JP2020013853A - インダクタ部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】小型低背化に適したインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品１は、樹脂を含む第１磁性層１１及び第２磁性層１２と、第１主面６１ａが第１磁性層１１と密着し、第２主面６１ｂの上方に第２磁性層１２が配置された焼結体の基板６１と、第２磁性層１２と基板６１との間に配置された第１スパイラル配線２１とを備える。【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開２０１３−２２５７１８号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、絶縁基板と、絶縁基板の主面に形成されたスパイラル導体と、スパイラル導体を覆う磁性体を含有しない絶縁層と、絶縁基板の上面側および裏面側を覆う上部磁性層および下部磁性層と、一対の端子電極とを備える。絶縁基板は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた一般的なプリント基板材料であり、絶縁基板の大きさは、２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×０．３ｍｍである。上部磁性層および下部磁性層は、磁性粉を含有する樹脂からなる。
また、特開２００７−３０５８２４号公報（特許文献２）には、シート状の素体と、素体内に形成されたコイルを構成する平面コイルと、コイルの最外周部に形成された端子とを備えるインダクタ部品が記載されている。素体は、フォトレジストによる絶縁層の積層体である。端子の一部は、磁性体からなる。素体におけるコイルの内周方向には、磁性体からなる磁性中脚部が形成されている。なお、このインダクタ部品は、シリコン等の基板上に素体等を積層した後、フッ酸処理等により基板を除去して形成している。
特開２０１３−２２５７１８号公報 特開２００７−３０５８２４号公報
ところで、特許文献１では、絶縁基板の両面にスパイラル導体を形成しているため、スパイラル導体を形成した後に、絶縁基板を加工することができない。よって、スパイラル導体などの積層物を安定して形成するための絶縁基板の厚み（具体的には０．３ｍｍ）を確保してしまうと、インダクタ部品の低背化が困難となり、一方、インダクタ部品の低背化が可能な厚みの絶縁基板とすると、スパイラル導体などの積層物を安定して形成することが困難となる。すなわち、インダクタ部品の加工性と低背化を両立することが難しい。
また、特許文献２では、基板上に素体等の積層物を形成した後に基板を除去するため、特許文献１に比べると加工性と低背化のトレードオフは改善される。しかし、基板を除去する際のプロセスにより、基板の残渣を完全に排除するために、残った積層物側の一部が除去されてしまう可能性が高く、例えば素体の一部が除去されることによる強度や絶縁性の低下、平面コイルの一部が除去されることによる直流電気抵抗（Ｒｄｃ）の低下、磁性体端子や磁性中脚部の一部が除去されることによるインダクタンス（Ｌ）の低下などが発生し得る。さらに、この積層物側の除去量は、量産時には除去プロセスごとにばらつく可能性があり、上記強度、絶縁性、Ｒｄｃ、Ｌ、部品の高さ寸法などの量産ばらつきを増加し得る。
以上のように、従来のインダクタ部品は、小型低背化に適した構成とは言えない。
そこで、本開示の課題は、小型低背化に適したインダクタ部品を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
樹脂を含む第１磁性層及び第２磁性層と、
第１主面が前記第１磁性層と密着し、第２主面の上方に前記第２磁性層が配置された焼結体の基板と、
前記第２磁性層と前記基板との間に配置されたスパイラル配線と
を備える。
ここで、密着とは、間に他の構成要素を介さずに接する構成をいい、例えば上記においては、基板の第１主面が第１磁性層と直接接する構成をいう。また、上方とは、上記密着する場合、間に他の構成要素を介する場合のいずれも含めて上側に位置する構成をいい、例えば上記においては、第２主面が第２磁性層と直接接してもよいし、第２主面と第２磁性層との間に他の構成要素を介してもよい。
本開示のインダクタ部品によれば、第２磁性層やスパイラル配線といった第２主面の上方の積層物は焼結体であって安定した基板の第２主面上に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、基板の第１主面が第１磁性層と密着しているので、第１主面にはスパイラル配線が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板の厚みをある程度確保した場合であっても、基板は、第１主面側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品の形成精度と低背化とを両立できる。
また、基板は完全には除去されていないことから、上記加工からスパイラル配線などの積層物を保護でき、Ｒｄｃなどの量産ばらつきを抑制できる。
さらに、基板の加工量という調整要素を製造プロセスに加えることによって、インダクタ部品の強度、Ｌ、高さ寸法などの設計自由度を向上できるとともに、これらの量産ばらつきを低減できる。
ここで、スパイラル配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記基板は、磁性体である。
前記実施形態によれば、インダクタ部品における磁性体の領域が増えるため、Ｌを向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、樹脂に含有された金属磁性粉を含み、
前記基板は、フェライトの焼結体である。
前記実施形態によれば、金属磁性粉を含む第１磁性層及び第２磁性層により、直流重畳特性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、さらにフェライト粉を含む。
前記実施形態によれば、比透磁率の高いフェライトを含むことにより、第１磁性層及び第２磁性層の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層の厚みと前記第２磁性層の厚みの合計は、前記基板の厚みよりも大きい。
前記実施形態によれば、樹脂を含む磁性層の割合が大きくなることで、インダクタ部品の応力吸収性が向上し、信頼性が向上する。また、第１磁性層及び第２磁性層が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品の直流重畳特性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層の厚みと前記第２磁性層の厚みは、いずれも、前記基板の厚みよりも厚い。
前記実施形態によれば、樹脂を含む磁性層の割合が一層大きくなることで、インダクタ部品の応力吸収性が一層向上し、信頼性が一層向上する。また、第１磁性層及び第２磁性層が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品の直流重畳特性を一層向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層の電気抵抗率及び前記第２磁性層の電気抵抗率は、前記基板の電気抵抗率より高い。
前記実施形態によれば、電気抵抗率が高い部分を含むことで、材料に由来する損失である鉄損を小さくできる。なお、上記において、第１磁性層、第２磁性層及び基板の電気抵抗率は、１．０Ｖにおける単位長さあたりの電気抵抗と断面積の積を基準とする。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記基板の前記第１主面と前記第２主面を接続する側面の少なくとも一部は、前記第１磁性層又は前記第２磁性層に覆われている。
前記実施形態によれば、樹脂を含む磁性層の割合が大きくなることで、インダクタ部品の応力吸収性が向上し、信頼性が向上する。また、第１磁性層及び第２磁性層が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品の直流重畳特性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記基板は、クラック部を有する。
前記実施形態によれば、クラック部において応力開放がなされ、インダクタ部品の衝撃耐性が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記基板の前記第２主面上に配置された絶縁層をさらに備え、
前記スパイラル配線は、前記絶縁層上に形成されている。
前記実施形態によれば、スパイラル配線の絶縁性が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記絶縁層上に配置された第２絶縁層をさらに備え、前記スパイラル配線は、前記第２絶縁層に被覆されている。
前記実施形態によれば、スパイラル配線の絶縁性が一層向上する。なお、絶縁層と第２絶縁層は一体化していてもよい。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、前記基板の前記第２主面上に配置されている。
前記実施形態によれば、スパイラル配線と基板の第２主面との間に絶縁層などの他の構成要素を介さないため、同体積でのＬやＲｄｃなどの特性向上や同特性を維持した低背化などを実現できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
前記第１導体層の厚みは、０．５μｍ以上である。
前記実施形態によれば、第１導体層の厚みによって、基板の凹凸を吸収でき、第２導体層の形成・加工が容易になるので、インダクタ部品の形成精度が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
前記第１導体層のＮｉ含有率は、５．０ｗｔ％以下である。
前記実施形態によれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れ、スパイラル配線内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線のＲｄｃが低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
前記第１導体層の側面のテーパー角度は、前記第２導体層の側面のテーパー角度よりも大きい。
前記実施形態によれば、スパイラル配線の側面における第２磁性層の充填性が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、積層方向に複数配列され、前記複数のスパイラル配線は、直列接続されている。
前記実施形態によれば、Ｌを向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、同一平面上に複数配置され、
同一平面上で隣り合う前記スパイラル配線は、互いに対向する側面を有し、前記各側面の少なくとも一部は、前記第２磁性層と接しており、
隣り合う前記スパイラル配線の間には、絶縁層が配置されている。
前記実施形態によれば、隣り合うスパイラル配線の間の絶縁性、耐電圧が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、前記インダクタ部品の積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部を有する。
前記実施形態によれば、スパイラル配線は露出部を有することで、製造時の静電破壊耐性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記露出部の露出面の厚みは、前記スパイラル配線の厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。
前記実施形態によれば、露出面の厚みがスパイラル配線の厚み以下であることにより、磁性層の割合を増やすことができ、Ｌを向上できる。また、露出面の厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記露出面は、酸化膜である。
前記実施形態によれば、インダクタ部品とその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、小型低背化に適したインダクタ部品を実現できる。
第１実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 スパイラル配線の好ましい形態を示す拡大断面図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第２実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第３実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第３実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第４実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第４実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第５実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第５実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ断面図である。
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
図１Ａと図１Ｂに示すように、インダクタ部品１は、基板６１と、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、絶縁層１５と、スパイラル配線２１と、垂直配線５１、５２と、外部端子４１，４２と、被覆膜５０とを有する。
基板６１は、平板状であり、インダクタ部品１の製造プロセス上の基台となる部分である。基板６１は、下面である第１主面６１ａと上面である第２主面６１ｂとを含む。主面６１ａ，６１ｂに対する法線方向を、図中、Ｚ方向（上下方向）とし、以下では、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。なお、Ｚ方向は他の実施形態、実施例においても同様とする。
基板６１は、第１主面６１ａ側が研磨されており、基板６１の厚みは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。基板６１は、例えば、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトからなる磁性体基板や、アルミナ、ガラスからなる非磁性体基板などの焼結体であることが好ましい。これにより、基板６１の強度や平坦性を確保でき、基板６１上の積層物の加工性が向上する。
スパイラル配線２１は、基板６１の上方側、具体的には基板６１の第２主面６１ｂ上の絶縁層１５上にのみ形成され、基板６１の第２主面６１ｂに沿ってスパイラル形状に延びる配線である。スパイラル配線２１は、ターン数が１周を超えるスパイラル形状である。スパイラル配線２１は、例えば、上側からみて、外周端２１ｂから内周端２１ａに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。
スパイラル配線２１の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。スパイラル配線２１の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。
スパイラル配線２１は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、スパイラル配線２１を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。つまり、スパイラル配線２１は、その両端（内周端２１ａおよび外周端２１ｂ）にスパイラル形状部分よりもやや線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、垂直配線５１，５２と直接接続されている。
絶縁層１５は、基板６１の第２主面６１ｂ上に形成された膜状の層であり、スパイラル配線２１を被覆している。具体的に述べると、絶縁層１５は、スパイラル配線２１の底面及び側面のすべてを覆い、スパイラル配線２１の上面については、ビア導体２５との接続部分を除いた部分を覆っている。絶縁層１５は、スパイラル配線２１の内周部分に対応した位置に孔部を有する。基板６１とスパイラル配線２１の底面との間の絶縁層１５の厚みは、例えば、１０μｍ以下である。
絶縁層１５は、磁性体を含有しない絶縁性材料からなり、例えばエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材料からなる。なお、絶縁層１５は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層１５の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。
第１磁性層１１は、基板６１の第１主面６１ａと密着する。第２磁性層１２は、基板６１の第２主面６１ｂの上方に配置されている。スパイラル配線２１は、第２磁性層１２と基板６１との間に配置されている。なお、本実施形態では、第２磁性層１２は、スパイラル配線２１の上方だけではなく、スパイラル配線２１の内周部分及び外周部分も覆うように、絶縁層１５に沿って形成されている。
第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、磁性材料の粉末を含有する樹脂を含む。樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ビニルエーテル系樹脂及びこれらの混合体などである。磁性材料の粉末としては、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦeなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金などの金属磁性体材料の粉末、あるいは、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの粉末などである。磁性材料の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して５０vol％以上８５vol％以下である。なお、磁性材料の粉末は、粒子が略球形状であることが好ましく、平均粒径が５μｍ以下であることが好ましい。なお、第１、第２磁性層１１，１２を構成する樹脂は、絶縁層１５と同種材料を用いることが好ましく、この場合、絶縁層１５と第１、第２磁性層１１，１２の密着性を向上できる。
垂直配線５１，５２は、導電性材料からなり、スパイラル配線２１からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。垂直配線５１，５２は、スパイラル配線２１からＺ方向に延在し、絶縁層１５の内部を貫通するビア導体２５と、ビア導体２５からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する柱状配線３１，３２とを含む。
第１垂直配線５１は、スパイラル配線２１の内周端２１ａの上面から上側に延在するビア導体２５と、該ビア導体２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第１柱状配線３１とを含む。第２垂直配線５２は、スパイラル配線２１の外周端２１ｂの上面から上側に延在するビア導体２５と、該ビア導体２５から上側に延在し、第１磁性層１１の内部を貫通する第２柱状配線３２とを含む。垂直配線５１，５２は、スパイラル配線２１と同様の材料からなる。
外部端子４１，４２は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。
第１外部端子４１は、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第１柱状配線３１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子４１は、スパイラル配線２１の内周端２１ａに電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第２柱状配線３２の端面を覆っている。これにより、第２外部端子４２は、スパイラル配線２１の外周端２１ｂに電気的に接続される。
外部端子４１，４２には、好ましくは、防錆処理が施されている。ここで、防錆処理とは、ＮｉおよびＡｕ、または、ＮｉおよびＳｎなどで被膜することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆びを抑制することができ、実装信頼性の高いインダクタ部品１を提供できる。
被覆膜５０は、絶縁性材料からなり、第２磁性層１２の上面を覆い、柱状配線３１，３２および外部端子４１，４２の端面を露出させている。被覆膜５０によって、インダクタ部品１の表面の絶縁性を確保することができる。なお、被覆膜５０が第１磁性層１１の下面側に形成されていてもよい。
前記インダクタ部品１によれば、第２磁性層１２やスパイラル配線２１といった第２主面６１ｂの上方の積層物は焼結体であって安定した基板６１の第２主面６１ｂ上に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、第１主面６１ａが第１磁性層１１と密着しているので、第１主面６１ａにはスパイラル配線２１が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板６１の厚みをある程度確保した場合であっても、基板６１は、第１主面６１ａ側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面６１ｂ上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品１の形成精度と低背化とを両立できる。
また、基板６１は完全には除去されていないことから、上記加工からスパイラル配線２１、第２磁性層１２、絶縁層１５などの積層物を保護でき、Ｒｄｃなどの量産ばらつきを抑制できる。
さらに、基板６１の加工量という調整要素を製造プロセスに加えることによって、インダクタ部品１の強度、Ｌ、高さ寸法などの設計自由度を向上できるとともに、これら量産ばらつきを低減できる。
また、絶縁層１５は、基板６１の第２主面６１ｂ上に直接に配置され、スパイラル配線２１は、絶縁層１５上に形成されている。これによれば、第２主面６１ｂとの間に絶縁層１５を介するため、スパイラル配線２１の第２主面６１ｂ側の絶縁性が向上する。
また、スパイラル配線２１は、絶縁層１５に被覆されている。これによれば、スパイラル配線２１が絶縁層１５で被覆され、スパイラル配線２１の絶縁性が一層向上する。なお、本実施形態ではスパイラル配線２１が形成された絶縁層１５と、スパイラル配線２１を被覆する絶縁層１５が一体化しているが、例えば、スパイラル配線２１が形成された絶縁層とは別の、スパイラル配線２１を被覆する第２絶縁層をさらに備える構成であってもよい。
好ましくは、基板６１は、磁性体である。これによれば、インダクタ部品１における磁性体の領域が増えるため、Ｌを向上できる。
好ましくは、第１、第２磁性層１１，１２は、樹脂に含有された金属磁性粉を含み、基板６１は、フェライトの焼結体である。これによれば、金属磁性粉を含む第１磁性層１１及び第２磁性層１２により、直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、第１、第２磁性層１１，１２は、さらにフェライト粉を含む。これによれば、金属磁性粉だけでなく、比透磁率の高いフェライトを含むことにより、第１、第２磁性層１１，１２の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の厚みと第２磁性層１２の厚みの合計は、基板６１の厚みよりも厚い。言い換えると、第１磁性層１１の体積と第２磁性層１２の体積との合計は、基板６１の体積よりも大きい。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が向上する。また、第１、第２磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の厚みと第２磁性層１２の厚みは、いずれも、基板６１の厚みよりも厚い。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が一層大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が一層向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が一層向上する。また、第１、第２磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を一層向上できる。
好ましくは、第１磁性層１１の電気抵抗率及び第２磁性層１２の電気抵抗率は、基板６１の電気抵抗率より高い。これによれば、電気抵抗率が高い部分を含むことで、材料に由来する損失である鉄損を小さくできる。
本願における電気抵抗率の測定方法としては、具体的には、研磨や切り出しによって取り出した測定対象物に、ガリウム・インジウム合金の電極を形成した上で、絶縁抵抗計を用いて、室温下、１．０Ｖの印加電圧で電気抵抗を測定し、形成した電極面積と電極間距離を基に、電気抵抗率（Ω・ｍ）＝電気抵抗（Ω）×（電極面積（ｍ２）/電極間距離（ｍ））の式より算出すればよい。なお、材料状態の測定対象物については、加圧・加熱などで硬化させた上で測定すればよい。例えば、第１磁性層１１及び第２磁性層１２の電気抵抗率は、１．０×１０１１〜１２Ω・ｍのオーダーであり、基板６１の電気抵抗率は、１．０×１０９〜１０Ω・ｍのオーダーである。
好ましくは、基板６１は、クラック部を有する。クラック部は、基板６１の内部の破断により形成される。これによれば、クラック部において応力開放がなされ、インダクタ部品１の衝撃耐性が向上する。
好ましくは、スパイラル配線２１は、スパイラル形状の第１導体層と、第１導体層上に配置され、第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、第１導体層の厚みは、０．５μｍ以上である。これによれば、第１導体層の厚みによって、基板６１の凹凸を吸収でき、第２導体層の形成・加工が容易になるので、インダクタ部品１の形成精度が向上する。
好ましくは、スパイラル配線２１は、スパイラル形状の第１導体層と、第１導体層上に配置され、第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、第１導体層のＮｉ含有率は、５．０ｗｔ％以下である。これによれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線２１を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れ、スパイラル配線２１内の発熱を均一化できる。またスパイラル配線２１のＲｄｃが低減される。また、このとき、第１導体層２１１は、無電解めっきで形成されていないといえる。
上記で記載したように、第１導体層が無電解めっきで形成されていない場合、第１磁性層１１への触媒付与プロセス、無電解めっきプロセス（シード層形成工程）や、無電解めっきで形成された導体層をエッチングするプロセス（シード層除去工程）による第１磁性層１１への影響を無くすことができる。具体的には、第１磁性層１１は、磁性粉を含有するが、この磁性粉が第１導体層形成時の前処理やプロセスで使用されるめっき液、エッチング液などによって除去されてしまうことを抑制することができる。したがって、上記のとおり、第１導体層が無電解めっきで形成されていない特徴を有する場合、第１磁性層１１の透磁率低下や強度低下を抑制することができる。
なお、Ｎｉ含有率の測定方法としては、必要に応じて第１導体層と第２導体層の境界を明確化する前処理を行った上で、第１導体層側について、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）によるＥＤＸ分析を行ってＮｉの含有率（ｗｔ％）を算出する。前処理については、例えば、第１導体層及び第２導体層を有する配線について、研磨やミリングなどで断面上に露出させ、当該断面をＡｒによるドライエッチングまたは硝酸によるウェットエッチングで薄くエッチングすれば、エッチングレートの差より第１導体層と第２導体層の境界がより明らかになる。ただし、前処理の有無に関わらず、ＳＴＥＭで粒子の連続性、粒径から、第１導体層を判別してもよい。ＥＤＸ分析では、例えばＪＥＯＬ社製のＪＥＭ−２２００ＦＳをＳＴＥＭとして、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＮｏｒａｎ Ｓｙｓｔｅｍ ７をＥＤＸシステムとして用いて、４００ｋの倍率（必要により４００ｋ以上の倍率）で実施すればよい。
好ましくは、スパイラル配線２１は、図２に示すように、スパイラル形状の第１導体層２１１と、第１導体層２１１上に配置され、第１導体層２１１に沿った形状の第２導体層２１２とを有する。第１導体層２１１の側面２１１ａのテーパー角度は、第２導体層２１２の側面２１２ａのテーパー角度よりも大きい。第１導体層２１１の側面２１１ａは、第１導体層２１１の幅方向の面をいい、第２導体層２１２の側面２１２ａは、第２導体層２１２の幅方向の面をいう。これによれば、スパイラル配線２１が順テーパーとなりスパイラル配線２１の配線間に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
例えば、第１導体層２１１の側面２１１ａのテーパー角度は３０．０°、第２導体層２１２の側面２１２ａのテーパー角度は１．２°である。この際、Ｚ方向を基準（０°）として、テーパー形状になる場合の角度を正、逆テーパー形状になる場合の角度を負とする。また、テーパー角度は、正確には、第１導体層２１１、第２導体層２１２のそれぞれの厚みの上下２０％を除いた８０％分の領域で測定すればよい。
また、好ましくは、第１導体層２１１の線幅は、第２導体層２１２の線幅と異なる。第１導体層２１１の線幅は、第１導体層２１１の幅の最大値をいい、第２導体層２１２の線幅は、第２導体層２１２の幅の最大値をいう。これによれば、様々な形状を形成する導体層の形成方法の組合せを採用でき、スパイラル配線２１の設計自由度が増す。
また、第１導体層２１１の線幅は、第２導体層２１２の線幅よりも大きいことが好ましく、これによれば、スパイラル配線２１が、底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線２１の側面付近に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
なお、図２の線幅、テーパー角度の関係に限られず、例えば、第１導体層２１１の線幅またはテーパー角度が、第２導体層２１２の線幅またはテーパー角度よりも小さくてもよい。
なお、基板６１は、スパイラル配線２１の内周部分に対応した位置に孔部を設けてもよく、基板６１の孔部に第１磁性層１１または第２磁性層１２もしくはその両方を配置することができ、比較的柔らかい樹脂を含む第１、第２磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性を向上できる。また、第１磁性層１１、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
また、基板６１は、スパイラル配線２１のスパイラル形状に沿った形状としてもよく、インダクタ部品１における基板６１の割合を低減して、比較的柔らかい樹脂を含む第１、第２磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性を向上できる。また、第１磁性層１１、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
また、スパイラル配線２１からインダクタ部品１の下面に引き出すように垂直配線を設けてもよい。このとき、インダクタ部品１の下面に垂直配線に接続される外部端子を設けてもよい。これにより、インダクタ部品１と他の回路部品との接続自由度を向上できる。
また、インダクタ部品１は、１つのスパイラル配線２１を有するが、この構成に限られず、同一平面上に巻回された２つ以上のスパイラル配線を備えていてもよい。インダクタ部品１では外部端子の形成自由度が高いため、外部端子の数が多いインダクタ部品において、その効果はより一層顕著となる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
図３Ａに示すように、基板６１を準備する。基板６１は、例えば、焼結フェライトからなる平板状の基板である。基板６１の厚みは、インダクタ部品の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。
図３Ｂに示すように、基板６１上に磁性体を含有しない絶縁層６２を形成する。絶縁層６２は、例えば、磁性体を含有しないポリイミド系樹脂などからなり、基板６１の上面（第２主面６１ｂ）上に上記ポリイミド系樹脂を印刷、塗布などによってコーティングして形成される。なお、絶縁層６２は、例えば、基板６１の上面上に、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどのドライプロセスによってシリコン酸化膜などの無機材料の薄膜として形成してもよい。
図３Ｃに示すように、絶縁層６２をフォトリソグラフィによってパターニングして、スパイラル配線を形成する領域を残す。つまり、絶縁層６２をスパイラル配線に沿った部分を残して除去する。絶縁層６２には、基板６１が露出する開口部６２ａが設けられる。図３Ｄに示すように、絶縁層６２上を含め、基板６１上にＣｕのシード層６３をスパッタリングや無電解めっきで形成する。なお、シード層６３は、別の基板上において電解めっきにより形成し、基板６１へ転写してもよい。
図３Ｅに示すように、シード層６３上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）６４を貼り付ける。図３Ｆに示すように、ＤＦＲ６４をフォトリソグラフィによりパターニングして、スパイラル配線２１を形成する領域に貫通孔６４ａを形成し、貫通孔６４ａからシード層６３を露出させる。
図３Ｇに示すように、電解めっきにより、貫通孔６４ａ内のシード層６３上に金属膜６５を形成する。図３Ｈに示すように、金属膜６５の形成後、ＤＦＲ６４を除去し、シード層６３のうち、金属膜６５が形成されていない露出部分をエッチングにより除去する。これにより、スパイラル配線２１が形成され、スパイラル配線２１の内周部及び外周部に対応する位置に犠牲導体層６６が形成される。
図３Ｉに示すように、絶縁層６２をさらに形成し、図３Ｃと同様に、絶縁層６２における、スパイラル配線２１の内周部及び外周部に重なる領域を除去する。図３Ｊに示すように、犠牲導体層６６を除去する。その後、この際、スパイラル配線２１の両端部上の絶縁層６２も除去する。これにより、スパイラル配線２１を絶縁層１５（絶縁層６２）により被覆する。つまり、スパイラル配線２１は、第１導体層としてのシード層６３と、第２導体層としての金属膜６５とを有する。金属膜６５は、シード層６３に沿ったスパイラル形状である。
図３Ｋに示すように、図３Ｄから図３Ｈと同様にして、ビア導体２５および第１、第２柱状配線３１，３２を形成する。これにより、第１、第２垂直配線５１，５２を形成する。
図３Ｌに示すように、磁性体材料からなる磁性シート６７を基板６１の上面側（スパイラル配線形成側）に圧着する。これにより、基板６１の第２主面６１ｂ側に第２磁性層１２を形成する。
図３Ｍに示すように、磁性シート６７を研磨し、垂直配線５１，５２（柱状配線３１，３２）の上端を露出させる。図３Ｎに示すように、磁性シート６７の上面上に、被覆膜５０としてのソルダーレジスト（ＳＲ）６８を形成する。
図３Ｏに示すように、ＳＲ６８をフォトリソグラフィによりパターニングし、外部端子を形成する領域に、第１、第２垂直配線５１，５２および第２磁性層１２（磁性シート６７）が露出する貫通孔６８ａを形成する。
図３Ｐに示すように、基板６１を第１主面６１ａ側から研磨する。このとき、基板６１を完全に除去せず、一部を残す。図３Ｑに示すように、磁性体材料からなる磁性シート６７を基板６１の研磨側の第１主面６１ａに圧着し適切な厚みに研磨する。
図３Ｒに示すように、無電解めっきにより、垂直配線５１，５２からＳＲ６８の貫通孔６８ａ内に成長するＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの金属膜６９を形成する。金属膜６９により、第１垂直配線５１に接続される第１外部端子４１と、第２垂直配線５２に接続される第２外部端子４２を形成する。図３Ｓに示すように、個片化し、必要に応じてバレル研磨を行い、バリを除去して、インダクタ部品１を製造する。
なお、上記のインダクタ部品１の製造方法はあくまで一例であって、各工程において用いる工法や材料は、適宜他の公知のものと置き換えても良い。例えば、上記では、絶縁層６２やＤＦＲ６４、ＳＲ６８はコーティング後にパターニングしたが、塗布、印刷、マスク蒸着、リフトオフなどによって、直接必要な部分に絶縁層６２を形成してもよい。また、基板６１の除去や磁性シート６７の薄層化には研磨を用いたが、ブラスト、レーザーなどの他の物理プロセスや、フッ酸処理などの化学プロセスを用いてもよい。
（第２実施形態）
図４は、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、絶縁層および磁性層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図４に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａは、第１実施形態のインダクタ部品１と比較すると、第１実施形態の絶縁層１５がなく、基板６１が磁性層１１，１２に覆われている。
具体的に述べると、基板６１の第１主面６１ａと第２主面６１ｂを接続する側面６１ｃは、第１磁性層１１又は第２磁性層１２に覆われている。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性層１１，１２の割合が大きくなることで、インダクタ部品１Ａの応力吸収性が向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１Ａの信頼性が向上する。また、磁性層１１，１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１Ａの直流重畳特性を向上できる。なお、全ての側面６１ｃが磁性層１１，１２に覆われていてもよいし、側面６１ｃの少なくとも一部が、磁性層１１，１２に覆われていてもよい。
また、スパイラル配線２１は、基板６１の第２主面６１ｂ上に直接に配置されている。すなわち、第２主面６１ｂはスパイラル配線２１と密着している。これによれば、スパイラル配線２１と基板６１の第２主面６１ｂとの間に絶縁層１５などの他の構成要素を介さないため、同体積でのＬやＲｄｃなどの特性向上や同特性を維持した低背化などを実現できる。
なお、本実施形態では、さらに第２磁性層１２は、スパイラル配線２１を含む基板６１の第２主面６１ｂ上に直接に配置されている。すなわち、スパイラル配線２１は、第２磁性層１２と密着している。これによれば、スパイラル配線２１と第２磁性層１２との間に絶縁層１５などの他の構成要素を介さないため、同体積でのＬやＲｄｃなどの特性（向上や同特性を維持した低背化などをより一層実現できる。
また、第２磁性層１２が、絶縁層１５を介さずにスパイラル配線２１と密着することにより、垂直配線５１，５２は、絶縁層１５の内部を貫通するビア導体２５を含まない。すなわち、スパイラル配線２１は、第２磁性層１２の内部を貫通する柱状配線３１，３２と直接接続されている。これにより、垂直配線５１，５２内における界面を減らすことができ、接続信頼性を向上できる。また、柱状配線３１，３２よりも断面積が小さいビア導体２５を含まないため、インダクタ部品１ＡのＲｄｃを低減することができる。
（第３実施形態）
図５Ａは、インダクタ部品の第３実施形態を示す透視平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＸ−Ｘ断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図５Ａと図５Ｂに示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、第１実施形態のインダクタ部品１と比較して、スパイラル配線２１，２２は、積層方向に複数配列され、複数のスパイラル配線２１，２２は、直列接続されている。
具体的に述べると、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、Ｚ方向に積層されている。第１スパイラル配線２１は、上側からみて、外周端２１ｂから内周端２１ａに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第２スパイラル配線２２は、上側からみて、内周端２２ａから外周端２２ｂに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。
第１スパイラル配線２１の外周端２１ｂは、その外周端２１ｂの上側の第１垂直配線５１（ビア導体２５および第１柱状配線３１）を介して、第１外部端子４１に接続される。第１スパイラル配線２１の内周端２１ａは、その内周端２１ａの下側の第２ビア導体２７を介して、第２スパイラル配線２２の内周端２２ａに接続される。
第２スパイラル配線２２の外周端２２ｂは、その外周端２２ｂの上側の第２垂直配線５２（ビア導体２５、２６および第２柱状配線３２）を介して、第２外部端子４２に接続される。ビア導体２６は、図示されていないが、第２スパイラル配線２２の外周端２２ｂの上側のビア導体２５からＺ方向に延在し絶縁層１５の内部を貫通する。ビア導体２６は、第１スパイラル配線２１と同一平面上に形成される。
前記インダクタ部品１Ｂでは、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２とが直列に接続されているので、ターン数を増やすことでＬを向上できる。また、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、それぞれ法線方向に積層されているので、ターン数に対してＺ方向からみたインダクタ部品１Ｂの面積、すなわち実装面積を低減でき、インダクタ部品１Ｂの小型化が実現できる。
なお、インダクタ部品１Ｂでは、直列接続されたスパイラル配線を２層備える構成であったが、これに限られず、直列接続されたスパイラル配線は３層以上であってもよい。また、インダクタ部品１Ｂでは、２層のスパイラル配線からなるインダクタを同一平面上に１つ配置しているが、同一平面上にインダクタを２つ以上配置していてもよい。
（第４実施形態）
図６Ａは、インダクタ部品の第４実施形態を示す透視平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＸ−Ｘ断面図である。第４実施形態は、第１実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第４実施形態において、他の実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図６Ａと図６Ｂに示すように、第４実施形態のインダクタ部品１Ｃでは、第１実施形態のインダクタ部品１と比較して、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃは、同一平面上に複数配列されている。
第１スパイラル配線２１Ｃ、第２スパイラル配線２２Ｃ、第３スパイラル配線２３Ｃおよび第４スパイラル配線２４Ｃは、Ｚ方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、第１〜第４スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃは、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃは、中間部分で直線部を含んでいる。
第１、第４スパイラル配線２１Ｃ，２４Ｃは、その両端が外側に位置する第１垂直配線５１および第２垂直配線５２に接続され、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２からインダクタ部品１Ｃの中心側に向かって孤を描く曲線状である。
第２、第３スパイラル配線２２Ｃ，２３Ｃは、その両端が内側に位置する第１垂直配線５１）および第２垂直配線５２に接続され、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２からインダクタ部品１Ｃの縁側に向かって孤を描く曲線状である。
ここで、第１〜第４スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃのそれぞれにおいて、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃが描く曲線と、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃの両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Ｚ方向からみて、いずれのスパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃについても、その内径部分同士は重ならない。
