JP2020035932A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020035932A JP2020035932A JP2018162067A JP2018162067A JP2020035932A JP 2020035932 A JP2020035932 A JP 2020035932A JP 2018162067 A JP2018162067 A JP 2018162067A JP 2018162067 A JP2018162067 A JP 2018162067A JP 2020035932 A JP2020035932 A JP 2020035932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- semiconductor
- film
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/50—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76805—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics the opening being a via or contact hole penetrating the underlying conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76831—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers in via holes or trenches, e.g. non-conductive sidewall liners
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/10—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the top-view layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/50—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the boundary region between the core region and the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/10—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the top-view layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/40—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
- H10B43/35—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region with cell select transistors, e.g. NAND
Abstract
【課題】コンタクトプラグとソース層との間における電流リークを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体記憶装置は、基板、基板上に設けられた半導体素子、半導体素子の上方に設けられた下層配線層、および、下層配線層の上方に設けられた第1導電層を含む基体部を備える。積層体が第1導電層の上方に設けられ、交互に積層された複数の第2導電層および複数の絶縁層を含む。第1柱状部は、積層体の積層方向に延在し第1導電層と電気的に接続された半導体ボディ、および、複数の導電層と半導体ボディとの間に電荷捕獲部を有するメモリ膜を含む。複数の第1コンタクトが層体の積層方向に延在し、第1導電層に電気的に接続されている。第1導電層は、複数の第1コンタクトのそれぞれの下に分離されて設けられている。【選択図】図6
Description
本実施形態は、半導体記憶装置に関する。
絶縁膜と導電膜とを交互に積層した積層体を有し、積層体の高さ方向に積層された3次元構造のメモリセルアレイを有する不揮発性メモリが開発されている。このような不揮発性メモリのメモリセルは、積層体と、その積層方向に延在する柱状部との間に設けられる。柱状部に沿って設けられた複数のメモリセルは、電気的に直列に接続され、メモリストリングを構成している。
このようなメモリセルアレイのセル領域間には、メモリセルにソース電圧、信号、電源電圧等を伝達するためにタップ領域が設けられている。タップ領域のコンタクトプラグは、積層体を貫通してソース層やその下にある下層配線に接続される。例えば、下層配線に接続されるコンタクトプラグは、コンタクトホールの内壁に設けられた酸化膜を介してソース層に隣接し、酸化膜によってソース層と電気的に分離された状態で下層配線に接続する。
しかし、ソース層は、メモリストリングにソース電位を与えるためにメモリセルアレイの下方全体に設けられている。このため、酸化膜が破壊されてコンタクトプラグとソース層との間で電流リークが生じると、致命的な不良となるおそれがあった。
コンタクトプラグとソース層との間における電流リークを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
本実施形態による半導体記憶装置は、基板、基板上に設けられた半導体素子、半導体素子の上方に設けられた下層配線層、および、下層配線層の上方に設けられた第1導電層を含む基体部を備える。積層体が第1導電層の上方に設けられ、交互に積層された複数の第2導電層および複数の絶縁層を含む。第1柱状部は、積層体の積層方向に延在し第1導電層と電気的に接続された半導体ボディ、および、複数の導電層と半導体ボディとの間に電荷捕獲部を有するメモリ膜を含む。複数の第1コンタクトが層体の積層方向に延在し、第1導電層に電気的に接続されている。第1導電層は、複数の第1コンタクトのそれぞれの下に分離されて設けられている。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。以下の実施形態において、半導体基板の上下方向は、半導体素子が設けられる面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置100を例示する模式斜視図である。尚、積層体2の積層方向をZ軸方向とする。Z軸方向と交差(例えば、直交)する1つの方向を第1方向とする。第1方向は、例えば、Y軸方向である。Z及びY軸方向のそれぞれと交差(例えば、直交)する1つの方向を第2方向とする。第2方向は、例えば、X軸方向である。
