JP2006267501A - サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール - Google Patents

サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2006267501A
JP2006267501A JP2005084914A JP2005084914A JP2006267501A JP 2006267501 A JP2006267501 A JP 2006267501A JP 2005084914 A JP2005084914 A JP 2005084914A JP 2005084914 A JP2005084914 A JP 2005084914A JP 2006267501 A JP2006267501 A JP 2006267501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
submount
optical waveguide
mold
optical
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005084914A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigemi Otsu
茂実 大津
Takashi Shimizu
敬司 清水
Kazutoshi Tanida
和敏 谷田
Hidekazu Akutsu
英一 圷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP2005084914A priority Critical patent/JP2006267501A/ja
Priority to US11/220,654 priority patent/US7343060B2/en
Publication of JP2006267501A publication Critical patent/JP2006267501A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

【課題】精密なサブマウントを低コストで量産することができるサブマウントの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板50の主面にRIEにより凹凸を形成し、サブマウントの原盤52を作製する。この原盤52の凹凸形成面に液状シリコーンゴムを塗布又は注型し、硬化させる。その後、シリコーン樹脂層54Aを剥離すると、サブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成されたシリコーン樹脂製の鋳型54が得られる。液状シリコーンゴムの密着性と剥離性とにより、原盤52の凹凸が正確に写し取られる。次に、この鋳型54に紫外線硬化樹脂を充填し、紫外線照射により硬化させる。硬化樹脂層56を鋳型54から剥離すると、サブマウント表面の凹凸が複製される。この複製物を個々のサブマウントにダイシングすることで、表面に凹凸が形成された紫外線硬化樹脂製のサブマウント58が得られる。
【選択図】図1

Description

本発明は、サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュールに係り、特に、光デバイスのパッケージ内に実装されるサブマウントを製造するサブマウントの製造方法、該方法により製造されたサブマウント、及び該サブマウントを用いた光送受信モジュールに関する。
最近、IC技術やLSI技術において、動作速度や集積度向上のために、高密度に電気配線を行なう代わりに、機器装置間、機器装置内のボード間、チップ内において光配線を行なうことが注目されている。
光配線のための素子として、例えば、以下の特許文献1には、コアとコアを包囲するクラッドを有する高分子光導波路の、コア・クラッド積層方向に発光素子および受光素子を備え、さらに発光素子からの光をコアに入射させるための入射側ミラーとコアからの光を受光素子に出射させるための出射側ミラーを有する光学素子であって、発光素子から入射側ミラーおよび出射側ミラーから受光素子に至る光路に相当する箇所において、クラッド層を凹状に形成し、発光素子からの光および出射側ミラーからの光を収束させた光学素子が記載されている。
また、以下の特許文献2には、コアとコアを包囲するクラッドを有する高分子光導波路のコア端面に発光素子からの光を入射させる光学素子において、コアの光入射端面を発光素子に向かって凸面となるように形成し、発光素子からの光を収束させて導波損失を抑えた光学素子が記載されている。
さらに、以下の特許文献3には、電子素子と光素子とを集積化した光電融合回路基板の上に高分子光導波路回路が直接組み立てられた光電子集積回路が記載されている。
光配線において前記のごとき素子を実装して、装置内に組み込むことができれば、光配線の組み立てを考える際の自由度を大きくすることが可能になり、その結果としてコンパクトで小さな受発光素子を作ることが出来る。
しかしながら、これまでに提案されている方法は90°折り返しミラーを形成するためにミラー部を埋め込む必要があったり、導波路と受発光素子を張り合わせる場合にも位置合わせを高精度に行う必要があり、実装に要するコストが大きな問題となっていた。
これに対し、本発明者等は、光導波路が鋳型で複製された高分子光導波路フイルムを備えた受発光素子付き高分子光導波路モジュールを発明し、既に出願している(特許文献4)。高分子光導波路フイルムは、同一端部に光路変換ミラー面と突き当て面とを有している。また、受発光素子を保持するサブマウントには、フイルムの突き当て面を突き当てる当接面が形成されている。このモジュールでは、実装する際に、サブマウントに形成された当接面にフイルムの突き当て面を突き当てて、受発光素子と光路変換面との位置合わせを非常に容易に且つ確実に行うことができる。
また、以下の特許文献5には、半導体レーザのサブマウントにミラー面を形成し、このミラー面によりレーザ光の光路を変換する半導体レーザ装置が記載されている。
特開2000−39530号公報 特開2000−39531号公報 特開2000−235127号公報 特願2004−139041号 特開2000−114655号公報
しかしながら、サブマウントを精密に加工するためには、反応性イオンエッチング(RIE)等の微細加工技術を用いて1個ずつ加工する必要があり、サブマウントの作製コストが高くなる、という問題があった。
本発明は、上記問題を解決すべく成されたものであり、本発明の目的は、精密なサブマウントを低コストで量産することができるサブマウントの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、量産性に優れ、且つ安価で精密なサブマウントを提供することにある。更に、本発明の更に他の目的は、量産性に優れ且つ安価で精密なサブマウントを用いて、簡易且つ確実に実装を行うことができ、量産性に優れた低コストの光送受信モジュールを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明のサブマウントの製造方法は、サブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成された鋳型を作製し、作製された鋳型に硬化性材料を充填し、充填された前記硬化性材料を硬化させ、複製されたサブマウントを前記鋳型から剥離して、サブマウントを製造することを特徴とする。
本発明のサブマウントの製造方法では、鋳型に硬化性材料を充填し、充填された硬化性材料を硬化させてサブマウントを複製するので、サブマウントを低コストで量産することができる。また、使用する鋳型にはサブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成されているので、精密なサブマウントを精度よく複製することができる。
鋳型を作製する方法としては、液状シリコーンゴムをサブマウントの原盤上で硬化させて作製する方法、シリコン基板をエッチングして作製する方法、金属を鋳造して作製する方法等がある。
また、本発明のサブマウントは、本発明の製造方法で製造されたものであり、量産性に優れ、且つ安価で精密である。更に、本発明の光送受信モジュールは、本発明の製造方法で製造されたサブマウントを用いたものであり、簡易且つ確実に実装を行うことができ、量産性に優れ、低コストである。
以上説明したように本発明のサブマウントの製造方法によれば、精密なサブマウントを低コストで量産することができる、という効果がある。従って、本発明のサブマウントは、量産性に優れ、且つ安価で精密であり、本発明の光送受信モジュールは、簡易且つ確実に実装を行うことができ、量産性に優れ、低コストである。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
[サブマウントの製造方法]
本発明のサブマウントの製造方法は、(1)サブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成された鋳型を作製する鋳型作製工程、(2)作製された鋳型に硬化性材料を充填する充填工程、(3)充填された前記硬化性材料を硬化させる硬化工程、(4)複製されたサブマウントを前記鋳型から剥離する剥離工程、とを有している。
鋳型を作製する方法としては、(A)液状シリコーンゴムをサブマウントの原盤上で硬化させて作製する方法、(B)シリコン基板をエッチングして作製する方法、(C)金属を鋳造して作製する方法等がある。以下では、方法(A)で作製された鋳型を用いたサブマウントの製造方法を「シリコーン樹脂を用いた複製法」、方法(B)又は方法(C)で作製された鋳型を用いたサブマウントの製造方法を「スタンパー法」と称する。
−シリコーン樹脂を用いた複製法−
次に、「シリコーン樹脂を用いた複製法」の全体像を、図1を参照して説明する。図1(A)はシリコン基板50を示す。このシリコン基板50の主面にRIEにより凹凸を形成し、サブマウントの原盤52を作製する(図1(B)参照)。RIE等の精密加工技術を用いることで、サブマウントの原盤52が精密に作製される。この原盤にはサブマウント複数個分の凹凸が形成されており、この原盤を用いて複数個のサブマウントを一度に複製することができる。
この原盤52の凹凸形成面に液状シリコーンゴムを塗布又は注型し、硬化させる(図1(C)参照)。その後、シリコーン樹脂層54Aを剥離すると、サブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成されたシリコーン樹脂製の鋳型54が得られる(図1(D)参照)。液状シリコーンゴムを用いることで、この材料の密着性と剥離性とを利用して、原盤52の凹凸が正確に写し取られる。これらの工程が「鋳型作製工程」に相当する。
次に、この鋳型54に紫外線硬化樹脂を充填し、紫外線照射により硬化させる(図1(E)参照)。これらの工程が「充填工程」及び「硬化工程」に相当する。その後、硬化樹脂層56を鋳型54から剥離すると、サブマウント表面の凹凸が複製される。この工程が「剥離工程」に相当する。この複製物(図示せず)を個々のサブマウントにダイシングすることで、表面に凹凸が形成された紫外線硬化樹脂製のサブマウント58が得られる(図1(F)参照)。
以下、「シリコーン樹脂を用いた複製法」の主な工程を更に詳しく説明する。
(原盤の作製)
上記ではRIEを用いてシリコン基板をエッチングしサブマウントの原盤を作製する例について説明したが、原盤の材料としては、シリコン基板の外に、石英ガラス基板等のガラス基板、ニッケル(Ni)基板等の金属基板を用いることができる。原盤の作製には、従来の方法、例えばフォトリソグラフィー法を特に制限なく用いることができる。ミラー面の作製には、ダイシングを用いることもできる。また、本出願人が先に出願した電着法又は光電着法(特願2002−10240号)も、原盤を作製するのに適用できる。
(鋳型の作製)
「シリコーン樹脂を用いた複製法」では、上述した通り、作製された原盤の凹凸形成面に、液状シリコーンゴムを塗布したり注型し、必要に応じ乾燥処理をした後、硬化処理を行って、シリコーン樹脂層を形成する。その後、シリコーン樹脂層を原盤から剥離して、サブマウントの表面形状を型取った鋳型を作製する。
シリコーン樹脂層の厚さは、鋳型としての取り扱い性を考慮して適宜決められるが、一般的に0.1〜50mm程度が適切である。また、前記原盤には、あらかじめ離型剤塗布などの離型処理を行なって、鋳型との剥離を促進することが望ましい。
液状シリコーンゴムは、硬化後シリコーンゴムとなる硬化性オルガノポリシロキサンであり、「液状」の中にはペースト状のように粘度の高いものも含まれる。液状シリコーンゴムは、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含むものが好ましい。液状シリコーンゴムの中でも、特に液状ジメチルシロキサンゴム(ポリジメチルシロキサン:PDMS)が密着性、剥離性、強度及び硬度の点から好ましい。
