JP2020053573A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020053573A JP2020053573A JP2018182057A JP2018182057A JP2020053573A JP 2020053573 A JP2020053573 A JP 2020053573A JP 2018182057 A JP2018182057 A JP 2018182057A JP 2018182057 A JP2018182057 A JP 2018182057A JP 2020053573 A JP2020053573 A JP 2020053573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- earth element
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/04—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of effective area of electrode
- H01G5/14—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of effective area of electrode due to longitudinal movement of electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
誘電体層と内部電極とが交互に複数積層された積層体と、
前記積層体の表面に設けられ、前記積層体の表面に引き出された前記内部電極と電気的に導通された外部電極と、
を備え、
前記誘電体層は、
前記内部電極の積層方向と直交する面の面方向に配置され、Ba、Ti、および希土類元素を含む第1の結晶粒子と、
前記面方向に配置され、Ba、Ti、および希土類元素を含む第2の結晶粒子とを含み、
前記第1の結晶粒子の界面から50nm以内の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比M1と、前記第1の結晶粒子の界面から50nm以上100nm以下の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比M2について、0.95≦M1/M2≦1.05の関係が成り立ち、
前記第2の結晶粒子に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比は、前記第1の結晶粒子に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比の半分以下であり、
前記希土類元素は、前記第1の結晶粒子間および前記第2の結晶粒子間にも含まれており、前記第2の結晶粒子間に含まれる前記希土類元素の濃度は、前記第1の結晶粒子間に含まれる前記希土類元素の濃度より低い、
ことを特徴とする。
前記第2の結晶粒子の平均粒径は、100nm以上200nm以下であってもよい。
図1は、第1の実施形態における積層セラミックコンデンサ10の斜視図である。図2は、図1に示す積層セラミックコンデンサ10のII−II線に沿った断面図である。図3は、図1に示す積層セラミックコンデンサ10のIII−III線に沿った断面図である。
第1の結晶粒子となる第1の誘電体原料配合物を以下の方法により作製した。
組成式:100BamTiO3+aDy2O3+bMgO+cMn+dSiO2+eV2O5
ただし、m=1.0070、a=5.0、b=0.08、c=0.56、d=1.0、e=0.1
組成式:100BamTiO3+aDy2O3+bMgO+cMn+dSiO2+eV2O5
ただし、m=1.0070、a=5.0、b=0.08、c=0.56、d=1.0、e=0.1
第1の実施形態における積層セラミックコンデンサ10では、誘電体層12の内層誘電体層122が第1の粒子層41と第2の粒子層42の2層により構成されている。
(平均故障時間)
上述した方法により作製した積層セラミックコンデンサに対して、195℃の高温下で、110Vの直流電圧を印加した状態で保持し、寿命時間を測定することにより、高温加速寿命を評価した。ここでは、電圧の印加開始から絶縁抵抗が1桁小さくなるまでの時間を故障時間とし、故障時間をワイブル解析することにより算出した平均故障時間を寿命と定義した。
評価対象の積層セラミックコンデンサを、150℃、1時間の条件で加熱する処理を行った後、室温で24時間放置した。
11 積層体
12 誘電体層
13a 第1の内部電極
13b 第2の内部電極
14a 第1の外部電極
14b 第2の外部電極
41 第1の粒子層
42 第2の粒子層
121 外層誘電体層
122 内層誘電体層
Claims (9)
- 誘電体層と内部電極とが交互に複数積層された積層体と、
前記積層体の表面に設けられ、前記積層体の表面に引き出された前記内部電極と電気的に導通された外部電極と、
を備え、
前記誘電体層は、
前記内部電極の積層方向と直交する面の面方向に配置され、Ba、Ti、および希土類元素を含む第1の結晶粒子と、
前記面方向に配置され、Ba、Ti、および希土類元素を含む第2の結晶粒子とを含み、
前記第1の結晶粒子の界面から50nm以内の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比M1と、前記第1の結晶粒子の界面から50nm以上100nm以下の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比M2について、0.95≦M1/M2≦1.05の関係が成り立ち、
前記第2の結晶粒子に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比は、前記第1の結晶粒子に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比の半分以下であり、
前記希土類元素は、前記第1の結晶粒子間および前記第2の結晶粒子間にも含まれており、前記第2の結晶粒子間に含まれる前記希土類元素の濃度は、前記第1の結晶粒子間に含まれる前記希土類元素の濃度より低い、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記誘電体層は、前記第1の結晶粒子が前記面方向に連続して配置された第1の粒子層と、前記第2の結晶粒子が前記面方向に連続して配置された第2の粒子層とを含むことを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記積層方向に隣り合う2つの前記内部電極の間には、2つの前記第2の粒子層と、2つの前記第2の粒子層に挟まれた前記第1の粒子層とが配置されていることを特徴とする請求項2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の結晶粒子の界面から50nm以上100nm以内の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比は、前記第2の結晶粒子の界面から50nm以上100nm以内の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比の1.7倍以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の厚みは、0.1μm以上6.0μm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の結晶粒子の平均粒径は、前記第2の結晶粒子の平均粒径より大きいことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第1の結晶粒子の平均粒径は、150nm以上500nm以下であり、
前記第2の結晶粒子の平均粒径は、100nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項6に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記第2の結晶粒子は、界面から50nm以内に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比が、界面から50nm以上100nm以下の範囲に含まれる前記希土類元素のTiに対するモル比より高いコアシェル構造を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記希土類元素は、Dyであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018182057A JP7040384B2 (ja) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 積層セラミックコンデンサ |
KR1020190113295A KR102193834B1 (ko) | 2018-09-27 | 2019-09-16 | 적층 세라믹 콘덴서 |
US16/574,232 US11276527B2 (en) | 2018-09-27 | 2019-09-18 | Multilayer ceramic capacitor |
CN201910914294.1A CN110957135B (zh) | 2018-09-27 | 2019-09-25 | 层叠陶瓷电容器 |
JP2021149246A JP2021185638A (ja) | 2018-09-27 | 2021-09-14 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018182057A JP7040384B2 (ja) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 積層セラミックコンデンサ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021149246A Division JP2021185638A (ja) | 2018-09-27 | 2021-09-14 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020053573A true JP2020053573A (ja) | 2020-04-02 |