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置100を例示する模式斜視図である。尚、積層体2の積層方向をZ軸方向とする。Z軸方向と交差(例えば、直交)する1つの方向を第1方向とする。第1方向は、例えば、Y軸方向である。Z及びY軸方向のそれぞれと交差(例えば、直交)する1つの方向を第2方向とする。第2方向は、例えば、X軸方向である。
第1実施形態に係る半導体記憶装置100は、3次元構造のメモリセルを有した不揮発性メモリである。図1に示すように、半導体記憶装置100は、基体部1と、積層体2と、複数の第1柱状部CLと、複数のビット線BLとを含む。
基体部1は、基板10と、第1絶縁膜11と、第1導電層12、13とを含む。第1絶縁膜11は、基板10上に設けられている。第1導電層12、13は、下層導電層12と、上層導電層13とを含む。下層導電層12は、第1絶縁膜11上に設けられている。上層導電層13は、下層導電層12上に設けられている。基板10は、半導体基板、例えば、シリコン基板である。シリコン(Si)の導電型は、例えば、p型である。基板10の表面領域には、例えば、素子分離領域10iが設けられている。素子分離領域10iは、例えば、シリコン酸化物を含む絶縁領域であり、基板10の表面領域にアクティブエリアAAを区画する。アクティブエリアAAの基板10上には、半導体素子が設けられている。半導体素子は、例えば、トランジスタTrである。トランジスタTrのソース及びドレイン領域はアクティブエリアAAに設けられる。トランジスタTrは、不揮発性メモリの周辺回路を構成する。第1絶縁膜11は、例えば、シリコン酸化物(SiO2)を含み、トランジスタTrを被覆し保護する。第1絶縁膜11内には、下層配線11aが設けられている。下層配線11aは、トランジスタTr等の半導体素子と電気的に接続されている。
本実施形態において、第1導電層12、13は、下層導電層12と、上層導電層13とを含む積層膜である。下層導電層12は、導電性金属(例えば、タングステン)、あるいは、金属シリサイド(例えば、タングステンシリサイド(WSi))を含む。上層導電層13は、例えば、n型のドープトポリシリコンを含む。上層導電層13の一部は、アンドープトポリシリコンであってもよい。第1導電層12、13は、第1柱状部CLに接続されており、共通ソース線(BSL(Buried Source Line))として機能する。
積層体2は、第1導電層12、13の上方(Z軸方向)に位置する。積層体2は、Z軸方向に沿って複数の第2導電層21および複数の絶縁層22を交互に含む。第2導電層21は、導電性金属、例えば、タングステンを含む。絶縁層22は、例えば、シリコン酸化物を含む。絶縁層22は、Z方向に隣接する複数の導電層21の間に設けられ、これらの導電層21を絶縁する。第2導電層21および絶縁層22のそれぞれの積層数は、任意である。絶縁層22は、例えば、空洞(ギャップ)であってもよい。
積層体2と、上層導電層13との間には、例えば、絶縁膜2gが設けられている。絶縁膜2gは、例えば、シリコン酸化物(SiO2)でよい。絶縁膜2gは、シリコン酸化物よりも比誘電率が高い高誘電体を含んでいてもよい。高誘電体は、例えば、金属酸化物である。
第2導電層21は、少なくとも1つのソース側選択ゲートSGSと、複数のワード線WLと、少なくとも1つのドレイン側選択ゲートSGDとを含む。ソース側選択ゲートSGSは、ソース側選択トランジスタSTSのゲート電極である。ワード線WLは、メモリセルMCのゲート電極である。ドレイン側選択ゲートSGDは、ドレイン側選択トランジスタSTDのゲート電極である。ソース側選択ゲートSGSは、積層体2の下部領域に設けられる。ドレイン側選択ゲートSGDは、積層体2の上部領域に設けられる。下部領域は、積層体2のうち基体部1に近い側の領域を指し、上部領域は、積層体2のうち基体部1から遠い側の領域を指す。ワード線WLは、ソース側選択ゲートSGSとドレイン側選択ゲートSGDとの間に設けられる。
複数の絶縁層22のうち、ソース側選択ゲートSGSとワード線WLとを絶縁する絶縁層22のZ軸方向の厚さは、例えば、ワード線WLとワード線WLとを絶縁する絶縁層22のZ軸方向の厚さよりも、厚くてもよい。さらに、最上層の絶縁層22の上に、カバー絶縁膜(図示せず)を設けてもよい。カバー絶縁膜は、例えば、シリコン酸化物を含む。
半導体記憶装置100は、ソース側選択トランジスタSTSとドレイン側選択トランジスタSTDとの間に直列に接続された複数のメモリセルMCを有する。ソース側選択トランジスタSTS、メモリセルMCおよびドレイン側選択トランジスタSTDが直列に接続された構造は“メモリストリング”、もしくは“NANDストリング”と呼ばれる。メモリストリングは、例えば、コンタクトCbを介してビット線BLに接続される。ビット線BLは、積層体2の上方に設けられ、Y軸方向に延びる。
図2は、第1柱状部CLを例示する模式断面図である。図3は、第1柱状部CLを例示する模式平面図である。メモリホールMHは、Z軸方向に沿って積層体2の上端から積層体2を貫通し、積層体2内および上層導電層13にかけて設けられている。複数の第1柱状部CLは、それぞれ、半導体ボディ210、メモリ膜220およびコア層230を含む。半導体ボディ210は、上層導電層13と電気的に接続されている。メモリ膜220は、半導体ボディ210と導電層21との間に、電荷捕獲部を有する。各フィンガーからそれぞれ1つずつ選択された複数の第1柱状部CLは、図1のコンタクトCbを介して1本のビット線BLに共通に接続される。図5に示すように、第1柱状部CLのそれぞれは、例えば、セル領域(Cell)に設けられている。
図2および図3に示すように、X−Y平面におけるメモリホールMHの形状は、例えば、円または楕円である。第2導電層21と絶縁層22との間には、メモリ膜220の一部を構成するブロック絶縁膜21aが設けられていてもよい。ブロック絶縁膜21aは、例えば、シリコン酸化物膜又は金属酸化物膜である。金属酸化物の1つの例は、アルミニウム酸化物である。第2導電層21と絶縁層22との間、および、第2導電層21とメモリ膜220との間には、バリア膜21bが設けられていてもよい。バリア膜21bは、導電層21がタングステンである場合、例えば、窒化チタンとチタンとの積層構造膜が選ばれる。ブロック絶縁膜21aは、導電層21からメモリ膜220側への電荷のバックトンネリングを抑制する。バリア膜21bは、導電層21とブロック絶縁膜21aとの密着性を向上させる。