液状シリコーンゴムは、密着性と剥離性という相反した特性に優れ、微細構造を写し取る能力を備えている。このため、シリコーンゴムを用いた鋳型は、高精度に原盤を写し取ることができ、さらに後述するサブマウント形成用の紫外線硬化性樹脂との剥離も容易である。また、液状シリコーンゴムは、鋳型(繰り返し用いる)として一定以上の機械的強度・寸法安定性を有すること、凹凸形状を維持する硬さ(硬度)を有すること、等の利点を有する。従って、この鋳型からは高精度に形状を維持したサブマウントを、極めて簡便に作製することができる。
液状シリコーンゴムは、硬化剤と組み合わせて用いる二液型のものが好ましい。この中でも、付加型の液状シリコーンゴムは、表面と内部が均一にかつ短時間に硬化し、またその際、副生成物が無く又は少なく、かつ離型性に優れ収縮率も小さいので特に好ましい。液状シリコーンゴムには、必要に応じて各種添加剤を加えることができる。
液状シリコーンゴムは、原盤の表面に塗布や注型等することが可能で、また、原盤に形成された凹凸を正確に写し取らなければならないので、ある限度以下の粘度を有することが好ましい。液状シリコーンゴムの粘度は、500mPa・s〜7000mPa・s程度が好ましく、2000mPa・s〜5000mPa・s程度がより好ましい。また、粘度調節のために溶剤を、溶剤の悪影響が出ない程度に加えることができる。
鋳型の表面エネルギーは、10dyn/cm〜30dyn/cm、好ましくは15dyn/cm〜24dyn/cmの範囲にあることが、樹脂との密着性の点からみて好ましい。表面エネルギーは、固体と液体との接触角を測定することで解析できることから専用の接触角測定装置により測定される。鋳型のショア(Share)ゴム硬度は、15〜80、好ましくは20〜60であることが、型取り性能や凹凸形状の維持、剥離性の点からみて好ましい。ショアゴム硬度は、非測定物の表面に押針を押し込み変形させ、その変形量を測定するスプリング式ゴム硬度計により測定される。鋳型の表面粗さ(最大高さ(Ry))は、0.2μm以下、好ましくは0.1μm(100nm)以下にすることが、型取り性能の点からみて好ましい。表面粗さRyは、粗さ曲線の最大値と最小値の差でと定義された最大高さを表す値であり、触針式の膜厚計で測定される。
また、鋳型は、紫外領域及び/又は可視領域において光透過性であることが好ましい。鋳型が「可視領域」において光透過性であることが好ましいのは、樹脂が鋳型に充填される様子が観察でき、充填完了等が容易に確認しうるからである。また、鋳型が「紫外領域」において光透過性であることが好ましいのは、鋳型を通して紫外線硬化を行うためであり、鋳型の、紫外領域(250nm〜400nm)における透過率が80%以上であることが好ましい。
(サブマウントの複製)
「シリコーン樹脂を用いた複製法」では、上述した通り、サブマウントの表面形状を型取った鋳型に、サブマウント形成用の紫外線硬化性樹脂を充填し、充填された樹脂を硬化させた後、硬化樹脂層を鋳型から剥離することで、表面に凹凸が形成されたサブマウントを複製する。
サブマウント形成用の紫外線硬化性樹脂としては、耐熱性の高い樹脂が好ましく、エポキシ系、ポリイミド系の紫外線硬化性樹脂が好ましく用いられる。また、紫外線硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が好ましく用いられる。
紫外線硬化性樹脂は、鋳型の凹凸に充填されるため、十分低粘度であることが必要である。従って、紫外線硬化性樹脂の粘度は、10mPa・s〜2000mPa・s、望ましくは20mPa・s〜1000mPa・s、更に好ましくは30mPa・s〜500mPa・sにするのが好ましい。
また、原盤に形成された凹凸を高精度に再現するため、紫外線硬化性樹脂の硬化前後の体積変化が小さいことが必要である。体積変化は10%以下が好ましく、6%以下がより好ましい。溶剤を用いて低粘度化することは、硬化前後の体積変化が大きいのでできれば避ける方が好ましい。
紫外線硬化性樹脂の硬化後の体積変化(収縮)を小さくするため、紫外線硬化性樹脂にポリマーを添加することができる。添加するポリマーは、紫外線硬化性樹脂との相溶性を有し、かつ該樹脂の屈折率、弾性率、透過特性に悪影響を及ぼさないものが好ましい。また、ポリマーを添加することにより、体積変化を小さくする他、粘度や硬化樹脂のガラス転移点を高度に制御できる。このようなポリマーとしては、例えば、アクリル系、メタクリル酸系、エポキシ系のポリマーが用いられるが、これに限定されるものではない。
紫外線硬化性樹脂を硬化させるには、紫外線ランプ、紫外線LED、UV照射装置等を用いて紫外領域(250nm〜400nm)の光を照射する。
−スタンパー法−
次に、「スタンパー法」の全体像を、図2を参照して説明する。「スタンパー法」では、鋳型を「スタンパー」として使用する。図2(A)はシリコン基板60を示す。このシリコン基板60の主面にRIEにより凹凸を形成し、シリコン製の鋳型62を作製する(図2(B)参照)。この鋳型にはサブマウント複数個分の凹凸が形成されており、この鋳型を用いて複数個のサブマウントを一度に複製することができる。RIE等の精密加工技術を用いることで、サブマウントの凹凸を正確に写し取った鋳型62が精密に作製される。これらの工程が「鋳型作製工程」に相当する。
次に、熱可塑性樹脂を鋳型62に密着させ、加熱しながら加圧し、その後放冷して硬化させる(図2(C)参照)。これらの工程が「充填工程」及び「硬化工程」に相当する。その後、硬化樹脂層64を鋳型62から剥離すると、サブマウント表面の凹凸が複製される。この工程が「剥離工程」に相当する。この複製物(図示せず)を個々のサブマウントにダイシングすることで、表面に凹凸が形成された熱可塑性樹脂製のサブマウント66が得られる(図2(D)参照)。
以下、「スタンパー法」の主な工程を更に詳しく説明する。以下では、「シリコーン樹脂を用いた複製法」の鋳型と区別するため、鋳型を「スタンパー」と称する。
(スタンパーの作製)
上記ではRIEを用いてシリコン基板をエッチングしスタンパーを作製する例について説明したが、スタンパーの材料としては、シリコン基板の外に、石英ガラス基板等のガラス基板、ニッケル(Ni)基板等の金属基板を用いることができる。スタンパーの作製には、従来の方法、例えばフォトリソグラフィー法を特に制限なく用いることができる。また、本出願人が先に出願した電着法又は光電着法(特願2002−10240号)も、スタンパーを作製するのに適用できる。フォトリソグラフィー及びRIEを用いることで鋳型の作製精度が向上する。
(サブマウントの複製)
「スタンパー法」では、上述した通り、サブマウントの表面形状を型取ったスタンパーに、サブマウント形成用の熱可塑性樹脂を密着させ、加熱しながら加圧した後、常温まで放冷して硬化させ、硬化樹脂層を鋳型から剥離することで、表面に凹凸が形成されたサブマウントを複製する。
サブマウント形成用の熱可塑性樹脂としては、耐熱性の高い樹脂が好ましく、不飽和ポリエステル樹脂系、エポキシ系、ポリイミド系、PPS系(ポリフェニレンサルファイド系)の熱可塑性樹脂が好ましく用いられる。また、紫外線硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物を用いるてもよい。また、熱硬化性樹脂にフィラーを混入させた精密成型用の樹脂も好ましく用いられる。このような樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂に硝子繊維などのフィラーを混入させ収縮を抑えたBMC樹脂などが挙げられる。
熱可塑性樹脂は、収縮率が1%以下の高い寸法精度、熱変形温度が200℃以上、線膨張係数は金属に近く、金属部品との組合せが容易(アルミニウムより小さい)であることが好ましい。
熱可塑性樹脂に凹凸を形成するには、スタンパーに密着させた熱可塑性樹脂を、ガラス転移点(Tg)+50℃位の温度に加熱し、10N程度の圧力で加圧する。
また、スタンパー法では、熱可塑性樹脂に代えて、600℃以下で軟化する低融点ガラスを用いることができる。例えば、低融点ガラスを、金属製の金型を「スタンパー」として用いて500℃程度に加熱することで、ガラス製のサブマウントを複製することができる。更に、パイレックス(登録商標)ガラスなど融点800℃と高いガラス材料でも、加熱温度を650℃位にして加圧すると変形してスタンパー法で複製することが可能である。
[光送受信モジュール]
図3は、本発明の製造方法で製造されたサブマウントを用いた、本実施の形態に係る光送受信モジュールの概略構成図である。
この光送受信モジュールは、図3に示すように、ベルト状の高分子光導波路フィルム10と、高分子光導波路フィルム10に形成された光導波路を介して光信号を送受信する光送受信部12、14とで構成されている。光送受信部12はサブマウント22を備えており、高分子光導波路フィルム10の一方の端部はサブマウント22上に保持されている。また、光送受信部14はサブマウント24を備えており、高分子光導波路フィルム10の他方の端部はサブマウント24上に保持されている。
高分子光導波路フィルム10は、曲げ半径3mm以下の可とう性を有する透明樹脂フィルムからなり、図4(A)及び(B)に示すように、「折り曲げ」や「ねじれ」等の変形に対して追従性を有している。このためフィルムが変形した状態でも、光送受信部12から送信された光信号が、高分子光導波路フィルム10に形成された光導波路を導波して、光送受信部14により受信される。なお、高分子光導波路フィルム10に用いる樹脂材料については後述する。
高分子光導波路フィルム10は、変形に対する追従性を高めるために、フィルムの厚さを50μm〜300μmの範囲とすることが好ましく、100μm〜200μmの範囲とすることがより好ましい。また、同様の理由から、フィルムの幅を0.5mm〜10mmの範囲とすることが好ましく、1mm〜5mmの範囲とすることがより好ましい。
(高分子光導波路フィルム)
次に、図5(A)〜(C)を参照して、高分子光導波路フィルム10の構造について説明する。図5(A)は高分子光導波路フィルム10端部の斜視図であり、図5(B)は図5(A)のA−A断面図(光導波路の光軸に沿った断面図)であり、図5(C)は図5(B)のB−B断面図である。
図示した通り、高分子光導波路フィルム10は、フィルムの長さ方向に延在する口型のコア部18と、このコア部18を包囲するクラッド部16、20とで構成されている。高分子光導波路フィルム10内には、複数のコア部18がフィルムの幅方向に並列に配置され、フィルム内に複数の光導波路が形成されている。この例では、フィルム10内に2本の光導波路が形成されている。
高分子光導波路フィルム10の端部には、光導波路の光軸に対し45°の角度を有するミラー面10bが形成されている。ミラー面10bは光導波路を導波する光の光路を変換する光路変換面として機能する。即ち、光導波路を導波してきた光はこのミラー面10bでその光路が90°折り曲げられ、光入出射側のフィルム面10cから射出される。また、ミラー面10bが形成されたクラッド部16の先端部が切断され、光導波路の光軸と直交する突き当て面10aが形成されている。突き当て面10aはサブマウントに対する突き当て面であり、実装時にサブマウント上での位置合わせに利用される。
上記の高分子光導波路フィルム10は、例えば、以下の(1)〜(6)の工程により作製することができる。(1)鋳型形成用硬化性樹脂の硬化層から形成され、かつ、光導波路コア凸部に対応する凹部と、該凹部の一端及び他端にそれぞれ連通する貫通孔が2以上設けられた鋳型を準備する工程、(2)前記鋳型に該鋳型との密着性が良好なクラッド用可撓性フィルム基材を密着させる工程、(3)クラッド用可撓性フィルム基材を密着させた鋳型の凹部の一端にある貫通孔に、コア形成用硬化性樹脂を充填し、鋳型の凹部の他端にある貫通孔から減圧吸引してコア形成用硬化性樹脂を前記鋳型の凹部に充填する工程、(4)充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させ、鋳型をクラッド用可撓性フィルム基材から剥離する工程、(5)コアが形成されたクラッド用可撓性フィルム基材の上にクラッド層を形成する工程、(6)得られた高分子光導波路フィルムの端面に45°ミラー面と突き当て面とを形成する工程。
上述した高分子光導波路フィルムの製造工程を、図6(A)〜(I)を参照して更に詳細に説明する。なお、説明を簡明にするため、光導波路を1本設けたものについて説明する。図6(A)は原盤100を示し、120は光導波路のコア部に対応する凸部である。この原盤100の凸部形成面に鋳型形成用硬化性樹脂を塗布又は注型した後硬化させる(図6(B)参照)。図6(B)中、200aは硬化樹脂層である。その後硬化樹脂層200aを剥離すると、凹部が形成された硬化樹脂層200aが得られる(図示せず)。凹部220が形成された硬化樹脂層200aに、凹部220に連通する貫通孔260及び280を凹部両端に打ち抜き等により形成して鋳型200(図6(C)参照)を得る。
次に、図6(D)が示すように、鋳型にクラッド用可撓性フィルム基材300を密着させる。その後鋳型に形成されている貫通孔260にコア形成用硬化性樹脂を入れ、他端の貫通孔280から減圧吸引して鋳型凹部220にコア形成用硬化性樹脂を充填する。その後該樹脂を硬化させ鋳型を剥離すると、図6(E)に示されるように、クラッド用可撓性フィルム基材300の上にコア部320が形成される。次に、クラッド部(上部クラッド層)400を形成し(図6(F)参照)、貫通孔260及び280内で硬化した樹脂部分をダイサー等で切り落として、高分子光導波路フィルム10とする(図6(G)参照)。
