JP2007033698A - 光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール - Google Patents

光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール Download PDF

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徹 藤居
Hidekazu Akutsu
英一 圷
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Abstract

【課題】簡易且つ確実に精度良く光学部品の実装が可能な光学部品実装用サブマウント、及びこれを用いた光送受信モジュールを提供すること。
【解決手段】 例えば、サブマウント２２は、略直方体状の基板から構成されている。このサブマウント２２には、高分子光導波路フィルム１０を取付けるための凹部２６（光学部品実装用凹部）と、受光素子及び発光素子を嵌め込んでそれぞれ保持（実装）するための凹部２８ａ，２８ｂ（光学部品実装用凹部）とが形成されている。このような構成のサブマウント２２において、光学部品実装用凹部としての凹部２６，２８ａ，２８ｂは、４つ或いは３つの側壁がテーパー状となっており、開口が底面よりも大きくなるように設ける。
【選択図】図６

Description

本発明は、サブマウント、及び光送受信モジュールに係り、特に、光デバイスのパッケージ内に実装されるサブマウント、及び該サブマウントを用いた光送受信モジュールに関する。
最近、ＩＣ技術やＬＳＩ技術において、動作速度や集積度向上のために、高密度に電気配線を行なう代わりに、機器装置間、機器装置内のボード間、チップ内において光配線を行なうことが注目されている。
光配線のための素子として、例えば、以下の特許文献１には、コアとコアを包囲するクラッドを有する高分子光導波路の、コア・クラッド積層方向に発光素子及び受光素子を備え、さらに発光素子からの光をコアに入射させるための入射側ミラーとコアからの光を受光素子に出射させるための出射側ミラーを有する光学素子であって、発光素子から入射側ミラー及び出射側ミラーから受光素子に至る光路に相当する箇所において、クラッド層を凹状に形成し、発光素子からの光及び出射側ミラーからの光を収束させた光学素子が記載されている。
また、以下の特許文献２には、コアとコアを包囲するクラッドを有する高分子光導波路のコア端面に発光素子からの光を入射させる光学素子において、コアの光入射端面を発光素子に向かって凸面となるように形成し、発光素子からの光を収束させて導波損失を抑えた光学素子が記載されている。
さらに、以下の特許文献３には、電子素子と光素子とを集積化した光電融合回路基板の上に高分子光導波路回路が直接組み立てられた光電子集積回路が記載されている。
光配線において前記のごとき素子を実装して、装置内に組み込むことができれば、光配線の組み立てを考える際の自由度を大きくすることが可能になり、その結果としてコンパクトで小さな受発光素子を作ることができる。
しかしながら、これまでに提案されている方法は９０°折り返しミラーを形成するためにミラー部を埋め込む必要があったり、導波路と受発光素子を張り合わせる場合にも位置合わせを高精度に行う必要があり、実装に要するコストが大きな問題となっていた。
これに対し、本発明者等は、光導波路が鋳型で複製された高分子光導波路フイルムを備えた受発光素子付き高分子光導波路モジュールを発明し、既に出願している（特許文献４、特許文献５）。このとき、高分子光導波路フイルムは、同一端部に光路変換ミラー面と突き当て面とを有している。また、発光素子や受光素子を容易に実装するためにサブマウントの凹部に埋め込んで実装する方法が考案されている。
一方、特許文献６では、サブマウントの凹部に埋め込む事を容易にする方法として、超音波を使って振動させてアライメントを容易にする方法が考案されているが、装置が大がかりになる欠点があった。
特開２０００−３９５３０号公報 特開２０００−３９５３１号公報 特開２０００−２３５１２７号公報 特願２００４−１３９０４１号公報 特願ＦＥ０４−０４９６６ 特開２００５−１１４８００号公報
精密機加工したサブマウントの製造には、ＲＩＥ等高価な装置が必要であった。また、精密機加工したサブマウントの凹部に素子を精密に実装するには、高精度の実装装置が必要で実装コストが大きくなるという問題があった。
本発明は、上記問題を解決すべく創作されたものであり、本発明の目的は、簡易且つ確実に精度良く光学部品の実装が可能な光学部品実装用サブマウント、及びこれを用いた光送受信モジュールを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明のサブマウントは、光学部品を実装するサブマウントであり、前記光学部品を埋め込み実装するための実装用凹部を有し、当該実装用凹部の側壁がテーパー状であることを特徴としている。
本発明のサブマウントでは、実装用凹部の開口が底面よりも広がるように、当該凹部の側壁をテーパー状としているので、光学部品の凹部への埋め込み実装が容易であり、尚且つ確実に行える。
ここで、実装用凹部の側壁がテーパー状であるとは、当該凹部の底面と側壁面とのなす角度（当該面同士側がなす角度）が９０度を越える未満である。言い換えれば、当該凹部の底面よりも開口の方が大きくなるように、底面と側壁面とが９０度を越える角度をなしていることを示す。
本発明のサブマウントは、当該サブマウントの表面形状を写し取るように前記実装用凹部を含む凹凸が形成された複製用鋳型を作製し、作製された複製用鋳型に硬化性材料を充填し、充填された前記硬化性材料を硬化させ、複製されたサブマウントを前記複製用鋳型から剥離して製造することがよい。この製法では、鋳型に硬化性材料を充填し、充填された硬化性材料を硬化させてサブマウントを複製するので、サブマウントを低コストで量産することができる。また、使用する鋳型にはサブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成されているので、精密なサブマウントを精度よく複製することができる。
また、前記複製用鋳型は、（１００）面を表面に切り出したシリコン単結晶基板に異方性エッチングを施して、前記複製用鋳型の表面形状を写し取るように前記実装用凹部を含む凹凸が形成されたマスター鋳型を作製し、作製されたマスター鋳型に液状シリコーンゴムを塗布又は注型し、液状シリコーンゴムを硬化させて、複製複製用鋳型を前記マスター鋳型から剥離して製造するとがよい。この製法では、シリコン（１００）基板に異方性エッチングを施すため、サブマウントにおけるテーパー状側壁を持つ埋め込み用凹部に対応する凹凸が容易に形成することができる。
また、前記硬化性材料としては、耐熱性樹脂、光硬化性の耐熱性樹脂、熱可塑性の耐熱性樹脂などを適用することができる。前記耐熱性樹脂としては、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂がなどを適用することができる。
一方、本発明の光送受信モジュールは、
光導波路が形成され光導波路フィルムと、
発光素子と該発光素子を保持するサブマウントとを備え、前記発光素子から射出された光が前記光導波路の入射端面に結合されるように、前記サブマウント上に前記光導波路フィルムの一方の端部を保持する光送信部と、
受光素子と該受光素子を保持するサブマウントとを備え、前記光導波路の出射端面から射出された光が前記受光素子に受光されるように、前記サブマウント上に前記光導波路フィルムの他方の端部を保持する光受信部と、
を備え、
前記サブマウントとして上記本発明の光部品実装用サブマウントを適用することを特徴としている。
以上説明したように本発明の光学部品実装用サブマウントによれば、簡易且つ確実に精度良く光学部品の実装が可能であり、量産性に優れ、且つ安価で精密である、といった効果を奏する。また、本発明の光送受信モジュールによれば、受光素子や発光素子などの光学部品を簡易且つ確実に実装を行うことができ、量産性に優れ、低コストである、といった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。
［サブマウント及びその製造方法］
本発明のサブマウントは、光学部品を埋め込み実装するため、側壁がテーパー状の実装用凹部を有している。
本発明のサブマウントは、（１）サブマウントの表面形状を写し取るように実装用凹部を含む凹凸が形成された複製用鋳型を作製する鋳型作製工程、（２）作製された複製用鋳型に硬化性材料を充填する充填工程、（３）充填された前記硬化性材料を硬化させる硬化工程、（４）複製されたサブマウントを前記複製用鋳型から剥離する剥離工程、とを有する製造方法により得ることができる。
複製用鋳型を作製する方法としては、液状シリコーンゴムをマスター用鋳型（サブマウントの原盤）上で硬化させて作製する方法、即ち、（１００）面を表面に切り出したシリコン単結晶基板に異方性エッチングを施して、前記複製用鋳型の表面形状を写し取るように前記実装用凹部を含む凹凸が形成されたマスター鋳型を作製し、作製されたマスター鋳型に液状シリコーンゴムを塗布又は注型し、液状シリコーンゴムを硬化させ、複製された複製用鋳型を前記マスター鋳型から剥離して製造する方法である。この方法は、マスター用鋳型から直接紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂を用いて複製する「スタンパー法」とは異なる。
−シリコーン樹脂を用いた複製法−
次に、「シリコーン樹脂を用いた複製法」の全体像を、図１を参照して説明する。図１（Ａ）は（１００）面を表面に切り出したシリコン基板５０（シリコン単結晶基板）を示す。シリコン基板５０を、レジストを用いてマスキングし、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニュムハイドロオキサイド）を用いてエッチングすると異方性エッチングが可能で、この異方性エッチングにより基板面に対し５４．７４°の一定の角度（鋭角θ）を持った（１１１）面がテーパー状の側壁の面となる凸凹が形成される（図１（Ｂ））。これを複製用鋳型の表面形状を写し取るように前記実装用凹部を含む凹凸が形成されたサブマウントの原盤５２（マスター鋳型）とする。この原盤５２にはサブマウント複数個分の凹凸が形成されており、この原盤を用いて複数個のサブマウントを一度に複製することができる。
この原盤５２の凹凸形成面に液状シリコーンゴムを塗布又は注型し、硬化させる（図１（Ｃ）参照）。その後、シリコーン樹脂層５４Ａを剥離すると、サブマウントの表面形状を写し取るように実装用凹部を含む凹凸が形成されたシリコーン樹脂製の鋳型５４が得られる（図１（Ｄ）参照）。液状シリコーンゴムを用いることで、この材料の密着性と剥離性とを利用して、原盤５２の凹凸が正確に写し取られる。これらの工程が「鋳型作製工程」に相当する。
次に、この鋳型５４に紫外線硬化樹脂を充填し、紫外線照射により硬化させる（図１（Ｅ）参照）。これらの工程が「充填工程」及び「硬化工程」に相当する。その後、硬化樹脂層５６を鋳型から剥離すると、サブマウント表面の凹凸が複製される。この工程が「剥離工程」に相当する。この複製物（図示せず）を個々のサブマウントにダイシングすることで、表面に実装用凹部を含む凹凸が形成された紫外線硬化樹脂製のサブマウント５８が得られる（図１（Ｆ）参照）。この実装用凹部を含む凹凸の側壁はテーパー状となり、凹部でれば、開口が底面よりも大きく構成されている。
以下、「シリコーン樹脂を用いた複製法」の主な工程を更に詳しく説明する。
（原盤（マスター用鋳型）の作製）
上記ではシリコン単結晶基板の異方性エッチングを用いてサブマウントの原盤を作製する例について説明したが、原盤の材料としては、シリコン基板の外に、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等単結晶基板を用いることができる。しかし、コストの点でＳｉ（１００）基板が最適である。
（複製用鋳型の作製）
「シリコーン樹脂を用いた複製法」では、上述した通り、作製された原盤の凹凸形成面に、液状シリコーンゴムを塗布したり注型し、必要に応じ乾燥処理をした後、硬化処理を行って、シリコーン樹脂層を形成する。その後、シリコーン樹脂層を原盤から剥離して、サブマウントの表面形状を型取った複製用鋳型を作製する。
シリコーン樹脂層の厚さは、複製用鋳型としての取り扱い性を考慮して適宜決められるが、一般的に０．１〜５０ｍｍ程度が適切である。また、前記原盤には、あらかじめ離型剤塗布などの離型処理を行なって、複製用鋳型との剥離を促進することが望ましい。
液状シリコーンゴムは、硬化後シリコーンゴムとなる硬化性オルガノポリシロキサンであり、「液状」の中にはペースト状のように粘度の高いものも含まれる。液状シリコーンゴムは、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含むものが好ましい。液状シリコーンゴムの中でも、特に液状ジメチルシロキサンゴム（ポリジメチルシロキサン：ＰＤＭＳ）が密着性、剥離性、強度及び硬度の点から好ましい。
液状シリコーンゴムは、密着性と剥離性という相反した特性に優れ、微細構造を写し取る能力を備えている。このため、シリコーンゴムを用いた鋳型は、高精度に原盤を写し取ることができ、さらに後述するサブマウント形成用の紫外線硬化性樹脂との剥離も容易である。また、液状シリコーンゴムは、鋳型（繰り返し用いる）として一定以上の機械的強度・寸法安定性を有すること、凹凸形状を維持する硬さ（硬度）を有すること、等の利点を有する。従って、この複製用鋳型からは高精度に形状を維持したサブマウントを、極めて簡便に作製することができる。
液状シリコーンゴムは、硬化剤と組み合わせて用いる二液型のものが好ましい。この中でも、付加型の液状シリコーンゴムは、表面と内部が均一にかつ短時間に硬化し、またその際、副生成物が無く又は少なく、かつ離型性に優れ収縮率も小さいので特に好ましい。液状シリコーンゴムには、必要に応じて各種添加剤を加えることができる。
液状シリコーンゴムは、原盤の表面に塗布や注型等することが可能で、また、原盤に形成された凹凸を正確に写し取らなければならないので、ある限度以下の粘度を有することが好ましい。液状シリコーンゴムの粘度は、５００ｍＰａ・ｓ〜７０００ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、２０００ｍＰａ・ｓ〜５０００ｍＰａ・ｓ程度がより好ましい。また、粘度調節のために溶剤を、溶剤の悪影響が出ない程度に加えることができる。
複製用鋳型の表面エネルギーは、１０ｄｙｎ／ｃｍ〜３０ｄｙｎ／ｃｍ、好ましくは１５ｄｙｎ／ｃｍ〜２４ｄｙｎ／ｃｍの範囲にあることが、樹脂との密着性の点からみて好ましい。表面エネルギーは、固体と液体との接触角を測定することで解析できることから専用の接触角測定装置により測定される。鋳型のショア（Ｓｈａｒｅ）ゴム硬度は、１５〜８０、好ましくは２０〜６０であることが、型取り性能や凹凸形状の維持、剥離性の点からみて好ましい。ショアゴム硬度は、非測定物の表面に押針を押し込み変形させ、その変形量を測定するスプリング式ゴム硬度計により測定される。鋳型の表面粗さ（最大高さ（Ｒｙ））は、０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ（１００ｎｍ）以下にすることが、型取り性能の点からみて好ましい。表面粗さＲｙは、粗さ曲線の最大値と最小値の差でと定義された最大高さを表す値であり、触針式の膜厚計で測定される。
また、複製用鋳型は、紫外領域及び／又は可視領域において光透過性であることが好ましい。複製用鋳型が「可視領域」において光透過性であることが好ましいのは、樹脂が鋳型に充填される様子が観察でき、充填完了等が容易に確認しうるからである。また、複製用鋳型が「紫外領域」において光透過性であることが好ましいのは、複製用鋳型を通して紫外線硬化を行うためであり、鋳型の、紫外領域（２５０ｎｍ〜４００ｎｍ）における透過率が８０％以上であることが好ましい。
（サブマウントの複製）
「シリコーン樹脂を用いた複製法」では、上述した通り、サブマウントの表面形状を型取った複製用鋳型に、サブマウント形成用の紫外線硬化性樹脂を充填し、充填された樹脂を硬化させた後、硬化樹脂層を複製用鋳型から剥離することで、表面に凹凸が形成されたサブマウントを複製する。
サブマウント形成用の紫外線硬化性樹脂としては、耐熱性の高い樹脂が好ましく、エポキシ系、ポリイミド系の紫外線硬化性樹脂が好ましく用いられる。また、紫外線硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が好ましく用いられる。
紫外線硬化性樹脂は、鋳型の凹凸に充填されるため、十分低粘度であることが必要である。従って、紫外線硬化性樹脂の粘度は、１０ｍＰａ・ｓ〜２０００ｍＰａ・ｓ、望ましくは２０ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓ、更に好ましくは３０ｍＰａ・ｓ〜５００ｍＰａ・ｓにするのが好ましい。
また、原盤に形成された凹凸を高精度に再現するため、紫外線硬化性樹脂の硬化前後の体積変化が小さいことが必要である。体積変化は１０％以下が好ましく、６％以下がより好ましい。溶剤を用いて低粘度化することは、硬化前後の体積変化が大きいのでできれば避ける方が好ましい。
紫外線硬化性樹脂の硬化後の体積変化（収縮）を小さくするため、紫外線硬化性樹脂にポリマーを添加することができる。添加するポリマーは、紫外線硬化性樹脂との相溶性を有し、かつ該樹脂の屈折率、弾性率、透過特性に悪影響を及ぼさないものが好ましい。また、ポリマーを添加することにより、体積変化を小さくする他、粘度や硬化樹脂のガラス転移点を高度に制御できる。このようなポリマーとしては、例えば、アクリル系、メタクリル酸系、エポキシ系のポリマーが用いられるが、これに限定されるものではない。
紫外線硬化性樹脂を硬化させるには、紫外線ランプ、紫外線ＬＥＤ、ＵＶ照射装置等を用いて紫外領域（２５０ｎｍ〜４００ｎｍ）の光を照射する。
［光送受信モジュール］
図２は、本実施の形態に係る光送受信モジュールの概略構成図である。この光送受信モジュールは、図２に示すように、ベルト状の高分子光導波路フィルム１０と、高分子光導波路フィルム１０に形成された光導波路を介して光信号を送受信する光送受信部１２、１４とで構成されている。光送受信部１２はサブマウント２２を備えており、高分子光導波路フィルム１０の一方の端部はサブマウント２２上に保持されている。また、光送受信部１４はサブマウント２４を備えており、高分子光導波路フィルム１０の他方の端部はサブマウント２４上に保持されている。
高分子光導波路フィルム１０は、可とう性を有する透明樹脂フィルムからなり、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、「折り曲げ」や「ねじれ」等の変形に対して追従性を有している。このためフィルムが変形した状態でも、光送受信部１２から送信された光信号が、高分子光導波路フィルム１０に形成された光導波路を導波して、光送受信部１４により受信される。高分子光導波路フィルム１０は、曲率半径３ｍｍ以下の可とう性を備えていることが好ましい。曲げ半径は、フィルムを折り曲げたときにフィルムの内側に形成される曲線の微小な部分を円と近似したとき、その円の半径の長さを表す値であり、ＡＳＴＭ Ｄ―２１７６に従いその許容値が測定される。なお、高分子光導波路フィルム１０に用いる樹脂材料については後述する。
