２ｃｅは、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン及び酸化アルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。

例えば、部分４１ｆ、部分４１ｇ、部分４１ｃｆ及び部分４１ｃｇは、第１導電部材２１に含まれる元素と、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つと、を含んでも良い。

部分４２ｆ、部分４２ｇ、部分４２ｉ、部分４２ｃｆ、部分４２ｃｇ及び部分４２ｃｉは、例えば、第１導電部材２１に含まれる元素と、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つと、を含んでも良い。

図１（ａ）及び図４（ａ）に示すように、磁気記憶装置１１０及び１１２においては、第１導電部材２１のＹ軸方向の幅は、磁性素子ＳＢＰと重なる領域で広く、磁性素子ＳＢＰと重ならない領域で狭い。以下に説明するように、幅の大小の関係が逆でも良い。

図５（ａ）〜図５（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図５（ａ）は、図５（ｃ）及び図５（ｅ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図５（ｂ）は、図５（ｃ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図５（ｃ）は、図５（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。図５（ｄ）は、図５（ｂ）のＤ１−Ｄ２線断面図である。図５（ｅ）は、図５（ｂ）のＥ１−Ｅ２線断面図である。図５（ｆ）は、図５（ｂ）のＦ１−Ｆ２線断面図である。

図５（ａ）に示すように、磁気記憶装置１１３においても、第１絶縁領域４１の第１導電部材２１に対向する第１絶縁側面４１ｓの一部は、第１方向（Ｘ軸方向）に対して傾斜する。第１対向絶縁領域４１ｃの第１導電部材２１に対向する第１対向絶縁側面４１ｃｓの一部は、第１方向に対して傾斜する。

複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）が設けられても良い。第１絶縁側面４１ｓと第１対向絶縁側面４１ｃｓとの間の第２方向（例えばＹ軸方向）に沿う距離を距離ｄ４１とする。距離ｄ４１は、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）に対応して増減を繰り返しても良い。

図５（ａ）に示すように、磁気記憶装置１１３においては、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）に対応する位置における距離ｄ４１は、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）の間の領域に対応する位置における距離ｄ４１よりも短い。

例えば、第１絶縁領域４１の材料は、第２絶縁領域４２の材料とは異なっても良い。例えば、第１絶縁領域４１は、上記の第１〜第４濃度、第１空孔率、及び、第１密度の少なくともいずれかを有しても良い。

図５（ｃ）に示すように、第１部材２０ｓがさらに設けられても良い。第１部材２０ｓの第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（Ｙ軸方向）と交差する側面２０ｓｃｓを含む。第１絶縁領域４１は、第２方向（例えば、Ｙ軸方向）において、この側面２０ｓｃｓの少なくとも一部と対向しても良い。

磁気記憶装置１１３においても、例えば、第１導電部材２１に生じる局所的な応力が緩和されやすくなる。これにより、例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持し易くなる。記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

さらに、磁気記憶装置１１３において、磁気記憶装置１１１と同様に、第２方向及び第３方向を含む第１切断面において、第１絶縁領域４１の第１側面４１ａｓは、第１磁性素子ＳＢ１に向かって凸状でも良い（図３（ａ）参照）。第１切断面における第１側面４１ａｓの曲率は、第１方向及び第３方向を含む第２切断面（図３（ｂ）参照）における、第２絶縁領域４２の第２側面４２ａｓの曲率よりも高くても良い。例えば、第１導電部材２１に生じる局所的な応力が緩和されやすくなる。

図６（ａ）〜図６（ｆ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図６（ａ）は、図６（ｃ）及び図６（ｅ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図６（ｂ）は、図６（ｃ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。図６（ｄ）は、図６（ｂ）のＤ１−Ｄ２線断面図である。図６（ｅ）は、図６（ｂ）のＥ１−Ｅ２線断面図である。図６（ｆ）は、図６（ｂ）のＦ１−Ｆ２線断面図である。

これらの図に示すように、磁気記憶装置１１４においては、絶縁領域が積層構造を有する。それ以外の磁気記憶装置１１４の構成は、磁気記憶装置１１３と同様で良い。

例えば、図６（ｃ）に示すように、第１絶縁領域４１は、例えば、部分４１ｅ、部分４１ｆ及び部分４１ｇを含む。図６（ｃ）に示すように、第１対向絶縁領域４１ｃは、例えば、部分４１ｃｅ、部分４１ｃｆ及び部分４１ｃｇを含んでも良い。図６（ｄ）に示すように、第２絶縁領域４２は、例えば、部分４２ｅ、部分４２ｆ、部分４２ｇ及び部分４２ｉを含む。図６（ｄ）に示すように、第２対向絶縁領域４２ｃは、例えば、部分４２ｃｅ、部分４２ｃｆ、部分４２ｃｇ及び部分４２ｃｉを含んでも良い。

図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ａ）、図９（ｂ）、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。 図７（ａ）、図８（ａ）、図９（ａ）及び図１０（ａ）は、図１（ａ）に対応する断面図である。図７（ｂ）、図８（ｂ）、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）は、図１（ｂ）に対応する平面図である。

これらの図に示す磁気記憶装置１１０ａ、１１２ａ、１１３ａ及び１１４ａのように、第１絶縁側面４１ｓの一部は、第１方向（Ｘ軸方向）に対して傾斜し、第１絶縁側面４１ｓの別の一部は、第１方向に沿っている。第１対向絶縁側面４１ｃｓの一部は、第１方向に対して傾斜し、第１対向絶縁側面４１ｃｓの別の一部は、第１方向に沿っている。このように、第１絶縁側面４１ｓ及び第１対向絶縁側面４１ｃｓの少なくともいずれかの一部が、Ｘ軸方向に対して傾斜することで、局所的な温度上昇及び膨張などが生じたときに生じる応力を分散することができる。安定した動作を維持できる。記憶密度を向上できる磁気記憶装置を提供できる。

第１絶縁側面４１ｓと第１対向絶縁側面４１ｃｓとの間の第２方向（例えばＹ軸方向）に沿う距離を距離ｄ４１は、複数の第１磁性素子ＳＢ１（複数の磁性素子ＳＢＰ）に対応して増減を繰り返しても良い。

図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１１（ａ）及び図１１（ｃ）は、図１（ｂ）のＣ１−Ｃ２線に対応する位置における断面図である。図１１（ｂ）及び図１１（ｄ）は、図１（ｂ）のＥ１−Ｅ２線に対応する断面図である。

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す磁気記憶装置１１２ｂのように、部分４１ｆ、４１ｇ、４１ｃｆ及び４１ｃｇのそれぞれのＹ軸方向の長さ（厚さ）は、第１導電部材２１から第１磁性層１１に向かって、減少しても良い。

図１１（ｂ）に示すように、部分４１ｆと第１導電部材２１との間に、第２絶縁領域４２の一部が設けられても良い。実施形態において、例えば、部分４１ｆを設けることで、第１導電部材２１の端部に集中する応力を低減することができる。部分４１ｆと第１導電部材２１との間に、第２絶縁領域４２の一部が設けられることで、応力をさらに効果的に低減できる。

図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すように、磁気記憶装置１１４ｂにおいても、部分４１ｆ、４１ｇ、４１ｃｆ及び４１ｃｇのそれぞれのＹ軸方向の長さ（厚さ）は、第１導電部材２１から第１磁性層１１に向かって、減少しても良い。

図１２は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
図１２は、図１（ｂ）のＣ１−Ｃ２線に対応する位置における断面図である。図１２に示すように、磁気記憶装置１１５においては、第２方向（例えばＹ軸方向）において、部分４１ｅと第１磁性素子ＳＢ１との間に、空隙４１ｖ（例えばボイド）が設けられている。部分４１ｃｅと第１磁性素子ＳＢ１との間に、空隙４１ｃｖ（例えばボイド）が設けられている。磁気記憶装置１１５におけるこれ以外の構成は、磁気記憶装置１１２または１１２ａと同様である。

例えば、磁気記憶装置１１２と同様に、磁気記憶装置１１５において、第１方向（Ｘ軸方向）において、部分４２ｅと第１磁性素子ＳＢ１との間には空隙は設けられていない（例えば図４（ｂ）参照）。または、部分４２ｅと第１磁性素子ＳＢ１との間の空隙は、部分４１ｅと第１磁性素子ＳＢ１との間の空隙よりも小さい。

このように、Ｙ軸方向において第１磁性素子ＳＢ１と絶縁部材（部分４１ｅなど）との間に空隙４１ｖが設けられ、Ｘ軸方向において第１磁性素子ＳＢ１と絶縁部材（部分４２ｅなど）との間に空隙が設けられないことで、例えば、第１導電部材２１において局所的な温度上昇及び膨張などが生じたときに生じる応力を分散することができる。第１導電部材２１の損傷が抑制できる。動作が安定になる。その結果、例えば、記憶密度を向上できる。

例えば、部分４１ｆ及び部分４１ｃｆを第１絶縁領域４１とは別の絶縁領域と見なしても良い。この場合、部分４２ｅが第１絶縁領域４１に対応する。例えば、その別の絶縁領域（部分４１ｆ及び部分４１ｃｆなど）は、第２方向（Ｙ軸方向）において、第１絶縁領域４１（部分４１ｅ）と、第１磁性素子ＳＢ１と、の間に設けられる。その別の絶縁領域（部分４１ｆ及び部分４１ｃｆなど）と、第１絶縁領域４１（部分４１ｅ）と、の間の少なくとも一部に、ボイド（空隙４１ｖまたは空隙４１ｃｖなど）が設けられても良い。応力を効果的に分散し、動作が安定になる。その結果、例えば、記憶密度を向上し易くなる。

空隙４１ｖまたは空隙４１ｃｖなどは、第１絶縁領域４１の形成条件などの調整により形成することができる。

空隙４１ｖまたは空隙４１ｃｖなどは、第１実施形態に係る任意の磁気記憶装置及びその変形に適用できる。

図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１３（ａ）は、図１３（ｃ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図１３（ｂ）は、第１導電部材２１を含む平面における断面図である。図１３（ｃ）は、図１３のＧ１−Ｇ２線断面図である。

図１３（ａ）及び図１３（ｃ）に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置１１８は、第１導電部材２１、第１絶縁領域４１、第２絶縁領域４２及び第１磁性素子ＳＢ１を含む。

図１３（ｃ）に示すように、第１導電部材２１は、第１部分２１ａ、第２部分２１ｂ及び第３部分２１ｃを含む。第３部分２１ｃは、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間に設けられる。第１部分２１ａから第２部分２１ｂへの方向は、第１方向に沿う。第１方向は、例えば、Ｘ軸方向である。１つの例において、第１導電部材２１は、第１方向に沿って延びる。例えば、第１方向に沿う第１導電部材２１の長さは、第１方向と交差する方向に沿う第１導電部材２１の長さよりも長くても良い。

図１３（ｂ）に示すように、第１絶縁領域４１から第１導電部材２１への第２方向は、第１方向と交差する。第２方向は、例えばＹ軸方向である。

第２絶縁領域４２から第１導電部材２１への方向は、第１方向に沿う。第１絶縁領域４１の材料は、第２絶縁領域４２の材料とは異なる。

図１３（ｃ）に示すように、第３部分２１ｃから第１磁性素子ＳＢ１への第３方向は、第１方向及び第２方向を含む平面（例えばＸ−Ｙ平面）と交差する。第３方向は、例えば、Ｚ軸方向である。

磁気記憶装置１１８においては、第１導電部材２１にＹ軸方向で対向する第１絶縁領域の材料が、第１導電部材２１にＸ軸方向で対向する第２絶縁領域の材料とは異なる。これにより、第１導電部材２１に加わる応力において、異方性が生じる。これにより、例えば、第１導電部材２１の特性（例えば導電率など）に異方性が生じても良い。例えば、第１導電部材２１の特性（例えば導電率など）に異方性が生じても良い。例えば、第１導電部材２１を流れる電流の向きの均一性が向上する。例えば、第１導電部材２１から第１対向磁性層１１ｃに与える効果（例えばスピンホール効果）の均一性が高まる。より安定した動作が得られる。

第１導電部材２１にＹ軸方向で対向する第１絶縁領域の材料が、第１導電部材２１にＸ軸方向で対向する第２絶縁領域の材料とは異なることで、第１導電部材２１に生じる応力が緩和されても良い。例えば、第１導電部材２１のＸ軸方向の長さは、Ｙ軸方向の長さと異なる。例えば、熱膨張などの影響により、第１導電部材２１に生じる応力に異方性が生じる場合ある。このような応力により、第１導電部材２１及びその周りの絶縁領域に、局所的に大きな応力が集中する場合がある。絶縁領域の材料の違いにより応力が緩和されることで、応力の集中が抑制される。例えば、第１導電部材２１の損傷が抑制できる。例えば、第１絶縁領域４１及び絶縁領域の損傷を抑制できる。動作が安定になる。例えば素子サイズを小さくしても、安定した動作を維持できる。記憶密度を向上できる。

磁気記憶装置１１８において、例えば、第１絶縁領域４１は、第２絶縁領域４２に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第２絶縁領域４２に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第２絶縁領域４２に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第２絶縁領域４２に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第２絶縁領域４２の空孔率よりも高い空孔率、及び、第２絶縁領域４２の密度よりも低い密度の少なくともいずれかを有しても良い。

図１３（ａ）〜図１３（ｃ）に示すように、第１導電部材２１及び第１磁性素子ＳＢ１を含む組が複数設けられても良い。１つの組は、導電部材２１Ａ及び磁性素子ＳＢＰを含む。複数の組みが、Ｘ軸方向に並ぶ。複数の組みが、Ｙ軸方向に並ぶ。複数の組みの１つが、第２絶縁領域４２と絶縁領域４２Ｐとの間に設けられる。または、複数の組みの１つが、複数の絶縁領域４２Ｐの１つと、複数の絶縁領域４２Ｐの別の１つと、の間に設けられる。

Ｙ軸方向において、第１対向絶縁領域４１ｃと、別の第１対向絶縁領域４１ｃと、の間に、第１絶縁領域４１が設けられる。Ｙ軸方向において、第１対向絶縁領域４１ｃと第１絶縁領域４１との間に、導電部材２１Ａ及び磁性素子ＳＢＰを含む複数の組みが設けられる。Ｙ軸方向において、別の第１対向絶縁領域４１ｃと、第１絶縁領域４１と、の間に、導電部材２１Ａ及び磁性素子ＳＢＰを含む別の複数の組みが設けられる。

図１３（ｃ）に示すように、第１接続部材３１及び第２接続部材３２が設けられても良い。第１接続部材３１は、第１部分２１ａと電気的に接続される。第２接続部材３２は、第２部分２１ｂと電気的に接続される。これらの接続部材、及び、端子Ｔ８は、制御部７０(図１（ａ）など参照）と電気的に接続される。