半導体ボディ210の形状は、例えば、底を有した筒状である。半導体ボディ210は、例えば、シリコンを含む。シリコンは、例えば、アモルファスシリコンを結晶化させたポリシリコンである。半導体ボディ210は、例えば、アンドープトポリシリコンである。また、半導体ボディ210は、p型シリコンであっても良い。半導体ボディ210は、ドレイン側選択トランジスタSTD、メモリセルMCおよびソース側選択トランジスタSTSのそれぞれのチャネルとなる。
メモリ膜220は、ブロック絶縁膜21a以外の部分が、メモリホールMHの内壁と半導体ボディ210との間に設けられている。メモリ膜220の形状は、例えば、筒状である。複数のメモリセルMCは、半導体ボディ210とワード線WLになる第2導電層21との間に記憶領域を有し、Z軸方向に積層されている。メモリ膜220は、例えば、カバー絶縁膜221、電荷捕獲膜222およびトンネル絶縁膜223を含む。半導体ボディ210、電荷捕獲膜222およびトンネル絶縁膜223のそれぞれは、Z軸方向に延びている。
カバー絶縁膜221は、絶縁層22と電荷捕獲膜222との間に設けられている。カバー絶縁膜221は、例えば、シリコン酸化物を含む。カバー絶縁膜221は、犠牲膜(図示せず)を導電層21にリプレースするとき(リプレース工程)、電荷捕獲膜222がエッチングされないように保護する。カバー絶縁膜221は、リプレース工程において、第2導電層21とメモリ膜220との間から除去されてもよい。この場合、図2および図3に示すように、第2導電層21と電荷捕獲膜222との間には、例えば、ブロック絶縁膜21aが設けられる。また、第2導電層21の形成に、リプレース工程を利用しない場合には、カバー絶縁膜221は、なくてもよい。
電荷捕獲膜222は、ブロック絶縁膜21aおよびカバー絶縁膜221とトンネル絶縁膜223との間に設けられている。電荷捕獲膜222は、例えば、シリコン窒化物を含み、膜中に電荷をトラップするトラップサイトを有する。電荷捕獲膜222のうち、ワード線WLとなる導電層21と半導体ボディ210との間に挟まれた部分は、電荷捕獲部としてメモリセルMCの記憶領域を構成する。メモリセルMCのしきい値電圧は、電荷捕獲部中の電荷の有無、または、電荷捕獲部中に捕獲された電荷の量によって変化する。これにより、メモリセルMCは、情報を保持することができる。尚、電荷捕獲膜222は、一つの導電層21と半導体ボディ210との間において周りを絶縁材料で囲まれた導電性材料としたフローティングゲート構造であってもよい。
トンネル絶縁膜223は、半導体ボディ210と電荷捕獲膜222との間に設けられている。トンネル絶縁膜223は、例えば、シリコン酸化物、または、シリコン酸化物とシリコン窒化物とを含む。トンネル絶縁膜223は、半導体ボディ210と電荷捕獲膜222との間の電位障壁である。例えば、半導体ボディ210から電荷捕獲部へ電子を注入するとき(書き込み動作)、および、半導体ボディ210から電荷捕獲部へ正孔を注入するとき(消去動作)、電子および正孔が、それぞれトンネル絶縁膜223の電位障壁を通過(トンネリング)する。
コア層230は、筒状の半導体ボディ210の内部スペースを埋め込む。コア層230の形状は、例えば、柱状である。コア層230は、例えば、シリコン酸化物を含み、絶縁性である。
図4および図5は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図4に示すように、積層体2内には、複数の深いスリットST、および、複数の浅いスリットSHEのそれぞれが設けられている。深いスリットSTは、積層体2内においてX軸方向に延び、積層体2の上端から基体部1にかけて積層体2を貫通している。板状部3は、深いスリットST内に設けられている。板状部3には、例えば、シリコン酸化物が用いられる。板状部3は、積層体2と電気的に絶縁され上層導体層13と電気的に接続された導電物(図示せず)を含んでいてもよい。浅いスリットSHEは、深いスリットSTと同様にX軸方向に延び、積層体2の上端から積層体2の途中まで設けられている。浅いスリットSHE内には、例えば、絶縁物4が設けられている。絶縁物4は、例えば、シリコン酸化物である。
積層体2は、階段部分2sと、メモリセルアレイ2mとを含む。階段部分2sは、積層体2の縁部に設けられている。メモリセルアレイ2mは、階段部分2sによって挟まれ、あるいは、囲まれている。深いスリットSTは、積層体2の一端の階段部分2sから、メモリセルアレイ2mを経て、積層体2の他端の階段部分2sまで設けられている。浅いスリットSHEは、少なくともメモリセルアレイ2mに設けられている。階段部分2sには、第2導電層21(ワード線WL)のそれぞれに接続されるコンタクトプラグ(図示せず)が設けられている。尚,図6以降において、浅いスリットSHEの図示は省略している。
図4の2つの板状部3によって挟まれた積層体2の部分は、フィンガー(FINGER)と呼ばれている。隣接する2つのフィンガーは、ブロック(BLOCK)を構成する。ブロックは、1つのワード線を共有するメモリセルアレイの単位であり、例えば、データ消去の最小単位を構成する。絶縁物4は、フィンガー内に設けられている。板状部3と絶縁物4との間(STとSHEとの間)の積層体2は、ストリング(STRING)と呼ばれている。ドレイン側選択ゲートSGDは、ストリング毎に区切られている。このため、データ書き込みおよび読み出し時に、ドレイン側選択ゲートSGDによりブロック内の1つのストリングを選択状態とすることができる。複数の第1柱状部CLのそれぞれは、図2および図3に示す積層体2内に設けられたメモリホールMH内に設けられている。尚、板状部3は、階段部分2sにおいて分断されている。これより、隣接するフィンガー間(即ち、1つのブロック)においてワード線が共有されている。また、1ブロックに含まれるフィンガー数、並びに、1フィンガーに含まれるストリング数は、特に限定せず、それぞれ任意に設定可能である。
図5に示すように、メモリセルアレイ2mは、セル領域(Cell)及びタップ領域(Tap)を含む。タップ領域は、セル領域同士の間に設けられている。タップ領域は、例えば、セル領域と階段領域との間に設けられていてもよい。タップ領域は、コンタクトプラグ37bおよび37cが設けられる領域である。コンタクトプラグ37bおよび37cのそれぞれは、例えば、Z軸方向に延在している。尚、コンタクトプラグ37b、37cの周囲に設けられている36b、36cは、シリコン酸化膜等の絶縁膜である。絶縁膜36bは、コンタクトプラグ37bと積層体2の第2導電層21との間、並びに、コンタクトプラグ37bと上層導電層13との間を絶縁するために設けられている。絶縁膜36cは、コンタクトプラグ37cと第2導電層21との間を絶縁するために設けられている。
第2コンタクトとしてのコンタクトプラグ37bは、第1導電層(BSL)12、13を貫通してその下の下層配線11aに電気的に接続される。コンタクトプラグ37bは、積層体2の上にあるビット線BL等の上層配線と積層体2の下にある基体部1の回路との間で信号の伝達を行うために設けられている。
一方、第1コンタクトとしてのコンタクトプラグ37cは、第1導電層(BSL)12,13のうち下層導電層12に電気的に接続される。コンタクトプラグ37cは、第1導電層(BSL)12、13にソース電圧を伝達するために設けられている。コンタクトプラグ37cは、セル領域の第1導電層12、13と分断されないように、セル領域の近傍(タップ領域の端部)に配置されている。
図5の破線で示す領域R12_13には、第1導電層12、13が残置されている。セル領域およびコンタクトプラグ37cの下には、第1導電層12、13が設けられている。これにより、第1導電層12、13は、コンタクトプラグ37cからのソース電圧をメモリセルアレイ2mに印加することができる。領域R13には、上層導電層13が残置されているが、下層導電層12は設けられていない。領域R13には、コンタクトプラグ37bが設けられており、コンタクトプラグ37bは、下層導電層12を貫通して下層配線11aに電気的に接続される。
ここで、領域R12_13の第1導電層12、13は、コンタクトプラグ37cからその直近のセル領域までの間のタップ領域に設けられている。また、領域R13の上層導電層13は、コンタクトプラグ37bの周辺に設けられている。しかし、領域R12_13およびR13以外のタップ領域には、第1導電層12、13はともに設けられていない。従って、タップ領域の両側にある2つのセル領域およびそれらに対応するコンタクトプラグ37cにおいて、第1導電層12、13は、分離(分断)されている。即ち、第1導電層12、13はコンタクトプラグ37cのそれぞれの下に個別に分離(分断)されて設けられており、上層導電層13はコンタクトプラグ37bのそれぞれの周辺領域に島状に個別に分離(分断)されて設けられている。尚、コンタクトプラグ37bは、上層導電層13を貫通してその下方の下層配線11aに接続されている。従って、上層導電層13は、コンタクトプラグ37bの周辺領域に設けられているものの、コンタクトプラグ37bの下には設けられていない。
タップ領域の両側にある2つのコンタクトプラグ37cは、第1導電層12、13に共通のソース電圧を供給するので、電気的には接続されていることが好ましい。従って、これらのコンタクトプラグ37cは、積層体2の上方に設けられる上層配線15を介して電気的に接続される。
また、コンタクトプラグ37bを形成する際に、下層導電層12は除かれているものの、上層導電層13は残置されている。これにより、上層導電層13をエッチングストッパとして積層体2にコンタクトプラグ37bのためのコンタクトホールを形成することができる。このように、コンタクトプラグ37bの形成の際に、上層導電層13はエッチングストッパとして機能する。尚、上層導電層13は設けなくてもよい。よって、上層導電層13は、コンタクトプラグ37bの周辺領域に残置される。一方、コンタクトホールは、上層導電層13まで形成された後、さらに下層配線11aまで形成される。従って、コンタクトプラグ37bの直下には、上層導電層13は残置されていない。
このように、本実施形態によれば、第1導電層12、13は、領域R12_13およびR13以外の領域に設けられていない。即ち、コンタクトプラグ37b、37cのそれぞれに対応する上層導電層13または下層導電層12は、コンタクトプラグ37b、37cのそれぞれの領域に個別に分離して設けられている。これにより、コンタクトプラグ37b、37cからの電荷が絶縁膜36b、36cを通過してリークしても、その電荷は、第1導電層12、13を介して他のコンタクトプラグ37b、37cへリークしない。
図6は、図5の6−6線に沿った断面図を示す。図7は、図5の7−7線に沿った断面図である。コンタクトプラグ37bは、積層体2および上層導電層13を介して下層配線11aに接続されている。絶縁膜36bは、コンタクトプラグ37bの周囲に設けられ、コンタクトプラグ37bと第2導電層21との間、コンタクトプラグ37bと上層導電層13との間を電気的に分離している。上層導電層13と下層配線層11aとの間には、絶縁膜36bは設けられていても、設けられていなくてもよい。コンタクトプラグ37bの下や周辺には、下層導電層12は設けられていない。即ち、コンタクトプラグ37bの周辺領域では、上層導電層13の下に下層導電層12は設けられておらず、絶縁膜17が設けられている。上層導電層13は、コンタクトホールの形成工程においてエッチングストッパとして機能する。上層導電層13は、例えば、ドープトポリシリコン層であってもよく、ポリシリコンと絶縁膜との積層膜であってもよい。このように、コンタクトプラグ37bは、積層体2および第1導電層12、13から絶縁されながら、下層配線11aに接続される。これにより、コンタクトプラグ37bは、積層体2の上にあるビット線BL等の上層配線と、積層体2の下にある基体部1の回路との間で信号の伝達を行うことができる。
コンタクトプラグ37cは、積層体2を介して下層導電層12に接続されている。コンタクトプラグ37cは、第1導電層12、13に電気的に接続される。絶縁膜36cは、コンタクトプラグ37cの周囲に設けられ、コンタクトプラグ37cと第2導電層21との間を電気的に分離している。第1導電層12、13は、コンタクトプラグ37cの下や周辺に設けられている。下層導電層12は、例えば、タングステンシリサイド層であってもよく、他の導電性金属材料層であってもよい。このように、コンタクトプラグ37cは、積層体2から絶縁されながら、第1導電層12、13に電気的に接続される。これにより、コンタクトプラグ37cは、第1導電層12、13およびセル領域にソース電圧を与えることができる。即ち、第1導電層12、13は、埋め込みソース線(BSL)として機能する。
ここで、図5を参照して説明したように、第1導電層12、13あるいはその一部は、タップ領域において、コンタクトプラグ37b、37cの周辺またはその下(即ち、領域R12_13,R13)に設けられている。しかし、第1導電層12、13は、領域R12_13,R13以外のタップ領域には設けられていない。従って、絶縁膜36b、36cが破壊されても、コンタクトプラグ37b、37cからの電荷は第1導電層12、13へリークしない。即ち、本実施形態による半導体記憶装置100は、コンタクトプラグ37b、37cが第1導電層12、13を介して他のコンタクトプラグ37b、37cに短絡することを抑制できる。
尚、図6のスリットSTは、積層体2をZ方向に貫通しており、絶縁膜で埋め込まれている。図7のメモリホールMHには、図2および図3の構造が形成されている。メモリホールMH内の第1柱状部CLは、第1導電層12、13に接続されており、第1導電層12、13からソース電圧を受けることができる。
次に、第1実施形態による半導体記憶装置100の製造方法について説明する。
図8(A)〜図18(B)は、第1実施形態による半導体記憶装置100の製造方法の一例を示す断面図である。図8〜図18の(A)の図は、図6の断面に対応し、図8〜図18の(B)の図は、図7の断面に対応する。
図8(A)および図8(B)に示すように、素子分離領域10iを基板10内に形成し、トランジスタTrを、アクティブエリアAA内に形成する。次に、第1絶縁膜11を、基板10上に形成する。第1絶縁膜11は、例えば、層間絶縁膜であり、下層配線11aを被覆する。下層配線11aは、例えば、多層配線層であり、配線11aaと、配線11aaの上方に設けられた配線11abとを含む。次に、配線11ab上に、絶縁膜11dを形成する。絶縁膜11dは、例えば、シリコン酸化物を含む。次に、下層導電層12を、絶縁膜11d上に形成する。
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、下層導電層12を加工する。下層導電層12は、図6および図7のコンタクトプラグ37bの直下およびその周辺領域において除去される。即ち、図5のコンタクトプラグ37bの形成領域(R13)にある下層導電層12が除去される。この段階では、まだ、下層導電層12は、タップ領域における複数のコンタクトプラグ37c間において分離されていない。図9(A)および図9(B)に示すように、下層導電層12が除去された領域R13には、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁物12aが埋め込まれる。
次に、図10(A)および図10(B)に示すように、半導体層131、中間膜13a、犠牲膜13b、中間膜13cおよび半導体層133を、第1導電膜12および絶縁膜31上にこの順番で堆積する。半導体層131は、例えば、n形のドープトシリコンを含む。中間膜13a、13cは、例えば、シリコン酸化物を含む。犠牲膜13bおよび半導体層133は、例えば、n形のドープトシリコン、あるいはアンドープシリコンを含む。以下、半導体層131、中間膜13a、犠牲膜13b、中間膜13cおよび半導体層133は、まとめて上層導電層13とも呼ぶ。
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図11(A)および図11(B)に示すように、上層導電層13および下層導電層12を加工する。このとき、上層導電層13および下層導電層12は、図6および図7のコンタクトプラグ37b、37cの直下およびその周辺領域以外の領域において除去される。即ち、図5のコンタクトプラグ37b、37cの形成領域(R13およびR12_13)以外の領域にある上層導電層13および下層導電層12が除去される。下層導電層12は、上層導電層13をマスクとして加工されてもよい。つまり、この工程において、上層導電層13および下層導電層12は、同一マスクにて加工される。このエッチング工程において、上層導電層13および下層導電層12は、タップ領域における複数のコンタクトプラグ37b、37c間において除去される。これにより、コンタクトプラグ37b、37cは、それぞれ上層導電層13および下層導電層12において分離される。
尚、図9(A)および図9(B)に示すエッチング工程において、下層導電層12が除去された領域R13上には、上層導電層13が残置されている。即ち、コンタクトプラグ37bの形成領域R13において、下層導電層12は除去されているものの、エッチングストッパとして機能する上層導電層13は絶縁物12a上に残置される。
尚、図9(A)および図9(B)に示すエッチング工程において、下層導電層12が除去された領域R13上には、上層導電層13が残置されている。即ち、コンタクトプラグ37bの形成領域R13において、下層導電層12は除去されているものの、エッチングストッパとして機能する上層導電層13は絶縁物12a上に残置される。
また、本実施形態によれば、上層配線15でコンタクトプラグ37c間を接続するため、下層導電層12でコンタクトプラグ37cを接続する必要が無い。従って、同一マスクで上層導電層13および下層導電層12を一度にエッチングすることができる。即ち、上層導電層13のみのパターニング工程が不要となる。
次に、図12(A)および図12(B)に示すように、絶縁膜2gを、上層導電層13上に形成する。絶縁膜2gは、例えば、シリコン酸化物、あるいは金属酸化物を含む。次に、半導体層134を、絶縁膜2g上に形成する。半導体層134は、例えば、n形のドープトシリコンを含む。半導体層134は、後に、ソース側選択ゲートSGSのゲート電極となる。次に、半導体層134上に、絶縁層22bを形成する。続いて、絶縁層22b上に、犠牲膜23と絶縁層22とを交互に積層する。絶縁層22および22bのそれぞれは、例えば、シリコン酸化物を含む。犠牲膜23は、例えば、シリコン窒化物を含む。これにより、上層導電層13に対してZ軸方向に積層された積層体2が得られる。
次に、図12(B)に示すように、積層体2にメモリホールMHを形成する。積層体2に含まれる犠牲膜23および絶縁層22の数が多くなると、メモリホールMHのアスペクト比が大きくなる。従って、メモリホールMHおよび第1柱状部CLは、積層体2の下層部と上層部とで複数回に分けて形成してもよい。例えば、積層体2の下層部を積層した後、第1柱状部CLの下層部を積層体2に形成し、さらに、積層体2の下層部上に積層体2の上層部を積層した後、第1柱状部CLの上部を積層体2の上層部に形成すればよい。
第1柱状部CLの上部を形成する際には、メモリホールMHは、積層体2の下層部に設けられた第1柱状部CLの下部まで達するように形成される。さらに、メモリホールMH内に、第1柱状部CLが形成される。これにより、第1柱状部CLは、全体として、積層体2の最上層から上層導電層13まで達するように、積層体2内にZ方向に設けられる。第1柱状部CLは、セル領域に設けられる。尚、図12(B)以降の図では、第1柱状部CLの詳細な構成の図示を省略している。
次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図13(A)および図13(B)に示すように、コンタクトプラグ37bの形成領域にコンタクトホールC4_D2を形成し、コンタクトプラグ37cの形成領域にコンタクトホールCPを形成する。コンタクトホールC4_D2は、積層体2の最上層から上層導電層13を貫通して下層配線11aに達するコンタクトホールである。コンタクトホールCPは、積層体2の最上層から上層導電層13を貫通して下層導電層12に達するコンタクトホールである。