最後に、45°の角度付きブレードを備えたダイシングソーを用いて高分子光導波路フィルム10の端部をダイシングし、高分子光導波路フィルム10の端面に45°ミラー面10bを形成する(図6(H)参照)。更に、ダイシングソーを用いて45°ミラー面の先端をクラッド部分のみを含む所定の長さだけ高分子光導波路フィルムの長手方向に対し直角に切断し、突き当て面10aを形成する(図6(I)参照)。
更に、高分子光導波路フィルム10を作製するための各工程を詳細に説明する。
1)鋳型形成用硬化性樹脂の硬化層から形成され、かつ、光導波路コア凸部に対応する凹部と、該凹部の一端及び他端にそれぞれ連通する貫通孔が2以上設けられた鋳型を準備する工程
鋳型の作製は、光導波路コアに対応する凸部を形成した原盤を用いて行うのが好ましいが、これに限定されるものではない。以下では、原盤を用いる方法について説明する。
<原盤の作製>
光導波路コアに対応する凸部を形成した原盤の作製には、従来の方法、例えばフォトリソグラフィー法を特に制限なく用いることができる。また、本出願人が先に出願した電着法又は光電着法により高分子光導波路を作製する方法(特願2002−10240号)も、原盤を作製するのに適用できる。原盤に形成される光導波路に対応する凸部の大きさは高分子光導波路の用途等に応じて適宜決められる。例えばシングルモード用の光導波路の場合には、10μm角程度のコアを、マルチモード用の光導波路の場合には、50〜100μm角程度のコアが一般的に用いられるが、用途によっては数百μm程度とさらに大きなコア部を持つ光導波路も利用される。
<鋳型の作製>
鋳型の作製の一例として、前記のようにして作製した原盤の凸部形成面に、鋳型形成用硬化性樹脂を塗布したり注型するなどの方法により鋳型形成用硬化性樹脂の層を形成した後、必要に応じ乾燥処理をし、硬化処理を行い、その後硬化樹脂層を原盤から剥離して前記凸部に対応する凹部が形成された型をとり、その型に凹部の一端及び他端にそれぞれ連通する貫通孔を形成する方法が挙げられる。前記連通孔は、例えば前記型を所定形状に打ち抜くことにより形成できる。打ち抜いた貫通孔の場合であっても、鋳型とクラッド用フィルム基材との密着性がよく、鋳型凹部以外にクラッド用フィルム基材との間に空隙が形成されないため、凹部以外にコア形成用硬化性樹脂が浸透する虞はない。
前記型(樹脂硬化層)の厚さは、鋳型としての取り扱い性を考慮して適宜決められるが、一般的に0.1〜50mm程度が適切である。また、前記原盤にはあらかじめ離型剤塗布などの離型処理を行なって鋳型との剥離を促進することが望ましい。
コア形成用硬化性樹脂進入側に設ける貫通孔は液(コア形成用硬化性樹脂)だめの機能を有する。また、コア形成用硬化性樹脂排出側に設ける貫通孔は、該樹脂を鋳型凹部に充填する際、鋳型凹部を減圧するための減圧吸引用に用いられる。進入側の貫通孔の形状や大きさは、貫通孔が凹部の進入端に連通しかつ液だめの機能を有していれば特に制限はない。また、排出側の貫通孔は、凹部の排出端に連通しかつ減圧吸引用に用いることができれば、その形状や大きさに特に制限はない。
鋳型凹部のコア形成用硬化性樹脂進入側に設けた貫通孔は液だめの機能をもっているため、その断面積が、鋳型をクラッド用フィルム基材に密着させた場合、該基材に接する側が大きく、基材から離れるに従って小さくなるようにすると、コア形成用硬化性樹脂を凹部に充填、硬化後、鋳型と基材との剥離がしやすくなる。コア形成用硬化性樹脂排出側の貫通孔には、液だめの機能を持たせる必要はないので、特にこのような断面構造を採用することを要しない。
また、鋳型作製の他の例として、原盤に光導波路コアに対応する凸部だけでなく貫通孔形成のための凸部(この凸部の高さは鋳型形成用硬化性樹脂の硬化層の厚さより高くする)を設け、この原盤に鋳型形成用硬化性樹脂を貫通孔形成のための凸部が樹脂層を突き抜けるように塗布等し、次いで樹脂層を硬化させ、その後硬化樹脂層を原盤から剥離する方法を挙げることができる。
鋳型作製に用いる鋳型形成用硬化性樹脂しては、その硬化物が原盤から容易に剥離できること、鋳型(繰り返し用いる)として一定以上の機械的強度・寸法安定性を有すること、凹部形状を維持する硬さ(硬度)を有すること、クラッド用フィルム基材との密着性が良好なことが好ましい。鋳型形成用硬化性樹脂には、必要に応じて各種添加剤を加えることができる。
鋳型形成用硬化性樹脂は、原盤の表面に塗布や注型等することが可能で、また、原盤に形成された個々の光導波路コアに対応する凸部を正確に写し取らなければならないので、ある限度以下の粘度、たとえば、500〜7000mPa・s程度を有することが好ましい。(なお、本発明において用いる「鋳型形成用硬化性樹脂」の中には、硬化後、弾性を有するゴム状体となるものも含まれる。)また、粘度調節のために溶剤を、溶剤の悪影響が出ない程度に加えることができる。
前記鋳型形成用硬化性樹脂としては、前記のごとき剥離性、機械強度・寸法安定性、硬度、クラッド用基材との密着性の点から、硬化後、シリコーンゴム(シリコーンエラストマー)又はシリコーン樹脂となる硬化性オルガノポリシロキサンが好ましく用いられる。前記硬化性オルガノポリシロキサンは、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含むものが好ましい。また、前記硬化性オルガノポリシロキサンは、一液型のものでもまた硬化剤と組み合わせて用いる二液型のものでもよく、また、熱硬化型のものでもまた室温硬化型(例えば空気中の水分で硬化するもの)のものでもよく、更に他の硬化(紫外線硬化等)を利用するものであってもよい。
硬化性オルガノポリシロキサンとしては、硬化後シリコーンゴムとなるものが好ましく、これには通常液状シリコーンゴム(「液状」の中にはペースト状のように粘度の高いものも含まれる)と称されているものが用いられ、硬化剤と組み合わせて用いる二液型のものが好ましく、中でも付加型の液状シリコーンゴムは、表面と内部が均一にかつ短時間に硬化し、またその際副生成物が無く又は少なく、かつ離型性に優れ収縮率も小さいので好ましい。
前記液状シリコーンゴムの中でも特に液状ジメチルシロキサンゴムが密着性、剥離性、強度及び硬度の点から好ましい。また、液状ジメチルシロキサンゴムの硬化物は、一般に屈折率が1.43程度と低いために、これから作った鋳型は、クラッド用基材から剥離させずに、そのままクラッド層として好ましく利用することができる。この場合には、鋳型と、充填したコア形成用樹脂及びクラッド用基材とが剥がれないような工夫が必要になる。
液状シリコーンゴムの粘度は、光導波路コアに対応する凸部を正確に写し取り、かつ気泡の混入を少なくして脱泡し易くする観点と、数ミリの厚さの鋳型形成の点から、500〜7000mPa・s程度のものが好ましく、さらには、2000〜5000mPa・s程度のものがより好ましい。
鋳型の表面エネルギーは、10dyn/cm〜30dyn/cm、好ましくは15dyn/cm〜24dyn/cmの範囲にあることが、基材フィルムとの密着性の点からみて好ましい。鋳型のシェア(Share)ゴム硬度は、15〜80、好ましくは20〜60であることが、型取り性能や凹部形状の維持、剥離性の点からみて好ましい。鋳型の表面粗さ(最大高さ(Ry))は、0.2μm以下、好ましくは0.1μm以下にすることが、型取り性能の点からみて好ましい。
また、鋳型は、紫外領域及び/又は可視領域において光透過性であることが好ましい。鋳型が可視領域において光透過性であることが好ましいのは、以下の2)の工程において鋳型をクラッド用フィルム基材に密着させる際、位置決めが容易に行え、また、以下の3)の工程においてコア形成用硬化性樹脂が鋳型凹部に充填される様子が観察でき、充填完了等が容易に確認しうるからである。また、鋳型が紫外領域において光透過性であることが好ましいのは、コア形成用硬化性樹脂として紫外線硬化性樹脂を用いる場合に、鋳型を透して紫外線硬化を行うためであり、鋳型の、紫外領域(250nm〜400nm)における透過率が80%以上であることが好ましい。
前記硬化性オルガノポリシロキサン、中でも硬化後シリコーンゴムとなる液状シリコーンゴムは、クラッド用フィルム基材との密着性と剥離性という相反した特性に優れ、ナノ構造を写し取る能力を持ち、シリコーンゴムとクラッド用基材とを密着させると液体の進入させ防ぐことができる。このようなシリコーンゴムを用いた鋳型は高精度に原盤を写し取り、クラッド用基材に良く密着するため、鋳型とクラッド用基材の間の凹部のみに効率よくコア形成用樹脂を充填することが可能となり、さらにクラッド用基材と鋳型の剥離も容易である。したがって、この鋳型からは高精度に形状を維持した高分子光導波路を、極めて簡便に作製することができる。
2)鋳型に、鋳型との密着性が良好なクラッド用可撓性フィルム基材を密着させる工程
本発明の高分子光導波路から作製される光学素子は、種々の階層における光配線に用いられるので、前記クラッド用可撓性フィルム基材の材料は光学素子の用途に応じ、屈折率、光透過性等の光学的特性、機械的強度、耐熱性、鋳型との密着性、フレキシビリティー等を考慮して選択される。前記フィルムとしては脂環式アクリル樹脂フイルム、脂環式オレフィン樹脂フイルム、三酢酸セルロースフイルム、含フッ素樹脂フイルム等が挙げられる。フィルム基材の屈折率は、コアとの屈折率差を確保するため、1.55より小さく、好ましくは1.53より小さくすることが望ましい。
前記脂環式アクリル樹脂フイルムとしてはトリシクロデカン等の脂肪族環状炭化水素をエステル置換基に導入した、OZ−1000、OZ−1100(日立化成(株)製)等が用いられる。
また、脂環式オレフィン樹脂フイルムとしては主鎖にノルボルネン構造を有するもの、及び主鎖にノルボルネン構造を有しかつ側鎖にアルキルオキシカルボニル基(アルキル基としては炭素数1から6のものやシクロアルキル基)等の極性基をもつものが挙げられる。中でも前記のごとき主鎖にノルボルネン構造を有しかつ側鎖にアルキルオキシカルボニル基等の極性基をもつ脂環式オレフィン樹脂は、低屈折率(屈折率が1.50近辺であり、コア・クラッドの屈折率の差を確保できる)及び高い光透過性等の優れた光学的特性を有し、鋳型との密着性に優れ、さらに耐熱性に優れているので特に本発明の光導波路シートの作製に適している。
また、前記フィルム基材の厚さはフレキシビリティーと剛性や取り扱いの容易さ等を考慮して適切に選ばれ、一般的には0.1mm〜0.5mm程度が好ましい。
3)クラッド用フィルム基材を密着させた鋳型の凹部の一端にある貫通孔に、コア形成用硬化性樹脂を充填し、鋳型の凹部の他端にある貫通孔から減圧吸引してコア形成用硬化性樹脂を前記鋳型の凹部に充填する工程
この工程においては、コア形成用硬化性樹脂を、該樹脂の進入部側に設けた貫通孔に充填し、該樹脂の排出部側に設けた貫通孔から減圧吸引して、鋳型とクラッド用フィルム基材との間に形成された空隙(鋳型の凹部)に充填する。減圧吸引することにより、鋳型とクラッド用フイルム基材との密着性が向上し、気泡の混入を避けることができる。減圧吸引は、例えば、吸引管を排出部側に設けた貫通孔に挿入し、吸引管をポンプにつなげて行われる。
コア形成用硬化性樹脂としては放射線硬化性、電子線硬化性、熱硬化性等の樹脂を用いることができ、中でも紫外線硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましく用いられる。前記コア形成用の紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂としては、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が好ましく用いられる。また、前記紫外線硬化性樹脂としてエポキシ系、ポリイミド系、アクリル系紫外線硬化性樹脂が好ましく用いられる。
コア形成用硬化性樹脂は、毛細管現象により鋳型とフィルム基材との間に形成された空隙(鋳型の凹部)に充填されるため、用いるコア形成用硬化性樹脂はそれが可能なように十分低粘度であることが必要である。したがって、前記硬化性樹脂の粘度は、10mPa・s〜2000mPa・s、望ましくは20mPa・s〜1000mPa・s、更に好ましくは30mPa・s〜500mPa・sにするのが好ましい。
このほかに、原盤に形成された光導波路コアに対応する凸部が有する元の形状を高精度に再現するため、前記硬化性樹脂の硬化前後の体積変化が小さいことが必要である。例えば、体積が減少すると導波損失の原因になる。したがって、コア形成用硬化性樹脂は、体積変化ができるだけ小さいものが望ましく、10%以下、好ましくは6%以下であるのが望ましい。溶剤を用いて低粘度化することは、硬化前後の体積変化が大きいのでできれば避ける方が好ましい。
コア形成用硬化性樹脂の硬化後の体積変化(収縮)を小さくするため、前記樹脂にポリマーを添加することができる。前記ポリマーはコア形成用硬化性樹脂との相溶性を有し、かつ該樹脂の屈折率、弾性率、透過特性に悪影響を及ぼさないものが好ましい。またポリマーを添加することにより体積変化を小さくする他、粘度や硬化樹脂のガラス転移点を高度に制御できる。前記ポリマーとしては例えばアクリル系、メタクリル酸系、エポキシ系のものが用いられるがこれに限定されるものではない。
コア形成用硬化性樹脂の硬化物の屈折率は、クラッドとなる前記フィルム基材(以下の5)の工程におけるクラッド層を含む)より大きいことが必要で、1.50以上、好ましくは1.53以上である。クラッド(以下の5)の工程におけるクラッド層を含む)とコアの屈折率の差は、0.01以上、好ましくは0.03以上である。
4)充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させ、鋳型をクラッド用フィルム基材から剥離する工程
この工程では充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させる。紫外線硬化性樹脂を硬化させるには、紫外線ランプ、紫外線LED、UV照射装置等が用いられ、熱硬化性樹脂を硬化させるには、オーブン中での加熱等が用いられる。
また、前記1)〜3)の工程で用いる鋳型は、屈折率等の条件を満たせばそのままクラッド層に用いることも可能で、この場合は、鋳型を剥離する必要はなくそのままクラッド層として利用することができる。この場合、鋳型とコア材料の接着性を向上させるために鋳型をオゾン処理することが好ましい。
5)コアが形成されたクラッド用フィルム基材の上にクラッド層を形成する工程
コアが形成されたフィルム基材の上にクラッド層を形成するが、クラッド層としてはフィルム(たとえば前記2)の工程で用いたようなクラッド用フィルム基材が同様に用いられる)や、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布して乾燥して得られる高分子膜等が挙げられる。クラッド用硬化性樹脂としては紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が好ましく用いられ、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が用いられる。
クラッド用硬化性樹脂の硬化後の体積変化(収縮)を小さくするために、該樹脂と相溶性を有し、また該樹脂の屈折率、弾性率、透過特性に悪影響を及ぼさないポリマー(例えばメタクリル酸系、エポキシ系)を該樹脂に添加することができる。
クラッド層としてフィルムを用いる場合は、接着剤を用いて貼り合わされるが、その際、接着剤の屈折率が該フィルムの屈折率と近いことが望ましい。用いる接着剤は紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂が好ましく用いられ、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が用いられる。前記紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化後の体積変化(収縮)を小さくするために、クラッド層に添加するポリマーと同様のポリマーを添加することができる。
クラッド層の屈折率は、コアとの屈折率差を確保するため、1.55以下、好ましくは1.53以下にすることが望ましい。また、クラッド層の屈折率を前記フィルム基材の屈折率と同じにすることが、光の閉じ込めの点からみて好ましい。
上述した高分子光導波路フィルムの製造方法は、鋳型に鋳型との密着性が良好なクラッド用可撓性フィルム基材を密着させることで、両者を特別な手段を用いて固着させなくても、鋳型に形成された凹部構造以外には、鋳型とクラッド用基材の間に空隙が生ずることなく、コア形成用硬化性樹脂を前記凹部のみに進入させることができることを見い出したことに基づくものである。これにより、製造工程が極めて単純化され、容易に高分子光導波路フィルムを作製することができる。従って、従来の高分子光導波路フィルムの製造方法と比較し、極めて低コストで高分子光導波路フィルムを作製することが可能になる。
また、上述した製造方法では、鋳型に貫通孔を設け、鋳型凹部のコア形成用硬化性樹脂排出側を減圧吸引するので、鋳型とフイルム基材との密着性が更に向上し、気泡の混入を避けることができる。更に、簡便な方法でありながら、得られる高分子光導波路フィルムは導波損失が少なく高精度であり、かつ各種機器への自由な装填が可能である。
(光送受信部)
次に、図7及び図8を参照して、サブマウント22を備えた光送受信部12の構成について説明する。なお、サブマウント24はサブマウント22と同じ構成であり、光送受信部14は光送受信部12と同じ構成となるため、サブマウント24及び光送受信部14については説明を省略する。
まず、図7を参照して、サブマウント22の構成を説明する。図7(A)はサブマウント22の斜視図であり、図7(B)はサブマウント22の平面図であり、図7(C)は図7(B)のC−C断面図である。
サブマウント22は、略直方体状の基板から構成されている。このサブマウント22には、高分子光導波路フィルム10を取付けるための切り欠き26と、受光素子及び発光素子を嵌め込んで保持するための凹部28とが形成されている。この例では、1つの凹部28が形成されているが、受光素子及び発光素子の各々に対応して2つの凹部を設けてもよい。切り欠き26は、高分子光導波路フィルム10の突き当て面10aが突き当てられる当接面26aと、高分子光導波路フィルム10の端部が載置される載置面26bとを備えている。
また、サブマウント22の表面の一部には、受光素子及び発光素子に対して電気的な配線を行うための電極膜30a、30b、30c、30dが形成されている。この例では、電極膜30a、30bは、凹部28の底面から側面を通ってサブマウント22の上面まで延在するように各々パターニングされている。また、電極膜30c、30dは、電極膜30a、30bとは絶縁されるように、サブマウント22の上面に各々パターニングされている。サブマウント22側に電極膜を形成することで、光送受信モジュールをパッケージに格納する場合に、受光素子及び発光素子に対する電気的な配線が容易になる。
上記のサブマウント22は、鋳型による複製技術を用いた本発明のサブマウントの製造方法により、シリコン(Si)基板等に切り欠き26や凹部28を精密に複製して、精度よく作製されている。また、電極膜30a、30b、30c、30dは、例えば、サブマウント22の表面に金(Au)、アルミニウム(Al)等の金属膜を蒸着した後、この金属膜をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより形成される。
次に、図8を参照して、光送受信部12の実装状態について説明する。図8(A)は光送受信部12の平面図であり、図8(B)は図8(A)のD−D断面図(光導波路の光軸に沿った断面図)であり、図8(C)は図8(B)の光結合部を拡大して示す部分拡大図である。
光送受信モジュールの実装時、光送受信部12のサブマウント22上には、発光素子である面発光型半導体レーザダイオード(LD)32、受光素子であるフォトダイオード(PD)34、及び高分子光導波路フィルム10が保持されている。
高分子光導波路フィルム10の端部は、サブマウント22の切り欠き26に嵌め込まれている。即ち、突き当て面10aがサブマウント22の当接面26aに突き当てられて所定の位置に位置決めされ、光入出射側のフィルム面10cがサブマウント22の載置面26bと対向するようにサブマウント22上に載置されている。このように高分子光導波路フィルム10を載置面26bで保持することで、フレキシブルな高分子光導波路フィルム10を安定に保持することができる。
また、フィルム面10cは、接着剤36によって対向する載置面26b、LD32及びPD34と接着されている。接着剤36としては、紫外線硬化性樹脂等の光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤等が用いられるが、光損失を低減するためには、高分子光導波路フィルム10のクラッド部16と同じ硬化性樹脂を用いることが好ましい。
LD32とPD34とは、サブマウント22の凹部28に各々嵌め込まれ、凹部28の底部に固定されている。LD32及びPD34を凹部28に嵌め込むことで、光送受信部12がコンパクト化する。この例では、凹部28の底部には電極膜30a、30bが形成されているため、LD32の裏面電極と電極膜30a、PD34の裏面電極と電極膜30bとが各々電気的に導通されるように、導電性を有するはんだ等により凹部28の底部に固定されている。なお、LD32の他方の電極はワイヤー38aにより電極膜30cと電気的に接続され、PD34の他方の電極はワイヤー38bにより電極膜30dと電気的に接続されている。
また、LD32及びPD34は、LD32の発光部32aが高分子光導波路フィルム10の送信用光導波路のコア18の端面(入射端面)と対向すると共に、PD34の受光部34aが受信用光導波路のコア18の端面(出射端面)と対向するように、突き当て面10aの突き当て位置に応じて各々所定の位置に配置されている。
なお、ここでは、光送受信部12から光信号を送信するための光導波路を送信用光導波路とし、光送受信部12により光信号を受信するための光導波路を受信用光導波路としているが、光送受信部14から見た場合には、送信用光導波路と受信用光導波路とが逆転することは言うまでもない。
上記の光送受信部12は、サブマウント22の凹部28にLD32及びPD34を嵌め込んだ後に、サブマウント22の切り欠き26に高分子光導波路フィルム10を取付けることで、簡単に組み立てることができる。本実施の形態では、高分子光導波路フィルム10の光導波路と、サブマウント22の切り欠き26とが、鋳型による複製技術を用いて精密に作製されているので、高分子光導波路フィルム10をサブマウント22に高精度で実装することが可能になる。
また、本実施の形態では、高分子光導波路フィルム10が透明樹脂で構成されているため、ミラー面10bによる裏面反射を利用して光導波路のコア18の端面の位置を観測することができる。従って、このミラー面10bでの裏面反射像を用いることで、LD32及びPD34のアライメントが容易になり、パッシブ・アライメントで高精度の実装が可能になる。
[光送受信モジュールの動作]
次に、図7を参照して、本実施の形態に係る光送受信モジュールの動作について説明する。図7は、光送受信モジュールの構成を模式的に表した図である。ここでは、光送受信部12から光信号を送信するための光導波路を送信用光導波路とし、光送受信部12により光信号を受信するための光導波路を受信用光導波路として説明する。
本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、光送受信部12から光送受信部14に光信号を送信する場合には、光送受信部12のサブマウント22に保持されたLD32から射出された光が送信用光導波路のコア18の入射端面に結合され、高分子光導波路フィルム10に形成された送信用光導波路を導波する。そして、送信用光導波路のコア18の出射端面から射出された光が、光送受信部14のサブマウント24に保持されたPD34により受光される。
同様に、光送受信部14から送信された光信号を光送受信部12で受信する場合には、光送受信部14のサブマウント24に保持されたLD32から射出された光が受信用光導波路のコア18の入射端面に結合され、高分子光導波路フィルム10に形成された受信用光導波路を導波する。そして、受信用光導波路のコア18の出射端面から射出された光が、光送受信部12のサブマウント22に保持されたPD34により受光される。
以上説明した通り、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、上述した通り一組の光送受信部の間で双方向の光通信が行われるが、フレキシブルなベルト状の高分子光導波路フィルムは「折り曲げ」や「ねじれ」等の変形に対して追従性を有しているので、フィルムが変形した状態でも、高分子光導波路フィルムに形成された光導波路を介して光信号の送受信を行うことができる。従って、折り畳むことが多い携帯電話や薄型パソコン等のモバイル装置の光配線にも使用することが可能である。
また、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、サブマウント側に電極膜が形成されているので、光送受信モジュールをパッケージに格納する場合に、光送受信部の受光素子及び発光素子に対する電気的な配線が容易になる。
更に、本実施の形態に係る光送受信モジュールでは、所定形状に加工されたサブマウントを用いているので、以下の(1)〜(4)に示す通り、高分子光導波路フィルム、発光素子及び受光素子の実装が容易になる。
(1)サブマウントに高分子光導波路フィルムの端部が載置される載置面を備えた切り欠きが形成され、この載置面により高分子光導波路フィルムが面で保持されるので、フレキシブルな高分子光導波路フィルムを、サブマウント上に安定に保持することができる。
(2)高分子光導波路フィルムの端面に位置合わせのための突き当て面が形成されると共に、この突き当て面が突き当てられる当接面を備えた切り欠きがサブマウントに形成されるので、突き当て面を利用して高分子光導波路フィルムの実装を簡単に行うことができる。この場合に、鋳型による複製技術を用いてサブマウントに切り欠きを精度良く形成することで、高分子光導波路フィルムの実装精度を向上させることができる。