一方、第１、第２スパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃは、互いに近接している。すなわち、第１スパイラル配線２１Ｃで発生した磁束は、近接する第２スパイラル配線２２Ｃの周囲を回り込み、第２スパイラル配線２２Ｃで発生した磁束は、近接する第１スパイラル配線２１Ｃの周囲を回り込む。これは、互いに近接している第３、第４スパイラル配線２３Ｃ，２４Ｃでも同様である。したがって、第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃと、第３スパイラル配線２３Ｃと第４スパイラル配線２４Ｃとはそれぞれ磁気結合している。
なお、第１、第２スパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃにおいて、同じ側にある一端からその反対側にある他端に向かって同時に電流が流れた場合、互いの磁束は強めあう。これは、第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃの同じ側にある各一端を共にパルス信号の入力側、その反対側にある各他端を共にパルス信号の出力側とした場合に、第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃとは正結合されていることを意味する。一方、例えば、第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃの一方のスパイラル配線では一端側を入力、他端側を出力とし、他方のスパイラル配線では一端側を出力、他端側を入力とすれば、第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃとは負結合されている状態とできる。これは第３、第４スパイラル配線２３Ｃ，２４Ｃについても同様である。
第１から第４スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃの一端側に接続された第１垂直配線５１、および、第１から第４スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃの他端側に接続された第２垂直配線５２は、それぞれ、第２磁性層１２の内部を貫通し、上面において露出する。第１垂直配線５１には、第１外部端子４１が接続され、第２垂直配線５２には、第２外部端子４２が接続される。
第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃは、絶縁層１５に一体に覆われており、第１スパイラル配線２１Ｃと第２スパイラル配線２２Ｃの電気的絶縁性を確保する。第３スパイラル配線２３Ｃと第４スパイラル配線２４Ｃは、絶縁層１５に一体に覆われており、第３スパイラル配線２３Ｃと第４スパイラル配線２４Ｃの電気的絶縁性を確保する。
また、インダクタ部品１Ｃでは、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃの垂直配線５１，５２との接続位置からチップの外側に向かってさらに配線が伸びて、この配線はチップの外側に露出している。つまり、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃは、インダクタ部品１Ｃの積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部２００を有する。
この露出部２００は、前述のインダクタ部品１の製造方法において、電解めっきにて金属膜６５を形成後、個片化する前に、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される。この給電配線によりシード層６３を除去した後であっても、追加で電解めっきを容易に行うことができ、シード層６３及び金属膜６５からなるスパイラル配線の配線間距離をより狭くすることができる。具体的には、インダクタ部品１Ｃにおいては、上記追加の電解めっきを行うことで、第１、第２スパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃの配線間距離および第３、第４スパイラル配線２３Ｃ，２４Ｃの配線間距離を狭くでき、磁気結合を高めることができる。
また、スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃは、露出部２００を有するので、製造時の静電破壊耐性を向上できる。具体的には、前述のインダクタ部品１の製造方法において、個片化する前は、各露出部２００は給電配線を介して複数のインダクタ部品と接続されている。したがって、この状態で各配線に静電気が印加されても、給電配線を通じて、当該静電気を分散、グランドへ放出することが可能となり、静電破壊耐性を向上できる。
好ましくは、各スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃにおいて、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、各スパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃの厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。これによれば、露出面２００ａの厚みがスパイラル配線２１Ｃ〜２４Ｃの厚み以下であることにより、磁性層１１，１２の割合を増やすことができ、Ｌを向上できる。また、露出面２００ａの厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。
好ましくは、露出面２００ａは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品１Ｃとその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
なお、第１から第３実施形態において、スパイラル配線に、第４実施形態の露出部２００と同様の露出部を設けてもよい。
（第５実施形態）
図７Ａは、インダクタ部品の第５実施形態を示す透視平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＸ−Ｘ断面図である。第５実施形態は、第４実施形態とは、絶縁層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第５実施形態において、他の実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図７Ａと図７Ｂに示すように、第５実施形態のインダクタ部品１Ｄでは、第４実施形態のインダクタ部品１Ｃと比較して、絶縁層１５は、スパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃの全周を覆っていない。
具体的に述べると、隣り合うスパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃは、互いに対向する側面２１０Ｃ，２２０Ｃを有する。各側面２１０Ｃ，２２０Ｃの少なくとも一部は、第２磁性層１２と接している。これにより、第２磁性層１２の量を増加できて、比較的柔らかい樹脂を含む第２磁性層１２の割合を大きくして、インダクタ部品１Ｄの応力吸収性を向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１Ｄの信頼性を向上できる。また、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１Ｄの直流重畳特性を向上できる。
また、隣り合うスパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃの間には、絶縁層１５が配置されている。これにより、隣り合うスパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃの間の絶縁性、耐電圧が向上する。絶縁層１５は、隣り合うスパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃの間の最小距離部に位置し、各側面２１０Ｃ，２２０Ｃの一部に接触している。なお、絶縁層１５は、各側面２１０Ｃ，２２０Ｃに接触しなくてもよく、例えば、隣り合うスパイラル配線２１Ｃ，２２Ｃの間において、側面２１０Ｃ、第２磁性層１２、絶縁層１５、第２磁性層１２、側面２２０Ｃの順に並んでいてもよい。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第５実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
第２実施形態では、スパイラル配線２１は基板６１の第２主面６１ｂ、第２磁性層１２の両方に密着していたが、これに限られず、第２主面６１ｂとのみ、又は第２磁性層１２とのみ密着し、その他の部分については絶縁層１５を介していてもよい。さらに、第２実施形態では、スパイラル配線２１は第２磁性層１２と側面及び上面で密着していたが、側面又は上面のいずれか一方のみと密着し、他方とは絶縁層１５を介していてもよいし、側面または上面の全面ではなく、一部のみ第２磁性層１２と密着し、その他の部分については絶縁層１５を介していてもよい。
１，１Ａ〜１Ｄ インダクタ部品
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５ 絶縁層
２１ 第１スパイラル配線
２２ 第２スパイラル配線
２１Ｃ〜２４Ｃ 第１〜第４スパイラル配線
２５ ビア導体
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
５０ 被覆膜
５１ 第１垂直配線
５２ 第２垂直配線
６１ 基板
６１ａ 第１主面（下面）
６１ｂ 第２主面（上面）
６１ｃ 側面
２００ 露出部
２００ａ 露出面
２１０Ｃ，２２０Ｃ 側面

Claims (20)

  1. 樹脂を含む第１磁性層及び第２磁性層と、
    第１主面が前記第１磁性層と密着し、第２主面の上方に前記第２磁性層が配置された焼結体の基板と、
    前記第２磁性層と前記基板との間に配置されたスパイラル配線と
    を備える、インダクタ部品。
  2. 前記基板は、磁性体である、請求項１に記載のインダクタ部品。
  3. 前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、前記樹脂に含有された金属磁性粉を含み、
    前記基板は、フェライトの焼結体である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
  4. 前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、さらにフェライト粉を含む、請求項３に記載のインダクタ部品。
  5. 前記第１磁性層の厚みと前記第２磁性層の厚みの合計は、前記基板の厚みよりも大きい、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  6. 前記第１磁性層の厚みと前記第２磁性層の厚みは、いずれも、前記基板の厚みよりも大きい、請求項５に記載のインダクタ部品。
  7. 前記第１磁性層の電気抵抗率及び前記第２磁性層の電気抵抗率は、前記基板の電気抵抗率より高い、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  8. 前記基板の前記第１主面と前記第２主面を接続する側面の少なくとも一部は、前記第１磁性層又は前記第２磁性層に覆われている、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  9. 前記基板は、クラック部を有する、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  10. 前記基板の前記第２主面上に配置された絶縁層をさらに備え、
    前記スパイラル配線は、前記絶縁層上に形成されている、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  11. 前記絶縁層上に配置された第２絶縁層をさらに備え、
    前記スパイラル配線は、前記第２絶縁層に被覆されている、請求項１０に記載のインダクタ部品。
  12. 前記スパイラル配線は、前記基板の前記第２主面上に配置されている、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  13. 前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
    前記第１導体層の厚みは、０．５μｍ以上である、請求項１から１２の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  14. 前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
    前記第１導体層のＮｉ含有率は、５．０ｗｔ％以下である、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  15. 前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
    前記第１導体層の側面のテーパー角度は、前記第２導体層の側面のテーパー角度よりも大きい、請求項１から１４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  16. 前記スパイラル配線は、積層方向に複数配列され、前記複数のスパイラル配線は、直列接続されている、請求項１から１５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  17. 前記スパイラル配線は、同一平面上に複数配置され、
    同一平面上で隣り合う前記スパイラル配線は、互いに対向する側面を有し、前記各側面の少なくとも一部は、前記第２磁性層と接しており、
    隣り合う前記スパイラル配線の間には、絶縁層が配置されている、請求項１から１５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  18. 前記スパイラル配線は、前記インダクタ部品の積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部を有する、請求項１から１７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  19. 前記露出部の露出面の厚みは、前記スパイラル配線の厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である、請求項１８に記載のインダクタ部品。
  20. 前記露出面は、酸化膜である、請求項１９に記載のインダクタ部品。
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