ここで、コンタクトホールC4_D2、CPを形成する際に、コンタクトプラグ37b、37cの形成領域には、積層体2の下方に上層導電層13が残置されている。上層導電層13は、シリコン酸化膜とポリシリコンとの積層膜(133、13a、13b、13c、131)を有し、エッチングストッパとして機能する。従って、コンタクトホールC4_D2、CPは、積層体2から上層導電層13まで高速でエッチングし、上層導電層13に達した後、配線11abまたは下層導電層12まで低速でエッチングする。これにより、コンタクトホールC4_D2、CPを精度良く、所望の深さおよび所望の大きさに形成することができる。尚、コンタクトプラグ37bの形成領域には導電層13は無くてもよい。この場合、コンタクトホールC4 D2、CPの形成時に、積層体2から配線11abまたは下層導電層12まで高速でエッチングすることができる。これにより、コンタクトホールC4 D2、CPのエッチング時間を短縮することができる。
次に、図14(A)および図14(B)に示すように、コンタクトホールC4_D2、Cpの内面に絶縁膜36b、36cを形成する。さらに、コンタクトホールC4_D2、Cpの内部に、コンタクトプラグ37b、37cが形成される。絶縁膜36b、36cは、例えば、シリコン酸化膜である。コンタクトプラグ37b、37cは、例えば、タングステン等の導電性金属でよい。これにより、コンタクトプラグ37bは、第1導電層12、13から絶縁されたまま、配線11abに電気的に接続される。コンタクトプラグ37cは、第1導電層12、13の下層導電層12に電気的に接続される。
次に、図15(A)に示すようにスリットSTを形成する。スリットSTは、積層体2の最上層から上層導電層13の犠牲膜13bに達するように形成される。尚、図15(A)では、スリットSTは、絶縁膜12b上にあるが、他の断面において、犠牲膜13bに通じている(図示せず)。次に、スリットSTの内面に絶縁膜24を形成する。絶縁膜24は、例えば、シリコン窒化膜を含む。
次に、スリットSTを介して犠牲膜13cを等方的にエッチングする。このとき、犠牲膜13cが、例えば、ポリシリコンであれば、スリットST内の絶縁膜24に対して選択的にエッチングされる。次に、図示しないが、第1柱状部CLのカバー絶縁膜221、電荷捕獲膜222およびトンネル絶縁膜223(図2および図3参照)を除去する。このとき、中間膜13a、13cも同時にエッチングされる。これにより、図16(B)に示すように、空洞部25が第1柱状部CLの半導体ボディ210の周囲に形成される。
尚、図16(A)および図16(B)では、コンタクトプラグ37b、37cの形成領域には、中間層13a、13cおよび犠牲膜13bが残置されている。しかし、空洞部25は、スリットSTを介して図5の領域R12_13全体に設けられてもよい。従って、領域R12_13にあるコンタクトプラグ37cの形成領域の中間層13a、13cおよび犠牲膜13bは除去され、空洞部25が形成されてもよい。
次に、図17(A)および図17(B)に示すように、スリットSTを介して、空洞部25内に導電層26を埋め込む。導電層26は、例えば、n形のドープトシリコンである。導電層26は、第1柱状部CLの半導体ボディ210に電気的に接続される。これにより、半導体ボディ210と第1導電層(BSL)12、13とが電気的に接続される。その結果、第1導電層(BSL)12、13が、メモリセルMCのチャネル領域となる半導体ボディ210にソース電圧を印加することができる。
次に、スリットST内の絶縁膜24を除去して、積層体2の犠牲膜23をエッチングし除去する。犠牲膜23は、例えば、シリコン窒化膜であり、熱リン酸溶液でウェットエッチングされる。これにより、絶縁層22を残置させたまま、犠牲膜23を選択的に除去することができる。さらに、犠牲膜23が除去された空間に、第2導電層21の材料(例えば、タングステン)が埋め込まれる。これにより、図18(A)および図18(B)に示すように、積層体2の犠牲膜23が第2導電層21に置換される。
次に、スリットSTをシリコン酸化膜等の絶縁膜で充填し、板状部3を形成する。
次に、積層体2上に多層配線層を形成する。これより、図18(A)および図18(B)に示す構造が得られる。ここで、図5を参照して説明したように、第1導電層12、13は、コンタクトプラグ37cの領域12_13のそれぞれにおいて個別に分離されている。コンタクトプラグ37cは、共通ソース電圧を伝達するコンタクトであるので、互いに接続する必要がある。そこで、本実施形態では、複数のコンタクトプラグ37cを上層配線15で接続している。上層配線15は、積層体2の上方に形成される配線であり、上層コンタクト38を介してコンタクトプラグ37cに電気的に接続されている。
その後、ビット線BL等を形成することによって、図1に示す半導体記憶装置100が完成する。
本実施形態によれば、図5の領域R12_13の第1導電層12、13は、コンタクトプラグ37cから直近のセル領域までの間のタップ領域に延在している。また、領域R13の上層導電層13は、コンタクトプラグ37bのそれぞれの周辺に設けられている。一方、領域R12_13およびR13以外のタップ領域には、第1導電層12、13は設けられていない。従って、タップ領域の両側にある2つのセル領域およびそれらに対応するコンタクトプラグ37cの領域R12_13の第1導電層12、13は、互いに分離(分断)されている。また、上層導電層13は、各コンタクトプラグ37bの周辺領域に島状に分離(分断)されて設けられている。従って、コンタクトプラグ37b、37cは、第1導電層12、13を介して、他のコンタクトプラグ37bあるいは37cに短絡しない。これにより、本実施形態による半導体記憶装置100は、コンタクトプラグ37b、37cからの電荷のリークを抑制することができる。
また、上層配線15がコンタクトプラグ37cを接続するため、下層導電層12でコンタクトプラグ37cを接続する必要が無く、同一マスクで上層導電層13および下層導電層12を一度にエッチングすることができる。従って、上層導電層13のみのパターニング工程が不要となる。
また、コンタクトプラグ37b、37cを形成する際に、上層導電層13は残置されている。これにより、上層導電層13は、コンタクトプラグ37b、37cの形成時におけるエッチングストッパとして機能する。
(変形例)
第1実施形態による下層導電層12には、例えば、タングステンシリサイド等の金属シリサイドあるいは金属材料を用いている。これに対し、第2実施形態による下層導電層12には、上層導電層13の半導体層131と同様に、半導体材料が用いられている。例えば、下層導電層12には、n型のドープトシリコンが用いられる。これにより、下層導電層12は、上層導電層13の半導体層131と一体の半導体層となる。このように、下層導電層12には、金属シリサイドあるいは金属材料に代えて、ドープトポリシリコンを用いてもよい。このようにしても、第2実施形態は、本実施形態の効果を得ることができる。