(3)サブマウントに発光素子及び受光素子を保持する凹部が形成されるので、この凹部に発光素子及び受光素子を嵌め込むだけで、発光素子及び受光素子の実装を簡単に行うことができる。この場合に、鋳型による複製技術を用いて凹部を精度良く形成することで、発光素子及び受光素子の実装精度を向上させることができる。また、サブマウントに形成した凹部に発光素子及び受光素子を嵌め込むことで、光送受信部のコンパクト化を図ることができる。
(4)通常、高分子導波路に45°カットを施すと光が全反射し反射光や透過光を観察しても導波路のコアの位置を確認することが困難になる。従って、導波路のコアの45°面に位置と受発光素子とのアライメントが困難で、アクティブアライメントに頼る必要があった。これに対し、本実施の形態では、透明な高分子光導波路フィルムを用いているので、裏面反射像により導波路コアの45°面の位置を観測することができ、この裏面反射像を用いることで、発光素子及び受光素子をパッシブ・アライメントで精度良く実装することができる。
[他のモジュール構成]
また、図10、図11(A)〜(C)に、本発明の製造方法で製造されたサブマウントを用いた、他の光送受信モジュールの構成を図示する。この変形例に係る光送受信モジュールは、図示するように、ベルト状の高分子光導波路フィルム310と、高分子光導波路フィルム310に形成された光導波路を介して光信号を送受信する光送受信部312、314とで構成されている。光送受信部312は、発光素子である面発光型半導体レーザダイオード(LD)332、受光素子であるフォトダイオード(PD)334、及びサブマウント322を備えており、高分子光導波路フィルム310の一方の端部はサブマウント322上に保持されている。また、光送受信部314は、LD332、PD334、及びサブマウント324を備えており、高分子光導波路フィルム310の他方の端部はサブマウント324上に保持されている。
高分子光導波路フィルム310は、フィルムの長さ方向に延在する口型のコア部318と、このコア部318を包囲するクラッド部316、320とで構成されている。高分子光導波路フィルム310内には、複数のコア部318がフィルムの幅方向に並列に配置され、フィルム内に複数の光導波路が形成されている。この例ではフィルム310内に2本の光導波路が形成されている。また、高分子光導波路フィルム310の端部には、光導波路の光軸に垂直な端面310aが形成されている。なお、高分子光導波路フィルム310は、上述した方法により製造される。
以下では、サブマウント324はサブマウント322と同じ構成であり、光送受信部314は光送受信部312と同じ構成となるため、サブマウント324及び光送受信部314については説明を省略する。
サブマウント322は、略直方体状の基板から構成されている。このサブマウント322は、高分子光導波路フィルム310の端部が載置される載置面322aと、この載置面322aと45°の角度を成し且つ載置面322aに連続するミラー面322bと、電極膜が形成される電極形成面322cとを備えている。載置面322aは、電極形成面322cより高分子光導波路フィルム310の厚さ分だけ低く形成されている。なお、サブマウント324は、載置面324a、ミラー面324b、及び電極形成面324cを備えている。
ミラー面322bは、入射した光の光路を変換する光路変換面として機能する。例えば、ミラー面322bに45°の角度で入射した光は、ミラー面322bでその光路が90°折り曲げられる。このミラー面322bは、サブマウント322の基板を45°の角度で傾斜面を形成し、形成した傾斜面に高反射率の金属膜を設けることで形成されている。なお、後述するSi結晶基板や金属基板を用いてサブマウント322を作製する場合には、傾斜面をそのままミラー面とすることができる。
また、サブマウント322の電極形成面322cには、受光素子及び発光素子に対して電気的な配線を行うための電極膜330a、330b、330c、330dが形成されている。この例では、電極膜330a、330b、330c、330dは、相互に絶縁されるように、電極形成面322cに各々パターニングされている。サブマウント322側に電極膜を形成することで、光送受信モジュールをパッケージに格納する場合に、受光素子及び発光素子に対する電気的な配線が容易になる。
上記のサブマウント322は、鋳型による複製技術を用いた本発明のサブマウントの製造方法により、シリコン(Si)基板等に、上述した載置面322a及びミラー面322bを精密に複製して、精度よく作製されている。実装の位置精度はサブマウントの作製精度により左右されるが、鋳型による複製技術により高い作製精度を得ることが可能で、受発光素子及び高分子光導波路フィルムの実装を容易に行うことができる。また、傾斜面への金属膜の形成には、蒸着法を用いることが好ましい。
なお、ミラー面322bは、角度付きブレードを用いたダイシングにより、別途形成することもできる。例えば、鋳型による複製技術により載置面322aと電極形成面322cとの段差を形成した後、角度付きブレードを用いて所定厚さの切り込みを入れミラー面322bを形成する。Si等の結晶基板の場合には、結晶面に沿ってダイシングすることが好ましい。ミラー面22bについては、ダイシングにより十分な作製精度を得ることが可能である。
また、電極膜330a、330b、330c、330dは、例えば、サブマウント322の表面に金(Au)、アルミニウム(Al)等の金属膜を蒸着した後、この金属膜をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより形成される。
光送受信モジュールの実装時、光送受信部312のサブマウント322上には、LD332、PD334、及び高分子光導波路フィルム310が保持されている。高分子光導波路フィルム310の端部は、光入出射側のフィルム面310cがサブマウント322の載置面322aと対向するようにサブマウント322上に載置されている。このように高分子光導波路フィルム310を載置面322aで保持することで、フレキシブルな高分子光導波路フィルム310を安定に保持することができる。
LD332及びPD334は、各々発光部332a、受光部334aをサブマウント322側に向けて、ミラー面322bの上方に取り付けられている。例えば、高分子光導波路フィルム310の厚さを制御する等して、マイクロレンズを用いることなく、LD332の発光部332aから射出された光がミラー面322bで反射されて高分子光導波路フィルム310の送信用光導波路のコア318の端面(入射端面)に入射すると共に、受信用光導波路のコア318の端面(出射端面)から射出された光がミラー面322bで反射されてPD334の受光部334aに受光されるように、アライメントを行うことができる。
また、LD332及びPD334は、接着剤336によってサブマウント322及び高分子光導波路フィルム310に固定されている。接着剤336としては、紫外線硬化性樹脂等の光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤等が用いられるが、光損失を低減するためには、高分子光導波路フィルム310のコア部318と同じ屈折率を有する材料を用いることが好ましい。コア部318と同じ屈折率を有する材料を用いることで、受発光素子の拡がり角が小さくなり効果的である。高分子光導波路フィルム310にミラー面を形成した場合には、接着剤がミラー面に付着するのを防止する必要があり、受発光素子を接着剤で固定するのが難しい。しかしながら、サブマウント322にミラー面322bを形成することで、LD332及びPD334を接着剤で容易に固定することができる。
LD332の下部電極はワイヤー338aにより電極膜330aと電気的に接続され、LD332の上部電極はワイヤー338bにより電極膜330bと電気的に接続されている。同様に、PD334の下部電極はワイヤー338cにより電極膜330cと電気的に接続され、PD334の上部電極はワイヤー338dにより電極膜330dと電気的に接続されている。なお、LD332の発光部332aがある側、PD334の受光部334aがある側に設けられる電極が上部電極、LD332及びPD334の裏面側に設けられる電極が下部電極である。
上記の光送受信部312は、サブマウント322の載置面322aに高分子光導波路フィルム310を載置した後に、LD332及びPD334を取付けることで、簡単に組み立てることができる。
変形例に係る光送受信モジュールでは、光送受信部312から光送受信部314に光信号を送信する場合には、光送受信部312のサブマウント322に保持されたLD332から射出された光が、ミラー面322bで反射されて送信用光導波路のコア318の入射端面に結合され、高分子光導波路フィルム310に形成された送信用光導波路を導波する。そして、送信用光導波路のコア318の出射端面から射出された光が、ミラー面322bで反射されて光送受信部314のサブマウント324に保持されたPD334により受光される。
同様に、光送受信部314から送信された光信号を光送受信部312で受信する場合には、光送受信部314のサブマウント324に保持されたLD332から射出された光が、ミラー面322bで反射されて受信用光導波路のコア318の入射端面に結合され、高分子光導波路フィルム310に形成された受信用光導波路を導波する。そして、受信用光導波路のコア318の出射端面から射出された光が、ミラー面322bで反射されて光送受信部312のサブマウント322に保持されたPD334により受光される。
以上説明した通り、変形例に係る光送受信モジュールでは、上述した通り一組の光送受信部の間で双方向の光通信が行われるが、フレキシブルなベルト状の高分子光導波路フィルムは「折り曲げ」や「ねじれ」等の変形に対して追従性を有しているので、フィルムが変形した状態でも、高分子光導波路フィルムに形成された光導波路を介して光信号の送受信を行うことができる。
また、変形例に係る光送受信モジュールでは、サブマウント側に電極膜が形成されているので、光送受信モジュールをパッケージに格納する場合に、光送受信部の受光素子及び発光素子に対する電気的な配線が容易になる。
更に、変形例に係る光送受信モジュールでは、所定形状に加工され且つミラー面が形成されたサブマウントを用いているので、以下の(1)〜(4)に示す通り、高分子光導波路フィルム、発光素子及び受光素子の実装が容易になる。
(1)サブマウントに高分子光導波路フィルムの端部が載置される載置面が形成され、この載置面により高分子光導波路フィルムが面で保持されるので、フレキシブルな高分子光導波路フィルムを、サブマウント上に安定に保持することができる。
(2)サブマウント上に高分子光導波路フィルムを載置し、同じサブマウントにミラー面を作製して、このミラー面を介して受発光素子と高分子光導波路フィルムとを光結合するという簡単な方法で実装を行うので、部品点数を少なくすることができる。
(3)鋳型による複製技術を用いてサブマウントに載置面及びミラー面を精度よく作製することで、高分子光導波路フィルムの実装精度を向上させることができる。なお、サブマウントにミラー面を作製する際に、ダイシングソーでも十分な精度を得ることが可能であり、実装がより容易になる。
(4)高分子光導波路フィルムの厚さを制御してアライメントを行うので、マイクロレンズ無しでの実装が可能になる。
[一方向の光送受信モジュール]
上記の実施の形態では、発光素子及び受光素子の両方を実装した光送受信部の間で双方向の光通信を行う光送受信モジュールについて説明したが、発光素子を備えた光送信部と受光素子を備えた光受信部との間で一方向の光通信を行う光送受信モジュールとしてもよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
実施例1は、樹脂製のサブマウントを「シリコーン樹脂を用いた複製法」で作製し、図3に示す光送受信モジュールを作製した実施例である。
<高分子光導波路フィルムの作製>
Si基板に厚膜レジスト(マイクロケミカル(株)製、SU−8)をスピンコート法で塗布した後、80℃でプリベークし、フォトマスクを通して露光し、現像して、4本の、断面が正方形の凸部(幅:50μm、高さ:50μm、長さ:80mm)を形成した。凸部と凸部の間隔は250μmとした。次に、これを120℃でポストベークして、高分子光導波路作製用原盤を作製した。
次に、この原盤に離型剤を塗布した後、熱硬化性液状ジメチルシロキサンゴム(ダウ・コウニングアジア社製:SYLGARD184、粘度5000mPa.s)及びその硬化剤を混合したものを流し込み、120℃で30分間加熱して硬化させた後、剥離して、前記断面が矩形の凸部に対応する凹部を持った型(型の厚さ:5mm)を作製した。
さらに、平面形状が円形で鋳型厚さ方向の断面形状がテーパー状の貫通孔を、凹部の一端及び他端において、凹部と連通するように、打ち抜きにより形成して鋳型を作製した。
この鋳型と、鋳型より一回り大きい膜厚50μmのクラッド用フィルム基材(アートンフイルム、JSR(株)製、屈折率1.510)を密着させた。次に、鋳型の進入側貫通孔に、粘度が500mPa・sの紫外線硬化性樹脂を数滴落とし、排出側(減圧吸引側)貫通孔から減圧吸引したところ、10分で前記凹部に紫外線硬化性樹脂が充填された。次いで、50mW/cm2のUV光を鋳型の上部から5分間照射して紫外線硬化させた。鋳型をアートンフイルムから剥離したところ、アートンフイルム上に前記原盤凸部と同じ形状のコアが形成された。
次に、アートンフイルムのコア形成面に、硬化後の屈折率がアートンフイルムと同じ1.510である紫外線硬化性樹脂を塗布した後、50μmのクラッド用フィルム基材を張り合わせ、50mW/cm2のUV光を5分間照射して紫外線硬化させることで2枚のフイルムを接着させ、幅1.5mm、膜厚180μmのベルト状の高分子光導波路フイルムとした。
次に、45°角度付きSi用のブレードを備えたダイシングソーを用いて、この高分子導波路フイルムの両端を光軸に対し45°の角度で切断し、45°ミラー面を持ったコアを露出させた。次に、クラッド部分を先端から50μmの位置で光軸に対し垂直に切断し、両端部に45°ミラー面と垂直切断面とを備えた高分子光導波路フイルムが得られた。
<サブマウントの作製>
次に、厚さ600μmのSi基板に発光素子及び受光素子を取り付ける2カ所の凹部をRIE法で形成した。凹部の深さは250μmである。さらに、高分子光導波路フイルムを取り付けるために、高分子光導波路フイルムの垂直切断面を突き当てる当接面を備えた深さ50μmの切り欠きをRIE法で形成した。この凹部及び切り欠きが形成されたSi製のマスター基板を、サブマウントの原盤とした。この原盤にはサブマウント複数個分の凹部及び切り欠きが形成されており、この原盤を用いて複数個のサブマウントを一度に複製することができる。
この原盤に熱硬化性液状ジメチルシロキサンゴム(ダウ・コウニングアジア社製、「SYLGARD184」、粘度5000mPa.s)及びその硬化剤を混合したものを流し込み、120℃で30分間加熱して硬化させた後、硬化層を剥離して、表面に原盤の凹凸に対応する凹凸が形成されたシリコーン樹脂製の鋳型(型の厚さ:5mm)を作製した。
次に、粘度が3000mPa・sの紫外線硬化性樹脂(NTT−AT社製)を塗布した後、50mW/cm2のUV光を鋳型の上部から5分間照射して硬化させ、硬化樹脂層を鋳型から剥離した。次に、硬化樹脂層にAuを200nmの厚さ蒸着した後、フォトリソグラフィーでAu電極のパターニングを行い、各々の凹部の底面から側面を通ってサブマウントの上面に延在する下部電極用の電極パッドと、この電極パッドと絶縁された上部電極用の電極パッドとを形成した。そして、電極パッドが形成された硬化樹脂層をダイサーで切断することで、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントAを複数個形成した。
マスター基板から見た凹凸の作製誤差は100nm以内であり、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントAを高い精度で作製することができた。
<モジュールの実装>
サブマウントAの発光素子用の凹部にSn−Auハンダを挟んでVCSEL素子(富士ゼロックス社製)を載置すると共に、受光素子用の凹部にSn−Auハンダを挟んでフォトダイオード素子を載置し、250℃に加熱することでサブマウントAの所定の凹部にVCSEL素子及びフォトダイオード素子を各々固定した。これにより、VCSEL素子及びフォトダイオード素子の各々の下部電極が電極パッドと電気的に接続された。その後、VCSEL素子の上部電極と電極パッド、フォトダイオード素子の上部電極と電極パッドの間をAuワイヤーを用いてボンディングした。
次に、45°ミラー面が形成された高分子光導波路フイルムの両端部の各々を異なるサブマウントAの切り欠きに嵌め込み、垂直切断面をサブマウントAの当接面に突き当てて位置合せを行った後、紫外線硬化樹脂を用いて高分子光導波路フイルムをサブマウントAに固定した。これにより、一対の光送受信部と高分子光導波路フイルムとを備えた実施例1の双方向光送受信モジュールが得られた。
<通信性能の評価>
サンプリング・オシロスコープ(アジレントテクノロジー社製、Agilent 86100C)とパルスパターン・ジェネレータとを用い、実施例1の双方向光送受信モジュールについて光送受信の性能を評価したところ、3.125Gbpsまで良好なアイパターンを測定することができた。
(実施例2)
実施例2は、樹脂製のサブマウントを「シリコーン樹脂を用いた複製法」で作製し、図10に示す光送受信モジュールを作製した実施例である。
<高分子光導波路フィルムの作製>
Si基板に厚膜レジスト(マイクロケミカル(株)製、SU−8)をスピンコート法で塗布した後、80℃でプリベークし、フォトマスクを通して露光し、現像して、4本の、断面が正方形の凸部(幅:50μm、高さ:50μm、長さ:80mm)を形成した。凸部と凸部の間隔は250μmとした。次に、これを120℃でポストベークして、高分子光導波路作製用原盤を作製した。
次に、この原盤に離型剤を塗布した後、熱硬化性液状ジメチルシロキサンゴム(ダウ・コウニングアジア社製、「SYLGARD184」、粘度5000mPa.s)及びその硬化剤を混合したものを流し込み、120℃で30分間加熱して硬化させた後、剥離して、前記断面が矩形の凸部に対応する凹部を持った型(型の厚さ:5mm)を作製した。
さらに、平面形状が円形で鋳型厚さ方向の断面形状がテーパー状の貫通孔を、凹部の一端及び他端において、凹部と連通するように、打ち抜きにより形成して鋳型を作製した。
この鋳型と、鋳型より一回り大きい膜厚50μmのクラッド用フィルム基材(アートンフイルム、JSR(株)製、屈折率1.510)を密着させた。次に、鋳型の進入側貫通孔に、粘度が500mPa・sの紫外線硬化性樹脂を数滴落とし、排出側(減圧吸引側)貫通孔から減圧吸引したところ、10分で前記凹部に紫外線硬化性樹脂が充填された。次いで、50mW/cm2のUV光を鋳型の上部から5分間照射して紫外線硬化させた。鋳型をアートンフイルムから剥離したところ、アートンフイルム上に前記原盤凸部と同じ形状のコアが形成された。
次に、アートンフイルムのコア形成面に、硬化後の屈折率がアートンフイルムと同じ1.510である紫外線硬化性樹脂を塗布した後、50μmのクラッド用フィルム基材を張り合わせ、50mW/cm2のUV光を5分間照射して紫外線硬化させることで2枚のフイルムを接着させ、幅1.5mm、膜厚180μmのベルト状の高分子光導波路フイルムとした。
次に、ダイシングソーを用いて高分子導波路フイルムの両端を光軸に対し垂直に切断し、両端部に垂直切断面を備えた高分子光導波路フイルムが得られた。
<サブマウントの作製>
厚さ600μmのSi基板に高分子光導波路フイルムを取り付ける載置面をRIE法で形成した。電極が形成される基板面と載置面との段差は250μmである。更に、厚さ200μmの45度角度付きブレードを用いて切り込みを入れ、基板面と載置面との間に45°傾斜面を形成した。この載置面及び傾斜面が形成されたSi製のマスター基板を、サブマウントの原盤とした。この原盤にはサブマウント複数個分の載置面及び傾斜面が形成されており、この原盤を用いて複数個のサブマウントを一度に複製することができる。
この原盤に熱硬化性液状ジメチルシロキサンゴム(ダウ・コウニングアジア社製、「SYLGARD184」、粘度5000mPa.s)及びその硬化剤を混合したものを流し込み、120℃で30分間加熱して硬化させた後、硬化層を剥離して、表面に原盤の凹凸に対応する凹凸が形成されたシリコーン樹脂製の鋳型(型の厚さ:5mm)を作製した。
次に、粘度が3000mPa・sの紫外線硬化性樹脂(NTT−AT社製)を塗布した後、50mW/cm2のUV光を鋳型の上部から5分間照射して硬化させ、硬化樹脂層を鋳型から剥離した。次に、硬化樹脂層の傾斜面にAlを蒸着してミラー面を形成した。更に、硬化樹脂層にAuを200nmの厚さ蒸着した後、フォトリソグラフィーでAu電極のパターニングを行い、サブマウントの上面に下部電極用の電極パッドと上部電極用の電極パッドとを形成した。そして、電極パッドが形成された硬化樹脂層をダイサーで切断することで、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントBを複数個形成した。
マスター基板から見た凹凸の作製誤差は100nm以内であり、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントBを高い精度で作製することができた。
<モジュールの実装>
高分子光導波路フイルムの両端部の各々を、位置合せを行った後、異なるサブマウントBの載置面に載置し、サブマウントBのミラー面の上方に、VCSEL素子(富士ゼロックス社製)を載置すると共に、フォトダイオード素子を載置した。そして、高分子光導波路フイルム、VCSEL素子、及びフォトダイオード素子を、コア用の紫外線硬化性樹脂を用いてサブマウントBに固定した。
次に、VCSEL素子の上部電極及び下部電極と電極パッドとの間を各々フリップチップ・ボンディングすると共に、フォトダイオード素子の上部電極及び下部電極と電極パッドとの間を各々フリップチップ・ボンディングした。これにより、VCSEL素子及びフォトダイオード素子が電極パッドと電気的に接続され、一対の光送受信部と高分子光導波路フイルムとを備えた実施例2の双方向光送受信モジュールが得られた。
<通信性能の評価>
サンプリング・オシロスコープ(アジレントテクノロジー社製、Agilent 86100C)とパルスパターン・ジェネレータとを用い、実施例2の双方向光送受信モジュールについて光送受信の性能を評価したところ、3.125Gbpsまで良好なアイパターンを測定することができた。
(実施例3)
実施例3は、樹脂製のサブマウントを「スタンパー法」で作製し、図3に示す光送受信モジュールを作製した実施例である。以下に説明する通り、サブマウントを「スタンパー法」で作製した以外は、実施例1と同様の方法で光送受信モジュールを作製した。
<サブマウントの作製>
実施例1と同様にしてSi製のマスター基板を作製した。このマスター基板をスタンパー(鋳型)として用い、熱可塑性のバルク・モールディング・コンパウンド(BMC)樹脂をスタンパーに密着させ、100Nの加圧下、250℃で2分間加熱し、その後、放冷してエポキシ樹脂を硬化させた後、硬化層をスタンパーから剥離して、表面にスタンパーの凹凸に対応する凹凸が形成された硬化樹脂層(型の厚さ:5mm)を作製した。
次に、硬化樹脂層にAuを200nmの厚さ蒸着した後、フォトリソグラフィーでAu電極のパターニングを行い、各々の凹部の底面から側面を通ってサブマウントの上面に延在する下部電極用の電極パッドと、この電極パッドと絶縁された上部電極用の電極パッドとを形成した。そして、電極パッドが形成された硬化樹脂層をダイサーで切断することで、エポキシ樹脂製のサブマウントCを複数個形成した。
マスター基板から見た凹凸の作製誤差は200nm以内であり、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントCを高い精度で作製することができた。
<モジュールの実装>
サブマウントCを用い、実施例1と同様にして実装を行い、一対の光送受信部と高分子光導波路フイルムとを備えた実施例3の双方向光送受信モジュールが得られた。
<通信性能の評価>
サンプリング・オシロスコープ(アジレントテクノロジー社製、Agilent 86100C)とパルスパターン・ジェネレータとを用い、実施例3の双方向光送受信モジュールについて光送受信の性能を評価したところ、3.125Gbpsまで良好なアイパターンを測定することができた。
(実施例4)
実施例4は、樹脂製のサブマウントを「スタンパー法」で作製し、図10に示す光送受信モジュールを作製した実施例である。以下に説明する通り、サブマウントを「スタンパー法」で作製した以外は、実施例2と同様の方法で光送受信モジュールを作製した。
<サブマウントの作製>
実施例2と同様にしてSi製のマスター基板を作製した。このマスター基板をスタンパー(鋳型)として用い、熱可塑性のバルク・モールディング・コンパウンド(BMC)樹脂をスタンパーに密着させ、100Nの加圧下、250℃で2分間加熱し、その後、放冷してエポキシ樹脂を硬化させた後、硬化層をスタンパーから剥離して、表面にスタンパーの凹凸に対応する凹凸が形成された硬化樹脂層(型の厚さ:5mm)を作製した。
次に、硬化樹脂層の傾斜面にAlを蒸着してミラー面を形成した。更に、硬化樹脂層にAuを200nmの厚さ蒸着した後、フォトリソグラフィーでAu電極のパターニングを行い、各々の凹部の底面から側面を通ってサブマウントの上面に延在する下部電極用の電極パッドと、この電極パッドと絶縁された上部電極用の電極パッドとを形成した。そして、電極パッドが形成された硬化樹脂層をダイサーで切断することで、エポキシ樹脂製のサブマウントDを複数個形成した。
マスター基板から見た凹凸の作製誤差は200nm以内であり、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントDを高い精度で作製することができた。
<モジュールの実装>
サブマウントDを用い、実施例2と同様にして実装を行い、一対の光送受信部と高分子光導波路フイルムとを備えた実施例4の双方向光送受信モジュールが得られた。