図１３（ｃ）に示すように、絶縁層４８が設けられても良い。絶縁層４８から第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。例えば、絶縁層４８と第１磁性素子ＳＢ１との間に第１導電部材２１が設けられる。絶縁層４８は、例えば、第１導電部材２１の応力を調整しても良い。例えば、第１導電部材２１周りに設けられる絶縁部が安定になる。応力の調整により、例えば、第１導電部材２１の特性が安定になる。絶縁層４８は、第１導電部材２１の一部に設けられても良い。例えば、第１導電部材２１は、Ｚ軸方向において、絶縁層４８と重なる部分と、重ならない部分と、を含んでも良い。絶縁層４８は、第１実施形態に係る上記の磁気記憶装置に設けられても良い。

磁気記憶装置１１８において、第１導電部材２１の第１方向に沿う格子長は、第１導電部材２１の第２方向に沿う格子長とは異なっても良い。

磁気記憶装置１１８において、例えば、第１絶縁領域４１は、第２方向において第１磁性素子ＳＢ１に対向する第１側面４１ａｓ（図３（ａ）参照）を含んでも良い。第２絶縁領域４２は、第１方向において第１磁性素子ＳＢ１に対向する第２側面４２ａｓ（図３（ａ）参照）を含んでも良い。第２方向及び第３方向を含む第１切断面において、第１側面４１ａｓは、第１磁性素子ＳＢ１に向かって凸状も良い（図３（ａ）参照）。第１切断面における第１側面４１ａｓの曲率は、第１方向及び第３方向を含む第２切断面における第２側面４２ａｓの曲率よりも高くても良い（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）。

例えば、磁気記憶装置１１８は、第１部材２０ｓ（図１（ｃ）参照）をさらに含んでも良い。第１部材２０ｓは、第１部材領域２０ｓａ、第２部材領域２０ｓｂ及び第３部材領域２０ｓｃを含んでも良い（図１（ｃ）参照）。第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（例えば、Ｙ軸方向）において、第１部材領域２０ｓａと第２部材領域２０ｓｂとの間にある。第１部材領域２０ｓａから第２部材領域２０ｓｂへの方向は、第２方向に沿う（図１（ｃ）参照）。第１部材領域２０ｓａから第１絶縁領域４１への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。第３部材領域２０ｓｃから第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向に沿う。第２部材領域２０ｓｂから第１対向絶縁領域４１ｃへの方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う（図１（ｃ）参照）第１部材２０ｓの第３部材領域２０ｓｃは、第２方向（例えばＹ軸方向）と交差する側面２０ｓｃｓを含む。第１絶縁領域４１は、第２方向（例えばＹ軸方向）において、この側面２０ｓｃｓの少なくとも一部と対向しても良い（図１（ｃ）参照）。

（第２実施形態）
図１４（ａ）〜図１４（ｃ）、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１４（ａ）は、図１５（ａ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図１５（ａ）は、図１４（ａ）のＨ１−Ｈ２線断面図である。図１４（ｂ）及び図１４（ｃ）は、Ｘ−Ｙ平面で切断した断面図である。図１４（ｂ）は、第１導電部材２１を含む平面における断面図である。図１４（ｂ）は、後述する第１〜第３接続部材３１〜３３を含む平面における断面図である。図１５（ｂ）は、Ｙ−Ｚ平面で切断した断面図である。

図１５（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置１２０は、第１絶縁部６１、第２絶縁部６２、第３絶縁部６３、第１導電部材２１、第１磁性素子ＳＢ１及び第２磁性素子ＳＢ２を含む。このように、磁気記憶装置１２０においては、１つの第１導電部材２１に、２つの磁性素子が設けられる。磁気記憶装置１２０は、制御部７０をさらに含んでも良い。

第１絶縁部６１から第３絶縁部６３に向かう第１方向において、第２絶縁部６２は、第１絶縁部６１と第３絶縁部６３との間にある。第１方向は、例えば、Ｘ軸方向である。

第１導電部材２１は、第１絶縁部６１の少なくとも一部と、第３絶縁部６３の少なくとも一部と、の間に設けられる。第１導電部材２１は、第１方向に沿って延びる。

第１磁性素子ＳＢ１は、第１絶縁部６１と第２絶縁部６２との間に設けられる。第１導電部材２１から第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向に沿う。第３方向は、第１方向と交差する。第３方向は、例えば、Ｚ軸方向である。

第２磁性素子ＳＢ２は、第２絶縁部６２と第３絶縁部６３との間に設けられる。第１導電部材２１から第２磁性素子ＳＢ２への方向は、第３方向に沿う。

図１４（ｂ）及び図１５（ａ）に示すように、例えば、第１導電部材２１は、第１〜第５部分２１ａ〜２１ｅを含む。第１部分２１ａは、第１絶縁部６１の一部と、第３絶縁部６３と、の間にある。第２部分２１ｂは、第１部分２１ａと第３絶縁部６３との間にある。第３部分２１ｃは、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間にある。第４部分２１ｄは、第２部分２１ｂと第３絶縁部６３との間にある。第５部分２１ｅは、第２部分２１ｂと第４部分２１ｄとの間にある。

第１磁性素子ＳＢ１は、第１磁性層１１、第１対向磁性層１１ｃ及び第１非磁性層１１ｎを含む。Ｚ軸方向において、第３部分２１ｃと第１磁性層１１との間に、第１対向磁性層１１ｃが設けられる。第１非磁性層１１ｎは、第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｃとの間に設けられる。

第２磁性素子ＳＢ２は、第２磁性層１２、第２対向磁性層１２ｃ及び第２非磁性層１２ｎを含む。Ｚ軸方向において、第５部分２１ｅと第２磁性層１２との間に、第２対向磁性層１２ｃが設けられる。第２非磁性層１２ｎは、第２磁性層１２と第２対向磁性層１２ｃとの間に設けられる。

この例では、第１接続部材３１、第２接続部材３２及び第３接続部材３３が設けられる（図１４（ｃ）及び図１５（ａ）参照）。第１接続部材３１は、第１部分２１ａと電気的に接続される。第２接続部材３２は、第４部分２１ｄと電気的に接続される。第３接続部材３３は、第２部分２１ｂと電気的に接続される。第１接続部材３１、第２接続部材３２及び第３接続部材３３は、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２及び第３端子Ｔ３とそれぞれ電気的に接続される。

第４端子Ｔ４は、第１磁性層１１と電気的に接続される。第５端子Ｔ５は、第２磁性層１２と電気的に接続される。制御部７０は、第１〜第５端子Ｔ１〜Ｔ５と電気的に接続される。

制御部７０は、例えば、第１〜第３動作を実施する。第１動作において、制御部７０は、第１端子Ｔ１から第３端子Ｔ３に向けた第１電流、及び、第２端子Ｔ２から第３端子Ｔ３に向けた第２電流を供給する。第２動作において、制御部７０は、第３端子Ｔ３から第１端子Ｔ１に向けた第３電流、及び、第３端子Ｔ３から第２端子Ｔ２に向けた第４電流を供給する。第１動作により、２つの磁性素子の組みにおいて、１つの抵抗状態が得られる。第２動作により、２つの磁性素子の組みにおいて、別の１つの抵抗状態が得られる。第１動作は、例えば、「１」及び「０」の一方の書き込み動作に対応する。第２動作は、例えば、「１」及び「０」の他方の書き込み動作に対応する。

第３動作において、制御部７０は、第４端子Ｔ４と第５端子Ｔ５との間（第１磁性層１１と第２磁性層１２との間）に電圧を印加し、第３端子Ｔ３（第２部分２１ｂ）の電位を検出する。複数の抵抗状態において、第３端子Ｔ３（第２部分２１ｂ）の電位が異なる。第３端子Ｔ３（第２部分２１ｂ）の電位を検出することで、複数の抵抗状態（複数の記憶状態）が検出できる。

磁気記憶装置１２０の１つの例においては、第１絶縁部６１の材料は、第２絶縁部６２の材料とは異なる。例えば、第３絶縁部６３の材料は、第２絶縁部６２の材料とは異なる。第３絶縁部６３の材料は、第１絶縁部６１の材料と同じでも良い。

例えば、第１絶縁部６１及び第３絶縁部６３は、例えば、窒化シリコンを含む。第２絶縁部６２は、例えば、酸化シリコンを含む。

第１導電部材２１において、端部（第１部分２１ａ及び第４部分２１ｄ）と、中央部分（第２部分２１ｂ）と、の間で、温度の上昇の程度が異なる。例えば、第１導電部材において、端部と中央部分との間で、膨張が異なる。端部に位置する第１絶縁部６１及び第３絶縁部６３と、中央部分に位置する第２絶縁部６２と、の間で材料を変えることで、温度の上昇の不均一さ、及び、膨張の不均一さにより生じる局所的な応力を緩和できる。

１つの例において、第１絶縁部６１及び第３絶縁部６３の熱膨張係数は、第２絶縁部６２の熱膨張係数よりも大きい。

図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、磁気記憶装置１２０は、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃをさらに含んでも良い。第１絶縁領域４１から第１対向絶縁領域４１ｃへの第２方向において、第１磁性素子ＳＢ１及び第２磁性素子ＳＢ２は、第１絶縁領域４１と第１対向絶縁領域４１ｃとの間に設けられる。

１つの例において、第１絶縁部６１の材料は、第１絶縁領域４１の材料とは異なっても良い。例えば、第１絶縁領域４１は、第１絶縁部６１に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第１絶縁部６１に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第１絶縁部６１に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第１絶縁部６１に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第１絶縁部６１の空孔率よりも高い第１空孔率、及び、第１絶縁部６１の密度よりも低い第１密度の少なくともいずれかを有しても良い。

例えば、第１導電部材２１に電流が流れたときに、第１導電部材２１に局所的な応力が生じやすい。第１導電部材２１とＸ軸方向で対向する第１絶縁部６１及び第３絶縁部６３の材料と、第１導電部材２１とＹ軸方向で対向する第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃの材料と、を互いに異ならせることで、局所的な応力を緩和し易くできる。

例えば、第１絶縁領域４１（及び第１対向絶縁領域４１ｃ）は、ＳＯＧまたは樹脂などにより形成されても良い。第１絶縁部６１（及び第３絶縁部６３）は、ＣＶＤなどにより形成されても良い。

磁気記憶装置１２０の別の例において、第２絶縁部６２の材料が、第１絶縁領域４１の材料と異なっても良い。この場合も、局所的な応力を緩和し易くできる。

この場合、第１絶縁領域４１は、第２絶縁部６２に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第２絶縁部６２に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第２絶縁部６２に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第２絶縁部６２に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第２絶縁部６２の空孔率よりも高い空孔率、及び、第２絶縁部６２の密度よりも低い密度の少なくともいずれかを有しても良い。

図１４（ｃ）、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、絶縁層４８が設けられても良い。絶縁層４８から第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。絶縁層４８から第２磁性素子ＳＢ２への方向は、第３方向に沿う。絶縁層４８は、例えば、第１部材２０ｓと第１導電部材２１との間に設けられる。例えば、絶縁層４８と第１磁性素子ＳＢ１との間に第１導電部材２１が設けられる。絶縁層４８は、例えば、第１導電部材２１の応力を調整しても良い。例えば、第１導電部材２１周りに設けられる絶縁部が安定になる。応力の調整により、例えば、第１導電部材２１の特性が安定になる。絶縁層４８は、第１導電部材２１の一部に設けられても良い。例えば、第１導電部材は、Ｚ軸方向において、絶縁層４８と重なる部分と、重ならない部分と、を含んでも良い。

例えば、絶縁層４８は、例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｂ、Ｓｃ、Ｌｉ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素と、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素と、を含む。

図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
図１６（ａ）は、図１６（ｃ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図１６（ｃ）は、図１６（ａ）のＩ１−Ｉ２線断面図である。図１６（ｂ）は、Ｘ−Ｙ平面で切断した断面図である。図１６（ｂ）は、第１導電部材２１を含む平面における断面図である。

図１６（ａ）及び図１６（ｃ）に示すように、磁気記憶装置１２１も、磁気記憶装置１２０と同様に、第１絶縁部６１、第２絶縁部６２、第３絶縁部６３、第１導電部材２１、第１磁性素子ＳＢ１及び第２磁性素子ＳＢ２を含む。磁気記憶装置１２１は、第４絶縁部６４、第５絶縁部６５、第３磁性素子ＳＢ３及び第４磁性素子ＳＢ４をさらに含む。

既に説明したように、第１絶縁部６１から第３絶縁部６３に向かう第１方向（例えばＸ軸方向）において、第２絶縁部６２は、第１絶縁部６１と第３絶縁部６３との間にある。第１導電部材２１は、第１絶縁部の少なくとも一部と、第３絶縁部６３の少なくとも一部と、の間に設けられる（図１６（ｂ）参照）。第１磁性素子ＳＢ１は、第１絶縁部６１と第２絶縁部６２との間に設けられる。第１導電部材２１から第１磁性素子ＳＢ１への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。第２磁性素子ＳＢ２は、第２絶縁部６２と第３絶縁部６３との間に設けられる。第１導電部材２１から第２磁性素子ＳＢ２への方向は、第３方向に沿う。

第１方向（Ｘ軸方向）において、第４絶縁部６４は、第３絶縁部６３と第５絶縁部６５との間にある。第２導電部材２２は、第３絶縁部６３の少なくとも一部と、第５絶縁部６５の少なくとも一部と、の間に設けられる。

第３磁性素子ＳＢ３は、第３絶縁部６３と第４絶縁部６４との間に設けられる。第２導電部材２２から第３磁性素子ＳＢ３への方向は、第３方向（例えば、Ｚ軸方向）に沿う。 第４磁性素子ＳＢ４は、第４絶縁部６４と第５絶縁部６５との間に設けられる。第２導電部材２２から第４磁性素子ＳＢ４への方向は、第３方向（例えばＺ軸方向）に沿う。

第１導電部材２１は、第１〜第５部分２１ａ〜２１ｅを含む。第１部分２１ａから第４部分２１ｄへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。第２部分２１ａは、第１部分２１ａと第４部分２１ｄとの間にある。第３部分２１ａは、第１部分２１ａと第２部分２１ｂとの間にある。第５部分２１ｅは、第２部分２１ｂと第４部分２１ｄとの間にある。

図１６（ｃ）に示すように、第１磁性素子ＳＢ１において、第３部分２１ｃと第１磁性層１１との間に第１対向磁性層１１ｃが設けられる。第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｃとの間に第１非磁性層１１ｎが設けられる。第２磁性素子ＳＢ２において、第５部分２１ｃと第２磁性層１２との間に第２対向磁性層１２ｃが設けられる。第２磁性層１２と第２対向磁性層１２ｃとの間に第２非磁性層１２ｎが設けられる。

第２導電部材２２は、第６〜第１０部分２２ｆ〜２２ｉを含む。第６部分２２ｆから第９部分２２ｉへの方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。第７部分２２ｇは、第６部分２２ｆと第９部分２２ｉとの間にある。第８部分２２ｈは、第６部分２２ｆと第７部分２２ｇとの間にある。第１０部分２２ｊは、第７部分２２ｇと第９部分２２ｉとの間にある。Ｘ軸方向において、第１導電部材２１の第１部分２１ａと、第２導電部材２２の第９部分２２ｉと、の間に、第１導電部材２１の第４部分２１ｄと、第２導電部材２２の第６部分２２ｆがある。

図１６（ｃ）に示すように、第３磁性素子ＳＢ３は、第３磁性層１３、第３対向磁性層１３ｃ及び第３非磁性層１３ｎを含む。第８部分２２ｈと第３磁性層１３との間に第３対向磁性層１３ｃが設けられる。第３磁性層１３と第３対向磁性層１３ｃとの間に第３非磁性層１３ｎが設けられる。第４磁性素子ＳＢ４は、第４磁性層１４、第４対向磁性層１４ｃ及び第４非磁性層１４ｎを含む。第１０部分２２ｊと第４磁性層１４との間に第４対向磁性層１４ｃが設けられる。第４磁性層１４と第４対向磁性層１４ｃとの間に第４非磁性層１４ｎが設けられる。

図１６（ｃ）に示すように、第３絶縁部６３は、第１領域６３ａ、第２領域６３ｂ及び第３領域６３ｃを含む。第１導電部材２１の一部（第４部分２１ｄ）から第３絶縁部６３の第１領域６３ａへの方向は、第３方向に沿う。第２導電部材２２の一部（第６部分２２ｆ）から第３絶縁部６３の第２領域６３ｂへの方向は、第３方向に沿う。第３絶縁部６３の第３領域６３ｃは、第１方向（例えばＸ軸方向）において、第１導電部材２１と第２導電部材２２との間にある。例えば、第１導電部材２１の端部（第４部分２１ｄ）が、第３絶縁部６３の第１領域６３ａ及び第３領域６３ｃにより、Ｚ軸方向及びＸ軸方向から保持される。例えば、第２導電部材２２の端部（第６部分２２ｆ）が、第３絶縁部６３の第２領域６３ｂ及び第３領域６３ｃにより、Ｚ軸方向及びＸ軸方向から保持される。安定して保持されるため、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の変形などが抑制される。

図１６（ｃ）に示すように、第１接続部ＥＣ１及び第２接続部ＥＣ２がさらに設けられても良い。第３方向（Ｚ軸方向）において、第１接続部ＥＣ１と第１領域６３ａとの間に第１導電部材２１の上記の一部（第４部分２１ｄ）がある。第１接続部ＥＣ１は、第１導電部材２１の上記の一部（第４部分２１ｄ）と電気的に接続される。第３方向（Ｚ軸方向）において、第２接続部ＥＣ２と第２領域６３ｂとの間に第２導電部材２２の上記の一部（第６部分２２ｆ）がある。第２接続部ＥＣ２は、第２導電部材２２の上記の一部（第６部分２２ｆ）と電気的に接続される。

このような構成により、第４部分２１ｄは、Ｚ軸方向において、第１領域６３ａと第１接続部ＥＣ１との間に挟まれ、安定して保持される。第６部分２２ｆは、Ｚ軸方向において、第２領域６３ｂと第２接続部ＥＣ２との間に挟まれ、安定して保持される。第１導電部材２１及び第２導電部材２２が、より安定し、変形などがより抑制される。

図１６（ｃ）に示すように、第３〜第６接続部ＥＣ３〜ＥＣ６がさらに設けられても良い。Ｚ軸方向において、第３接続部ＥＣ３と第１絶縁部６１との間に第１導電部材２１の第１部分２１ａがある。第３接続部ＥＣ３は、第１部分２１ａと電気的に接続される。Ｚ軸方向において、第４接続部ＥＣ４と第２絶縁部６２との間に第１導電部材２１の第２部分２１ｂがある。第４接続部ＥＣ４は、第２部分２１ｂと電気的に接続される。Ｚ軸方向において、第５接続部ＥＣ５と第５絶縁部６５との間に第２導電部材２２の第９部分２２ｉがある。第５接続部ＥＣ５は、第５部分２２ｉと電気的に接続される。Ｚ軸方向において、第６接続部ＥＣ６と第４絶縁部６４との間に第２導電部材２２の第７部分２２ｇがある。第６接続部ＥＣ６は、第７部分２２ｇと電気的に接続される。

第３接続部ＥＣ３、第１接続部ＥＣ１及び第４接続部ＥＣ４は、図１５（ａ）に関して説明した第１接続部材３１、第２接続部材３２及び第３接続部材３３にそれぞれ対応する。

第２接続部ＥＣ２、第６接続部ＥＣ６及び第５接続部ＥＣ５は、図１５（ａ）に関して説明した第１接続部材３１、第２接続部材３２及び第３接続部材３３と同様の機能を有しても良い。

例えば、第３接続部ＥＣ３、第１接続部ＥＣ１、第４接続部ＥＣ４、第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、制御部７０と電気的に接続されても良い。例えば、第２接続部ＥＣ２、第６接続部ＥＣ６、第５接続部ＥＣ５、第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、制御部７０と電気的に接続されても良い。

磁気記憶装置１２１において、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃがさらに設けられても良い。

磁気記憶装置１２１において、例えば、第１絶縁領域４１は、第１絶縁部６１に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第１絶縁部６１に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第１絶縁部６１に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第１絶縁部６１に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第１絶縁部６１の空孔率よりも高い第１空孔率、及び、第１絶縁部６１の密度よりも低い第１密度の少なくともいずれかを有しても良い。

磁気記憶装置１２１において、例えば、第１絶縁領域４１は、第２絶縁部６２に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、第２絶縁部６２に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、第２絶縁部６２に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、第２絶縁部６２に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、第２絶縁部６２の空孔率よりも高い第１空孔率、及び、第２絶縁部６２の密度よりも低い第１密度の少なくともいずれかを有しても良い。

図１７は、第２実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
図１７は、図１５（ｂ）に対応する断面図である。実施形態に係る磁気記憶装置１２２においては、第１絶縁領域４１及び第１対向絶縁領域４１ｃの形状は、磁気記憶装置１２０におけるそれとか異なっている。磁気記憶装置１２２におけるこれ以外の構成は、磁気記憶装置１２０における構成と同様でも良い。

図１７に示すように、磁気記憶装置１２２においては、第１導電部材２１の第３方向（Ｚ軸方向）における位置は、第１絶縁領域４１の一部の第３方向における位置と、第１絶縁領域４１の別の一部の第３方向における位置と、の間にある。例えば、第１絶縁領域４１の下端は、第１導電部材２１の下端よりも下にある。例えば、第１絶縁領域４１の上端は、第１導電部材２１の上端よりも上にある。

第１導電部材２１の第３方向（Ｚ軸方向）における位置は、第１対向絶縁領域４１ｃの一部の第３方向における位置と、第１対向絶縁領域４１ｃの別の一部の第３方向における位置と、の間にある。例えば、第１対向絶縁領域４１ｃの下端は、第１導電部材２１の下端よりも下にある。例えば、第１対向絶縁領域４１ｃの上端は、第１導電部材２１の上端よりも上にある。

このような構成により、第１導電部材２１における局所的な応力が緩和し易くなる。

第１実施形態及び第２実施形態に係る磁気記憶装置において、第１磁性素子ＳＢ１のＺ軸方向に沿う長さ（厚さ）は、第１導電部材２１のＺ軸方向に沿う長さ（厚さ）の５倍以下であることが好ましい。第１磁性素子ＳＢ１が薄いことで、第１導電部材２１の応力の制御が容易になる。例えば、第１磁性素子ＳＢ１において、ＩｒＭｎなどの磁性部により、第１磁性層１１の磁化を制御する技術が考えられる。例えば、磁性部などを省略することで、第１磁性素子ＳＢ１を薄くし易くなる。

上記の実施形態において、磁性層（第１〜第４磁性層１１〜１４、及び、第１〜第４対向磁性１１ｃ〜１４ｃなど）は、例えば、強磁性である。磁性層は、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。非磁性層（第１〜第４非磁性層１１ｎ〜１４ｎなど）は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ、ＶＯ）、ＮｂＯ及びＡｌ_２Ｏ_３よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。非磁性層は、例えば、Ｇａ、Ａｌ、及び、Ｃｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。

導電部材（第１導電部材２１及び第２導電部材２２など）は、例えば、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。

磁気記憶装置において、記憶密度の上昇により微細化が進むと、記憶層からの漏洩磁場が近隣素子に及ぼす影響が大きくなり、書き込みエラー率ＷＥＲが上昇する。磁気記憶装置において、素子微細化による高記録密度化と、熱擾乱耐性と、を両立させることが重要である。実施形態によれば、素子間隔が狭くても書き込みエラー率ＷＥＲが低くできる。熱擾乱耐性の高い磁気記憶装置を提供できる。近接素子からの漏洩磁場による磁化反転エネルギーのばらつきを抑制できる。熱擾乱耐性の低下を抑制できる。

実施形態は、以下の構成（例えば、技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１絶縁領域と、
第１対向絶縁領域と、
前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間に設けられた第１導電部材であって、前記第１導電部材は、前記第１絶縁領域から前記第１対向絶縁領域への第２方向と交差する第１方向に延びる、前記第１導電部材と、
前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間に設けられた第１磁性素子であって、前記第１導電部材から前記第１磁性素子への第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、前記第１磁性素子と、
を備え、
前記第１絶縁領域の前記第１導電部材に対向する第１絶縁側面の一部は、前記第１方向に対して傾斜し、
前記第１対向絶縁領域の前記第１導電部材に対向する第１対向絶縁側面の一部は、前記第１方向に対して傾斜した、磁気記憶装置。

（構成２）
前記第１磁性素子は、複数設けられ、
前記第１絶縁側面と前記第１対向絶縁側面との間の前記第２方向に沿う距離は、前記複数の第１磁性素子に対応して増減を繰り返す、構成１記載の磁気記憶装置。

（構成３）
第２絶縁領域と、
第２対向絶縁領域と、
をさらに備え、
前記第１導電部材は、
第１部分と、
第２部分と、
前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分と、
を含み、前記第１部分から前記第２部分への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第２絶縁領域及び前記第２対向絶縁領域は、前記第２方向において、前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間にあり、
前記第１部分から前記第２絶縁領域への方向、前記第２部分から前記第２対向絶縁領域への方向、及び、前記第３部分から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第１絶縁領域の材料は、前記第２絶縁領域の材料とは異なる、構成１記載の磁気記憶装置。

（構成４）
前記第１絶縁領域は、
前記第２絶縁領域に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
前記第２絶縁領域に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
前記第２絶縁領域に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
前記第２絶縁領域に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
前記第２絶縁領域の空孔率よりも高い空孔率、及び、
前記第２絶縁領域の密度よりも低い密度、
の少なくともいずれかを有する、構成３記載の磁気記憶装置。

（構成５）
第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分と、を含み、前記第１部分から前記第２部分への第１方向に沿って延びる、前記第１導電部材と、
第１絶縁領域であって、前記第１絶縁領域から前記第１導電部材への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１絶縁領域と、
第１磁性素子であって、前記第３部分から前記第１磁性素子への第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、前記第１磁性素子と、
第２絶縁領域であって、前記第１部分から前記第２絶縁領域への方向は、前記第３方向に沿い、前記第２絶縁領域から前記第１磁性素子への方向は、前記第１方向に沿う、前記第２絶縁領域と、
を備え、
前記第１絶縁領域は、
前記第２絶縁領域に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
前記第２絶縁領域に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
前記第２絶縁領域に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
前記第２絶縁領域に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
前記第２絶縁領域の空孔率よりも高い空孔率、及び、
前記第２絶縁領域の密度よりも低い密度、
の少なくともいずれかを有する、磁気記憶装置。

（構成６）
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第１磁性素子に対向する第１側面を含み、
前記第２絶縁領域は、前記第１方向において前記第１磁性素子に対向する第２側面を含み、
前記第２方向及び前記第３方向を含む第１切断面において前記第１側面は、前記第１磁性素子に向かって凸状であり、
前記第１切断面における前記第１側面の曲率は、前記第１方向及び前記第３方向を含む第２切断面における前記第２側面の曲率よりも高い、構成３〜５のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（構成７）
第１部材をさらに備え、
前記第１部材は、第１部材領域と、第２部材領域と、前記第１部材領域と前記第２部材領域との間の第３部材領域と、を含み、
前記第１部材領域から前記第２部材領域への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１部材領域から前記第１絶縁領域への方向、及び、前記第３部材領域から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第３部材領域は、前記第２方向と交差する側面を含み、
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記側面の少なくとも一部と対向する、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（構成８）
第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分と、を含み、前記第１部分から前記第２部分への第１方向に沿って延びる、前記第１導電部材と、
第１絶縁領域であって、前記第１絶縁領域から前記第１導電部材への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１絶縁領域と、
第１磁性素子であって、前記第３部分から前記第１磁性素子への第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、前記第１磁性素子と、
第１部材と、
を備え、
前記第１部材は、第１部材領域と、第２部材領域と、前記第１部材領域と前記第２部材領域との間の第３部材領域と、を含み、
前記第１部材領域から前記第２部材領域への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１部材領域から前記第１絶縁領域への方向、及び、前記第３部材領域から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第３部材領域は、前記第２方向と交差する側面を含み、
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記側面の少なくとも一部と対向する、磁気記憶装置。

（構成９）
第２絶縁領域と、
第２対向絶縁領域と、
前記第１部分から前記第２絶縁領域への方向、前記第２部分から前記第２対向絶縁領域への方向、及び、前記第３部分から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第１磁性素子に対向する第１側面を含み、
前記第２絶縁領域は、前記第１方向において前記第１磁性素子に対向する第２側面を含み、
前記第２方向及び前記第３方向を含む第１切断面において前記第１側面は、前記第１磁性素子に向かって凸状であり、
前記第１切断面における前記第１側面の曲率は、前記第１方向及び前記第３方向を含む第２切断面における前記第２側面の曲率よりも高い、構成８記載の磁気記憶装置。

（構成１０）
第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分と、を含み、前記第１部分から前記第２部分への第１方向に沿って延びる、前記第１導電部材と、
第１絶縁領域であって、前記第１絶縁領域から前記第１導電部材への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１絶縁領域と、
第１磁性素子であって、前記第３部分から前記第１磁性素子への第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、前記第１磁性素子と、
第２絶縁領域であって、前記第１部分から前記第２絶縁領域への方向は、前記第３方向に沿い、前記第２絶縁領域から前記第１磁性素子への方向は、前記第１方向に沿う、前記第２絶縁領域と、
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第１磁性素子に対向する第１側面を含み、
前記第２絶縁領域は、前記第１方向において前記第１磁性素子に対向する第２側面を含み、
前記第２方向及び前記第３方向を含む第１切断面において前記第１側面は、前記第１磁性素子に向かって凸状であり、
前記第１切断面における前記第１側面の曲率は、前記第１方向及び前記第３方向を含む第２切断面における前記第２側面の曲率よりも高い、磁気記憶装置。

（構成１１）
第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分と、を含み、前記第１部分から前記第２部分への方向は、第１方向に沿う、前記第１導電部材と、
第１絶縁領域であって、前記第１絶縁領域から前記第１導電部材への第２方向は、前記第１方向と交差した、前記第１絶縁領域と、
第２絶縁領域であって、前記第２絶縁領域から前記第１導電部材への方向は、前記第１方向に沿い、前記第１絶縁領域の材料は、前記第２絶縁領域の材料とは異なる、前記第２絶縁領域と、
第１磁性素子であって、前記第３部分から前記第１磁性素子への第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、前記第１磁性素子と、
を備えた磁気記憶装置。

（構成１２）
前記第１絶縁領域は、
前記第２絶縁領域に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
前記第２絶縁領域に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
前記第２絶縁領域に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
前記第２絶縁領域に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
前記第２絶縁領域の空孔率よりも高い空孔率、及び、
前記第２絶縁領域の密度よりも低い密度、
の少なくともいずれかを有する、構成１１記載の磁気記憶装置。

（構成１３）
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記第１磁性素子に対向する第１側面を含み、
前記第２絶縁領域は、前記第１方向において前記第１磁性素子に対向する第２側面を含み、
前記第２方向及び前記第３方向を含む第１切断面において前記第１側面は、前記第１磁性素子に向かって凸状であり、
前記第１切断面における前記第１側面の曲率は、前記第１方向及び前記第３方向を含む第２切断面における前記第２側面の曲率よりも高い、構成１１または１２に記載の磁気記憶装置。

（構成１４）
第１部材をさらに備え、
前記第１部材は、第１部材領域と、第２部材領域と、前記第１部材領域と前記第２部材領域との間の第３部材領域と、を含み、
前記第１部材領域から前記第２部材領域への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１部材領域から前記第１絶縁領域への方向、及び、前記第３部材領域から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第３部材領域は、前記第２方向と交差する側面を含み、
前記第１絶縁領域は、前記第２方向において前記側面の少なくとも一部と対向する、構成１１〜１３のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（構成１５）
前記第１磁性素子は、
第１磁性層と、
前記第３方向において前記第１導電部材と前記第１磁性層との間に設けられた第１対向磁性層と、
前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
を含む、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（構成１６）
前記第１導電部材の前記第１方向に沿う格子長は、前記第１導電部材の前記第２方向に沿う格子長とは異なる、構成１〜１５のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（構成１７）
第１絶縁部と、
第２絶縁部と、
第３絶縁部であって、前記第１絶縁部から前記第３絶縁部に向かう第１方向において前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部と前記第３絶縁部との間にある、前記第３絶縁部と、
前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第３絶縁部の少なくとも一部との間に設けられた第１導電部材と、
前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に設けられた第１磁性素子であって、前記第１導電部材から前記第１磁性素子への方向は、前記第１方向と交差する第３方向に沿う、前記第１磁性素子と、
前記第２絶縁部と前記第３絶縁部との間に設けられた第２磁性素子であって、前記第１導電部材から前記第２磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う、前記第２磁性素子と、
を備え、
前記第１絶縁部の材料は、前記第２絶縁部の材料とは異なる、磁気記憶装置。

（構成１８）
第１絶縁領域と、
第１対向絶縁領域と、
をさらに備え、
前記第１絶縁領域から前記第１対向絶縁領域への第２方向において、前記第１磁性素子及び前記第２磁性素子は、前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間に設けられ、
前記第１絶縁部の前記材料は、前記第１絶縁領域の材料とは異なる、構成１７記載の磁気記憶装置。

（構成１９）
前記第１絶縁領域は、
前記第１絶縁部に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
前記第１絶縁部に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
前記第１絶縁部に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
前記第１絶縁部に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
前記第１絶縁部の空孔率よりも高い空孔率、及び、
前記第１絶縁部の密度よりも低い密度、
の少なくともいずれかを有する、構成１８記載の磁気記憶装置。

（構成２０）
第１絶縁領域と、
第１対向絶縁領域と、
をさらに備え、
前記第１絶縁領域から前記第１対向絶縁領域への第２方向において、前記第１磁性素子及び前記第２磁性素子は、前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間に設けられ、
前記第２絶縁部の前記材料は、前記第１絶縁領域の材料とは異なる、構成１７記載の磁気記憶装置。

（構成２１）
前記第１絶縁領域は、
前記第２絶縁部に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
前記第２絶縁部に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
前記第２絶縁部に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
前記第２絶縁部に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
前記第２絶縁部の空孔率よりも高い空孔率、及び、
前記第２絶縁部の密度よりも低い密度、
の少なくともいずれかを有する、構成２０記載の磁気記憶装置。

（構成２２）
前記第１導電部材の前記第３方向における位置は、前記第１絶縁領域の一部の前記第３方向における位置と、前記第１絶縁領域の別の一部の前記第３方向における位置と、の間にある、構成１７〜２１のいずれか１つ記載の磁気記憶装置。

（構成２３）
第４絶縁部と、
第５絶縁部であって、前記第１方向において、前記第４絶縁部は、前記第３絶縁部と前記第５絶縁部との間にある、前記第５絶縁部と、
前記第３絶縁部の少なくとも一部と前記第５絶縁部の少なくとも一部との間に設けられた第２導電部材と、
前記第３絶縁部と前記第４絶縁部との間に設けられた第３磁性素子であって、前記第２導電部材から前記第３磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う、前記第３磁性素子と、
前記第４絶縁部と前記第５絶縁部との間に設けられた第４磁性素子であって、前記第２導電部材から前記第４磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う、前記第４磁性素子と、
をさらに備え、
前記第１導電部材の一部から前記第３絶縁部の第１領域への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第２導電部材の一部から前記第３絶縁部の第２領域への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第３絶縁部の第３領域は、前記第１方向において、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間にある、構成１７〜２２のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。

（構成２４）
第１接続部及び第２接続部をさらに備え、
前記第３方向において、前記第１接続部と前記第１領域との間に前記第１導電部材の前記一部があり、前記第１接続部は、前記第１導電部材の前記一部と電気的に接続され、
前記第３方向において、前記第２接続部と前記第２領域との間に前記第２導電部材の前記一部があり、前記第２接続部は、前記第２導電部材の前記一部と電気的に接続された、構成２３記載の磁気記憶装置。

（構成２５）
絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
前記絶縁層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｂ、Ｓｃ、Ｌｉ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素と、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素と、を含む、構成１〜２４のいずれか１つ記載の磁気記憶装置。

実施形態によれば、記憶密度が向上できる磁気記憶装置が提供できる。

本願明細書において、「電気的に接続される状態」は、複数の導電体が物理的に接してこれら複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。「電気的に接続される状態」は、複数の導電体の間に、別の導電体が挿入されて、これらの複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。「電気的に接続される状態」は、複数の導電体の間に、電気的な素子（トランジスタなどのスイッチ素子など）が挿入されて、これらの複数の導電体の間に電流が流れる状態を形成可能な状態を含む。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気記憶装置に含まれる金属含有層、磁性層、中間層、絶縁領域、絶縁層、絶縁部、ベース層及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記憶装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記憶装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１〜１４…第１〜第４磁性層、 １１ｃ〜１４ｃ…第１〜第４対向磁性層、 １１ｎ〜１４ｎ…第１〜第４非磁性層、 ２０ｓ…第１部材、 ２０ｓａ〜２０ｓｃ…第１〜第３部材領域、 ２０ｓｃｃ、２０ｓｃｓ…側面、 ２１…第１導電部材、 ２１Ａ…導電部材、 ２１ａ〜２１ｅ…第１〜第５部分、 ２２…第２導電部材、 ２２ｆ〜２２ｊ…第６〜第１０部分、 ３１〜３３…第１〜第３接続部材、 ４１…第１絶縁領域、 ４１ａｓ…第１側面、 ４１ｃ…第１対向絶縁領域、 ４１ｃａｓ…側面、 ４１ｃｅ、４１ｃｆ、４１ｃｇ…部分、 ４１ｃｓ…第１対向絶縁側面、 ４１ｃｖ…空隙、 ４１ｅ、４１ｆ、４１ｇ…部分、 ４１ｓ…第１絶縁側面、 ４１ｖ…空隙、 ４２…第２絶縁領域、 ４２Ｐ…絶縁領域、 ４２ａｓ…第２側面、 ４２ｃ…第２対向絶縁領域、 ４２ｃａｓ…側面、 ４２ｃｅ、４２ｃｆ、４２ｃｇ、４２ｃｉ…部分、 ４２ｅ、４２ｆ、４２ｇ、４２ｉ…部分、 ４８…絶縁層、 ６１〜６５…第１〜第５絶縁部、 ６３ａ〜６３ｃ…第１〜第３領域、 ７０…制御部、 １１０〜１１５、１１０ａ、１１２ａ、１１３ａ、１１４ａ、１１２ｂ、１１４ｂ、１１８、１２０〜１２２…磁気記憶装置、 ＡＲ…矢印、 ＥＣ１〜ＥＣ６…第１〜第６接続部、 Ｌｘ…第１格子長、 Ｌｙ…第２格子長、 ＳＢ１〜ＳＢ４…第１〜第４磁性素子、 ＳＢＰ…磁性素子、 Ｔ１〜Ｔ５…第１〜第５端子、 Ｔ８…端子、 ｄ４１…距離、 ｉ１、ｉ２…第１、第２電流

Claims (9)

1. 第１絶縁部と、
   第２絶縁部と、
   第３絶縁部であって、前記第１絶縁部から前記第３絶縁部に向かう第１方向において前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部と前記第３絶縁部との間にある、前記第３絶縁部と、
   前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第３絶縁部の少なくとも一部との間に設けられた第１導電部材と、
   前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に設けられた第１磁性素子であって、前記第１導電部材から前記第１磁性素子への方向は、前記第１方向と交差する第３方向に沿う、前記第１磁性素子と、
   前記第２絶縁部と前記第３絶縁部との間に設けられた第２磁性素子であって、前記第１導電部材から前記第２磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う、前記第２磁性素子と、
   を備え、
   前記第１絶縁部の材料は、前記第２絶縁部の材料とは異なる、磁気記憶装置。
2. 第１絶縁領域と、
   第１対向絶縁領域と、
   をさらに備え、
   前記第１絶縁領域から前記第１対向絶縁領域への第２方向において、前記第１磁性素子及び前記第２磁性素子は、前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間に設けられ、
   前記第１絶縁部の前記材料は、前記第１絶縁領域の材料とは異なる、請求項１記載の磁気記憶装置。
3. 前記第１絶縁領域は、
   前記第１絶縁部に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
   前記第１絶縁部に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
   前記第１絶縁部に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
   前記第１絶縁部に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
   前記第１絶縁部の空孔率よりも高い空孔率、及び、
   前記第１絶縁部の密度よりも低い密度、
   の少なくともいずれかを有する、請求項２記載の磁気記憶装置。
4. 第１絶縁領域と、
   第１対向絶縁領域と、
   をさらに備え、
   前記第１絶縁領域から前記第１対向絶縁領域への第２方向において、前記第１磁性素子及び前記第２磁性素子は、前記第１絶縁領域と前記第１対向絶縁領域との間に設けられ、
   前記第２絶縁部の前記材料は、前記第１絶縁領域の材料とは異なる、請求項１記載の磁気記憶装置。
5. 前記第１絶縁領域は、
   前記第２絶縁部に含まれるシラノール基の濃度よりも高い第１濃度、
   前記第２絶縁部に含まれる水酸基の濃度よりも高い第２濃度、
   前記第２絶縁部に含まれる炭化水素基の濃度よりも高い第３濃度、
   前記第２絶縁部に含まれるイミド基の濃度よりも高い第４濃度、
   前記第２絶縁部の空孔率よりも高い空孔率、及び、
   前記第２絶縁部の密度よりも低い密度、
   の少なくともいずれかを有する、請求項４記載の磁気記憶装置。
6. 前記第１導電部材の前記第３方向における位置は、前記第１絶縁領域の一部の前記第３方向における位置と、前記第１絶縁領域の別の一部の前記第３方向における位置と、の間にある、請求項１〜５のいずれか１つ記載の磁気記憶装置。
7. 第４絶縁部と、
   第５絶縁部であって、前記第１方向において、前記第４絶縁部は、前記第３絶縁部と前記第５絶縁部との間にある、前記第５絶縁部と、
   前記第３絶縁部の少なくとも一部と前記第５絶縁部の少なくとも一部との間に設けられた第２導電部材と、
   前記第３絶縁部と前記第４絶縁部との間に設けられた第３磁性素子であって、前記第２導電部材から前記第３磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う、前記第３磁性素子と、
   前記第４絶縁部と前記第５絶縁部との間に設けられた第４磁性素子であって、前記第２導電部材から前記第４磁性素子への方向は、前記第３方向に沿う、前記第４磁性素子と、
   をさらに備え、
   前記第１導電部材の一部から前記第３絶縁部の第１領域への方向は、前記第３方向に沿い、
   前記第２導電部材の一部から前記第３絶縁部の第２領域への方向は、前記第３方向に沿い、
   前記第３絶縁部の第３領域は、前記第１方向において、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間にある、請求項１〜６のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
8. 第１接続部及び第２接続部をさらに備え、
   前記第３方向において、前記第１接続部と前記第１領域との間に前記第１導電部材の前記一部があり、前記第１接続部は、前記第１導電部材の前記一部と電気的に接続され、
   前記第３方向において、前記第２接続部と前記第２領域との間に前記第２導電部材の前記一部があり、前記第２接続部は、前記第２導電部材の前記一部と電気的に接続された、請求項７記載の磁気記憶装置。
9. 絶縁層をさらに備え、
   前記絶縁層から前記第１磁性素子への方向は、前記第３方向に沿い、
   前記絶縁層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｂ、Ｓｃ、Ｌｉ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素と、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つの第２元素と、を含む、請求項１〜８のいずれか１つ記載の磁気記憶装置。

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