第1実施形態による下層導電層12には、例えば、タングステンシリサイド等の金属シリサイドあるいは金属材料を用いている。これに対し、第2実施形態による下層導電層12には、上層導電層13の半導体層131と同様に、半導体材料が用いられている。例えば、下層導電層12には、n型のドープトシリコンが用いられる。これにより、下層導電層12は、上層導電層13の半導体層131と一体の半導体層となる。このように、下層導電層12には、金属シリサイドあるいは金属材料に代えて、ドープトポリシリコンを用いてもよい。このようにしても、第2実施形態は、本実施形態の効果を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
100 半導体記憶装置、1 基体部、2 積層体、CL 第1柱状部、BL ビット線、WL ワード線、10 基板、11第1絶縁膜、11a 下層配線、12,13 第1導電層(下層導電層、上層導電層)、MH メモリホール、ST スリット、37b,37c コンタクトプラグ
Claims (6)
- 基板、前記基板上に設けられた半導体素子、前記半導体素子の上方に設けられた下層配線層、および、前記下層配線層の上方に設けられた第1導電層を含む基体部と、
前記第1導電層の上方に設けられ、交互に積層された複数の第2導電層および複数の絶縁層を含む積層体と、
前記積層体の積層方向に延在し前記第1導電層と電気的に接続された半導体ボディ、および、前記複数の導電層と前記半導体ボディとの間に電荷捕獲部を有するメモリ膜を含む第1柱状部と、
前記積層体の積層方向に延在し、前記第1導電層に電気的に接続された複数の第1コンタクトとを備え、
前記第1導電層は、前記複数の第1コンタクトのそれぞれの下に分離されて設けられている、半導体記憶装置。 - 前記積層体の積層方向に延在し、前記下層配線層に電気的に接続された複数の第2コンタクトをさらに備え、
前記第1導電層は、前記第2コンタクトのそれぞれの周辺領域に分離されて設けられているが、該第2コンタクトの下には設けられていない、請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1導電層は、上層導電層と下層導電層とを含み、
前記上層導電層は、前記第1および第2コンタクトの周辺領域に設けられており、
前記下層導電層は、前記第1コンタクトの下には設けられておらず、前記第2コンタクトの下に設けられている、請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記上層導電層は、ドープトポリシリコン層であり、
前記下層導電層は、金属層または金属シリサイド層である、請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記上層導電層および前記下層導電層は、ドープトポリシリコン層である、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記積層体の上方に設けられ、前記複数の第2コンタクトを電気的に接続する上層配線層をさらに備えた、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018162067A JP2020035932A (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 半導体記憶装置 |
US16/286,207 US10700082B2 (en) | 2018-08-30 | 2019-02-26 | Semiconductor storage device |
US16/884,347 US11127754B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-05-27 | Semiconductor storage device |
US17/407,520 US20210384215A1 (en) | 2018-08-30 | 2021-08-20 | Semiconductor storage device |
US18/179,533 US20230209833A1 (en) | 2018-08-30 | 2023-03-07 | Semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018162067A JP2020035932A (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020035932A true JP2020035932A (ja) | 2020-03-05 |
Family
ID=69641702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018162067A Pending JP2020035932A (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10700082B2 (ja) |
JP (1) | JP2020035932A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021177066A1 (ja) | 2020-03-03 | 2021-09-10 | ダイキン工業株式会社 | 作業支援装置、作業支援プログラム、端末及び作業支援方法 |
US11917824B2 (en) | 2020-08-20 | 2024-02-27 | Kioxia Corporation | Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017008330T5 (de) | 2017-12-27 | 2020-09-03 | Intel Corporation | Integrierte schaltungen (ics) mit elektromigrations (em) -resistenten segmenten in einer verbindungsebene |
US10971393B2 (en) * | 2017-12-27 | 2021-04-06 | Intel Corporation | Metal-insulator-metal (MIM) structure supporting high voltage applications and low voltage applications |
CN111133599A (zh) | 2017-12-27 | 2020-05-08 | 英特尔公司 | 多层金属-绝缘体-金属(mim)结构 |
WO2019132889A1 (en) | 2017-12-27 | 2019-07-04 | Intel Corporation | Integrated circuits with line breaks and line bridges within a single interconnect level |
US11600519B2 (en) * | 2019-09-16 | 2023-03-07 | International Business Machines Corporation | Skip-via proximity interconnect |
KR20210036134A (ko) * | 2019-09-25 | 2021-04-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20210115524A (ko) * | 2020-03-13 | 2021-09-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2022041320A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US20230170024A1 (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-01 | Micron Technology, Inc. | Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014186775A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
KR102171263B1 (ko) * | 2014-08-21 | 2020-10-28 | 삼성전자 주식회사 | 제어된 다결정 반도체 박막을 포함하는 집적회로 소자 및 그 제조 방법 |
US9431419B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method for manufacturing same |
JP6515046B2 (ja) | 2016-03-10 | 2019-05-15 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR102604053B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2023-11-20 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 |
-
2018
- 2018-08-30 JP JP2018162067A patent/JP2020035932A/ja active Pending
-
2019
- 2019-02-26 US US16/286,207 patent/US10700082B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-27 US US16/884,347 patent/US11127754B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-20 US US17/407,520 patent/US20210384215A1/en not_active Abandoned
-
2023
- 2023-03-07 US US18/179,533 patent/US20230209833A1/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021177066A1 (ja) | 2020-03-03 | 2021-09-10 | ダイキン工業株式会社 | 作業支援装置、作業支援プログラム、端末及び作業支援方法 |
US11917824B2 (en) | 2020-08-20 | 2024-02-27 | Kioxia Corporation | Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200075618A1 (en) | 2020-03-05 |
US11127754B2 (en) | 2021-09-21 |
US10700082B2 (en) | 2020-06-30 |
US20230209833A1 (en) | 2023-06-29 |
US20210384215A1 (en) | 2021-12-09 |
US20200295026A1 (en) | 2020-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11127754B2 (en) | Semiconductor storage device | |
TWI729348B (zh) | 半導體記憶裝置 | |
TW201733020A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2015060874A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
TWI776337B (zh) | 半導體記憶裝置及其製造方法 | |
JP2013098391A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2019050243A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
KR20210058562A (ko) | 수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
CN113571526B (zh) | 半导体存储装置 | |
JP2022041699A (ja) | 半導体装置 | |
JP2021190536A (ja) | 半導体ウェハ、半導体チップおよびダイシング方法 | |
TWI768642B (zh) | 半導體記憶裝置 | |
US20220238432A1 (en) | Semiconductor device | |
TWI797890B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2018163965A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
TW202337011A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2023039629A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2023102122A (ja) | 半導体装置 | |
JP2022143319A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |