JP2020068330A - 発光素子及び発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】共振モードを形成する層を備える面発光型の発光素子において、経時的な光出力の低下を抑制する。【解決手段】面発光レーザ素子1Aは、半導体基板3と、活性層12及びフォトニック結晶層15Aを含む半導体積層10とを備え、半導体基板3の裏面3bからレーザ光Lを出射する。面発光レーザ素子1Aは、半導体積層10の表面10a上に設けられた金属電極膜16を更に備える。金属電極膜16は、半導体積層10に密着してオーミック接触を成す密着層161と、密着層161上に設けられた高反射層162と、高反射層162上に設けられ、実装の際にはんだ層と接合される接合層164と、高反射層162と接合層164との間に設けられ、高反射層162及び接合層164よりもはんだ材料の拡散度合いが低いバリア層163とを含む。【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子及び発光装置に関するものである。
特許文献1には、フォトニック結晶層を備える面発光型の半導体発光装置に関する技術が記載されている。この半導体発光装置では、複数の半導体発光素子が基板上に並列に配置されている。半導体発光素子は、基板上に配置されたフォトニック結晶層および活性層と、フォトニック結晶層および活性層上に形成された電極とを有する。また、この半導体発光装置は、サブマウントを更に備えている。複数の半導体発光素子の電極とサブマウントとは、はんだを介して電気的に接続されている。
基板の主面と交差する方向にレーザ光を出射する面発光型の発光素子においては、基板の主面に沿った方向に共振モードを形成する層(例えばフォトニック結晶層)が活性層の近傍に設けられることがある。その場合、共振モードを形成する層から出射された光の一部は、発光素子の一方の面へ向けて進み、該一方の面から発光素子の外部へ出力される。一方、共振モードを形成する層から出射された光の残部は、発光素子の他方の面へ向けて進み、該他方の面上に設けられた金属電極膜において反射したのち一方の面へ向けて進み、該一方の面から発光素子の外部へ出力される。なお、発光素子がいわゆる裏面出射型である場合、上記一方の面(すなわち光出射面)は基板の裏面である。また、発光素子がいわゆる表面出射型である場合、上記一方の面は、共振モードを形成する層を含む半導体積層の表面(基板と反対側の面)である。
上記の構造を備える発光素子において、他方の面上に設けられる金属電極膜は、半導体積層若しくは基板とオーミック接触を成すように構成される。また、この金属電極膜は、はんだを介してヒートシンク等に電気的に接続されることがある。そのために、金属電極膜は、オーミック接触のための下層(接触対象がp型GaAs系半導体の場合、例えばTi層、Cr層、若しくはNi層)と、はんだと接触する上層(例えばAu層)との積層構造を有する。なお、下層がTi層である場合、下層と上層との間にPt層が設けられることがある。
しかしながら、本発明者は、上記の構造を備える発光素子を動作させると、経時的に光出力が低下する、或いは通電初期から光出力効率が低いことを実験により見出した。本発明は、共振モードを形成する層を備える面発光型の発光素子において、光出力の低下を抑制することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明の一態様による発光素子は、主面及び裏面を有する基板と、主面上に設けられた第1クラッド層、第1クラッド層上に設けられた活性層、活性層上に設けられた第2クラッド層、及び、第1クラッド層と活性層との間または活性層と第2クラッド層との間に設けられた共振モード形成層を含む半導体積層と、を備える。共振モード形成層は、基本層と、基本層とは屈折率が異なり共振モード形成層の厚さ方向に垂直な面内において二次元状に分布する複数の異屈折率領域とを含む。当該発光素子は、半導体積層の表面及び基板の裏面のうち一方の面からレーザ光を出射する。当該発光素子は、半導体積層の表面及び基板の裏面のうち他方の面上に設けられた金属電極膜を更に備える。金属電極膜は、半導体積層若しくは基板に密着してオーミック接触を成す第1層と、第1層上に設けられ、第1層とは異なる組成を有し、共振モード形成層からの光を反射する第2層と、第2層上に設けられ実装の際にはんだと接合される第4層と、第2層と第4層との間に設けられ、第2層及び第4層とは異なる組成を有し、第2層及び第4層よりもはんだ材料の拡散度合いが低い第3層と、を含む。
この発光素子においては、活性層から出力された光が、第1クラッド層と第2クラッド層との間に閉じ込められつつ共振モード形成層に達する。共振モード形成層では、基板の主面に沿った方向に共振モードが形成され、複数の異屈折率領域の配置に応じたモードのレーザ光が生成される。レーザ光は、基板の主面と交差する方向に進む。このうち、一方の面に向けて進んだレーザ光は、そのまま一方の面から外部へ出射される。また、他方の面に向けて進んだレーザ光は、金属電極膜において反射したのち一方の面に向けて進み、一方の面から外部へ出射される。
また、本発明者は、前述した経時的な光出力の低下に関し、次のような知見を得た。すなわち、発光素子が動作するとその発熱により発光素子の温度が上昇するが、この温度上昇に伴い、はんだの構成材料は、上層の構成材料と反応しながら下層側に向けて次第に拡散する。このときはんだ材料は不均一に拡散するので、拡散部分が不均一に成長し、上層の表面に凹凸が生じる。このような上層の形状変化が、光反射率の低下および光の散乱を引き起こす。このような現象により、発光素子の光出力が低下してしまう。故に、従来構造の金属電極膜を備える発光素子においては、動作に伴う経時的な光出力の低下が避けられない。
そこで、本発明の一態様による発光素子では、金属電極膜が、第1層ないし第4層を有する。第1層は、半導体積層若しくは基板に密着してオーミック接触を成す。第2層は、第1層上に設けられ、第1層とは異なる組成を有し、共振モード形成層からの光を反射する。第4層は、第2層上に設けられ、実装の際にはんだと接合される。第3層は、第2層と第4層との間に設けられ、第2層及び第4層とは異なる組成を有する。そして、第3層のはんだ材料の拡散度合いは、第2層及び第4層のそれよりも低い。この場合、発光素子の温度上昇に伴い、はんだの構成材料は、第4層の構成材料と反応しながら第2層側に向けて次第に拡散する。しかし、第2層と第4層との間には、はんだ材料の拡散度合いが低い第3層が存在する。従って、はんだ材料はこの第3層においてブロックされ、第2層へは拡散し難い。故に、第2層ははんだ材料の拡散に影響されにくくなり、光反射率の低下を抑制すると共に、凹凸による光散乱を低減することができる。以上のことから、上記の発光素子によれば、動作に伴う経時的な光出力の低下を抑制することができる。
上記の発光素子において、第2層は、Au、Ag、Al、及びCuのうち少なくとも一つの元素を主に含んでもよい。これにより、第2層の光反射率を高めることができる。
上記の発光素子において、第3層は、Pt、Ni、Ta、W、及びCrのうち少なくとも一つの元素を主に含んでもよく、あるいはTiNを含んでもよい。これにより、はんだ材料の拡散を効果的にブロックすることができる。
上記の発光素子において、第4層は、Au、Ag、Pt、Cu、Pd、Ni、及びAlのうち少なくとも一つの元素を主に含み、第3層とは異なる材料からなってもよい。これにより、はんだ材料との接触を十分に行い、サブマウント材料との安定した電気的、物理的な接触が可能になる。
上記の発光素子において、第1層は、Ti、Cr、Mo、及びNiのうち少なくとも一つの元素を含んでもよい。これにより、p型の半導体層若しくは基板と第1層とのオーミック接触を好適に実現することができる。
本発明の一態様による発光素子は、主面及び裏面を有する基板と、主面上に設けられた第1クラッド層、第1クラッド層上に設けられた活性層、活性層上に設けられた第2クラッド層、及び、第1クラッド層と活性層との間または活性層と第2クラッド層との間に設けられた共振モード形成層を含む半導体積層と、を備える。共振モード形成層は、基本層と、基本層とは屈折率が異なり共振モード形成層の厚さ方向に垂直な面内において二次元状に分布する複数の異屈折率領域とを含む。当該発光素子は、半導体積層の表面及び基板の裏面のうち一方の面からレーザ光を出射する。当該発光素子は、半導体積層の表面及び基板の裏面のうち他方の面上に設けられ、共振モード形成層からの光を反射する金属電極膜を更に備える。金属電極膜は、半導体積層若しくは基板に密着してオーミック接触を成す第1層、第1層上に設けられ第1層とは異なる組成を有する第2層、第2層上に設けられ実装の際にはんだと接する第4層、及び、第2層と第4層との間に設けられた第3層を含む。第2層は、Au、Ag、Al、及びCuのうち少なくとも一つの元素を主に含む。第3層は、Pt、Ni、Ta、W、及びCrのうち少なくとも一つの元素を主に含むか、或いはTiNからなる。第4層は、Au、Ag、Cu、Pd、及びAlのうち少なくとも一つの元素を主に含み第3層とは異なる材料からなる。この発光素子によれば、上述した発光素子と同様に、動作に伴う経時的な光出力の低下を抑制することができる。
上記の各発光素子において、第3層は、第1層よりも厚く、第2層及び第4層よりも薄くてもよい。第3層を構成する材料は、第2層及び第4層を構成する材料と比較して成膜に時間を要することがある。また、第3層が或る程度以上に厚くなると、はんだ材料は殆どブロックされてしまい、拡散抑制効果は殆ど増加しなくなる。従って、第3層を第2層及び第4層よりも薄くすることができ、これにより金属電極膜の形成に要する時間を短縮することができる。また、第1層の厚さはオーミック接触を成せば足りるので、第3層と比較して薄くてもよい。
上記の各発光素子において、第1層の厚さは50nm以下であり、第2層、第4層、及び第3層の厚さはそれぞれ1000nm以下であってもよい。例えばこのような厚さとすることによって、本発明の一態様による金属電極膜の効果を好適に奏することができる。
上記の各発光素子において、共振モード形成層は、複数の異屈折率領域が周期的に配列されたフォトニック結晶層であってもよい。活性層から出力された光は、第1クラッド層と第2クラッド層との間に閉じ込められつつフォトニック結晶層に達する。フォトニック結晶層では、基板の主面に沿った方向に共振モードが形成され、複数の異屈折率領域の配列周期に応じた波長で光が発振し、レーザ光が生成される。レーザ光の一部は、基板の主面に対して垂直な方向に回折し、金属電極膜において反射したのち(若しくは直接に)一方の面に達し、該一方の面から発光素子の外部へ出射する。従って、上述した効果を得ることができる。
上記の各発光素子において、共振モード形成層の前記面内において仮想的な正方格子を設定した場合に、前記複数の異屈折率領域の重心は、前記仮想的な正方格子の格子点から離れて配置されるとともに、前記格子点周りの回転角度が各異屈折率領域毎に個別に設定されてもよい。活性層から出力された光は、第1クラッド層と第2クラッド層との間に閉じ込められつつ共振モード形成層に達する。共振モード形成層では、複数の異屈折率領域の重心が、仮想的な正方格子の格子点周りに各異屈折率領域毎に設定された回転角度を有する。このような発光素子においては、基板の主面に垂直な方向にレーザ光(0次光)が出射する。0次光は、金属電極膜において反射したのち(若しくは直接に)一方の面に達し、該一方の面から発光素子の外部へ出射する。従って、上述した効果を得ることができる。
上記の各発光素子において、前記共振モード形成層の前記面内において仮想的な正方格子を設定した場合に、前記複数の異屈折率領域の重心は、前記仮想的な正方格子の格子点を通り前記正方格子に対して傾斜する直線上に配置されており、各異屈折率領域の重心と、対応する格子点との距離が各異屈折率領域毎に個別に設定されてもよい。このような発光素子においても、基板の主面に垂直な方向にレーザ光(0次光)が出射する。0次光は、金属電極膜において反射したのち(若しくは直接に)一方の面に達し、該一方の面から発光素子の外部へ出射する。従って、上述した効果を得ることができる。
本発明の一態様による発光装置は、上記いずれかの発光素子と、発光素子を搭載する搭載面を有するサブマウントと、を備える。発光素子の金属電極膜と搭載面とは、はんだを介して互いに接合されている。はんだは、Snはんだ、Inはんだ、Snを含む共晶はんだ、またはSnを含む鉛フリーはんだである。この発光装置では、発光素子の温度上昇に伴い、はんだの構成材料が、金属電極膜の内部において次第に拡散する。しかし、この発光装置は上記いずれかの発光素子を備えているので、はんだ材料が第3層においてブロックされ、第2層へは拡散し難い。故に、動作に伴う経時的な光出力の低下を抑制することができる。
本発明の一態様によれば、共振モードを形成する層を備える面発光型の発光素子及び発光装置において、光出力の低下を抑制することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明による発光素子及び発光装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る発光素子として、面発光レーザ素子1Aの構成を示す斜視図である。また、図2は、面発光レーザ素子1Aの断面構造を模式的に示す図である。なお、面発光レーザ素子1Aの中心を通り面発光レーザ素子1Aの厚さ方向に延びる軸をZ軸とするXYZ直交座標系を定義する。面発光レーザ素子1Aは、XY面内方向において定在波を形成し、レーザ光Lを半導体基板3の主面に対して垂直な方向(Z方向)に出力する。
面発光レーザ素子1Aは、フォトニック結晶面発光レーザ(PhotonicCrystal Surface Emitting LASER:PCSEL)である。面発光レーザ素子1Aは、半導体基板3と、半導体基板3の主面3a上に設けられた半導体積層10とを備えている。半導体積層10は、主面3a上に設けられたクラッド層11(第1クラッド層)と、クラッド層11上に設けられた活性層12と、活性層12上に設けられたクラッド層13(第2クラッド層)と、クラッド層13上に設けられたコンタクト層14とを有する。更に、半導体積層10は、フォトニック結晶層15Aを有する。レーザ光Lは、半導体基板3の裏面3bから出力される。
クラッド層11及びクラッド層13のエネルギーバンドギャップは、活性層12のエネルギーバンドギャップよりも広い。半導体基板3、クラッド層11及び13、活性層12、コンタクト層14、フォトニック結晶層15Aの厚さ方向は、Z軸方向と一致する。
必要に応じて、半導体積層10は、クラッド層11と活性層12との間、及び活性層12とクラッド層13との間のうち少なくとも一方に、光分布を調整するための光ガイド層を有してもよい。光ガイド層は、キャリアを活性層12に効率的に閉じ込めるためのキャリア障壁層を含んでもよい。
また、図1及び図2に示された例において、フォトニック結晶層15Aは活性層12とクラッド層13との間に設けられているが、図3に示されるように、フォトニック結晶層15Aはクラッド層11と活性層12との間に設けられてもよい。さらに、光ガイド層が活性層12とクラッド層11との間に設けられる場合、フォトニック結晶層15Aは、クラッド層11と光ガイド層との間に設けられる。
フォトニック結晶層(回折格子層)15Aは、本実施形態における共振モード形成層である。フォトニック結晶層15Aは、基本層15aと、複数の異屈折率領域15bとを含んで構成されている。基本層15aは、第1屈折率媒質からなる半導体層である。複数の異屈折率領域15bは、第1屈折率媒質とは屈折率の異なる第2屈折率媒質からなり、基本層15a内に存在する。複数の異屈折率領域15bは、フォトニック結晶層15Aの厚さ方向に垂直な面内(XY面内)において二次元状且つ周期的に配列されている。等価屈折率をnとした場合、フォトニック結晶層15Aが選択する波長λ0(=a×n、aは格子間隔)は、活性層12の発光波長範囲内に含まれている。フォトニック結晶層15Aは、活性層12の発光波長のうちの波長λ0を選択して、外部に出力することができる。本実施形態において、活性層12から得られる自然発光波長は960nm〜990nmの範囲内であり、フォトニック結晶の周期や形状を調整することで、自然発生波長の範囲内で任意の波長λ0を選択することが可能であり、波長λ0は例えば980nmである。
図4は、フォトニック結晶層15Aの平面図である。ここで、フォトニック結晶層15Aに、XY面内における仮想的な正方格子を設定する。正方格子の一辺はX軸と平行であり、他辺はY軸と平行であるものとする。このとき、正方格子の格子点Oを中心とする正方形状の単位構成領域Rが、X軸に沿った複数列及びY軸に沿った複数行にわたって二次元状に設定され得る。複数の異屈折率領域15bは、各単位構成領域R内に1つまたは2つ以上の決まった数ずつ設けられる。異屈折率領域15bの平面形状は、例えば円形状である。各単位構成領域R内において、異屈折率領域15bの重心Gは、各格子点Oと重なって(一致して)いる。なお、複数の異屈折率領域15bの周期構造はこれに限られず、例えば正方格子に代えて三角格子を設定してもよい。
図5は、フォトニック結晶層15Aの特定領域内にのみ異屈折率領域15bを配置した例を示す平面図である。図5に示す例では、正方形の内側領域RINの内部に、異屈折率領域15bの周期構造が形成されている。一方、内側領域RINを囲む外側領域ROUTにも異屈折率領域15bの周期構造が形成されており、金属電極膜16は内側領域RINの上に形成され、したがって電流は内側領域RINを中心に流れる。この構造の場合、面内方向への光漏れを抑制することができ、閾値電流の低減が期待できる。
また、図4にはXY平面内における異屈折率領域15bの形状が円形である例が示されているが、異屈折率領域15bは円形以外の形状を有してもよい。例えば、XY平面内における異屈折率領域15bの形状は、鏡像対称性(線対称性)を有してもよい。ここで、鏡像対称性(線対称性)とは、XY平面に沿った或る直線を挟んで、該直線の一方側に位置する異屈折率領域15bの平面形状と、該直線の他方側に位置する異屈折率領域15bの平面形状とが、互いに鏡像対称(線対称)となり得ることをいう。鏡像対称性(線対称性)を有する形状としては、例えば図6に示すように、(a)真円、(b)正方形、(c)正六角形、(d)正八角形、(e)正16角形、(f)長方形、(g)楕円、などが挙げられる。
また、XY平面内における異屈折率領域15bの形状は、180°の回転対称性を有さない形状であってもよい。このような形状としては、例えば図7に示すように、(a)正三角形、(b)直角二等辺三角形、(c)2つの円又は楕円の一部分が重なる形状、(d)楕円の長軸に沿った一方の端部近傍の短軸方向の寸法が他方の端部近傍の短軸方向の寸法よりも小さくなるように変形した形状(卵形)、(e)楕円の長軸に沿った一方の端部を長軸方向に沿って突き出る尖った端部に変形した形状(涙形)、(f)二等辺三角形、(g)矩形の一辺が三角形状に凹みその対向する一辺が三角形状に尖った形状(矢印形)、(h)台形、(i)五角形、(j)2つの矩形の一部分同士が重なる形状、(k)2つの矩形の一部分同士が重なり且つ鏡像対称性を有さない形状、等が挙げられる。このように、XY平面内における異屈折率領域15bの形状が180°の回転対称性を有さないことにより、更に高い光出力を得ることができる。
