JP2020025078A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020025078A5
JP2020025078A5 JP2019097691A JP2019097691A JP2020025078A5 JP 2020025078 A5 JP2020025078 A5 JP 2020025078A5 JP 2019097691 A JP2019097691 A JP 2019097691A JP 2019097691 A JP2019097691 A JP 2019097691A JP 2020025078 A5 JP2020025078 A5 JP 2020025078A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
recess
layer
forming
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019097691A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7257883B2 (ja
JP2020025078A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to CN201910660252.XA priority Critical patent/CN110783187B/zh
Priority to TW108125906A priority patent/TWI841579B/zh
Priority to KR1020190089863A priority patent/KR102799170B1/ko
Priority to US16/521,080 priority patent/US11239090B2/en
Publication of JP2020025078A publication Critical patent/JP2020025078A/ja
Priority to US17/560,228 priority patent/US12308241B2/en
Publication of JP2020025078A5 publication Critical patent/JP2020025078A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7257883B2 publication Critical patent/JP7257883B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2019097691A 2018-07-25 2019-05-24 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 Active JP7257883B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910660252.XA CN110783187B (zh) 2018-07-25 2019-07-22 等离子体处理方法和等离子体处理装置
TW108125906A TWI841579B (zh) 2018-07-25 2019-07-23 電漿處理方法及電漿處理裝置
KR1020190089863A KR102799170B1 (ko) 2018-07-25 2019-07-24 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US16/521,080 US11239090B2 (en) 2018-07-25 2019-07-24 Plasma processing method and plasma processing apparatus
US17/560,228 US12308241B2 (en) 2018-07-25 2021-12-22 Plasma processing method and plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018139450 2018-07-25
JP2018139450 2018-07-25

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020025078A JP2020025078A (ja) 2020-02-13
JP2020025078A5 true JP2020025078A5 (https=) 2022-05-31
JP7257883B2 JP7257883B2 (ja) 2023-04-14

Family

ID=69619505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019097691A Active JP7257883B2 (ja) 2018-07-25 2019-05-24 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7257883B2 (https=)
TW (1) TWI841579B (https=)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11417527B2 (en) * 2020-08-28 2022-08-16 Tokyo Electron Limited Method and device for controlling a thickness of a protective film on a substrate
KR102366555B1 (ko) * 2021-01-05 2022-02-23 주식회사 이지티엠 핵성장 지연을 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
US20230154753A1 (en) * 2021-11-17 2023-05-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Patterned Semiconductor Device and Method
JP2023118554A (ja) * 2022-02-15 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の形成方法及び成膜装置
WO2024243318A1 (en) * 2023-05-25 2024-11-28 Lam Research Corporation Cyclic etching and deposition to control film profile
WO2026038303A1 (ja) * 2024-08-13 2026-02-19 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び処理システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041389A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP4537721B2 (ja) * 2004-02-02 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 成膜方法
US7829465B2 (en) * 2006-08-09 2010-11-09 Shouliang Lai Method for plasma etching of positively sloped structures
JP2008198659A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法
JP2008305921A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5444961B2 (ja) * 2009-09-01 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US8574447B2 (en) * 2010-03-31 2013-11-05 Lam Research Corporation Inorganic rapid alternating process for silicon etch
JP6001940B2 (ja) * 2012-07-11 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 パターン形成方法及び基板処理システム
US8999783B2 (en) * 2013-02-06 2015-04-07 Infineon Technologies Austria Ag Method for producing a semiconductor device with a vertical dielectric layer
JP6346115B2 (ja) * 2015-03-24 2018-06-20 東芝メモリ株式会社 パターン形成方法
JP6367151B2 (ja) * 2015-06-05 2018-08-01 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP6759004B2 (ja) * 2016-08-29 2020-09-23 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020025078A5 (https=)
JP6924648B2 (ja) ホウ素含有ガスおよびフッ化水素ガスを使用した原子層エッチング
KR102774973B1 (ko) 기판 처리 장치
US10593572B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US8383522B2 (en) Micro pattern forming method
JP7320646B2 (ja) 被処理体を処理する方法
CN111354625A (zh) 多层结构的制备方法
TW202514274A (zh) 光阻乾式沉積用設備
JP6541618B2 (ja) 被処理体を処理する方法
JP2022514171A (ja) 半導体処理のためのチャンバ構成部品のインサイチュ保護被膜
JPWO2003104524A1 (ja) 処理装置及び処理方法
JP7024087B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法
JP5632240B2 (ja) 微細パターンの形成方法
CN109417029B (zh) 对被处理体进行处理的方法
JP6757624B2 (ja) 被処理体を処理する方法
CN107026081A (zh) 对被处理体进行处理的方法
JP2018182310A (ja) 被処理体を処理する方法
TWI809020B (zh) 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
US9514935B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and program
TWI820170B (zh) 電漿處理方法及電漿處理裝置
CN110777361B (zh) 等离子体处理方法和等离子体处理装置
JP2020184552A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2017022233A (ja) 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置の運転方法
TWI829810B (zh) 基板處理方法
CN107924820B (zh) 基板处理方法