高分子光導波路フィルム１０は、変形に対する追従性を高めるために、フィルムの厚さを５０μｍ〜３００μｍの範囲とすることが好ましく、１００μｍ〜２００μｍの範囲とすることがより好ましい。また、同様の理由から、フィルムの幅を０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲とすることが好ましく、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲とすることがより好ましい。
［高分子光導波路フィルム］
次に、図４（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、高分子光導波路フィルム１０の構造について説明する。図４（Ａ）は高分子光導波路フィルム１０端部の斜視図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ａ断面図（光導波路の光軸に沿った断面図）であり、図４（Ｃ）は図４（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。
図示した通り、高分子光導波路フィルム１０は、フィルムの長さ方向に延在する口型のコア部１８と、このコア部１８を包囲するクラッド部１６、２０とで構成されている。高分子光導波路フィルム１０内には、複数のコア部１８がフィルムの幅方向に並列に配置され、フィルム内に複数の光導波路が形成されている。この例では、フィルム１０内に２本の光導波路が形成されている。
高分子光導波路フィルム１０の端部には、光導波路の光軸に対し４５°の角度を有するミラー面１０ｂが形成されている。ミラー面１０ｂは光導波路を導波する光の光路を変換する光路変換面として機能する。即ち、光導波路を導波してきた光はこのミラー面１０ｂでその光路が９０°折り曲げられ、光入出射側のフィルム面１０ｃから射出される。また、ミラー面１０ｂが形成されたクラッド部１６の先端部が切断され、光導波路の光軸と直交する突き当て面１０ａが形成されている。突き当て面１０ａはサブマウントに対する突き当て面であり、実装時にサブマウント上での位置合わせに利用される。
上記の高分子光導波路フィルム１０は、例えば、以下の（１）〜（６）の工程により作製することができる。（１）鋳型形成用硬化性樹脂の硬化層から形成され、かつ、光導波路コア凸部に対応する凹部と、該凹部の一端及び他端にそれぞれ連通する貫通孔が２以上設けられた鋳型を準備する工程、（２）前記鋳型に該鋳型との密着性が良好なクラッド用可撓性フィルム基材を密着させる工程、（３）クラッド用可撓性フィルム基材を密着させた鋳型の凹部の一端にある貫通孔に、コア形成用硬化性樹脂を充填し、鋳型の凹部の他端にある貫通孔から減圧吸引してコア形成用硬化性樹脂を前記鋳型の凹部に充填する工程、（４）充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させ、鋳型をクラッド用可撓性フィルム基材から剥離する工程、（５）コアが形成されたクラッド用可撓性フィルム基材の上にクラッド層を形成する工程、（６）得られた高分子光導波路フィルムの端面に４５°ミラー面と突き当て面とを形成する工程。
上述した高分子光導波路フィルムの製造工程を、図５（Ａ）〜（Ｉ）を参照して更に詳細に説明する。なお、説明を簡明にするため、光導波路を１本設けたものについて説明する。図５（Ａ）は原盤１００を示し、１２０は光導波路のコア部に対応する凸部である。この原盤１００の凸部形成面に鋳型形成用硬化性樹脂を塗布又は注型した後硬化させる（図５（Ｂ）参照）。図５（Ｂ）中、２００ａは硬化樹脂層である。その後硬化樹脂層２００ａを剥離すると、凹部が形成された硬化樹脂層２００ａが得られる（図示せず）。凹部２２０が形成された硬化樹脂層２００ａに、凹部２２０に連通する貫通孔２６０及び２８０を凹部両端に打ち抜き等により形成して鋳型２００（図５（Ｃ）参照）を得る。
次に、図５（Ｄ）が示すように、鋳型にクラッド用可撓性フィルム基材３００を密着させる。その後鋳型に形成されている貫通孔２６０にコア形成用硬化性樹脂を入れ、他端の貫通孔２８０から減圧吸引して鋳型凹部２２０にコア形成用硬化性樹脂を充填する。その後該樹脂を硬化させ鋳型を剥離すると、図５（Ｅ）に示されるように、クラッド用可撓性フィルム基材３００の上にコア部３２０が形成される。次に、クラッド部（上部クラッド層）４００を形成し（図５（Ｆ）参照）、貫通孔２６０及び２８０内で硬化した樹脂部分をダイサー等で切り落として、高分子光導波路フィルム１０とする（図５（Ｇ）参照）。
最後に、４５°の角度付きブレードを備えたダイシングソーを用いて高分子光導波路フィルム１０の端部をダイシングし、高分子光導波路フィルム１０の端面に４５°ミラー面１０ｂを形成する（図５（Ｈ）参照）。更に、ダイシングソーを用いて４５°ミラー面の先端をクラッド部分のみを含む所定の長さだけ高分子光導波路フィルムの長手方向に対し直角に切断し、突き当て面１０ａを形成する（図５（Ｉ）参照）。
更に、高分子光導波路フィルム１０を作製するための各工程を詳細に説明する。
１）鋳型形成用硬化性樹脂の硬化層から形成され、かつ、光導波路コア凸部に対応する凹部と、該凹部の一端及び他端にそれぞれ連通する貫通孔が２以上設けられた鋳型を準備する工程
鋳型の作製は、光導波路コアに対応する凸部を形成した原盤を用いて行うのが好ましいが、これに限定されるものではない。以下では、原盤を用いる方法について説明する。
＜原盤の作製＞
光導波路コアに対応する凸部を形成した原盤の作製には、従来の方法、例えばフォトリソグラフィー法を特に制限なく用いることができる。また、本出願人が先に出願した電着法又は光電着法により高分子光導波路を作製する方法（特願２００２−１０２４０号）も、原盤を作製するのに適用できる。原盤に形成される光導波路に対応する凸部の大きさは高分子光導波路の用途等に応じて適宜決められる。例えばシングルモード用の光導波路の場合には、１０μｍ角程度のコアを、マルチモード用の光導波路の場合には、５０〜１００μｍ角程度のコアが一般的に用いられるが、用途によっては数百μｍ程度とさらに大きなコア部を持つ光導波路も利用される。
＜鋳型の作製＞
鋳型の作製の一例として、前記のようにして作製した原盤の凸部形成面に、鋳型形成用硬化性樹脂を塗布したり注型するなどの方法により鋳型形成用硬化性樹脂の層を形成した後、必要に応じ乾燥処理をし、硬化処理を行い、その後硬化樹脂層を原盤から剥離して前記凸部に対応する凹部が形成された型をとり、その型に凹部の一端及び他端にそれぞれ連通する貫通孔を形成する方法が挙げられる。前記連通孔は、例えば前記型を所定形状に打ち抜くことにより形成できる。打ち抜いた貫通孔の場合であっても、鋳型とクラッド用フィルム基材との密着性がよく、鋳型凹部以外にクラッド用フィルム基材との間に空隙が形成されないため、凹部以外にコア形成用硬化性樹脂が浸透する虞はない。
前記型（樹脂硬化層）の厚さは、鋳型としての取り扱い性を考慮して適宜決められるが、一般的に０．１〜５０ｍｍ程度が適切である。また、前記原盤にはあらかじめ離型剤塗布などの離型処理を行なって鋳型との剥離を促進することが望ましい。
コア形成用硬化性樹脂進入側に設ける貫通孔は液（コア形成用硬化性樹脂）だめの機能を有する。また、コア形成用硬化性樹脂排出側に設ける貫通孔は、該樹脂を鋳型凹部に充填する際、鋳型凹部を減圧するための減圧吸引用に用いられる。進入側の貫通孔の形状や大きさは、貫通孔が凹部の進入端に連通しかつ液だめの機能を有していれば特に制限はない。また、排出側の貫通孔は、凹部の排出端に連通しかつ減圧吸引用に用いることができれば、その形状や大きさに特に制限はない。
鋳型凹部のコア形成用硬化性樹脂進入側に設けた貫通孔は液だめの機能をもっているため、その断面積が、鋳型をクラッド用フィルム基材に密着させた場合、該基材に接する側が大きく、基材から離れるに従って小さくなるようにすると、コア形成用硬化性樹脂を凹部に充填、硬化後、鋳型と基材との剥離がしやすくなる。コア形成用硬化性樹脂排出側の貫通孔には、液だめの機能を持たせる必要はないので、特にこのような断面構造を採用することを要しない。
また、鋳型作製の他の例として、原盤に光導波路コアに対応する凸部だけでなく貫通孔形成のための凸部（この凸部の高さは鋳型形成用硬化性樹脂の硬化層の厚さより高くする）を設け、この原盤に鋳型形成用硬化性樹脂を貫通孔形成のための凸部が樹脂層を突き抜けるように塗布等し、次いで樹脂層を硬化させ、その後硬化樹脂層を原盤から剥離する方法を挙げることができる。
鋳型作製に用いる鋳型形成用硬化性樹脂しては、その硬化物が原盤から容易に剥離できること、鋳型（繰り返し用いる）として一定以上の機械的強度・寸法安定性を有すること、凹部形状を維持する硬さ（硬度）を有すること、クラッド用フィルム基材との密着性が良好なことが好ましい。鋳型形成用硬化性樹脂には、必要に応じて各種添加剤を加えることができる。
鋳型形成用硬化性樹脂は、原盤の表面に塗布や注型等することが可能で、また、原盤に形成された個々の光導波路コアに対応する凸部を正確に写し取らなければならないので、ある限度以下の粘度、たとえば、５００〜７０００ｍPa・ｓ程度を有することが好ましい。（なお、本発明において用いる「鋳型形成用硬化性樹脂」の中には、硬化後、弾性を有するゴム状体となるものも含まれる。）また、粘度調節のために溶剤を、溶剤の悪影響が出ない程度に加えることができる。
前記鋳型形成用硬化性樹脂としては、前記のごとき剥離性、機械強度・寸法安定性、硬度、クラッド用基材との密着性の点から、硬化後、シリコーンゴム（シリコーンエラストマー）又はシリコーン樹脂となる硬化性オルガノポリシロキサンが好ましく用いられる。前記硬化性オルガノポリシロキサンは、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含むものが好ましい。また、前記硬化性オルガノポリシロキサンは、一液型のものでもまた硬化剤と組み合わせて用いる二液型のものでもよく、また、熱硬化型のものでもまた室温硬化型（例えば空気中の水分で硬化するもの）のものでもよく、更に他の硬化（紫外線硬化等）を利用するものであってもよい。
硬化性オルガノポリシロキサンとしては、硬化後シリコーンゴムとなるものが好ましく、これには通常液状シリコーンゴム（「液状」の中にはペースト状のように粘度の高いものも含まれる）と称されているものが用いられ、硬化剤と組み合わせて用いる二液型のものが好ましく、中でも付加型の液状シリコーンゴムは、表面と内部が均一にかつ短時間に硬化し、またその際副生成物が無く又は少なく、かつ離型性に優れ収縮率も小さいので好ましい。
前記液状シリコーンゴムの中でも特に液状ジメチルシロキサンゴムが密着性、剥離性、強度及び硬度の点から好ましい。また、液状ジメチルシロキサンゴムの硬化物は、一般に屈折率が１．４３程度と低いために、これから作った鋳型は、クラッド用基材から剥離させずに、そのままクラッド層として好ましく利用することができる。この場合には、鋳型と、充填したコア形成用樹脂及びクラッド用基材とが剥がれないような工夫が必要になる。
液状シリコーンゴムの粘度は、光導波路コアに対応する凸部を正確に写し取り、かつ気泡の混入を少なくして脱泡し易くする観点と、数ミリの厚さの鋳型形成の点から、５００〜７０００ｍPa・ｓ程度のものが好ましく、さらには、２０００〜５０００ｍPa・ｓ程度のものがより好ましい。
鋳型の表面エネルギーは、１０ｄｙｎ／ｃｍ〜３０ｄｙｎ／ｃｍ、好ましくは１５ｄｙｎ／ｃｍ〜２４ｄｙｎ／ｃｍの範囲にあることが、基材フィルムとの密着性の点からみて好ましい。表面エネルギーは、Ｚｉｓｍａｎ法による臨界表面張力を測定する手法により測定される。鋳型のシェア（Ｓｈａｒｅ）ゴム硬度は、１５〜８０、好ましくは２０〜６０であることが、型取り性能や凹部形状の維持、剥離性の点からみて好ましい。シェアゴム硬度は、デュロメータを用いてＪＩＳ Ｋ ６２５３に従って測定することができる。
鋳型の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下にすることが、型取り性能の点からみて好ましい。算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に従い測定することができる。
また、鋳型は、紫外領域及び／又は可視領域において光透過性であることが好ましい。鋳型が可視領域において光透過性であることが好ましいのは、以下の２）の工程において鋳型をクラッド用フィルム基材に密着させる際、位置決めが容易に行え、また、以下の３）の工程においてコア形成用硬化性樹脂が鋳型凹部に充填される様子が観察でき、充填完了等が容易に確認しうるからである。また、鋳型が紫外領域において光透過性であることが好ましいのは、コア形成用硬化性樹脂として紫外線硬化性樹脂を用いる場合に、鋳型を透して紫外線硬化を行うためであり、鋳型の、紫外領域（２５０ｎｍ〜４００ｎｍ）における透過率が８０％以上であることが好ましい。
前記硬化性オルガノポリシロキサン、中でも硬化後シリコーンゴムとなる液状シリコーンゴムは、クラッド用フィルム基材との密着性と剥離性という相反した特性に優れ、ナノ構造を写し取る能力を持ち、シリコーンゴムとクラッド用基材とを密着させると液体の進入させ防ぐことができる。このようなシリコーンゴムを用いた鋳型は高精度に原盤を写し取り、クラッド用基材に良く密着するため、鋳型とクラッド用基材の間の凹部のみに効率よくコア形成用樹脂を充填することが可能となり、さらにクラッド用基材と鋳型の剥離も容易である。したがって、この鋳型からは高精度に形状を維持した高分子光導波路を、極めて簡便に作製することができる。
２）鋳型に、鋳型との密着性が良好なクラッド用可撓性フィルム基材を密着させる工程
本発明の高分子光導波路から作製される光学素子は、種々の階層における光配線に用いられるので、前記クラッド用可撓性フィルム基材の材料は光学素子の用途に応じ、屈折率、光透過性等の光学的特性、機械的強度、耐熱性、鋳型との密着性、フレキシビリティー等を考慮して選択される。前記フィルムとしては脂環式アクリル樹脂フイルム、脂環式オレフィン樹脂フイルム、三酢酸セルロースフイルム、含フッ素樹脂フイルム等が挙げられる。フィルム基材の屈折率は、コアとの屈折率差を確保するため、１．５５より小さく、好ましくは１．５３より小さくすることが望ましい。
前記脂環式アクリル樹脂フイルムとしてはトリシクロデカン等の脂肪族環状炭化水素をエステル置換基に導入した、ＯＺ−１０００、ＯＺ−１１００（日立化成（株）製）等が用いられる。
また、脂環式オレフィン樹脂フイルムとしては主鎖にノルボルネン構造を有するもの、及び主鎖にノルボルネン構造を有しかつ側鎖にアルキルオキシカルボニル基（アルキル基としては炭素数１から６のものやシクロアルキル基）等の極性基をもつものが挙げられる。中でも前記のごとき主鎖にノルボルネン構造を有しかつ側鎖にアルキルオキシカルボニル基等の極性基をもつ脂環式オレフィン樹脂は、低屈折率（屈折率が１．５０近辺であり、コア・クラッドの屈折率の差を確保できる）及び高い光透過性等の優れた光学的特性を有し、鋳型との密着性に優れ、さらに耐熱性に優れているので特に本発明の光導波路シートの作製に適している。
また、前記フィルム基材の厚さはフレキシビリティーと剛性や取り扱いの容易さ等を考慮して適切に選ばれ、一般的には０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度が好ましい。
３）クラッド用フィルム基材を密着させた鋳型の凹部の一端にある貫通孔に、コア形成用硬化性樹脂を充填し、鋳型の凹部の他端にある貫通孔から減圧吸引してコア形成用硬化性樹脂を前記鋳型の凹部に充填する工程
この工程においては、コア形成用硬化性樹脂を、該樹脂の進入部側に設けた貫通孔に充填し、該樹脂の排出部側に設けた貫通孔から減圧吸引して、鋳型とクラッド用フィルム基材との間に形成された空隙（鋳型の凹部）に充填する。減圧吸引することにより、鋳型とクラッド用フイルム基材との密着性が向上し、気泡の混入を避けることができる。減圧吸引は、例えば、吸引管を排出部側に設けた貫通孔に挿入し、吸引管をポンプにつなげて行われる。
コア形成用硬化性樹脂としては放射線硬化性、電子線硬化性、熱硬化性等の樹脂を用いることができ、中でも紫外線硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましく用いられる。前記コア形成用の紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂としては、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が好ましく用いられる。また、前記紫外線硬化性樹脂としてエポキシ系、ポリイミド系、アクリル系紫外線硬化性樹脂が好ましく用いられる。
コア形成用硬化性樹脂は、毛細管現象により鋳型とフィルム基材との間に形成された空隙（鋳型の凹部）に充填されるため、用いるコア形成用硬化性樹脂はそれが可能なように十分低粘度であることが必要である。したがって、前記硬化性樹脂の粘度は、１０ｍPa・ｓ〜２０００ｍPa・ｓ、望ましくは２０ｍPa・ｓ〜１０００ｍPa・ｓ、更に好ましくは３０ｍPa・ｓ〜５００ｍPa・ｓにするのが好ましい。
このほかに、原盤に形成された光導波路コアに対応する凸部が有する元の形状を高精度に再現するため、前記硬化性樹脂の硬化前後の体積変化が小さいことが必要である。例えば、体積が減少すると導波損失の原因になる。したがって、コア形成用硬化性樹脂は、体積変化ができるだけ小さいものが望ましく、１０％以下、好ましくは６％以下であるのが望ましい。溶剤を用いて低粘度化することは、硬化前後の体積変化が大きいのでできれば避ける方が好ましい。
コア形成用硬化性樹脂の硬化後の体積変化（収縮）を小さくするため、前記樹脂にポリマーを添加することができる。前記ポリマーはコア形成用硬化性樹脂との相溶性を有し、かつ該樹脂の屈折率、弾性率、透過特性に悪影響を及ぼさないものが好ましい。またポリマーを添加することにより体積変化を小さくする他、粘度や硬化樹脂のガラス転移点を高度に制御できる。前記ポリマーとしては例えばアクリル系、メタクリル酸系、エポキシ系のものが用いられるがこれに限定されるものではない。
コア形成用硬化性樹脂の硬化物の屈折率は、クラッドとなる前記フィルム基材（以下の５）の工程におけるクラッド層を含む）より大きいことが必要で、１．５０以上、好ましくは１．５３以上である。クラッド（以下の５）の工程におけるクラッド層を含む）とコアの屈折率の差は、０．０１以上、好ましくは０．０３以上である。
４）充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させ、鋳型をクラッド用フィルム基材から剥離する工程
この工程では充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させる。紫外線硬化性樹脂を硬化させるには、紫外線ランプ、紫外線LED、UV照射装置等が用いられ、熱硬化性樹脂を硬化させるには、オーブン中での加熱等が用いられる。
また、前記１）〜３）の工程で用いる鋳型は、屈折率等の条件を満たせばそのままクラッド層に用いることも可能で、この場合は、鋳型を剥離する必要はなくそのままクラッド層として利用することができる。この場合、鋳型とコア材料の接着性を向上させるために鋳型をオゾン処理することが好ましい。