図8は、XY平面内の異屈折率領域の形状の別の例を示す平面図である。この例では、複数の異屈折率領域15bとは別の複数の異屈折率領域15cが更に設けられる。各異屈折率領域15cは、基本層15aの第1屈折率媒質とは屈折率の異なる第2屈折率媒質からなる。異屈折率領域15cは、異屈折率領域15bと同様に、空孔であってもよく、空孔に化合物半導体が埋め込まれて構成されてもよい。異屈折率領域15cは、異屈折率領域15bにそれぞれ一対一で対応して設けられる。そして、異屈折率領域15bおよび15cを合わせた重心Gは、仮想的な正方格子を構成する単位構成領域Rの格子点O上に位置している。なお、いずれの異屈折率領域15b,15cも仮想的な正方格子を構成する単位構成領域Rの範囲内に含まれる。単位構成領域Rは、仮想的な正方格子の格子点間を2等分する直線で囲まれる領域となる。
異屈折率領域15cの平面形状は例えば円形であるが、異屈折率領域15bと同様に、様々な形状を有し得る。図8(a)〜図8(k)には、異屈折率領域15b,15cのXY平面内における形状および相対関係の例が示されている。図8(a)および図8(b)は、異屈折率領域15b,15cが同じ形状の図形を有する形態を示す。図8(c)および図8(d)は、異屈折率領域15b,15cが同じ形状の図形を有し、互いの一部分同士が重なる形態を示す。図8(e)は、異屈折率領域15b,15cが同じ形状の図形を有し、異屈折率領域15b,15cが互いに回転した形態を示す。図8(f)は、異屈折率領域15b,15cが互いに異なる形状の図形を有する形態を示す。図8(g)は、異屈折率領域15b,15cが互いに異なる形状の図形を有し、異屈折率領域15b,15cが互いに回転した形態を示す。
また、図8(h)〜図8(k)に示されるように、異屈折率領域15bは、互いに離間した2つの領域15b1,15b2を含んで構成されてもよい。そして、領域15b1,15b2を合わせた重心(単一の異屈折率領域15bの重心に相当)と、異屈折率領域15cの重心との距離が単位構成領域R内で任意に設定されてもよい。また、この場合、図8(h)に示されるように、領域15b1,15b2および異屈折率領域15cは、互いに同じ形状の図形を有してもよい。または、図8(i)に示されたように、領域15b1,15b2および異屈折率領域15cのうち2つの図形が他と異なっていてもよい。また、図8(j)に示されるように、領域15b1,15b2を結ぶ直線のX軸に対する角度に加えて、異屈折率領域15cのX軸に対する角度が単位構成領域R内で任意に設定されてもよい。また、図8(k)に示されるように、領域15b1,15b2および異屈折率領域15cが互いに同じ相対角度を維持したまま、領域15b1,15b2を結ぶ直線のX軸に対する角度が単位構成領域R内で任意に設定されてもよい。
なお、異屈折率領域15bは、各単位構成領域R毎に複数個ずつ設けられてもよい。ここで、単位構成領域Rとは、ある単位構成領域Rの格子点Oに対して、周期的に配列した他の単位構成領域の格子点O’との垂直二等分線で囲まれる領域の中で、最小面積の領域を指し、固体物理学におけるウィグナーザイツセルに対応する。その場合、一つの単位構成領域Rに含まれる複数個の異屈折率領域15bが互いに同じ形状の図形を有し、互いの重心が離間してもよい。また、異屈折率領域15bのXY平面内の形状は、各単位構成領域R間で同一であり、並進操作、又は並進操作及び回転操作により、各単位構成領域R間で互いに重ね合わせることが可能であってもよい。その場合、フォトニックバンド構造の揺らぎが少なくなり、線幅の狭いスペクトルを得ることができる。或いは、異屈折率領域のXY平面内の形状は各単位構成領域R間で必ずしも同一でなくともよく、隣り合う単位構成領域R間で形状が互いに異なっていてもよい。
再び図1及び図2を参照する。面発光レーザ素子1Aは、コンタクト層14上に設けられた金属電極膜16と、半導体基板3の裏面3b上に設けられた金属電極膜17とを更に備えている。金属電極膜16はコンタクト層14とオーミック接触を成しており、金属電極膜17は半導体基板3とオーミック接触を成している。金属電極膜17は、レーザ光Lの出力領域を囲む枠状(環状)といった平面形状を呈しており、開口17aを有する。なお、金属電極膜17の平面形状は、矩形枠状、円環状といった様々な形状であることができる。半導体基板3の裏面3bのうち金属電極膜17以外の部分(開口17a内を含む)は、反射防止膜19によって覆われている。開口17a以外の領域にある反射防止膜19は取り除かれてもよい。金属電極膜16は、コンタクト層14の中央領域、すなわちZ方向から見て開口17aと重なる領域に設けられている。コンタクト層14上における金属電極膜16以外の部分は、保護膜18によって覆われている。なお、金属電極膜16と接触していないコンタクト層14は、取り除かれてもよい。
金属電極膜16と金属電極膜17との間に駆動電流が供給されると、活性層12内において電子と正孔の再結合が生じ、活性層12が発光する。この発光に寄与する電子及び正孔、並びに発生した光は、クラッド層11及びクラッド層13の間に効率的に分布する。活性層12から出力された光は、クラッド層11とクラッド層13との間に分布するのでフォトニック結晶層15Aの内部に入り、フォトニック結晶層15Aの内部の格子構造に応じて、半導体基板3の主面3aに沿った方向に共振モードを形成する。そして、複数の異屈折率領域15bの配列周期に応じた波長で光が発振し、レーザ光が生成される。フォトニック結晶層15Aから出射したレーザ光の一部L1は、半導体基板3の主面3aに対して垂直な方向に進み、直接に、裏面3bから開口17aを通って面発光レーザ素子1Aの外部へ出力される。また、フォトニック結晶層15Aから出射したレーザ光の残部L2は、金属電極膜16において反射したのち、裏面3bから開口17aを通って面発光レーザ素子1Aの外部へ出力される。
或る例では、半導体基板3はGaAs基板であり、クラッド層11、活性層12、フォトニック結晶層15A、クラッド層13、及びコンタクト層14は、GaAs系半導体からなる。一実施例では、クラッド層11はAlGaAs層であり、活性層12は多重量子井戸構造(障壁層:AlGaAs/量子井戸層:InGaAs、井戸層の層数は例えば3つ)を有し、フォトニック結晶層15Aの基本層15aはAlGaAs層若しくはGaAs層であり、異屈折率領域15bは空孔であり、クラッド層13はAlGaAs層であり、コンタクト層14はGaAs層である。この場合、半導体基板3の厚さは例えば150μmであり、クラッド層11の厚さは例えば2000nmであり、活性層12の厚さは例えば140nmであり、フォトニック結晶層15Aの厚さは例えば300nmであり、クラッド層13の厚さは例えば2000nmであり、コンタクト層14の厚さは例えば200nmである。発光波長を980nmと想定すると、クラッド層11の屈折率は例えば3.11程度であり、活性層12の屈折率は例えば3.49程度であり、クラッド層13の屈折率は例えば3.27程度であり、コンタクト層14の屈折率は例えば3.52程度である。
クラッド層11には半導体基板3と同じ導電型が付与され、クラッド層13及びコンタクト層14には半導体基板3とは逆の導電型が付与される。一例では、半導体基板3及びクラッド層11はn型であり、クラッド層13及びコンタクト層14はp型である。フォトニック結晶層15Aは、活性層12とクラッド層11との間に設けられる場合には半導体基板3と同じ導電型を有し、活性層12とクラッド層13との間に設けられる場合には半導体基板3とは逆の導電型を有する。なお、不純物濃度は例えば1×1016〜1×1021/cm3である。いずれの不純物も意図的に添加されていない真性(i型)では、その不純物濃度は1×1016/cm3以下である。活性層12は真性(i型)に限らず、ドーピングされてもよい。なお、フォトニック結晶層15Aの不純物濃度については、不純物準位を介した光吸収による損失の影響を抑制する必要がある場合等には、真性(i型)としてもよい。
なお、上述の構造では、異屈折率領域15bが空孔となっているが、異屈折率領域15bは、基本層15aとは屈折率が異なる半導体が空孔内に埋め込まれて形成されてもよい。その場合、例えば基本層15aの空孔をエッチングにより形成し、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、スパッタ法又はエピタキシャル法を用いて半導体を空孔内に埋め込んでもよい。例えば、基本層15aがGaAsからなる場合、異屈折率領域15bはAlGaAsからなってもよい。また、基本層15aの空孔内に半導体を埋め込んで異屈折率領域15bを形成した後、更に、その上に異屈折率領域15bと同一の半導体を堆積してもよい。なお、異屈折率領域15bが空孔である場合、該空孔にアルゴン、窒素といった不活性ガス、又は水素や空気等の気体が封入されてもよい。
反射防止膜19は、例えば、シリコン窒化物(例えばSiN)、シリコン酸化物(例えばSiO2)などの誘電体単層膜、或いは誘電体多層膜からなる。誘電体多層膜としては、例えば、酸化チタン(TiO2)、二酸化シリコン(SiO2)、一酸化シリコン(SiO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化チタン(TiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化インジウム(In2O3)、酸化ジルコニウム(ZrO2)などの誘電体層群から選択される2種類以上の誘電体層を積層した膜を用いることができる。例えば、単層誘電体膜の場合、波長λの光に対する光学膜厚で、λ/4の厚さの膜を積層する。また、保護膜18は、例えばシリコン窒化物(例えばSiN)、シリコン酸化物(例えばSiO2)などの絶縁膜である。
金属電極膜17の材料は、半導体基板3の構成材料に応じて適宜選択される。半導体基板3がn型GaAs基板である場合、金属電極膜17は、例えばAuとGeとの混合物を含んでもよい。一例では、金属電極膜17はAuGe単層、またはAuGe層およびAu層の積層構造を有する。但し、金属電極膜17の材料は、オーミック接合が実現できればよく、これに限定されない。
ここで、金属電極膜16の構造について詳細に説明する。図9は、金属電極膜16の層構造を模式的に示す図である。図9に示されるように、金属電極膜16は、密着層161(第1層)、高反射層162(第2層)、バリア層163(第3層)、及び接合層164(第4層)を含んで構成されている。これらの層161〜164は、半導体基板3の厚さ方向(すなわちZ方向)に積層されている。
密着層161は、半導体積層10の表面10a(本実施形態ではコンタクト層14の表面)に密着してオーミック接触を成す層である。密着層161は、半導体や保護膜18との密着性が良好な材料、例えばTi、Cr、Mo、及びNiのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる。これにより、p型のコンタクト層14と密着層161とのオーミック接触を好適に実現することができる。一例では、密着層161は、Ti層、Cr層、Mo層、Ni層、またはTi合金層(例えばTiW層またはTiMo層)である。密着層161の厚さは例えば1nm以上であり、また例えば50nm以下である。密着層161の厚さが1nm以上であることにより、半導体積層10との良好なオーミック接触を実現できる。また、密着層161の厚さが50nm以下であることにより、密着層161による金属電極膜16の光反射特性の劣化を抑制できる。
高反射層162は、フォトニック結晶層15Aからのレーザ光Lを、半導体基板3の裏面3bに向けて反射する層である。高反射層162は、密着層161とは異なる組成を有し、密着層161上に設けられ、一例では密着層161と接する。なお、2つの層が互いに異なる組成を有するとは、一方の層に組成として含まれる元素の一部が、他方の層に組成として含まれていないことをいう。或る元素を組成として含まない場合であっても、その元素が隣接層からの相互拡散等により含まれることがある。高反射層162は、フォトニック結晶層15Aから出力されるレーザ光の波長において高い反射率(少なくともバリア層163よりも高い反射率)を有する材料、例えばAu、Ag、Al、及びCuのうち少なくとも一つの元素を主に含む材料からなる。これにより、高反射層162の光反射率を高めることができる。一例では、高反射層162は、Au層、Ag層、Al層、またはCu層である。高反射層162の厚さは例えば10nm以上であり、また例えば1000nm以下である。高反射層162の厚さが10nm以上であることにより、フォトニック結晶層15Aからのレーザ光Lを好適に反射することができる。また、高反射層162の厚さが1000nm以下であることにより、良好な光反射特性と堆積時間の短縮とを両立できる。
接合層164は、面発光レーザ素子1Aの実装の際にはんだと接合される層である。ここで、図10は、面発光レーザ素子1Aの実装の例として、発光装置2Aの断面構造を模式的に示す図である。発光装置2Aは、面発光レーザ素子1Aに加えて、導電性のサブマウント21を備えている。サブマウント21は、例えば直方体状の外観を有し、面発光レーザ素子1Aに電流を供給すると共に面発光レーザ素子1Aにおいて発生した熱を放出するヒートシンクとして機能する。一例では、サブマウント21はSiCからなる。サブマウント21は、面発光レーザ素子1Aを搭載する平坦な搭載面21aを有する。面発光レーザ素子1Aは、半導体基板3の主面3aが搭載面21aと対向するように搭載面21a上に配置される。そして、金属電極膜16と搭載面21aとが、はんだ層22を介して互いに導電接合される。このとき、はんだ層22は、金属電極膜16の接合層164と接する。また、はんだ層22は、保護膜18と接していてもよい。一例では、はんだ層22は、Sn単材料からなるSnはんだ、In単材料からなるInはんだ、Snを含む共晶はんだ(例えばAuSn系若しくはPbSn系)、またはSnを含む鉛フリーはんだ(例えばSnAgCu系、SnCu系、SnZnBi系、SnAgInBi系、若しくはSnZnAl系)からなる。
発光装置2Aを作製する際には、はんだ層22のためのはんだ材料を、蒸着法などを用いてサブマウント21の搭載面21a上若しくは面発光レーザ素子1A上(金属電極膜16上及び保護膜18上)に堆積する。そして、搭載面21a上に面発光レーザ素子1Aを配置し、昇温することによりはんだ材料を溶融させ、その後冷却する。これにより、搭載面21aと金属電極膜16及び保護膜18とがはんだ層22を介して互いに接合する。
接合層164は、高反射層162と同一又は異なる組成を有し、高反射層162上に設けられる。接合層164は、酸化しにくく、はんだ材料に対する濡れ性が高い材料、例えばAu、Ag、Pt、Cu、Pd、Ni、及びAlのうち少なくとも一つの元素を主に含む材料からなる。これにより、はんだ材料との接触を十分に行い、サブマウント21の構成材料との電気的、物理的接触を得ることができる。一例では、接合層164は、Au層、Ag層、Pt層、Cu層、Pd層、Ni層、またはAl層であり、バリア層163とは異なる材料からなる。接合層164の厚さは例えば10nm以上であり、また例えば1000nm以下である。接合層164の厚さが10nm以上であることにより、はんだ層22と十分に反応(共晶化)し、良好な接合強度を得ることができる。また、接合層164の厚さが1000nm以下であることにより、良好な接合強度と堆積時間の短縮とを両立できる。
バリア層163は、高反射層162及び接合層164とは異なる組成を有し、高反射層162と接合層164との間に設けられる。一例では、バリア層163は高反射層162及び接合層164と接している。バリア層163は、高反射層162及び接合層164よりもはんだ材料(特に、上述したいずれかのはんだ材料)の拡散度合いが低い材料からなる。これにより、接合層164の構成材料と反応しながら高反射層162側に向けて次第に拡散するはんだ材料はバリア層163においてブロックされ、高反射層162へのはんだ材料の拡散が抑止される。バリア層163は、例えばPt、Ni、Ta、W、及びCrのうち少なくとも一つの元素を主に含んで構成されるか、またはTiNを含んで構成される。これにより、はんだ材料の拡散を効果的にブロックすることができる。一例では、バリア層163は、Pt層、Ni層、Ta層、W層、TiN層またはCr層である。
バリア層163の厚さは、密着層161より厚くてもよく、また高反射層162及び接合層164より薄くてもよい。バリア層163を構成する材料は、高反射層162及び接合層164を構成する材料と比較して成膜に時間を要することがある。また、バリア層163が或る程度以上に厚くなると、はんだ材料は殆どブロックされてしまい、拡散抑制効果は殆ど増加しなくなる。従って、バリア層163を高反射層162及び接合層164よりも薄くすることができ、これにより金属電極膜16の形成に要する時間を短縮することができる。また、密着層161の厚さはオーミック接触を成せば足りるので、バリア層163と比較して薄くてもよい。一例では、バリア層163の厚さは1nm以上であり、より好ましくは100nm以上である。また、バリア層163の厚さは1000nm以下であり、より好ましくは200nm以下である。バリア層163の厚さが1nm以上であることにより、はんだ材料の拡散を効果的に抑止することができる。また、バリア層163の厚さが1000nm以下であることにより、十分なはんだ拡散抑止効果と堆積時間の短縮とを両立できる。
図11は、バリア層の変形例を模式的に示す図である。この例では、バリア層163Aは、複数の層163a,163b及び163cを含む積層構造を有する。層163bは、主にはんだ材料の拡散をブロックする層である。層163aは、層163bを高反射層162に密着させ、これらの層同士の剥離を防ぐために設けられる層である。層163cは、接合層164を層163bに密着させ、これらの層同士の剥離を防ぐために設けられる層である。層163a及び163cは、上述した密着層161の構成材料によって構成され、層163bは、上述したバリア層163の構成材料のうち層163a及び163cとは異なる材料によって構成され得る。なお、必要に応じ、層163a及び163cのうちいずれか一方を省いてもよい。
本発明者が実際に作製した一例では、密着層161はTi層(厚さ2nm)であり、高反射層162はAu層(厚さ200nm)であり、バリア層163はPt層(厚さ150nm)であり、接合層164はAu層(厚さ200nm)である。また、本発明者が実際に作製した別の例では、密着層161はCr層(厚さ2nm)であり、高反射層162はAu層(厚さ500nm)であり、バリア層163Aの層163aはTi層(厚さ50nm)であり、層163bはPt層(厚さ100nm)であり、層163cは設けられず、接合層164はAu層(厚さ200nm)である。
金属電極膜16を形成する際には、まず、コンタクト層14上に密着層161、高反射層162、バリア層163、及び接合層164をこの順で堆積させる。堆積方法としては、例えば蒸着法、スパッタリング法などの物理的堆積法が適用され得る。次に、コンタクト層14とのオーミック接触を実現するため、金属電極膜16のアニール処理を行う。このとき、コンタクト層14の構成材料と密着層161の構成材料との相互拡散、及び層161〜164間での構成材料の相互拡散が生じる。従って、コンタクト層14と密着層161との境界、及び層161〜164間の各境界が曖昧となる場合がある。
以上の構成を備える本実施形態の面発光レーザ素子1Aによって得られる効果について説明する。従来の金属電極膜は、オーミック接触のための下層(接触対象がp型GaAs系半導体の場合、例えばTi層、Cr層、若しくはNi層)と、はんだと接触する上層(例えばAu層)との積層構造を有する。本発明者は、このような構造を有する金属電極膜を備える面発光レーザ素子を動作させると、経時的に光出力が低下することを実験により見出した。その原因を探るため、本発明者は、面発光レーザ素子に対して長時間の通電試験を行い、金属電極膜における光反射状態の経時的な変化を光出射面(基板の裏面)側から観察した。図12の(a)〜(c)は、その結果を示す写真である。図12の(a)は試験開始前の自然放出時の光反射状態を示し、図12の(b)は試験開始から150時間後の自然放出時の光反射状態を示し、図12の(c)は試験開始から1000時間後の自然放出時の光反射状態を示す。図12を参照すると、試験開始前では反射光強度が均一であったが、試験開始から150時間後には反射光強度が不均一になり、斑状の暗部が生じていることがわかる。すなわち、本発明者は、経時的な光出力の低下は、金属電極膜における光反射状態の経時的な劣化、すなわち金属電極膜のモフォロジーの経時的な劣化が主な原因であることを突き止めた。
