JP6367151B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のシーケンスの一例を示す流れ図、図2A〜図2Fは、図1に示すシーケンス中の半導体装置の状態を概略的に示す断面図である。
次に、この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のシーケンスの一例を適用した、より具体的な半導体装置の製造方法の例を一実施例として説明する。
Claims (5)
- (1) 被処理体の被処理面上に、内部に電気的配線を含み、表面に絶縁物が露呈している複数の配線パターンを形成する工程と、
(2) 前記複数の配線パターンを、前記絶縁物とは異なる第1の薄膜で覆う工程と、
(3) 前記複数の配線パターンが形成されている前記被処理体の被処理面に、層間絶縁膜を形成する工程と、
(4) 前記層間絶縁膜に、前記絶縁物よりも前記第1の薄膜の方がエッチングレートが遅いエッチング条件で、前記複数の配線パターン間に自己整合する開孔を形成する工程と、
(5) 前記開孔内を、導電物で埋め込む工程と、
(6) 前記(1)工程と前記(2)工程との間に行われる、前記複数の配線パターン間の、前記被処理体の被処理面に、前記絶縁物とは異なる第2の薄膜を形成する工程と、
を具備し、
前記第1の薄膜は、前記絶縁物上におけるインキュベーション時間と、前記第2の薄膜上におけるインキュベーション時間との差を利用し、前記複数の配線パターン上に対して選択的に成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記被処理体の被処理面は半導体であり、
前記複数の配線パターン間の、前記被処理体の被処理面にはドナー又はアクセプタとなる不純物が拡散された拡散層が存在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(4)工程と前記(5)工程との間に、
(7) 前記開孔内に存在する前記第1の薄膜を除去する工程
を、さらに備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の薄膜が導電体もしくは半導体であるとき、前記(7)工程の後、
(8) 前記第1の薄膜のうち、前記開孔内に露呈する部分を絶縁体化する工程
を、さらに備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁物はシリコン窒化物であり、
前記第1の薄膜はシリコンであり、
前記第2の薄膜はシリコン酸化物である
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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