５）コアが形成されたクラッド用フィルム基材の上にクラッド層を形成する工程
コアが形成されたフィルム基材の上にクラッド層を形成するが、クラッド層としてはフィルム（たとえば前記２）の工程で用いたようなクラッド用フィルム基材が同様に用いられる）や、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布して乾燥して得られる高分子膜等が挙げられる。クラッド用硬化性樹脂としては紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が好ましく用いられ、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が用いられる。
クラッド用硬化性樹脂の硬化後の体積変化（収縮）を小さくするために、該樹脂と相溶性を有し、また該樹脂の屈折率、弾性率、透過特性に悪影響を及ぼさないポリマー（例えばメタクリル酸系、エポキシ系）を該樹脂に添加することができる。
クラッド層としてフィルムを用いる場合は、接着剤を用いて貼り合わされるが、その際、接着剤の屈折率が該フィルムの屈折率と近いことが望ましい。用いる接着剤は紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂が好ましく用いられ、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が用いられる。前記紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化後の体積変化（収縮）を小さくするために、クラッド層に添加するポリマーと同様のポリマーを添加することができる。
クラッド層の屈折率は、コアとの屈折率差を確保するため、１．５５以下、好ましくは１．５３以下にすることが望ましい。また、クラッド層の屈折率を前記フィルム基材の屈折率と同じにすることが、光の閉じ込めの点からみて好ましい。
上述した高分子光導波路フィルムの製造方法は、鋳型に鋳型との密着性が良好なクラッド用可撓性フィルム基材を密着させることで、両者を特別な手段を用いて固着させなくても、鋳型に形成された凹部構造以外には、鋳型とクラッド用基材の間に空隙が生ずることなく、コア形成用硬化性樹脂を前記凹部のみに進入させることができることを見い出したことに基づくものである。これにより、製造工程が極めて単純化され、容易に高分子光導波路フィルムを作製することができる。従って、従来の高分子光導波路フィルムの製造方法と比較し、極めて低コストで高分子光導波路フィルムを作製することが可能になる。
また、上述した製造方法では、鋳型に貫通孔を設け、鋳型凹部のコア形成用硬化性樹脂排出側を減圧吸引するので、鋳型とフイルム基材との密着性が更に向上し、気泡の混入を避けることができる。更に、簡便な方法でありながら、得られる高分子光導波路フィルムは導波損失が少なく高精度であり、かつ各種機器への自由な装填が可能である。
［光送受信部］
次に、図６及び図７を参照して、サブマウント２２を備えた光送受信部１２の構成について説明する。なお、サブマウント２４はサブマウント２２と同じ構成であり、光送受信部１４は光送受信部１２と同じ構成となるため、サブマウント２４及び光送受信部１４については説明を省略する。
まず、図６を参照して、サブマウント２２の構成を説明する。図６（Ａ）はサブマウント２２の斜視図であり、図６（Ｂ）はサブマウント２２の平面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。
サブマウント２２は、略直方体状の基板から構成されている。このサブマウント２２には、高分子光導波路フィルム１０を取付けるための凹部２６（光学部品実装用凹部）と、受光素子及び発光素子を嵌め込んでそれぞれ保持（実装）するための凹部２８ａ，２８ｂ（光学部品実装用凹部）とが形成されている。この例では、２つの凹部２８ａ，２８ｂが形成されているが、受光素子及び発光素子の双方を保持する一つの凹部を設けてもよい。凹部２６は、高分子光導波路フィルム１０の突き当て面１０ａが突き当てられる当接面２６ａと、高分子光導波路フィルム１０のフィルム面１０ｃが載置される載置面２６ｂとを備えている。
光学部品実装用凹部としての凹部２６，２８Ａ，２８Ｂは、４つ或いは３つの側壁がテーパー状となっており、開口が底面よりも大きくなるように設けられている。なお、光学部品実装用凹部における側壁は、少なくとも隣合う２つの側壁がテーパー状となっていればよい。
また、サブマウント２２の表面の一部には、受光素子及び発光素子に対して電気的な配線を行うための電極膜３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、０３ｄが形成されている。この例では、電極膜３０ａ、３０ｂは、凹部２８ａ，２８ｂの底面から側面を通ってサブマウント２２の上面まで延在するように各々パターニングされている。また、電極膜３０ｃ、３０ｄは、電極膜３０ａ、３０ｂとは絶縁されるように、サブマウント２２の上面に各々パターニングされている。サブマウント２２側に電極膜を形成することで、光送受信モジュールをパッケージに格納する場合に、受光素子及び発光素子に対する電気的な配線が容易になる。
上記のサブマウント２２は、上述した鋳型による複製技術を用いたサブマウントの製造方法により、精度よく作製されている。また、電極膜３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄは、例えば、サブマウント２２の表面に金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜を蒸着した後、この金属膜をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより形成される。
次に、図７を参照して、光送受信部１２の実装状態について説明する。図７（Ａ）は光送受信部１２の平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＤ−Ｄ断面図（光導波路の光軸に沿った断面図）であり、図７（Ｃ）は図７（Ｂ）の光結合部を拡大して示す部分拡大図である。
光送受信モジュールの実装時、光送受信部１２のサブマウント２２上には、発光素子である面発光型半導体レーザダイオード（ＬＤ）３２、受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）３４、及び高分子光導波路フィルム１０が保持されている。
高分子光導波路フィルム１０の端部は、サブマウント２２の凹部２６に嵌め込まれている。即ち、突き当て面１０ａがサブマウント２２の当接面２６ａの一部に突き当てられて所定の位置に位置決めされ、光入出射側のフィルム面１０ｃがサブマウント２２の載置面２６ｂと対向するようにサブマウント２２上に載置されている。このように高分子光導波路フィルム１０を載置面２６ｂで保持することで、フレキシブルな高分子光導波路フィルム１０を安定に保持することができる。
また、フィルム面１０ｃは、接着剤３６によって対向する載置面２６ｂ、ＬＤ３２及びＰＤ３４と接着されている。接着剤３６としては、紫外線硬化性樹脂等の光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤等が用いられるが、光損失を低減するためには、高分子光導波路フィルム１０のクラッド部１６と同じ硬化性樹脂を用いることが好ましい。
そして、凹部２６の側壁がテーパー状で、開口が底面（載置面）よりも大きくなっているため、高分子光導波路フィルム１０を凹部２６へ容易に嵌め込みことができ、位置決め精度も高くなっている。
ＬＤ３２とＰＤ３４とは、サブマウント２２の凹部２８ａ，２８ｂに各々嵌め込まれ、凹部２８ａ，２８ｂの底部（底面）に固定されている。ＬＤ３２及びＰＤ３４を凹部２８ａ，２８ｂに嵌め込むことで、光送受信部１２がコンパクト化する。この例では、凹部２８ａ，２８ｂの底部には電極膜３０ａ、３０ｂが形成されているため、ＬＤ３２の裏面電極と電極膜３０ａ、ＰＤ３４の裏面電極と電極膜３０ｂとが各々電気的に導通されるように、導電性を有するはんだ等により凹部２８ａ，２８ｂの底部に固定されている。なお、ＬＤ３２の他方の電極はワイヤー３８ａにより電極膜３０ｃと電気的に接続され、ＰＤ３４の他方の電極はワイヤー３８ｂにより電極膜３０ｄと電気的に接続されている。
そして、凹部２８ａ，２８ｂの側壁がテーパー状で、開口が底面（載置面）よりも大きくなっているため、ＬＤ３２とＰＤ３４を凹部２８ａ，２８ｂへ容易に嵌め込みことができ、位置決め精度も高くなっている。
また、ＬＤ３２及びＰＤ３４は、ＬＤ３２の発光部３２ａが高分子光導波路フィルム１０の送信用光導波路のコア部１８の端面（入射端面）と対向すると共に、ＰＤ３４の受光部３４ａが受信用光導波路のコア部１８の端面（出射端面）と対向するように、突き当て面１０ａの突き当て位置に応じて各々所定の位置に配置されている。
なお、ここでは、光送受信部１２から光信号を送信するための光導波路を送信用光導波路とし、光送受信部１２により光信号を受信するための光導波路を受信用光導波路としているが、光送受信部１４から見た場合には、送信用光導波路と受信用光導波路とが逆転することは言うまでもない。
上記の光送受信部１２は、サブマウント２２の凹部２８ａ，２８ｂにＬＤ３２及びＰＤ３４を嵌め込んだ後に、サブマウント２２の凹部２６に高分子光導波路フィルム１０を取付けることで、簡単に組み立てることができる。