本発明者は、このような劣化の原因について、次のように考えた。すなわち、面発光レーザ素子が動作するとその発熱により素子の温度が上昇するが、この温度上昇に伴い、はんだの構成材料は、上層の構成材料と反応しながら下層側に向けて次第に拡散する。図13の(a)は、半導体積層10上にCrからなる下層31とAuからなる上層32とを積層し、はんだ層22を介してサブマウント21と上層32とを接合した様子を模式的に示す図である。図13の(b)は、上層32とはんだ層22との界面を拡大して示す図である。図13の(b)に示されるように、はんだ層22の構成材料が上層32の構成材料と反応しながら下層31側に向けて拡散すると、はんだ層22の構成材料と上層32の構成材料とが相互に反応(共晶化)して、上層32内に共晶領域33が形成される。このとき、はんだ層22の構成材料は上層32内部において不均一に拡散するので、共晶領域33は不均一に成長し、上層32の表面に凹凸が生じる。このような上層32の表面形状の変化が、光反射率の低下および光の散乱を引き起こすと考えられる。このような現象により、面発光レーザ素子の光出力が低下してしまう。故に、図13の(a)に示される構造を有する金属電極膜を備える面発光レーザ素子においては、動作に伴う経時的な光出力の低下が避けられない。
これに対し、本実施形態では、金属電極膜16が、密着層161、高反射層162、バリア層163、及び接合層164を有する。密着層161は、半導体積層10(例えばコンタクト層14)に密着してオーミック接触を成す。高反射層162は、密着層161上に設けられ、密着層161とは異なる組成を有し、フォトニック結晶層15Aからの光を反射する。接合層164は、高反射層162上に設けられ、実装の際にはんだ層22と接合される。バリア層163は、高反射層162と接合層164との間に設けられ、高反射層162及び接合層164とは異なる組成を有する。そして、バリア層163のはんだ材料の拡散度合いは、高反射層162及び接合層164のそれよりも低い。この場合、面発光レーザ素子1Aの温度上昇に伴い、はんだ層22の構成材料は、接合層164の構成材料と反応しながら高反射層162側に向けて次第に拡散する。しかし、高反射層162と接合層164との間には、はんだ材料の拡散度合いが低いバリア層163が存在する。従って、はんだ材料はこのバリア層163においてブロックされ、高反射層162へは拡散し難い。故に、高反射層162ははんだ材料の拡散に影響されにくくなり、光反射率の低下を抑制すると共に、凹凸による光散乱を低減することができる。以上のことから、本実施形態の面発光レーザ素子1Aによれば、動作に伴う経時的な光出力の低下を抑制することができる。
図14は、本実施形態による上述した効果を検証した結果を示すグラフである。図14において、横軸は動作時間(単位:hour)を示し、縦軸は面発光レーザ素子から出力されるレーザ光の相対ピーク強度(RelativePeak Power、単位:%)を示す。図中の実線は本実施形態による複数の面発光レーザ素子1Aにおける結果を示し、破線は比較例として図13の(a)の金属反射膜を有する複数の面発光レーザ素子における結果を示す。なお、この実験では、面発光レーザ素子の動作温度を85℃とし、パルス幅twを50ナノ秒とし、周波数frを25kHzとし、ピーク電流値Iopを25アンペアとした。面発光レーザ素子1Aにおける密着層161をCr層(厚さ5nm)とし、高反射層162をAu層(厚さ500nm)とし、バリア層163をTi層(厚さ50nm)及びPt層(厚さ100nm)の積層構造とし、接合層164をAu層(厚さ200nm)とした。また、比較例における下層31(Cr層)の厚さを5nmとし、上層32(Au層)の厚さを500nmとした。はんだ層22としてはSnはんだを用いた。
図14を参照すると、比較例においては、動作開始直後からおよそ100時間を経過するまで、相対ピーク強度が時間経過と共に次第に低下していることがわかる。そして、およそ100時間を経過した後では、15〜20%程度の相対ピーク強度の低下が生じており、この相対ピーク強度がその後も維持される。これに対し、本実施形態の面発光レーザ素子1Aでは、動作開始直後から高い相対ピーク強度を維持していることがわかる。
また、図15の(a)〜(c)は、本実施形態の面発光レーザ素子1Aに対して長時間の通電試験を行い、金属電極膜16における光反射状態の経時的な変化を光出射面(半導体基板3の裏面3b)側から観察した結果を示す写真である。図15の(a)は試験開始前の自然放出時の光反射状態を示し、図15の(b)は試験開始から150時間後の自然放出時の光反射状態を示し、図15の(c)は試験開始から1000時間後の自然放出時の光反射状態を示す。図15を参照すると、試験開始前と1000時間経過後との間で光反射状態はほとんど変化していない。すなわち、面発光レーザ素子1Aにおいては、経時的な光反射状態の変化がほとんど生じていない。
以上に説明したとおり、本実施形態の面発光レーザ素子1Aによれば、動作に伴う経時的な光出力の低下を抑制することができる。従って、信頼性の高い面発光レーザ素子1Aを提供することができる。また、面発光レーザ素子1Aの高出力化に寄与することができ、パルス駆動時の高デューティ動作といった、熱が生じやすい駆動環境においても有利となる。
なお、従来の面発光レーザ素子の金属電極膜において、Ti層とAu層との間にPt層を設けることがある。この場合、金属電極膜は、Ti/Pt/Auといった層構造を有する。この金属電極膜を光反射膜として用いた場合、Pt層にははんだ材料がほとんど拡散しないので、Pt層の光反射状態は経時的にほとんど変化しない。しかしながら、Pt層の光反射率はAu層のそれと比較して格段に低い。従って、面発光レーザ素子の光出力効率は、通電初期から低くなってしまう。これに対し、本実施形態の面発光レーザ素子1Aによれば、通電初期から高い光出力効率を得つつ、その高い光出力効率を長時間にわたって維持することができる。
また、本実施形態のように、面発光レーザ素子1Aは、共振モード形成層として、複数の異屈折率領域15bが周期的に配列されたフォトニック結晶層15Aを備えてもよい。この場合、フォトニック結晶層15Aにおいて発生したレーザ光の一部L2は、半導体基板3の主面3aに対して垂直な方向に回折し、金属電極膜16において反射したのち半導体基板3の裏面3bに達し、裏面3bから面発光レーザ素子1Aの外部へ出射する。従って、本実施形態の金属電極膜16による上述した効果を好適に得ることができる。
(第1変形例)
上述した実施形態においては、PCSELである面発光レーザ素子1Aについて説明したが、本発明の発光素子は、PCSELに限らず様々な面発光レーザ素子であることができる。例えば、二次元状に配列された複数の発光点から出射される光の位相スペクトル及び強度スペクトルを制御することにより任意の光像を出力する面発光レーザ素子が研究されている。このような面発光レーザ素子はS−iPM(Static-integrablePhase Modulating)レーザと呼ばれ、半導体基板の主面に垂直な方向およびこれに対して傾斜した方向をも含む2次元的な任意形状の光像を出力する。
上述した実施形態においては、PCSELである面発光レーザ素子1Aについて説明したが、本発明の発光素子は、PCSELに限らず様々な面発光レーザ素子であることができる。例えば、二次元状に配列された複数の発光点から出射される光の位相スペクトル及び強度スペクトルを制御することにより任意の光像を出力する面発光レーザ素子が研究されている。このような面発光レーザ素子はS−iPM(Static-integrablePhase Modulating)レーザと呼ばれ、半導体基板の主面に垂直な方向およびこれに対して傾斜した方向をも含む2次元的な任意形状の光像を出力する。
図16は、S−iPMレーザが備える位相変調層15Bの平面図である。上記実施形態の面発光レーザ素子1Aは、フォトニック結晶層15A(図4を参照)に代えて、図16に示される位相変調層15Bを備えてもよい。これにより、面発光レーザ素子をS−iPMレーザとすることができる。位相変調層15Bは、本変形例における共振モード形成層である。なお、本変形例の面発光レーザ素子において、位相変調層15Bを除く他の構成は上記実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。
位相変調層15Bは、第1屈折率媒質からなる基本層15aと、第1屈折率媒質とは屈折率の異なる第2屈折率媒質からなる異屈折率領域15bとを含む。ここで、位相変調層15Bに、XY面内における仮想的な正方格子を設定する。正方格子の一辺はX軸と平行であり、他辺はY軸と平行であるものとする。このとき、正方格子の格子点Oを中心とする正方形状の単位構成領域Rが、X軸に沿った複数列及びY軸に沿った複数行にわたって二次元状に設定され得る。複数の異屈折率領域15bは、各単位構成領域R内に1つずつ設けられる。異屈折率領域15bの平面形状は、例えば円形状である。各単位構成領域R内において、異屈折率領域15bの重心Gは、これに最も近い格子点Oから離れて配置される。
図17に示されるように、格子点Oから重心Gに向かう方向とX軸との成す角度をφ(x,y)とする。xはX軸におけるx番目の格子点の位置、yはY軸におけるy番目の格子点の位置を示す。回転角度φが0°である場合、格子点Oと重心Gとを結ぶベクトルの方向はX軸の正方向と一致する。また、格子点Oと重心Gとを結ぶベクトルの長さをr(x,y)とする。一例では、r(x,y)はx、yによらず(位相変調層15B全体にわたって)一定である。
図16に示されるように、位相変調層15Bにおいては、異屈折率領域15bの重心Gの格子点O周りの回転角度φが、所望の光像に応じて各単位構成領域R毎に独立して個別に設定される。回転角度分布φ(x,y)は、x,yの値で決まる位置毎に特定の値を有するが、必ずしも特定の関数で表わされるとは限らない。すなわち、回転角度分布φ(x,y)は、所望の光像を逆フーリエ変換して得られる複素振幅分布のうち位相分布を抽出したものから決定される。なお、所望の光像から複素振幅分布を求める際には、ホログラム生成の計算時に一般的に用いられるGerchberg-Saxton(GS)法のような繰り返しアルゴリズムを適用することによって、ビームパターンの再現性が向上する。
本変形例において、活性層12から出力されたレーザ光は、クラッド層11とクラッド層13との間に閉じ込められつつ位相変調層15Bの内部に入り、位相変調層15Bの内部の格子構造に応じた所定のモードを形成する。位相変調層15B内で散乱されて出射されるレーザ光は、半導体基板3の裏面3bから外部へ出力される。このとき、0次光は、主面3aに垂直な方向へ出射する。これに対し、+1次光および−1次光は、主面3aに垂直な方向及びこれに対して傾斜した方向を含む2次元的な任意方向へ出射する。
図18は、位相変調層の特定領域内にのみ図16の屈折率構造を適用した例を示す平面図である。図18に示す例では、正方形の内側領域RINの内部に、目的となるビームパターンを出射するための屈折率構造(例:図16の構造)が形成されている。一方、内側領域RINを囲む外側領域ROUTには、正方格子の格子点位置に、重心位置が一致する真円形の異屈折率領域が配置されている。内側領域RINの内部も、外側領域ROUT内においても、仮想的に設定される正方格子の格子間隔は同一(=a)である。この構造の場合、外側領域ROUT内にも光が分布することにより、内側領域RINの周辺部において光強度が急激に変化することで生じる高周波ノイズ(いわゆる窓関数ノイズ)の発生を抑制することができる。また、面内方向への光漏れを抑制することができ、閾値電流の低減が期待できる。
本変形例のように、面発光レーザ素子は、共振モード形成層として位相変調層15Bを備えてもよい。この場合、位相変調層15Bにおいて発生したレーザ光の一部(+1次光および−1次光の一部、並びに0次光)は、半導体基板3の主面3aに対して垂直な方向に回折し、金属電極膜16において反射したのち半導体基板3の裏面3bに達し、裏面3bから面発光レーザ素子の外部へ出射する。従って、上記実施形態の金属電極膜16による上述した効果を好適に得ることができる。
(第2変形例)
S−iPMレーザは、前述した第1変形例の構成に限られない。例えば、本変形例の位相変調層の構成であっても、S−iPMレーザを好適に実現することができる。図19は、S−iPMレーザが備える位相変調層15Cの平面図である。また、図20は、位相変調層15Cにおける異屈折率領域15bの位置関係を示す図である。位相変調層15Cは、本変形例における共振モード形成層である。図19及び図20に示されるように、位相変調層15Cにおいて、各異屈折率領域15bの重心Gは、直線D上に配置されている。直線Dは、各単位構成領域Rの対応する格子点Oを通り、正方格子の各辺に対して傾斜する直線である。言い換えると、直線Dは、X軸及びY軸の双方に対して傾斜する直線である。正方格子の一辺(X軸)に対する直線Dの傾斜角はθである。傾斜角θは、位相変調層15C内において一定である。傾斜角θは、0°<θ<90°を満たし、一例ではθ=45°である。または、傾斜角θは、180°<θ<270°を満たし、一例ではθ=225°である。傾斜角θが0°<θ<90°または180°<θ<270°を満たす場合、直線Dは、X軸及びY軸によって規定される座標平面の第1象限から第3象限にわたって延びる。或いは、傾斜角θは、90°<θ<180°を満たし、一例ではθ=135°である。或いは、傾斜角θは、270°<θ<360°を満たし、一例ではθ=315°である。傾斜角θが90°<θ<180°または270°<θ<360°を満たす場合、直線Dは、X軸及びY軸によって規定される座標平面の第2象限から第4象限にわたって延びる。このように、傾斜角θは、0°、90°、180°及び270°を除く角度である。このような傾斜角θとすることで、光出力ビームにおいて、X軸方向に進む光波とY軸方向に進む光波との両方を寄与させることができる。ここで、格子点Oと重心Gとの距離をr(x,y)とする。xはX軸におけるx番目の格子点の位置、yはY軸におけるy番目の格子点の位置を示す。距離r(x,y)が正の値である場合、重心Gは第1象限(または第2象限)に位置する。距離r(x,y)が負の値である場合、重心Gは第3象限(または第4象限)に位置する。距離r(x,y)が0である場合、格子点Oと重心Gとは互いに一致する。
S−iPMレーザは、前述した第1変形例の構成に限られない。例えば、本変形例の位相変調層の構成であっても、S−iPMレーザを好適に実現することができる。図19は、S−iPMレーザが備える位相変調層15Cの平面図である。また、図20は、位相変調層15Cにおける異屈折率領域15bの位置関係を示す図である。位相変調層15Cは、本変形例における共振モード形成層である。図19及び図20に示されるように、位相変調層15Cにおいて、各異屈折率領域15bの重心Gは、直線D上に配置されている。直線Dは、各単位構成領域Rの対応する格子点Oを通り、正方格子の各辺に対して傾斜する直線である。言い換えると、直線Dは、X軸及びY軸の双方に対して傾斜する直線である。正方格子の一辺(X軸)に対する直線Dの傾斜角はθである。傾斜角θは、位相変調層15C内において一定である。傾斜角θは、0°<θ<90°を満たし、一例ではθ=45°である。または、傾斜角θは、180°<θ<270°を満たし、一例ではθ=225°である。傾斜角θが0°<θ<90°または180°<θ<270°を満たす場合、直線Dは、X軸及びY軸によって規定される座標平面の第1象限から第3象限にわたって延びる。或いは、傾斜角θは、90°<θ<180°を満たし、一例ではθ=135°である。或いは、傾斜角θは、270°<θ<360°を満たし、一例ではθ=315°である。傾斜角θが90°<θ<180°または270°<θ<360°を満たす場合、直線Dは、X軸及びY軸によって規定される座標平面の第2象限から第4象限にわたって延びる。このように、傾斜角θは、0°、90°、180°及び270°を除く角度である。このような傾斜角θとすることで、光出力ビームにおいて、X軸方向に進む光波とY軸方向に進む光波との両方を寄与させることができる。ここで、格子点Oと重心Gとの距離をr(x,y)とする。xはX軸におけるx番目の格子点の位置、yはY軸におけるy番目の格子点の位置を示す。距離r(x,y)が正の値である場合、重心Gは第1象限(または第2象限)に位置する。距離r(x,y)が負の値である場合、重心Gは第3象限(または第4象限)に位置する。距離r(x,y)が0である場合、格子点Oと重心Gとは互いに一致する。
図19に示される、各異屈折率領域の重心Gと、各単位構成領域Rの対応する格子点Oとの距離r(x,y)は、所望の光像に応じて各異屈折率領域15b毎に個別に設定される。距離r(x,y)の分布は、x,yの値で決まる位置毎に特定の値を有するが、必ずしも特定の関数で表わされるとは限らない。距離r(x,y)の分布は、所望の光像を逆フーリエ変換して得られる複素振幅分布のうち位相分布を抽出したものから決定される。すなわち、図20に示される、或る座標(x,y)における位相P(x,y)がP0である場合には距離r(x,y)を0と設定し、位相P(x,y)がπ+P0である場合には距離r(x,y)を最大値r0に設定し、位相P(x,y)が−π+P0である場合には距離r(x,y)を最小値−r0に設定する。そして、その中間の位相P(x,y)に対しては、r(x,y)={P(x,y)−P0}×r0/πとなるように距離r(x,y)をとる。ここで、初期位相P0は任意に設定することができる。正方格子の格子間隔をaとすると、r(x,y)の最大値r0は例えば
の範囲内である。
の範囲内である。
なお、本変形例においても、位相変調層の特定領域内にのみ図19の屈折率構造を適用してもよい。例えば、図18に示された例のように、正方形の内側領域RINの内部に、目的となるビームパターンを出射するための屈折率構造(例:図19の構造)が形成されてもよい。この場合、内側領域RINを囲む外側領域ROUTには、正方格子の格子点位置に、重心位置が一致する真円形の異屈折率領域が配置される。内側領域RINの内部も、外側領域ROUT内においても、仮想的に設定される正方格子の格子間隔は同一(=a)である。この構造の場合、外側領域ROUT内にも光が分布することにより、内側領域RINの周辺部において光強度が急激に変化することで生じる高周波ノイズ(いわゆる窓関数ノイズ)の発生を抑制することができる。また、面内方向への光漏れを抑制することができ、閾値電流の低減が期待できる。
本変形例のように、面発光レーザ素子は、共振モード形成層として位相変調層15Cを備えてもよい。この場合、位相変調層15Cにおいて発生したレーザ光の一部(+1次光および−1次光の一部、並びに0次光)は、半導体基板3の主面3aに対して垂直な方向に回折し、金属電極膜16において反射したのち半導体基板3の裏面3bに達し、裏面3bから面発光レーザ素子の外部へ出射する。従って、上記実施形態の金属電極膜16による上述した効果を好適に得ることができる。
(第3変形例)
図21は、第3変形例による発光装置2Bの構成を示す図である。この発光装置2Bは、支持基板73と、支持基板73上に一次元又は二次元状に配列された複数の面発光レーザ素子1Aと、複数の面発光レーザ素子1Aを個別に駆動する駆動回路72とを備えている。各面発光レーザ素子1Aの構成は、上記実施形態と同様である。各面発光レーザ素子1Aは、半導体基板3の主面3aと支持基板73とが互いに対向する向きに配置され、各面発光レーザ素子1Aの金属電極膜16と支持基板73とははんだ層を介して導電接合されている。駆動回路72は、支持基板73の裏面又は内部に設けられ、各面発光レーザ素子1Aを個別に駆動する。駆動回路72は、制御回路71からの指示により、個々の面発光レーザ素子1Aに駆動電流を供給する。
図21は、第3変形例による発光装置2Bの構成を示す図である。この発光装置2Bは、支持基板73と、支持基板73上に一次元又は二次元状に配列された複数の面発光レーザ素子1Aと、複数の面発光レーザ素子1Aを個別に駆動する駆動回路72とを備えている。各面発光レーザ素子1Aの構成は、上記実施形態と同様である。各面発光レーザ素子1Aは、半導体基板3の主面3aと支持基板73とが互いに対向する向きに配置され、各面発光レーザ素子1Aの金属電極膜16と支持基板73とははんだ層を介して導電接合されている。駆動回路72は、支持基板73の裏面又は内部に設けられ、各面発光レーザ素子1Aを個別に駆動する。駆動回路72は、制御回路71からの指示により、個々の面発光レーザ素子1Aに駆動電流を供給する。
なお、本変形例において、面発光レーザ素子1Aに代えて各変形例の面発光レーザ素子を用いてもよい。その場合にも同様の効果を得ることができる。
本発明による発光素子及び発光装置は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態及び各変形例では、半導体基板3の裏面3bから出射する形態(裏面出射型)を例示したが、本発明は、半導体積層10の表面10a(コンタクト層14の表面、もしくはコンタクト層14の一部が除去されて露出したクラッド層13の表面)から出射する面発光レーザ素子にも適用可能である。その場合、半導体基板3の裏面3b上に設けられる金属電極膜が、上記実施形態の金属電極膜16と同様の構成を有する。但し、密着層(第1層)は、半導体基板3の裏面3bに密着して半導体基板3とオーミック接触を成す。また、上述した実施形態では、p型半導体とオーミック接触を成す金属電極膜がバリア層を有しているが、n型半導体とオーミック接触を成す金属電極膜がバリア層を有してもよい。また、上記実施形態では、基板として、成長基板である半導体基板を用いているが、基板は、半導体積層を機械的に支持できればよく、成長基板である半導体基板に限られない。
1A…面発光レーザ素子、2A,2B…発光装置、3…半導体基板、3a…主面、3b…裏面、10…半導体積層、11…クラッド層、12…活性層、13…クラッド層、14…コンタクト層、15A…フォトニック結晶層、15B,15C…位相変調層、15a…基本層、15b,15c…異屈折率領域、16,17…金属電極膜、17a…開口、18…保護膜、19…反射防止膜、21…サブマウント、21a…搭載面、22…はんだ層、31…下層、32…上層、33…共晶領域、71…制御回路、72…駆動回路、73…支持基板、161…密着層、162…高反射層、163,163A…バリア層、164…接合層、D…直線、G…重心、L…レーザ光、O…格子点、R…単位構成領域、RIN…内側領域、ROUT…外側領域。
Claims (12)
- 主面及び裏面を有する基板と、
前記主面上に設けられた第1クラッド層、前記第1クラッド層上に設けられた活性層、前記活性層上に設けられた第2クラッド層、及び、前記第1クラッド層と前記活性層との間または前記活性層と前記第2クラッド層との間に設けられた共振モード形成層を含む半導体積層と、を備え、
前記共振モード形成層は、基本層と、前記基本層とは屈折率が異なり前記共振モード形成層の厚さ方向に垂直な面内において二次元状に分布する複数の異屈折率領域とを含み、
前記半導体積層の表面及び前記基板の前記裏面のうち一方の面からレーザ光を出射し、
前記半導体積層の前記表面及び前記基板の前記裏面のうち他方の面上に設けられた金属電極膜を更に備え、
前記金属電極膜は、
前記半導体積層若しくは前記基板に密着してオーミック接触を成す第1層と、
前記第1層上に設けられ、前記第1層とは異なる組成を有し、前記共振モード形成層からの光を反射する第2層と、
前記第2層上に設けられ実装の際にはんだと接合される第4層と、
前記第2層と前記第4層との間に設けられ、前記第2層及び前記第4層とは異なる組成を有し、前記第2層及び前記第4層よりもはんだ材料の拡散度合いが低い第3層と、を含む、発光素子。 - 前記第2層は、Au、Ag、Al、及びCuのうち少なくとも一つの元素を主に含む、請求項1に記載の発光素子。
- 前記第3層は、Pt、Ni、Ta、W、及びCrのうち少なくとも一つの元素を主に含むか、或いはTiNを含む、請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記第4層は、Au、Ag、Pt、Cu、Pd、Ni、及びAlのうち少なくとも一つの元素を主に含み、前記第3層とは異なる材料からなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1層は、Ti、Cr、Mo、及びNiのうち少なくとも一つの元素を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 主面及び裏面を有する基板と、
前記主面上に設けられた第1クラッド層、前記第1クラッド層上に設けられた活性層、前記活性層上に設けられた第2クラッド層、及び、前記第1クラッド層と前記活性層との間または前記活性層と前記第2クラッド層との間に設けられた共振モード形成層を含む半導体積層と、を備え、
前記共振モード形成層は、基本層と、前記基本層とは屈折率が異なり前記共振モード形成層の厚さ方向に垂直な面内において二次元状に分布する複数の異屈折率領域とを含み、
前記半導体積層の表面及び前記基板の前記裏面のうち一方の面からレーザ光を出射し、
前記半導体積層の前記表面及び前記基板の前記裏面のうち他方の面上に設けられ、前記共振モード形成層からの光を反射する金属電極膜を更に備え、
前記金属電極膜は、前記半導体積層若しくは前記基板に密着してオーミック接触を成す第1層、前記第1層上に設けられ前記第1層とは異なる組成を有する第2層、前記第2層上に設けられ実装の際にはんだと接する第4層、及び、前記第2層と前記第4層との間に設けられた第3層を含み、
前記第2層は、Au、Ag、Al、及びCuのうち少なくとも一つの元素を主に含み、
前記第3層は、Pt、Ni、Ta、W、及びCrのうち少なくとも一つの元素を主に含むか、或いはTiNを含み、
前記第4層は、Au、Ag、Pt、Cu、Pd、Ni、及びAlのうち少なくとも一つの元素を主に含み前記第3層とは異なる材料からなる、発光素子。 - 前記第3層は、前記第1層よりも厚く、前記第2層及び前記第4層よりも薄い、請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1層の厚さは50nm以下であり、前記第2層、前記第4層、及び前記第3層の厚さはそれぞれ1000nm以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記共振モード形成層は、前記複数の異屈折率領域が周期的に配列されたフォトニック結晶層である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記共振モード形成層の前記面内において仮想的な正方格子を設定した場合に、前記複数の異屈折率領域の重心が、前記仮想的な正方格子の格子点から離れて配置されるとともに、前記格子点周りの回転角度が各異屈折率領域毎に個別に設定されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記共振モード形成層の前記面内において仮想的な正方格子を設定した場合に、前記複数の異屈折率領域の重心が、前記仮想的な正方格子の格子点を通り前記正方格子に対して傾斜する直線上に配置されており、各異屈折率領域の重心と、対応する格子点との距離が各異屈折率領域毎に個別に設定されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光素子。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の発光素子と、
前記発光素子を搭載する搭載面を有するサブマウントと、を備え、
前記発光素子の前記金属電極膜と前記搭載面とがはんだを介して互いに接合されており、
前記はんだは、Snはんだ、Inはんだ、Snを含む共晶はんだ、またはSnを含む鉛フリーはんだである、発光装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022014343A1 (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | 国立大学法人京都大学 | フォトニック結晶面発光レーザ素子 |
WO2022130806A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 住友電気工業株式会社 | フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法 |
WO2022209554A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光デバイス及び光源装置 |
WO2022224591A1 (ja) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 面発光レーザ素子 |
JP2023506352A (ja) * | 2020-06-09 | 2023-02-16 | ▲蘇▼州▲長▼光▲華▼芯光▲電▼技▲術▼股▲ふん▼有限公司 | 多活性領域をカスケードした半導体レーザー |
WO2023162463A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光デバイスおよびVoS(VCSEL on Silicon)デバイス |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118358A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 国立大学法人京都大学 | 半導体発光素子 |
JP2016192527A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2017043122A1 (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
WO2017150387A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法 |
WO2018030523A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
WO2018047717A1 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子およびそれを含む発光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007033698A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール |
WO2007029538A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Kyoto University | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
EP2131457A1 (en) * | 2007-03-23 | 2009-12-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photonic crystal laser and method for manufacturing photonic crystal laser |
JP2010093127A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光装置 |
US7949024B2 (en) * | 2009-02-17 | 2011-05-24 | Trilumina Corporation | Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
US8829638B2 (en) * | 2010-04-05 | 2014-09-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Ultrafast photonic crystal cavity single-mode light-emitting diode |
JP2014027264A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Canon Inc | 面発光レーザ |
JP6080941B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-02-15 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP6309947B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2018-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP6202572B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-09-27 | 国立大学法人京都大学 | 半導体レーザモジュール |
JP6440138B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-12-19 | 国立大学法人京都大学 | レーザ装置 |
US10938177B2 (en) * | 2014-08-29 | 2021-03-02 | Kyoto University | Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser |
JP6329893B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-05-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US9793436B2 (en) * | 2015-01-16 | 2017-10-17 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device |
-
2018
- 2018-10-25 JP JP2018201039A patent/JP7125327B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-23 WO PCT/JP2019/041568 patent/WO2020085397A1/ja unknown
- 2019-10-23 EP EP19876358.3A patent/EP3872939A4/en active Pending
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- 2019-10-23 CN CN201980069730.8A patent/CN112930631B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118358A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 国立大学法人京都大学 | 半導体発光素子 |
JP2016192527A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2017043122A1 (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
WO2017150387A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法 |
WO2018030523A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
WO2018047717A1 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子およびそれを含む発光装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023506352A (ja) * | 2020-06-09 | 2023-02-16 | ▲蘇▼州▲長▼光▲華▼芯光▲電▼技▲術▼股▲ふん▼有限公司 | 多活性領域をカスケードした半導体レーザー |
US11646548B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-05-09 | Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd. | Multi-active-region cascaded semiconductor laser |
WO2022014343A1 (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | 国立大学法人京都大学 | フォトニック結晶面発光レーザ素子 |
JP7485284B2 (ja) | 2020-07-14 | 2024-05-16 | 国立大学法人京都大学 | フォトニック結晶面発光レーザ素子 |
WO2022130806A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 住友電気工業株式会社 | フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法 |
WO2022209554A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光デバイス及び光源装置 |
WO2022224591A1 (ja) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 面発光レーザ素子 |
WO2023162463A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光デバイスおよびVoS(VCSEL on Silicon)デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3872939A1 (en) | 2021-09-01 |
CN112930631B (zh) | 2024-04-05 |
EP3872939A4 (en) | 2022-08-03 |
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US20210391691A1 (en) | 2021-12-16 |
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WO2020085397A1 (ja) | 2020-04-30 |
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