<通信性能の評価>
サンプリング・オシロスコープ(アジレントテクノロジー社製、Agilent 86100C)とパルスパターン・ジェネレータとを用い、実施例4の双方向光送受信モジュールについて光送受信の性能を評価したところ、3.125Gbpsまで良好なアイパターンを測定することができた。
(実施例5)
実施例5は、ガラス製のサブマウントを「スタンパー法」で作製し、図3に示す光送受信モジュールを作製した実施例である。以下に説明する通り、ガラス製のサブマウントを金属の金型を用いた「スタンパー法」で作製した以外は、実施例3と同様の方法で光送受信モジュールを作製した。
<サブマウントの作製>
マスター基板として、発光素子及び受光素子を取り付ける深さは250μmの凹部と、高分子光導波路フイルムを取り付ける深さ50μmの切り欠きとを備えたNi製の金型(マスター基板)を鋳造した。この金型をスタンパー(鋳型)として用い、低融点ガラス(住田光学ガラス社製、「K−PG375」(ヴィドロン)、Tg:343℃、屈伏点:363℃)をスタンパーに密着させ、加圧下、375℃で5分間加熱し、その後、放冷して低融点ガラスを硬化させた後、硬化ガラス層をスタンパーから剥離して、表面にスタンパーの凹凸に対応する凹凸が形成された硬化ガラス層(型の厚さ:5mm)を作製した。
次に、硬化ガラス層にAuを200nmの厚さ蒸着した後、フォトリソグラフィーでAu電極のパターニングを行い、各々の凹部の底面から側面を通ってサブマウントの上面に延在する下部電極用の電極パッドと、この電極パッドと絶縁された上部電極用の電極パッドとを形成した。そして、電極パッドが形成された硬化ガラス層をダイサーで切断することで、ガラス製のサブマウントEを複数個形成した。
マスター基板から見た凹凸の作製誤差は200nm以内であり、紫外線硬化性樹脂製のサブマウントEを高い精度で作製することができた。
<モジュールの実装>
サブマウントEを用い、実施例1と同様にして実装を行い、一対の光送受信部と高分子光導波路フイルムとを備えた実施例5の双方向光送受信モジュールが得られた。
<通信性能の評価>
サンプリング・オシロスコープ(アジレントテクノロジー社製、Agilent 86100C)とパルスパターン・ジェネレータとを用い、実施例5の双方向光送受信モジュールについて光送受信の性能を評価したところ、3.125Gbpsまで良好なアイパターンを測定することができた。
(A)〜(F)は、本発明のサブマウントの製造方法の工程を示す工程図である。 (A)〜(D)は、本発明のサブマウントの製造方法の他の工程を示す工程図である。 本実施の形態に係る光送受信モジュールの概略構成図である。 (A)及び(B)は、本実施の形態に係る光送受信モジュールの変形に対する追従性を示す図である。 (A)は高分子光導波路フィルム端部の斜視図であり、(B)は(A)のA−A断面図であり、(C)は(B)のB−B断面図である。 (A)〜(I)は、高分子光導波路フィルムの製造工程を示す図である。 (A)はサブマウントの斜視図であり、(B)はサブマウントの平面図であり、(C)は(B)のC−C断面図である。 (A)は光送受信部の平面図であり、(B)は(A)のD−D断面図であり、(C)は(B)の光結合部を拡大して示す部分拡大図である。 本実施の形態に係る光送受信モジュールの構成を模式的に表した図である。 変形例に係る光送受信モジュールの概略構成図である。 (A)は変形例に係る光送受信モジュールの光送受信部の平面図であり、(B)は(A)のD−D断面図であり、(C)は(B)の光結合部を拡大して示す部分拡大図である。
符号の説明
10 高分子光導波路フィルム
10a 突き当て面
10b ミラー面
10c フィルム面
12、14 光送受信部
16、20 クラッド部
18 コア部
22、24 サブマウント
26a 当接面
26b 載置面
28 凹部
30a〜30d 電極膜
32a 発光部
34a 受光部
36 接着剤
38a、38b ワイヤー
40a〜40d 電極膜
42a〜42d ワイヤー
100 原盤
200a 硬化樹脂層
200 鋳型
220 鋳型凹部
260、280 貫通孔
300 クラッド用可撓性フィルム基材
320 コア部

Claims (19)

  1. サブマウントの表面形状を写し取るように凹凸が形成された鋳型を作製し、作製された鋳型に硬化性材料を充填し、充填された前記硬化性材料を硬化させ、複製されたサブマウントを前記鋳型から剥離して、サブマウントを製造するサブマウントの製造方法。
  2. 前記鋳型を、液状シリコーンゴムをサブマウントの原盤上で硬化させて作製する請求項1に記載のサブマウントの製造方法。
  3. 前記鋳型を、シリコン基板をエッチングして作製する請求項1に記載のサブマウントの製造方法。
  4. 前記鋳型を、金属を鋳造して作製する請求項1に記載のサブマウントの製造方法。
  5. 前記硬化性材料が、耐熱性樹脂である請求項1乃至4のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
  6. 前記硬化性材料が、光硬化性の耐熱性樹脂である請求項1乃至3のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
  7. 前記硬化性材料が、熱可塑性の耐熱性樹脂である請求項1乃至4のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
  8. 前記耐熱性樹脂が、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂である請求項5乃至7のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
  9. 前記硬化性材料が、加熱により溶融する低融点ガラスである請求項4に記載のサブマウントの製造方法。
  10. 前記硬化性材料が、SiO2,B23を主要成分とする硬質ガラスである請求項4に記載のサブマウントの製造方法。
  11. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法で製造されたサブマウント。
  12. 光導波路が形成されたベルト状の高分子光導波路フィルムと、
    発光素子と該発光素子を保持するサブマウントとを備え、前記発光素子から射出された光が前記光導波路の入射端面に結合されるように、前記サブマウント上に前記高分子光導波路フィルムの一方の端部を保持する光送信部と、
    受光素子と該受光素子を保持するサブマウントとを備え、前記光導波路の出射端面から射出された光が前記受光素子に受光されるように、前記サブマウント上に前記高分子光導波路フィルムの他方の端部を保持する光受信部と、
    を備え、
    前記サブマウントが請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法で製造されたサブマウントである光送受信モジュール。
  13. 送信用光導波路と受信用光導波路とが形成されたベルト状の高分子光導波路フィルムと、
    前記高分子光導波路フィルムの両端部の各々に応じて設けられ、発光素子と受光素子と該発光素子及び受光素子を保持するサブマウントとを備え、前記発光素子から射出された光が前記送信用光導波路の入射端面に結合されると共に、前記受信用光導波路の出射端面から射出された光が前記受光素子に受光されるように、前記サブマウント上に前記高分子光導波路フィルムの端部を保持する光送受信部と、
    を備え、
    前記サブマウントが請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法で製造されたサブマウントである光送受信モジュール。
  14. 前記高分子光導波路フィルムは、同一端部に光路変換ミラー面と位置合わせ面とを有し、該位置合わせ面を利用して前記サブマウント上の所定位置に実装される請求項12又は13に記載の光送受信モジュール。
  15. 光導波路が形成されたベルト状の高分子光導波路フィルムと、
    入射された光の光路を変換する反射面を備えたサブマウントと発光素子とを備え、前記サブマウント上に前記高分子光導波路フィルムの一方の端部を載置すると共に、前記発光素子から射出された光が前記反射面で光路を変換されて前記光導波路の入射端面に結合されるように前記発光素子を配置した光送信部と、
    入射された光の光路を変換する反射面を備えたサブマウントと受光素子とを備え、前記サブマウント上に前記高分子光導波路フィルムの他方の端部を載置すると共に、前記光導波路の出射端面から射出された光が前記反射面で光路を変換されて前記受光素子に受光されるように前記受光素子を配置した光受信部と、
    を備え、
    前記サブマウントが請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法で製造されたサブマウントである光送受信モジュール。
  16. 送信用光導波路と受信用光導波路とが形成されたベルト状の高分子光導波路フィルムと、
    前記高分子光導波路フィルムの両端部の各々に応じて設けられ、発光素子と受光素子と入射された光の光路を変換する反射面を備えたサブマウントとを備え、前記サブマウント上に前記高分子光導波路フィルムの端部を載置すると共に、前記発光素子から射出された光が前記反射面で光路を変換されて前記送信用光導波路の入射端面に結合されるように前記発光素子を配置し、且つ前記受信用光導波路の出射端面から射出された光が前記反射面で光路を変換されて前記受光素子に受光されるように前記受光素子を配置した光送受信部と、
    を備え、
    前記サブマウントが請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法で製造されたサブマウントである光送受信モジュール。
  17. 前記反射面は、光進行方向を90°折り曲げる45°ミラー面である請求項15又は16に記載の光送受信モジュール。
  18. 前記光導波路のコア部は、シリコーンゴム又はシリコーン樹脂製の鋳型を用いて複製された請求項12乃至17のいずれか1項に記載の光送受信モジュール。
  19. 前記サブマウント上に電気配線のための電極パターンが形成された請求項12乃至17のいずれか1項に記載の光送受信モジュール。
JP2005084914A 2005-03-04 2005-03-23 サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール Pending JP2006267501A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005084914A JP2006267501A (ja) 2005-03-23 2005-03-23 サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール
US11/220,654 US7343060B2 (en) 2005-03-04 2005-09-08 Light transmission and reception module, sub-mount, and method of manufacturing the sub-mount

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005084914A JP2006267501A (ja) 2005-03-23 2005-03-23 サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006267501A true JP2006267501A (ja) 2006-10-05

Family

ID=37203565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005084914A Pending JP2006267501A (ja) 2005-03-04 2005-03-23 サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006267501A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008185601A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Fuji Xerox Co Ltd 光モジュール、光伝送装置、および光モジュールの製造方法
JP2008209514A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Sony Corp 光伝送モジュール
JP2008245955A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 高アスペクト比構造を有する機能性膜の製造方法及び製造装置
JP2008299098A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Nec Corp 光モジュール
JP2009128567A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Toppan Printing Co Ltd 光基板及びその製造方法
JP2009145605A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Toppan Printing Co Ltd 光基板及び該光基板の製造方法、並びに該光基板を備える光部品及び電子機器
JP2009151072A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Toppan Printing Co Ltd 光基板及びその製造方法
WO2010024394A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 日立化成工業株式会社 光導波路、光電気混載基板及び光モジュール
WO2011046115A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 日立化成工業株式会社 光導波路基板及びその製造方法
JP2014135459A (ja) * 2013-01-12 2014-07-24 Kyocera Corp 光モジュール用基板および光モジュール

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000292656A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Sony Corp 光伝送装置および光伝送装置の製造方法
JP2001159724A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2001174671A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 光素子モジュール
JP2002267893A (ja) * 2001-03-13 2002-09-18 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2003222746A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Mitsubishi Electric Corp 光電気結合装置
JP2004029507A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Fuji Xerox Co Ltd 光学素子およびその製造方法
JP2004334189A (ja) * 2003-04-14 2004-11-25 Fujikura Ltd 光モジュール用マウント部材、光モジュール、アレイ型光モジュール、光伝送モジュール
JP2005062645A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Toppan Printing Co Ltd 光接続構造体およびその製造方法
JP2005321560A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Fuji Xerox Co Ltd 受発光素子付き高分子光導波路モジュール

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000292656A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Sony Corp 光伝送装置および光伝送装置の製造方法
JP2001159724A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2001174671A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 光素子モジュール
JP2002267893A (ja) * 2001-03-13 2002-09-18 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2003222746A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Mitsubishi Electric Corp 光電気結合装置
JP2004029507A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Fuji Xerox Co Ltd 光学素子およびその製造方法
JP2004334189A (ja) * 2003-04-14 2004-11-25 Fujikura Ltd 光モジュール用マウント部材、光モジュール、アレイ型光モジュール、光伝送モジュール
JP2005062645A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Toppan Printing Co Ltd 光接続構造体およびその製造方法
JP2005321560A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Fuji Xerox Co Ltd 受発光素子付き高分子光導波路モジュール

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008185601A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Fuji Xerox Co Ltd 光モジュール、光伝送装置、および光モジュールの製造方法
JP2008209514A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Sony Corp 光伝送モジュール
JP2008245955A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 高アスペクト比構造を有する機能性膜の製造方法及び製造装置
JP2008299098A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Nec Corp 光モジュール
JP2009128567A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Toppan Printing Co Ltd 光基板及びその製造方法
JP2009145605A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Toppan Printing Co Ltd 光基板及び該光基板の製造方法、並びに該光基板を備える光部品及び電子機器
JP2009151072A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Toppan Printing Co Ltd 光基板及びその製造方法
WO2010024394A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 日立化成工業株式会社 光導波路、光電気混載基板及び光モジュール
JP2010054916A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 光導波路、光電気混載基板及び光モジュール
TWI472821B (zh) * 2008-08-29 2015-02-11 Hitachi Chemical Co Ltd 光波導、光電混載基板以及光模組
US9122026B2 (en) 2008-08-29 2015-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical waveguide, opto-electric hybrid board, and optical module
WO2011046115A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 日立化成工業株式会社 光導波路基板及びその製造方法
JP2011085647A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Hitachi Chem Co Ltd 光導波路基板及びその製造方法
US8818147B2 (en) 2009-10-13 2014-08-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical waveguide substrate and method for manufacturing same
JP2014135459A (ja) * 2013-01-12 2014-07-24 Kyocera Corp 光モジュール用基板および光モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7343060B2 (en) Light transmission and reception module, sub-mount, and method of manufacturing the sub-mount
JP2007033698A (ja) 光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール
JP2007033688A (ja) 光導波路フィルム、及び光送受信モジュール
JP2007027398A (ja) 光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール
JP2006267501A (ja) サブマウントの製造方法、サブマウント、及び光送受信モジュール
US7174057B2 (en) Optical waveguide module, optical waveguide film and manufacturing method thereof
US7590315B2 (en) Optical waveguide and optical module using the same
US7561773B2 (en) Optical waveguide, method of manufacturing the same and optical communication module
US7162127B2 (en) Polymeric optical waveguide film, polymeric optical waveguide module and method of manufacturing polymeric optical waveguide film
JP2006243467A (ja) 光送受信モジュール
JP2008040003A (ja) フレキシブル光導波路フィルム、光送受信モジュール、マルチチャンネル光送受信モジュール及びフレキシブル光導波路フィルムの製造方法
JP4503064B2 (ja) 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス、並びにそれに用いられる光導波路接続構造
JP2004029507A (ja) 光学素子およびその製造方法
JP2004069742A (ja) アライメントマーク付き高分子光導波路及び積層型高分子光導波路の製造方法
JP2010261990A (ja) 光接続要素の製造方法、光伝送基板、光接続部品、接続方法および光伝送システム
JP2006126568A (ja) 高分子光導波路デバイスの製造方法
JP2006023385A (ja) 積層型光導波路フィルム及びその製造方法、並びに導波路型光モジュール
JP2006259590A (ja) 光送受信モジュール
US7616852B2 (en) Optical substrate, optical waveguide, and optical waveguide substrate
JP2010152111A (ja) 光導波路、光モジュール、光モジュールの製造方法、および光導波路の製造方法
JP4265293B2 (ja) 鋳型及びコネクタ一体型高分子光導波路の製造方法
JP2005321560A (ja) 受発光素子付き高分子光導波路モジュール
JP4581328B2 (ja) 高分子光導波路及び光学素子の製造方法
US7407595B2 (en) Optical member, manufacturing method of the optical member, waveguide substrate, and photo-electric integrated substrate
JP2006208794A (ja) 導波路型光モジュール、光導波路フィルム及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100413

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100629

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101026