また、本実施の形態では、高分子光導波路フィルム１０が透明樹脂で構成されているため、ミラー面１０ｂによる裏面反射を利用して光導波路のコア部１８の端面の位置を観測することができる。従って、このミラー面１０ｂでの裏面反射像を用いることで、ＬＤ３２及びＰＤ３４のアライメントが容易になり、パッシブ・アライメントで高精度の実装が可能になる。
［光送受信モジュールの動作］
次に、図８を参照して、本実施の形態に係る光送受信モジュールの動作について説明する。図８は、光送受信モジュールの構成を模式的に表した図である。ここでは、光送受信部１２から光信号を送信するための光導波路を送信用光導波路とし、光送受信部１２により光信号を受信するための光導波路を受信用光導波路として説明する。
本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、光送受信部１２から光送受信部１４に光信号を送信する場合には、光送受信部１２のサブマウント２２に保持されたＬＤ３２から射出された光が送信用光導波路のコア部１８の入射端面に結合され、高分子光導波路フィルム１０に形成された送信用光導波路を導波する。そして、送信用光導波路のコア部１８の出射端面から射出された光が、光送受信部１４のサブマウント２４に保持されたＰＤ３４により受光される。
同様に、光送受信部１４から送信された光信号を光送受信部１２で受信する場合には、光送受信部１４のサブマウント２４に保持されたＬＤ３２から射出された光が受信用光導波路のコア部１８の入射端面に結合され、高分子光導波路フィルム１０に形成された受信用光導波路を導波する。そして、受信用光導波路のコア部１８の出射端面から射出された光が、光送受信部１２のサブマウント２２に保持されたＰＤ３４により受光される。
以上説明した通り、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、上述した通り一組の光送受信部の間で双方向の光通信が行われるが、フレキシブルなベルト状の高分子光導波路フィルムは「折り曲げ」や「ねじれ」等の変形に対して追従性を有しているので、フィルムが変形した状態でも、高分子光導波路フィルムに形成された光導波路を介して光信号の送受信を行うことができる。従って、折り畳むことが多い携帯電話や薄型パソコン等のモバイル装置の光配線にも使用することが可能である。
また、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、サブマウント側に電極膜が形成されているので、光送受信モジュールをパッケージに格納する場合に、光送受信部の受光素子及び発光素子に対する電気的な配線が容易になる。
そして、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、上述のように、側壁がテーパー状となっており、開口が底面よりも大きい光学部品実装用凹部としての凹部２６，２８ａ，２８ｂを有するサブマウントを用いているため、高分子光導波路フィルム１０、ＬＤ３２及びＰＤ３４がサブマウント２２へ容易且つ確実に高精度での実装可能となっている。
更に、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、所定形状に加工されたサブマウントを用いているので、以下の（１）〜（４）に示す通り、高分子光導波路フィルム、発光素子及び受光素子の実装が容易になる。
（１）サブマウントに高分子光導波路フィルムの端部が載置される載置面を備えた凹部が形成され、この載置面により高分子光導波路フィルムが面で保持されるので、フレキシブルな高分子光導波路フィルムを、サブマウント上に安定に保持することができる。
（２）高分子光導波路フィルムの端面に位置合わせのための突き当て面が形成されると共に、この突き当て面が突き当てられる当接面を備えた凹部がサブマウントに形成されるので、突き当て面を利用して高分子光導波路フィルムの実装を簡単に行うことができる。
（３）サブマウントに発光素子及び受光素子を保持する凹部が形成されるので、この凹部に発光素子及び受光素子を嵌め込むだけで、発光素子及び受光素子の実装を簡単に行うことができる。また、サブマウントに形成した凹部に発光素子及び受光素子を嵌め込むことで、光送受信部のコンパクト化を図ることができる。
（４）通常、高分子導波路に４５°カットを施すと光が全反射し反射光や透過光を観察しても導波路のコアの位置を確認することが困難になる。従って、導波路のコアの４５°面に位置と受発光素子とのアライメントが困難で、アクティブアライメントに頼る必要があった。これに対し、本実施の形態では、透明な高分子光導波路フィルムを用いているので、裏面反射像により導波路コアの４５°面の位置を観測することができ、この裏面反射像を用いることで、発光素子及び受光素子をパッシブ・アライメントで精度良く実装することができる。
［他の電極配置］
上記の実施の形態では、サブマウントに形成された凹部の底面から側面を通ってサブマウントの上面まで延在する電極膜を形成し、ＬＤ及びＰＤの裏面電極と電極膜とを電気的に導通する例について説明したが、電極膜の形成パターンはこれには限定されない。
例えば、図９（Ａ）〜（Ｃ）、図１０（Ａ）〜（Ｃ）、図１１に示すように、サブマウント２２の上面に相互に絶縁された電極膜４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄを形成し、光送受信モジュールの実装時には、これら電極膜４０ａ、４０ｂとＬＤ３２の各電極とをワイヤー４２ａ、４２ｂにより電気的に接続すると共に、電極膜４０ｃ、４０ｄとＰＤ３４の各電極とをワイヤー４２ｃ、４２ｄにより電気的に接続してもよい。その他の構成は、上記の実施の形態と同様である。
［他のモジュール構成］
上記の実施の形態では、発光素子及び受光素子の両方を実装した光送受信部の間で双方向の光通信を行う光送受信モジュールについて説明したが、発光素子を備えた光送信部と受光素子を備えた光受信部との間で一方向の光通信を行う光送受信モジュールとしてもよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
実施例１は、サブマウントをシリコーン樹脂を用いてマスター鋳型（原盤）から鋳型を作製し、ＵＶ硬化型のエポキシ系樹脂を用いて複製し、図に示す光送受信モジュールを作製した実施例である。なお、以下、テーパー状の側壁を持つ凹部を「テーパー付き凹部」と称する。
＜高分子光導波路フィルムの作製＞
Ｓｉ基板に厚膜レジスト（マイクロケミカル（株）製、ＳＵ−８）をスピンコート法で塗布した後、８０℃でプリベークし、フォトマスクを通して露光し、現像して、４本の、断面が正方形の凸部（幅：５０μｍ、高さ：５０μｍ、長さ：８０ｍｍ）を形成した。凸部と凸部の間隔は２５０μｍとした。次に、これを１２０℃でポストベークして、高分子光導波路作製用原盤を作製した。
次に、この原盤に離型剤を塗布した後、熱硬化性液状ジメチルシロキサンゴム（ダウ・コウニングアジア社製：ＳＹＬＧＡＲＤ１８４、粘度５０００ｍPa．ｓ）及びその硬化剤を混合したものを流し込み、１２０℃で３０分間加熱して硬化させた後、剥離して、前記断面が矩形の凸部に対応する凹部を持った型（型の厚さ：５ｍｍ）を作製した。
さらに、平面形状が円形で鋳型厚さ方向の断面形状がテーパー状の貫通孔を、凹部の一端及び他端において、凹部と連通するように、打ち抜きにより形成して鋳型を作製した。
この鋳型と、鋳型より一回り大きい膜厚５０μｍのクラッド用フィルム基材（アートンフイルム、ＪＳＲ（株）製、屈折率１．５１０）を密着させた。次に、鋳型の進入側貫通孔に、粘度が５００ｍPa・ｓの紫外線硬化性樹脂を数滴落とし、排出側（減圧吸引側）貫通孔から減圧吸引したところ、１０分で前記凹部に紫外線硬化性樹脂が充填された。次いで、５０ｍＷ／ｃｍ2のＵＶ光を鋳型の上部から５分間照射して紫外線硬化させた。鋳型をアートンフイルムから剥離したところ、アートンフイルム上に前記原盤凸部と同じ形状のコアが形成された。
次に、アートンフイルムのコア形成面に、硬化後の屈折率がアートンフイルムと同じ１．５１０である紫外線硬化性樹脂を塗布した後、５０μｍのクラッド用フィルム基材を張り合わせ、５０ｍＷ／ｃｍ2のＵＶ光を５分間照射して紫外線硬化させることで２枚のフイルムを接着させ、幅１．５ｍｍ、膜厚１８０μｍのベルト状の高分子光導波路フイルムとした。
次に、４５°角度付きＳｉ用のブレードを備えたダイシングソーを用いて、この高分子導波路フイルムの両端を光軸に対し４５°の角度で切断し、４５°ミラー面を持ったコアを露出させた。次に、クラッド部分を先端から５０μｍの位置で光軸に対し垂直に切断し、両端部に４５°ミラー面と垂直切断面とを備えた高分子光導波路フイルムが得られた。
＜サブマウントの作製＞
次に、厚さ６００μｍのＳｉ（１００）基板に発光素子及び受光素子を取り付ける２カ所の凹部をフォトレジストとＴＭＡＨを用いて異方性エッチング施しテーパー付きの凹部を形成した。凹部の深さは２５０μｍである。さらに、高分子光導波路フイルムを取り付けるために、高分子光導波路フイルムの垂直切断面を突き当てる当接面を備えた深さ５０μｍのテーパ付きの凹部を異方性エッチングを施すことで形成した。この凹部が形成されたＳｉ製のマスター基板を、サブマウントの原盤（マスター用鋳型）とした。この原盤にはサブマウント複数個分の凹部が形成されており、この原盤を用いて複数個のサブマウントを一度に複製することができる。
この原盤に熱硬化性液状ジメチルシロキサンゴム（ダウ・コウニングアジア社製、「ＳＹＬＧＡＲＤ１８４」、粘度５０００ｍＰａ．ｓ）及びその硬化剤を混合したものを流し込み、１２０℃で３０分間加熱して硬化させた後、硬化層を剥離して、表面に原盤の凹凸に対応する凹凸が形成されたシリコーン樹脂製の鋳型（型の厚さ：５ｍｍ）を作製した。
次に、粘度が３０００ｍＰａ・ｓの紫外線硬化性樹脂（ＮＴＴ−ＡＴ社製）を塗布した後、５０ｍＷ／ｃｍ2のＵＶ光を鋳型の上部から５分間照射して硬化させ、硬化樹脂層を鋳型から剥離した。次に、硬化樹脂層にＡｕを２００ｎｍの厚さ蒸着した後、フォトリソグラフィーでＡｕ電極のパターニングを行い、各々の凹部の底面から側面を通ってサブマウントの上面に延在する下部電極用の電極パッドと、この電極パッドと絶縁された上部電極用の電極パッドとを形成した。そして、電極パッドが形成された硬化樹脂層をダイサーで切断することで、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントを複数個形成した。
マスター基板から見た凹凸の作製誤差は１００ｎｍ以内であり、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントＡを高い精度で作製することができた。
＜モジュールの実装＞
サブマウントＡの発光素子用の凹部にＳｎ−Ａｕハンダを挟んでＶＣＳＥＬ素子（富士ゼロックス社製）を載置すると共に、受光素子用の凹部にＳｎ−Ａｕハンダを挟んでフォトダイオード素子を載置し、２５０℃に加熱することでサブマウントＡの所定の凹部にＶＣＳＥＬ素子及びフォトダイオード素子を各々固定した。これにより、ＶＣＳＥＬ素子及びフォトダイオード素子の各々の下部電極が電極パッドと電気的に接続された。その後、ＶＣＳＥＬ素子の上部電極と電極パッド、フォトダイオード素子の上部電極と電極パッドの間をＡｕワイヤーを用いてボンディングした。
次に、４５°ミラー面が形成された高分子光導波路フイルムの両端部の各々を異なるサブマウントＡの凹部に嵌め込み、垂直切断面をサブマウントＡの当接面に突き当てて位置合せを行った後、紫外線硬化樹脂を用いて高分子光導波路フイルムをサブマウントＡに固定した。これにより、一対の光送受信部と高分子光導波路フイルムとを備えた実施例１の双方向光送受信モジュールが得られた。
＜通信性能の評価＞
サンプリング・オシロスコープ（アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８６１００Ｃ）とパルスパターン・ジェネレータとを用い、実施例１の双方向光送受信モジュールについて光送受信の性能を評価したところ、３．１２５Ｇｂｐｓまで良好なアイパターンを測定することができた。
以上により、光学部品としての光学素子、及び光導波路フィルムがサブマウントに簡易に且つ確実に高精度で実装できることがわかる。
（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明のサブマウントの製造方法の工程を示す工程図である。 本実施の形態に係る光送受信モジュールの概略構成図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、本実施の形態に係る光送受信モジュールの変形に対する追従性を示す図である。 （Ａ）は本実施の形態に係る光送受信モジュールの高分子光導波路フィルム端部の斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。 （Ａ）〜（Ｉ）は、本実施の形態に係る光送受信モジュールの高分子光導波路フィルムの製造工程を示す図である。 （Ａ）は本実施の形態に係る光送受信モジュールのサブマウントの斜視図であり、（Ｂ）は本実施の形態に係る光送受信モジュールのサブマウントの平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。 （Ａ）は本実施の形態に係る光送受信モジュールの光送受信部の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の光結合部を拡大して示す部分拡大図である。 本実施の形態に係る光送受信モジュールの構成を模式的に表した図である。 （Ａ）は本実施の形態に係る他の光送受信モジュールのサブマウントの斜視図であり、（Ｂ）は本実施の形態に係る他の光送受信モジュールのサブマウントの平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。 （Ａ）は本実施の形態に係る他の光送受信モジュールの光送受信部の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の光結合部を拡大して示す部分拡大図である。 本実施の形態に係る他の光送受信モジュールの構成を模式的に表した図である。
符号の説明
１０ 高分子光導波路フィルム
１２、１４ 光送受信部
１６、２０ クラッド部
１８ コア部
２２、２４ サブマウント
２６，２８Ａ，２８Ｂ 凹部（光学部品実装用凹部）

Claims (8)

  1. 光学部品を実装するサブマウントにおいて、
    前記光学部品を埋め込み実装するための実装用凹部を有し、当該実装用凹部の側壁がテーパー状であることを特徴とする光学部品実装用サブマウント。
  2. 前記サブマウントは、当該サブマウントの表面形状を写し取るように前記実装用凹部を含む凹凸が形成された複製用鋳型を作製し、作製された複製用鋳型に硬化性材料を充填し、充填された前記硬化性材料を硬化させ、複製されたサブマウントを前記複製用鋳型から剥離して製造したことを特徴とする請求項１に記載の光学部品実装用サブマウント。
  3. 前記複製用鋳型は、（１００）面を表面に切り出したシリコン単結晶基板に異方性エッチングを施して、前記複製用鋳型の表面形状を写し取るように前記実装用凹部を含む凹凸が形成されたマスター鋳型を作製し、作製されたマスター鋳型に液状シリコーンゴムを塗布又は注型し、液状シリコーンゴムを硬化させ、複製された複製用鋳型を前記マスター鋳型から剥離して製造したことを特徴とする請求項２に記載の光学部品実装用サブマウント。
  4. 前記硬化性材料が、耐熱性樹脂である請求項２乃至３のいずれか１項に記載の光学部品実装用サブマウント。
  5. 前記硬化性材料が、光硬化性の耐熱性樹脂である請求項２乃至３のいずれか１項に記載の光学部品実装用サブマウント。
  6. 前記硬化性材料が、熱可塑性の耐熱性樹脂である請求項２乃至３のいずれか１項に記載の光学部品実装用サブマウント。
  7. 前記耐熱性樹脂が、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である請求項４乃至６のいずれか１項に記載の光学部品実装用サブマウント。
  8. 光導波路が形成され光導波路フィルムと、
    発光素子と該発光素子を保持するサブマウントとを備え、前記発光素子から射出された光が前記光導波路の入射端面に結合されるように、前記サブマウント上に前記光導波路フィルムの一方の端部を保持する光送信部と、
    受光素子と該受光素子を保持するサブマウントとを備え、前記光導波路の出射端面から射出された光が前記受光素子に受光されるように、前記サブマウント上に前記光導波路フィルムの他方の端部を保持する光受信部と、
    を備え、
    前記サブマウントが請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光部品実装用サブマウントであることを特徴とする光送受信モジュール。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011046115A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 日立化成工業株式会社 光導波路基板及びその製造方法
JP2015529965A (ja) * 2012-06-08 2015-10-08 ホーヤ コーポレイション ユーエスエイＨｏｙａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｕｓａ サブマウント
KR20220030166A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 주하이 엑세스 세미컨덕터 컴퍼니., 리미티드 지향성 광전 전송 채널을 구비한 캐비티 기판 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023337B1 (ko) * 2006-01-11 2011-03-18 오므론 가부시키가이샤 광케이블 모듈 및 그것을 이용한 기기
CN101401332B (zh) * 2006-03-06 2012-05-30 莫列斯公司 光纤数据链
WO2007114384A1 (ja) * 2006-04-03 2007-10-11 The University Of Tokyo 信号伝送機器
JP2007293108A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Mitsumi Electric Co Ltd 光学装置及び光学装置の製造方法
CN101755403B (zh) * 2007-07-12 2013-06-19 艾迪株式会社 具有集成光功率监控器的光纤阵列单元
JP2009025726A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Nitto Denko Corp 光導波路デバイスおよびその製造方法
JP2009265519A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Hitachi Cable Ltd フレキシブル光導波路およびその製造方法
KR100992778B1 (ko) * 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8503073B2 (en) * 2008-06-24 2013-08-06 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique S.A.—Recherche et Developpement Light coupling device and system, and method for manufacturing the device and system
JP2010139562A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 光導波路、光導波路搭載基板及び光送受信装置
JP2011118306A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Omron Corp 光伝送モジュール、電子機器、光伝送モジュールの組立方法、及び光伝送方法
US7949211B1 (en) * 2010-02-26 2011-05-24 Corning Incorporated Modular active board subassemblies and printed wiring boards comprising the same
JP2013050651A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Omron Corp 光導波路、光伝送モジュールおよび電子機器
US20130230274A1 (en) * 2012-03-05 2013-09-05 Gregory Alan Fish Photonic flexible interconnect
US9664858B2 (en) * 2012-12-20 2017-05-30 Intel Corporation Optical photonic circuit coupling
GB2522550B (en) * 2013-02-06 2017-11-01 Xyratex Tech Ltd Optical connector
US9128256B2 (en) 2013-02-06 2015-09-08 Xyratex Technology Limited Optical connector
US8988770B2 (en) * 2013-03-14 2015-03-24 Oracle International Corporation Hybrid optical source with semiconductor reflector
JP6286853B2 (ja) * 2013-04-04 2018-03-07 富士通株式会社 電子装置とその製造方法、及び電子機器
JP2016004224A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 富士通株式会社 光学モジュール、光学モジュールの製造方法及び光学装置
DE102016216811A1 (de) * 2016-09-06 2018-03-08 Siemens Aktiengesellschaft Optokoppler mit einer optischen Übertragungsstrecke und elektrischen Anschlüssen und elektronische Baugruppe, in der ein solcher Optokoppler eingebaut ist
JP7125327B2 (ja) * 2018-10-25 2022-08-24 浜松ホトニクス株式会社 発光素子及び発光装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1255382A (en) * 1984-08-10 1989-06-06 Masao Kawachi Hybrid optical integrated circuit with alignment guides
JPH05114800A (ja) 1991-08-23 1993-05-07 Toshiba Corp 電子部品の実装方法及び実装装置
US6354747B1 (en) * 1996-08-26 2002-03-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
US5896481A (en) * 1997-05-30 1999-04-20 The Boeing Company Optical subassembly with a groove for aligning an optical device with an optical fiber
JP4019538B2 (ja) * 1998-03-16 2007-12-12 住友電気工業株式会社 光モジュール用基体及び光モジュール
JP3858460B2 (ja) 1998-07-22 2006-12-13 ソニー株式会社 光信号伝送システムおよびその製造方法
JP2000039531A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Sony Corp 光信号伝送システムおよびその製造方法
JP2000098188A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Fujitsu Ltd 光モジュール
JP3100584B2 (ja) 1999-02-15 2000-10-16 日本電信電話株式会社 光電子集積回路およびその作製方法
CA2346250A1 (en) * 1999-08-04 2001-02-15 Koichiro Nakamura Echelon diffraction grating and optical waveguide element
US6467972B2 (en) * 2000-02-29 2002-10-22 Kyocera Corporation Optical interconnection module
WO2002089274A1 (fr) * 2001-04-25 2002-11-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Dispositif de communication optique
JP2006506657A (ja) * 2002-03-14 2006-02-23 エスエーイー・マグネティクス（エイチ・ケイ）リミテッド 光ファイバーとの半導体装置の能動的光学整合のための一体化プラットホーム
JP3969263B2 (ja) * 2002-09-20 2007-09-05 富士ゼロックス株式会社 高分子光導波路の製造方法
JP2005003922A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュールおよび搭載部品
JP2005321560A (ja) 2004-05-07 2005-11-17 Fuji Xerox Co Ltd 受発光素子付き高分子光導波路モジュール
JP2006243467A (ja) 2005-03-04 2006-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 光送受信モジュール
US7343060B2 (en) * 2005-03-04 2008-03-11 Fuji Xerox Co., Ltd. Light transmission and reception module, sub-mount, and method of manufacturing the sub-mount
JP2007027398A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Fuji Xerox Co Ltd 光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011046115A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 日立化成工業株式会社 光導波路基板及びその製造方法
JP2011085647A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Hitachi Chem Co Ltd 光導波路基板及びその製造方法
US8818147B2 (en) 2009-10-13 2014-08-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical waveguide substrate and method for manufacturing same
JP2015529965A (ja) * 2012-06-08 2015-10-08 ホーヤ コーポレイション ユーエスエイＨｏｙａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｕｓａ サブマウント
KR20220030166A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 주하이 엑세스 세미컨덕터 컴퍼니., 리미티드 지향성 광전 전송 채널을 구비한 캐비티 기판 및 이의 제조 방법
KR102586694B1 (ko) 2020-09-02 2023-10-10 주하이 엑세스 세미컨덕터 컴퍼니., 리미티드 지향성 광전 전송 채널을 구비한 캐비티 기판 및 이의 제조 방법

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Publication number Publication date
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