JP7040384B2 JP7040384B2 (ja) | 2022-03-23 |
Family
ID=69946095
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018182057A Active JP7040384B2 (ja) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 積層セラミックコンデンサ |
JP2021149246A Pending JP2021185638A (ja) | 2018-09-27 | 2021-09-14 | 積層セラミックコンデンサ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021149246A Pending JP2021185638A (ja) | 2018-09-27 | 2021-09-14 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11276527B2 (ja) |
JP (2) | JP7040384B2 (ja) |
KR (1) | KR102193834B1 (ja) |
CN (1) | CN110957135B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023054378A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7167955B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2022-11-09 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008305844A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP2010232248A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7158364B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-01-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same |
JP4884101B2 (ja) | 2006-06-28 | 2012-02-29 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101053945B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2011-08-04 | 쿄세라 코포레이션 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제법 |
JP5121311B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2013-01-16 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
JP5094494B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-12-12 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101464185B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2014-11-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
JP5998765B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-09-28 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびこれを用いたセラミック電子部品 |
WO2014010376A1 (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP6439551B2 (ja) | 2014-05-21 | 2018-12-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6665438B2 (ja) | 2015-07-17 | 2020-03-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP6711840B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2020-06-17 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
-
2018
- 2018-09-27 JP JP2018182057A patent/JP7040384B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-16 KR KR1020190113295A patent/KR102193834B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-18 US US16/574,232 patent/US11276527B2/en active Active
- 2019-09-25 CN CN201910914294.1A patent/CN110957135B/zh active Active
-
2021
- 2021-09-14 JP JP2021149246A patent/JP2021185638A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008305844A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP2010232248A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023054378A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11276527B2 (en) | 2022-03-15 |
KR102193834B1 (ko) | 2020-12-22 |
US20200105470A1 (en) | 2020-04-02 |
JP7040384B2 (ja) | 2022-03-23 |
CN110957135B (zh) | 2022-06-07 |
KR20200035864A (ko) | 2020-04-06 |
CN110957135A (zh) | 2020-04-03 |
JP2021185638A (ja) | 2021-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9978524B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method therefor | |
KR101226157B1 (ko) | 유전체 세라믹, 및 적층 세라믹 콘덴서 | |
KR102422892B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
US8853115B2 (en) | Dielectric ceramic composition and electronic device | |
JP6900157B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
US8492301B2 (en) | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component | |
US8841224B2 (en) | Dielectric ceramic composition and electronic device | |
US20180090272A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
WO2012133077A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミック、積層セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP5838968B2 (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、およびこれらの製造方法 | |
KR20180113457A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
JP2021185638A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5939300B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
KR102433617B1 (ko) | 적층형 전자부품 및 적층형 전자부품의 제조 방법 | |
KR20180016269A (ko) | 전자부품 | |
JP2021009995A (ja) | 積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法 | |
JPWO2011162044A1 (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミック電子部品 | |
JP7493322B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPH11297561A (ja) | 複合ペロブスカイト化合物を用いた積層セラミックコンデンサ | |
JP2023023701A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2020150035A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7040384 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |