JP7243569B2 - インダクタ部品およびインダクタ部品内蔵基板 - Google Patents

インダクタ部品およびインダクタ部品内蔵基板 Download PDF

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Description

本発明は、インダクタ部品およびインダクタ部品内蔵基板に関する。
従来、インダクタ部品内蔵基板としては、特開２００４－３１９８７５号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品内蔵基板は、巻線構造のインダクタ部品と、インダクタ部品が埋め込まれた基板とを備える。該インダクタ部品の巻線のコイル径は基板の厚み方向と平行である。
また、特開２０１４－１９７５９０号公報（特許文献２）には、平面状に巻回されたインダクタ配線と、インダクタ配線が巻回された平面の法線方向両側からインダクタ配線を挟む位置にある第１磁性層および第２磁性層とを備えるインダクタ部品が記載されている。このインダクタ部品の外形は、直方体であり、上記法線方向と垂直な上面および下面と、上記法線方向と平行な４つの側面を有している。該インダクタは、表面実装型のチップ部品であり、インダクタ配線は、その外周端に接続された引出部（端子電極＋引出電極）を介して、外部端子に接続されている。引出部は上記側面から、外部端子は上記上面からそれぞれ外部に露出し、Ｌ字状の外部端子を構成している。
特開２００４－３１９８７５号公報 特開２０１４－１９７５９０号公報
インダクタ部品の小型・低背化に伴い、従来の表面実装だけでなく、ＳｉＰ(System in Package)技術やＰｏＰ(Package on Package)技術などを適用したインダクタ部品の３次元実装が検討されている。例えば、インダクタ部品を基板に埋め込むことにより、システム全体を小型・薄型化することができる。しかしながら、特許文献１のインダクタ内蔵基板では、インダクタ部品が巻線構造であることや、巻線のコイル径が基板の厚み方向と平行であることから、基板を薄くした場合に、インダクタ部品の特性を維持することが難しい。
そこで、特許文献２のインダクタ部品を、インダクタ配線が巻回された平面と基板の厚み方向とが直交するように基板に埋め込むことが考えられる。これにより、基板の薄型化によるインダクタ部品の特性への影響を小さくすることができる。
一方で、特許文献２のインダクタ部品は、表面実装を想定しており、３次元実装に対応した構成となっているとは言い難い。例えば、特許文献２のインダクタ部品では、インダクタ配線は、引出部により、一旦インダクタ部品の側面側（インダクタ配線が巻回された平面に沿った方向＝基板の主面方向）に引き出されてから外部端子に接続されている。これは、表面実装では、基板の配線パターンは基板の主面に沿って、側面側からインダクタ部品に接続されることを想定したものである。一方で、３次元実装ではインダクタ部品に対して上面側または下面側から基板の配線パターンが接続されるが、特許文献２のインダクタ部品のように、インダクタ配線が一旦側面側に引き出されていると、配線パターンは、一旦インダクタ部品の側面側に迂回してからインダクタ配線と接続することになり、不要な配線引き回しが発生する。
また、特許文献２のインダクタ部品のようにＬ字状の外部端子だけではなく、上面または下面のみから外部端子を露出させた底面電極型のインダクタ部品なども含めた表面実装型のインダクタ部品では、外部端子は、基本的に側面側に寄せて配置される。これは、表面実装では、インダクタ部品は基板にはんだ実装されるため、はんだの濡れ広がりによる電極間ショートを防ぐよう、なるべく外部端子間の間隔を広く取るためである。一方で、３次元実装においては、インダクタ部品と基板の配線パターンとの接続ははんだ実装とは限らない。よって、広い外部端子間の間隔は、不要な配線引き回しに繋がるおそれがある。
そこで、本開示の課題は、３次元実装にも対応することで、回路設計の自由度を向上できるインダクタ部品およびインダクタ部品内蔵基板を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む平板状の本体と、
前記本体内の平面上に配置されるインダクタ配線と、
前記インダクタ配線の端部であるパッド部から前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第１方向に延在し、前記本体の第１主面側で露出する第１垂直配線と、
前記インダクタ配線の前記パッド部から前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第２方向に延在し、前記本体の第２主面側で露出する第２垂直配線と、
前記インダクタ配線の前記第１方向側の第１面および側面のうちの少なくとも前記第１面に接する非磁性体の絶縁層と
を備え、
前記第１垂直配線は、前記パッド部から前記第１方向側に延在し前記絶縁層の内部を貫通するビア導体と、前記ビア導体から前記第１方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線とを含み、
前記第２垂直配線は、前記パッド部から前記第２方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線を含む。
本明細書では、インダクタ配線とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。
本開示のインダクタ部品によれば、第１、第２垂直配線がインダクタ配線に対してそれぞれ第１方向および第２方向に引き出されることで、実装基板の配線との接続の自由度が向上する。インダクタ部品は、例えば、入力端子には上側からのみ、出力端子には下側からのみ配線接続するなどができる。また、第１、第２垂直配線がインダクタ配線に対してそれぞれ第１方向および第２方向に引き出されることで、インダクタ部品のインダクタ配線に対して上下の応力を近似でき、インダクタ部品の反りを抑制することができる。また、インダクタ配線の第１パッド部および第２パッド部の全てから第１、第２垂直配線が上下に引き出されているので、インダクタ部品の表裏の違いを区別することなく使用でき、部品製造時や部品実装時の表裏の認識工程及び整列工程を省くことができる。
また、絶縁層はインダクタ配線の一方側の第１面に接するので、絶縁性を高めることができる。また、インダクタ配線の他方側には絶縁層がないので、優れた直流重畳特性と薄膜化とを図ることができ、結果として、信頼性と特性に優れたインダクタ部品を提供できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線の前記側面は、前記インダクタ配線の前記第１面の幅が前記インダクタ配線の前記第１面と反対側の第２面の幅よりも大きくなるように、テーパー状に形成され、
前記第１垂直配線の前記ビア導体は、前記インダクタ配線の前記第１面に接続されている。
本明細書ではテーパー状とは、インダクタ配線の幅が第１方向側から第２方向側に向かってに沿って大きくなるような形状をいう。
前記実施形態によれば、インダクタ配線の側面は、テーパー状に形成されているので、インダクタ配線の第２面側から第１面側に磁性層を充填する場合に磁性層の充填性が向上する。また、インダクタ配線の第１面の幅はインダクタ配線の第２面の幅よりも大きいので、インダクタ配線の第１面に接続される第１垂直配線のビア導体の幅（面積）を大きくでき、ビア導体のパッド部との接続強度を向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１垂直配線および前記第２垂直配線のそれぞれの中心軸は、同一軸上に存在する。
ここで、同一軸上に存在するとは、完全に中心軸が重なり合う場合だけでなく、実質的に重なり合う場合も含む。具体的には、第１、第２垂直配線の幅の１０％程度、中心軸がずれている場合も製造上のばらつきとして、同一軸上に存在するものとする。
前記実施形態によれば、第１垂直配線および第２垂直配線のそれぞれの中心軸は、同一軸上に存在するので、インダクタ部品の表裏の物理的および電気的な差異を一層低減できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１垂直配線および前記第２垂直配線のそれぞれの断面積は、互いに異なる。
ここで、断面積とは、垂直配線が延在する方向に直交する横断面における面積を意味する。
前記実施形態によれば、インダクタ配線に流れる電流密度に応じて、接続する第１、第２垂直配線を選択することができる。したがって、各垂直配線を一律の断面積とする必要がなくなり、一部の垂直配線の断面積を小さくし、その周囲の磁性層の体積を大きくすることで、同じ部品外形に対してインダクタ部品のインダクタンスを向上することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記絶縁層は、前記インダクタ配線の前記側面の少なくとも一部に接する。
前記実施形態によれば、インダクタ配線の配線間の絶縁性を高めることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記絶縁層は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびビニルエーテル系樹脂のうち、少なくとも１つを含む。
前記実施形態によれば、絶縁層に絶縁性有機樹脂を使用することで、インダクタ配線と磁性層との密着力を向上できる。また、絶縁層に無機系材料を使用する場合と比較して、絶縁層が柔らかくなるので、インダクタ部品に柔軟性を付与することができ、機械的強度や熱衝撃に対する耐性を向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１垂直配線および前記複数の第２垂直配線について、前記金属磁性粉との最小距離は、２００ｎｍ以下である。
前記実施形態によれば、金属磁性粉の充填量を増やすことができるので、インダクタ部品のインダクタンスを高くできる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１インダクタ配線および前記第２インダクタ配線について、前記金属磁性粉との最小距離は、２００ｎｍ以下である。
前記実施形態によれば、金属磁性粉の充填量を増やすことができるので、インダクタンスを高くできる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記磁性層は、凹凸を有し前記平面に平行な主面を含み、
前記磁性層の前記主面の前記凹凸の算術平均粗さＲａは、前記磁性層の厚さＴの１／１０以下である。
本明細書では、算術平均粗さＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ ０６０１－２００１に準拠して算出される。
前記実施形態によれば、磁性層の主面の凹凸が小さいため、インダクタ部品を埋め込む際にインダクタ部品の表面凹凸にストレスがかかりにくく、インダクタ部品の破損を防止できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記磁性層の表面に設けられた被覆膜をさらに備える。
前記実施形態によれば、磁性層の表面に外部端子を設ける場合、被覆膜は外部端子間の絶縁性を高めることができる。また、被覆膜は磁性層の表面の傷を隠すことができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記法線方向に積層されている。
前記実施形態によれば、複数のインダクタ配線を法線方向に積層することで実装面積を削減することができる。さらに、積層したインダクタ配線を直列に接続すると、インダクタ部品のインダクタンスを高くすることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記法線方向に異なる層のインダクタ配線を接続する複数の層間ビア導体をさらに備え、
前記複数の層間ビア導体の少なくとも一つの中心軸は、前記第１垂直配線および前記第２垂直配線のそれぞれの中心軸と異なる。
前記実施形態によれば、層間ビア導体を形成するときの凹みを抑制できるので、安定した品質のインダクタ部品を提供できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、第１インダクタ配線と第２インダクタ配線とを有し、
前記金属磁性粉の平均粒径は、前記第１インダクタ配線および前記第２インダクタ配線の前記法線方向から見た内磁路の内接円の１／３０以上１／３以下である。
前記実施形態によれば、取得できる透磁率を大きくでき、金属磁性粉を内磁路に安定して充填することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、第１インダクタ配線と第２インダクタ配線とを有し、
前記金属磁性粉の平均粒径は、前記第１インダクタ配線と前記第２インダクタ配線の間の最大距離の１／３０以上１／３以下である。
前記実施形態によれば、取得できる透磁率を大きくでき、金属磁性粉を第１インダクタ配線と第２インダクタ配線の間に安定して充填することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記金属磁性粉の平均粒径は、前記磁性層の厚さＴの１／１０以上２／３以下である。
前記実施形態によれば、取得できる透磁率を大きくでき、実効透磁率を向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記磁性層は、さらにフェライト粉を含む。
前記実施形態によれば、フェライト粉の比透磁率は高いので、磁性層の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上できる。また、磁性層の絶縁性を高めることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記磁性層は、絶縁体からなる非磁性粉を含む。
前記実施形態によれば、磁性層は、シリカフィラーなどの絶縁体からなる非磁性粉を含むことで、磁性層の絶縁性を向上できる。
好ましくは、インダクタ部品内蔵基板の一実施形態では、
前記インダクタ部品と、
前記インダクタ部品が埋め込まれた基板と、
前記基板の主面に沿った方向に延在するパターン部と、前記基板の厚み方向に延在する基板ビア部とを含む基板配線と
を備え、
前記基板配線は、前記基板ビア部において、前記インダクタ部品と接続している。
前記実施形態によれば、回路設計の自由度を向上できる。
好ましくは、インダクタ部品内蔵基板の一実施形態では、
前記基板配線の前記パターン部は、前記インダクタ配線が配置された平面に対して、平行に配置されている。
前記実施形態によれば、インダクタ部品内蔵基板を薄型とすることができる。
本開示の一態様であるインダクタ部品およびインダクタ部品内蔵基板によれば、回路設計の自由度を向上できる。
第１実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 図１ＢのＡ部の拡大図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第１実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。 第２実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第３実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第４実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第４実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。 第５実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 第６実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。 図７ＡのＸ－Ｘ断面図である。 第７実施形態に係るインダクタ部品内蔵基板の断面図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ断面図である。図１Ｃは、図１ＢのＡ部拡大図である。図１Ａと図１Ｂと図１Ｃを用いて、インダクタ部品１について説明する。
インダクタ部品１の外表面は、互いに対向し、外部端子４１，４２および被覆膜５０の外表面で構成される２つの主面と、２つの主面の間に接続された第１側面１０ａと、第１側面１０ａの反対側に位置する第２側面１０ｂと、２つの主面の間に接続された第３側面１０ｃと、第３側面１０ｃの反対側に位置する第４側面１０ｄとから構成される。なお、図示するように、Ｘ方向は、第１側面１０ａと第２側面１０ｂとが互いに対向する方向である。Ｙ方向は、第３側面１０ｃと第４側面１０ｄとが互いに対向する方向である。Ｚ方向は、２つの主面が互いに対向する方向である。Ｚ方向は、インダクタ部品１の厚さに平行な方向でもある。順Ｚ方向を上側（第２方向）、逆Ｚ方向を下側（第１方向）とする。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
インダクタ部品１は、本体１０と、絶縁層６０と、インダクタ配線２１と、垂直配線５１，５２と、外部端子４１，４２と、被覆膜５０とを備える。
インダクタ配線２１は、本体１０内の平面上に配置される。インダクタ配線２１は、導電性材料からなり、平面状に巻回されている。つまり、この実施形態では、インダクタ配線２１は、スパイラル配線である。ここで、スパイラル配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、当該曲線が描くターン数は１周を超えていても、１周未満であってもよく、また、異なる方向に巻回された複数の曲線を有していても良いし、一部に直線を有していてもよい。
インダクタ配線２１は、上側からみて、端部のうち内周端である第１パッド部２０１から端部のうち外周端である第２パッド部２０２に向かって反時計回り方向に渦巻状に巻回されている。インダクタ配線２１が巻回された平面に対する法線方向は、Ｚ方向と平行である。第１パッド部２０１および第２パッド部２０２は、厳密な端ではなく多少内側に入り込んでいてもよく、または、インダクタ部品１の製造時に電解めっきの電流経路とするための上記渦巻状の巻回部分に向かわない突出部があってもよい。なお、図１Ａでは、第１パッド部２０１および第２パッド部２０２は、インダクタ配線２１の他の部分より線幅が太くなっているが、これに限られない。
インダクタ配線２１は、導電性材料からなり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、もしくはこれらを含む合金などの低電気抵抗な金属材料からなる。インダクタ配線２１の直流抵抗を下げることができる。
本体１０は、平板状である。本体１０は、下側に位置する第１主面１２と、第１主面１２と対向し上側に位置する第２主面１３とを有する。本体１０は、磁性層１１を含む。磁性層１１の第１主面は、本体１０の第１主面１２に相当し、磁性層１１の第２主面は、本体１０の第２主面１３に相当する。
磁性層１１は、樹脂１４と、樹脂１４に含有された金属磁性粉１５とを含む。金属磁性粉１５により、直流重畳特性を向上でき、樹脂１４により、金属磁性粉１５間が電気的に絶縁されて、高周波でのロス（鉄損）が低減される。
樹脂１４は、好ましくは、エポキシ系樹脂又はアクリル系樹脂の少なくとも１つを含む。これにより、磁性層１１の絶縁性を高めることができ、また、樹脂１４による応力緩和効果で磁性層１１の機械強度を向上できる。樹脂１４は、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、およびビニルエーテル系樹脂のうちの少なくとも１つを含む。
金属磁性粉１５は、好ましくは、Ｆｅ系磁性粉を含む。これにより、優れた直流重畳特性を得ることができる。Ｆｅ系磁性粉としては、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、またはそれらのアモルファス合金である。これらのＦｅ系磁性粉は、単独または組み合わせて使用してもよい。
磁性層１１は、好ましくは、さらにフェライト粉を含む。これにより、フェライト粉の比透磁率は高いので、磁性層１１の体積当たりの透磁率である実効透磁率を向上でき、また、磁性層１１の絶縁性を高めることができる。フェライト粉としては、例えば、ＮｉＺｎ系フェライト、およびＭｎＺｎ系フェライトである。これらのフェライト粉は、単独でまたは組み合わせて使用してもよい。
磁性層１１は、好ましくは、絶縁体からなる非磁性粉を含む。これによれば、磁性層１１は、シリカフィラーなどの絶縁体からなる非磁性粉を含むことで、磁性層の絶縁性を向上できる。なお、本体１０は、磁性層１１のみならず、層状の絶縁体をさらに含んでいてもよい。
絶縁層６０は、本体１０（磁性層１１）内に埋め込まれている。絶縁層６０は、インダクタ配線２１の第１方向側の第１面２０６および側面２０７のうちの少なくとも第１面２０６に接する。絶縁層６０がインダクタ配線２１の第１面２０６に接すると、インダクタ配線２１と、インダクタ配線２１の第１面２０６側に位置する構成物（外部端子４１，４２や実装基板の配線、他の部品など）との間の絶縁性を高めることができる。また、絶縁層６０は、第２方向側の第２面２０８にはないため、その分だけ第２面２０８側に磁性層１１の体積を増やせば優れた直流重畳特性を実現でき、その分だけ厚みを低減すれば薄型化を図ることができ、結果として、信頼性と特性に優れたインダクタ部品１を提供することができる。
絶縁層６０は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１に対応した位置に孔部（絶縁層開口部６７ａ）を有する。絶縁層開口部６７ａの側面は、Ｚ方向に平行である。絶縁層開口部６７ａは、例えば、レーザ加工により形成することができる。なお、絶縁層開口部６７ａの側面は、Ｚ方向に平行であるが、これに限定されない。絶縁層開口部６７ａは、第１，第２パッド部２０１，２０２の第１面２０６から第１方向に沿って絶縁層開口部６７ａの幅が大きくなるように傾斜してもよい。つまり、絶縁層開口部６７ａは、テーパー状の側面を有してもよい。
絶縁層６０は、磁性体を含まない、すなわち非磁性体であり、絶縁性材料を含む。絶縁性材料は、例えば、絶縁性有機樹脂であり、より具体的には、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびビニルエーテル系樹脂のうち、少なくとも１つを含む。絶縁層６０がこれらの絶縁性有機樹脂を含むと、インダクタ配線２１と磁性層１１に含まれる樹脂１４とが絶縁層６０の上記樹脂を介して密着するため、結果としてインダクタ配線２１と磁性層１１との密着力を向上させることができる。また、絶縁層６０の絶縁性有機樹脂は、無機系材料と比較して絶縁層６０が柔らかくなるので、インダクタ部品１に柔軟性を付与することができ、機械的強度や熱衝撃に対する耐性を向上できる。なお、絶縁層６０は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層６０の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。
第１垂直配線５１は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１および第２パッド部２０２のそれぞれから本体１０の内部を貫通するように第１方向（逆Ｚ方向）に延在し、本体１０の第１主面１２側で露出する。具体的に述べると、第１垂直配線５１は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１および第２パッド部２０２のそれぞれから第１方向側に延在し絶縁層６０の内部を貫通するビア導体２５と、ビア導体２５から第１方向側に延在し磁性層１１の内部を貫通する第１柱状配線３１とを含む。第１垂直配線５１のビア導体２５は、インダクタ配線２１の第１面２０６（より具体的には、インダクタ配線２１の第１、第２パッド部２０１，２０２の第１面２０６）に接続されている。
第２垂直配線５２は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１および第２パッド部２０２のそれぞれから本体１０の内部を貫通するように第２方向（順Ｚ方向）に延在し、本体１０の第２主面１３側で露出する。具体的に述べると、第２垂直配線５２は、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１および第２パッド部２０２のそれぞれから第２方向側に延在し磁性層１１の内部を貫通する第２柱状配線３２を含む。
外部端子４１，４２は、インダクタ配線２１と電気的に接続され、本体１０の第１，第２主面１２，１３から露出する。外部端子４１，４２は、本体１０の第１，第２主面１２，１３の一部を覆い、垂直配線５１，５２を介してインダクタ配線２１と電気的に接続する。外部端子４１，４２は、導電性材料から構成される。導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの少なくとも一つ、またはそれらの合金である。また、外部端子４１，４２は、複数の金属膜が積層した多層金属膜であってもよい。多層金属膜は、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕからなる金属層が外部端子４１，４２の内側から外側に向かってこの順に積層された３層構成の金属層である。
第１外部端子４１は、本体１０の第１主面１２および第２主面１３のそれぞれに設けられている。第１主面１２において、第１外部端子４１は、第１インダクタ配線２１の第１パッド部２０１に接続された第１垂直配線５１に、接続される。第１外部端子４１は、本体１０の第１主面１２から露出する第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）の端面を覆っている。第２主面１３において、第１外部端子４１は、第１インダクタ配線２１の第１パッド部２０１に接続された第２垂直配線５２に、接続される。
第２外部端子４２は、本体１０の第１主面１２および第２主面１３のそれぞれに設けられている。第２主面１３において、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１の第２パッド部２０２に接続された第２垂直配線５２に、接続される。第２外部端子４２は、本体１０の第１主面１２から露出する第１垂直配線５１（第１柱状配線３１）の端面を覆っている。第２主面１３において、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１の第２パッド部２０２に接続された第２垂直配線５２に、接続される。
被覆膜５０は、磁性層１１の表面に設けられる。被覆膜５０は、本体１０の第１、第２主面１２，１３の一部を覆い、外部端子４１，４２の端面を露出させている。これにより、被覆膜５０は外部端子４１，４２間（具体的には、隣り合う第１外部端子４１，４１の間、および隣り合う第２外部端子４２，４２の間）の絶縁性を高めることができる。また、被覆膜５０は、本体１０の第１，第２主面１２，１３の傷を隠すことができる。被覆膜５０は、磁性体を含まない、すなわち非磁性体であり、例えば、絶縁層６０の材料として例示した絶縁性材料からなる。
前記インダクタ部品１によれば、第１、第２垂直配線５１，５２がインダクタ配線２１に対して第１方向および第２方向に引き出されることで、実装基板の配線との接続の自由度が向上する。インダクタ部品１は、例えば、入力端子には上側からのみ、出力端子には下側からのみ配線接続するなどができる。また、第１、第２垂直配線５１，５２がインダクタ配線２１に対して第１方向および第２方向に引き出されることで、インダクタ部品１のインダクタ配線２１に対して上下の応力を近似でき、インダクタ部品１の反りを抑制することができる。また、インダクタ配線２１の第１パッド部２０１および第２パッド部２０２の全てから第１、第２垂直配線５１，５２がインダクタ部品１の上下に引き出されているので、インダクタ部品１の表裏の違いを区別することなく使用でき、部品製造時や部品実装時の表裏の認識工程及び整列工程を省くことができる。
好ましくは、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２のそれぞれの第１中心軸７０は、同軸上に存在する。具体的に述べると、第１垂直配線５１の第１柱状配線３１およびビア導体２５の中心軸と第２垂直配線５２の第２柱状配線３２の中心軸とが、同一軸上に存在する。
これによれば、対となる第１垂直配線５１、第２垂直配線５２の中心軸は、同一軸上に存在するので、インダクタ部品１の表裏の物理的及び電気的な差異を低減できる。これに対して、中心軸がずれている場合、インダクタ部品の表裏で差異が存在することになる。当該差異が存在すると、特に、インダクタ部品を高精度に使用したい場合などにおいては、実装時に表裏の確認が必要となる。なお、垂直配線の接続位置がずれることで、インダクタ配線へ流れる電流経路も表裏で異なると、実効的なＲｄｃ，インダクタンスもわずかながら表裏で異なってくる。
好ましくは、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２について、金属磁性粉１５との最小距離は、２００ｎｍ以下である。これによれば、磁性層１１における金属磁性粉１５の充填量を増やすことができるので、インダクタ部品１のインダクタンスを高くできる。ここで、最小距離の測定には、第１垂直配線５１の中心軸を通る断面のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）画像を用いる。つまり、当該ＳＥＭ画像を用いて、第１垂直配線５１とその近傍の金属磁性粉１５との距離を測定し、得られた複数の距離のうち最小の距離を最小距離とする。第２垂直配線５２についても同様である。なお、距離を測定するＳＥＭ画像の倍率は１万倍とするか、金属磁性粉１５が３０個程度含まれる倍率とする。
好ましくは、インダクタ配線２１と金属磁性粉１５との最小距離は、２００ｎｍ以下である。これによれば、磁性層１１における金属磁性粉１５の充填量を増やすことができるので、インダクタ部品１のインダクタンスを高くできる。ここで、最小距離の測定には、インダクタ配線２１の中心軸を通る断面のＳＥＭ画像を用いる。つまり、当該ＳＥＭ画像を用いて、インダクタ配線２１とその近傍の金属磁性粉１５との距離を測定し、得られた複数の距離のうち最小の距離を最小距離とする。なお、距離を測定するＳＥＭ画像の倍率は１万倍とするか、金属磁性粉１５が３０個程度含まれる倍率とする。
好ましくは、磁性層１１の主面（本体１０の第１，第２主面１２，１３）は、凹凸を有している。磁性層１１の主面は、インダクタ配線２１が配置される平面と平行である。この凹凸は、第１，第２主面１２，１３から金属磁性粉１５のうちの一部を脱粒させることで、形成される。凹凸は、主として樹脂１４部分の平坦性によるものと、金属磁性粉１５の脱粒によって形成された凹部１６によるものとから構成されるが、本実施形態の本体１０の主面１２，１３においては、後述する算術平均粗さＲａにおいて支配的なのは後者の金属磁性粉１５の脱粒によって形成された凹部１６によるものである。凹部１６には主面１２，１３と接触する層（例えば、被覆膜５０および第１、第２外部端子４１，４２）が入り込むため、アンカー効果により本体１０の主面１２，１３と主面１２，１３に接触する層との間の密着性が向上する。
磁性層１１の主面の凹凸の算術平均粗さＲａは、磁性層１１の厚さＴの１／１０以下であることが好ましい。このように、算術平均粗さＲａが磁性層１１の厚さＴの１／１０以下であると、磁性層１１の主面の凹凸が小さいため、インダクタ部品１を埋め込む際にインダクタ部品１の表面凹凸にストレスがかかりにくく、インダクタ部品１の破損を防止できる。
算術平均粗さＲａは、第１外部端子４１および第２外部端子４２を通る本体１０の第１主面１２上の直線における第１外部端子４１と重なる部分を除いた一部分の算術平均粗さである。この実施形態では、直線は、第１外部端子４１および第２外部端子４２を通過するように引いた第１主面１２上の直線であり、例えば、図１ＡにおいてＸ－Ｘ断面線で示す位置における第１主面１２上の直線をいう。算術平均粗さＲａは、形状解析レーザ顕微鏡（株式会社キーエンス製「形状測定レーザマイクロスコープＶＫ－Ｘ１００」）を用いて測定することができる。具体的には、インダクタ部品１の被覆膜５０を剥離して、本体１０の第１主面１２を露出させる。露出した第１主面１２において、外部端子４１，４２を通過する第１主面１２上の直線を含む部分の算術平均粗さＲａを測定倍率は５０倍で測定する。なお、第２主面１３においても、同様である。
磁性層１１の厚さＴは、磁性層１１のＺ方向の厚さである。厚さＴは、走査型電子顕微鏡を用いて測定する。具体的には、第１外部端子４１および第２外部端子４２を通過するように引いた第１主面１２上の直線でインダクタ部品１をＺ方向に切断し、走査型電子顕微鏡を用いて、測定試料の断面からＳＥＭ画像を得る。ＳＥＭ画像を用いて厚さＴを測定する。
なお、第１，第２主面１２，１３の少なくとも一方において、ＲａがＴ／１０以下を満たせばよい。また、磁性層１１が複数ある場合、磁性層の厚さＴとは、複数の磁性層の厚さの総計をいう。
金属磁性粉１５の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下である。金属磁性粉１５の平均粒径は、金属磁性粉１５を樹脂１４に含有させる原料状態においてはレーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径（体積中位径Ｄ５０）として算出することができる。また、インダクタ部品１の完成品の状態では、金属磁性粉１５の平均粒径は、本体１０の第１，第２主面１２，１３上の直線を通る断面のＳＥＭ画像を用いて測定する。具体的には、１５個以上の金属磁性粉１５が確認できる倍率のＳＥＭ画像において、各金属磁性粉１５の面積を測定し、円相当径から算出した上で、その算術平均値を金属磁性粉１５の平均粒径とする。
好ましくは、金属磁性粉１５の平均粒径は、磁性層１１の厚さＴの１／１０以上２／３以下である。これによれば、金属磁性粉１５の平均粒径が１／１０以上であるので、金属磁性粉１５の平均粒径が磁性層１１に対して必要以上に小さくならず、インダクタ部品１の取得できる透磁率を大きくできる。また、金属磁性粉１５の平均粒径が２／３以下であるので、磁性層１１の研削時の金属磁性粉１５の脱粒を低減して、実効透磁率を向上できる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
図２Ａに示すようにダミーコア基板６１を準備する。ダミーコア基板６１は、その両面に基板銅箔を有する。本実施形態では、ダミーコア基板６１は、ガラスエポキシ基板である。ダミーコア基板６１の厚みは、インダクタ部品１の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適便取り扱いやすい厚さ、材料のものを用いればよい。
次に、基板銅箔の面上に銅箔（ダミー金属層）６２を接着する。銅箔６２は基板銅箔の円滑面に接着される。このため、銅箔６２と基板銅箔の接着力を弱くすることでき、後工程において、ダミーコア基板６１を銅箔６２から容易に剥がすことができる。好ましくはダミーコア基板６１と銅箔６２を接着する接着剤は、低粘着剤とする。また、ダミーコア基板６１と銅箔６２の接着力を弱くするために、ダミーコア基板６１と銅箔６２の接着面を光沢面とすることが望ましい。
その後、銅箔６２上に絶縁層６０を積層する。このとき絶縁層６０は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。
図２Ｂに示すように、絶縁層６０をレーザ加工などにより開口部６０ａを形成する。そして、図２Ｃに示すように、絶縁層６０上にダミー銅６４ａとインダクタ配線６４ｂを形成する。詳しくは、絶縁層６０上に無電解めっきやスパッタリング、蒸着などによりＳＡＰのための給電膜（図示せず）を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼りつけ、フォトリソグラフィによって配線パターンとなる箇所に感光性レジストの開口部を形成する。その後、ダミー銅６４ａ、インダクタ配線２１に相当するメタル配線を感光性レジスト層の開口部に形成する。メタル配線形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去し、給電膜をエッチング除去する。その後、さらにこのメタル配線を給電部として、追加の銅電解めっきを施すことで狭スペースな配線を得る。また、ＳＡＰにより図２Ｂに形成された開口部６０ａには銅が充填される。
その後、ダミーコア基板６１を銅箔６２から剥がす。そして、銅箔６２をエッチングなどにより取り除き、ダミー銅６４ａをエッチングなどにより取り除いて、図２Ｄに示すように、内磁路に対応する孔部６６ａと外磁路に対応する孔部６６ｂを形成する。
その後、図２Ｅに示すように、絶縁層開口部６７ａをレーザ加工などにより形成する。そして、図２Ｆに示すように、ＳＡＰにより絶縁層開口部６７ａを銅により充填し、ビア導体２５を形成し、絶縁層６０およびパッド部２０１，２０２にビア導体２５および柱状配線３１，３２を形成する。レーザ加工では、図２Ｄに示す絶縁層６０に対して第１方向側から第２方向側へレーザ光を照射する。レーザ光を絶縁層６０に対して順Ｚ方向に沿って照射すると、側面がＺ方向に平行な側面を有する絶縁層開口部６７ａが形成される。
なお、レーザ加工において、図２Ｄに示す絶縁層６０に対して第１方向側から第２方向側へレーザ光を集光させて照射すると、第２方向に沿って幅が小さくなるテーパー状の側面を有する絶縁層開口部６７ａが形成される。絶縁層開口部６７ａは、レーザ加工に代えてフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて形成してもよい。
次に、図２Ｇに示すように、磁性材料６９（磁性層１１）によりインダクタ配線２１、絶縁層６０、柱状配線３１，３２を覆って、インダクタ基板を形成する。磁性材料６９は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。このとき、磁性材料６９は、孔部６６ａ，６６ｂにも充填される。
そして、図２Ｈに示すように、インダクタ基板の上下の磁性材料６９を研削工法により薄層化する。このとき、柱状配線３１，３２の一部を露出されることで、磁性材料６９の同一平面上に柱状配線３１，３２の露出部が形成される。このとき、インダクタンス値が得られるのに十分な厚みまで磁性材料６９を研削することで、インダクタ部品１の薄型化を図ることができる。
その後、図２Ｉに示すように、印刷工法により本体１０の第１、第２主面１２，１３に被覆膜５０を形成する。ここで、被覆膜５０の開口部５０ａを、外部端子４１，４２の形成部分とする。本実施例では、印刷工法を用いたが、フォトリソグラフィ法によって開口部５０ａを形成してもよい。
次に、図２Ｊに示すように、無電解銅めっきや、ＮｉおよびＡｕなどのめっき被膜し、外部端子４１，４２を形成し、図２Ｋに示すように、破線部Ｌにてダイシングにより個片化し、図１Ａおよび図１Ｂのインダクタ部品１を得る。なお、図２Ｂ以降、記載を省略したが、ダミーコア基板６１の両面にインダクタ基板を形成してもよい。これにより、高い生産性を得ることができる。
（第２実施形態）
図３は、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、インダクタ配線の断面形状が異なる。この相違する構成を以下に説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図３に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、インダクタ配線２１Ａの断面形状は、第２面２０８Ａを上底とし、第１面２０６Ａを下底とし、側面２０７Ａを脚とする台形形状を有する。このように、側面２０７Ａは、第１面２０６Ａの幅が第１面２０６Ａと反対側の第２面２０８Ａの幅よりも大きくなるように、テーパー状に形成されている。
テーパー状は、インダクタ配線２１Ａの幅が第２方向側から第１方向側に向かって（逆Ｚ方向に沿って）大きくなるような形状である。このため、テーパー状は、図３に示すようなインダクタ配線２１Ａの断面が第２面２０８Ａから第１面２０６Ａに向かって断面の幅が大きくなるように側面２０７Ａが傾斜する台形状に限定されない。テーパー状は、例えば、側面が曲面である形状であってもよいし、側面がその一部に曲面を有してもよく、その一部に凹凸を含んでもよい。また、テーパー状は、厳密なテーパー状に限定されず、現実的なばらつきの範囲を考慮し、実質的なテーパー状も含む。
インダクタ配線２１の側面２０７Ａは、テーパー状に形成されているため、インダクタ配線２１Ａの第２面２０８Ａ側から第１面２０６Ａ側に磁性層１１を充填する場合に、磁性層１１の充填性が向上する。また、第１面２０６Ａの幅は、第２面２０８Ａの幅よりも大きいので、第１面２０６Ａに接続されるビア導体２５の幅（面積）を大きくでき、ビア導体２５のパッド部２０１Ａ，２０２Ａとの接続強度を向上できる。
（第３実施形態）
図４は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、第１垂直配線および第２垂直配線のそれぞれの断面積が互いに異なる。この相違する構成を以下に説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図４に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、同じ位置に接続される第１垂直配線５１および第２垂直配線５２において、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２のそれぞれの断面積が互いに異なる。より具体的には、例えば、第１柱状配線３１の断面積は、第２柱状配線３２の断面積と比較して小さい。第１，第２垂直配線５１，５２の断面積は、垂直配線５１，５２が延在する方向（Ｚ方向）に直交する断面における垂直配線５１，５２の面積である。
第１垂直配線５１および第２垂直配線５２のそれぞれの断面積が互いに異なると、インダクタ配線２１に流れる電流密度に応じて、接続する第１，第２垂直配線５１，５２を選択することができる。したがって、各垂直配線５１，５２を一律の断面積とする必要がなくなり、第１垂直配線５１の断面積を第２垂直配線５２の断面積と比較して小さくし、第１垂直配線５１の周囲の磁性層１１の体積を大きくすることで、同じインダクタ部品１の外形に対してインダクタンスを向上することができる。
なお、第２垂直配線５２の断面積が第１垂直配線５１の断面積よりも小さくてもよく、この場合、第２垂直配線５２の周囲の磁性層１１の体積を大きくすることで、同じインダクタ部品１の外形に対してインダクタンスを向上することができる。また、同じ位置に接続された第１垂直配線５１および第２垂直配線５２の複数組の内の少なくとも１組において、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２のそれぞれの断面積が互いに異なっていればよい。
（第４実施形態）
図５Ａは、インダクタ部品の第４実施形態を示す透視平面図である。図５Ｂは、第４実施形態に係るインダクタ部品の断面図（図５ＡのＸ－Ｘ断面図）である。第４実施形態は、第１実施形態に対して、インダクタ配線の構成（より具体的には、インダクタ配線の形状および数）、ならびに層間ビア導体をさらに備える点で相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第４実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、第４実施形態のインダクタ部品１Ｃは、第１実施形態と比較して、第１インダクタ配線２１Ｃおよび第２インダクタ配線２２Ｃの法線方向（Ｚ方向）に複数のインダクタ配線が積層されている。これにより、複数のインダクタ配線を法線方向に積層化することで実装面積への影響を削減することができる。
具体的に述べると、第２インダクタ配線２２Ｃの法線方向に第１インダクタ配線２１Ｃが積層され、第１インダクタ配線２１Ｃと第２インダクタ配線２２Ｃは、直列に接続されている。つまり、インダクタ部品１Ｃは、法線方向に異なる層のインダクタ配線２１Ｃ，２２Ｃを接続する層間ビア導体２８を備える。第１インダクタ配線２１Ｃと第２インダクタ配線２２Ｃとは、層間ビア導体（第２ビア導体）２８を介して直列に接続されている。このように積層したインダクタ配線２１Ｃ，２２Ｃを直列に接続すると、インダクタ部品１Ｃのインダクタンスを高めることができる。
第１インダクタ配線２１Ｃの第１パッド部２０１Ｃは、第１パッド部２０１Ｃの上側の第２垂直配線５２を介して、第２主面１３側の第１外部端子４１に電気的に接続される。第１インダクタ配線２１Ｃの第２パッド部２０２Ｃは、第２パッド部２０２Ｃの上側の第２垂直配線５２を介して、第２主面１３側の第２外部端子４２に電気的に接続され、第２パッド部２０２Ｃの下側の第１垂直配線５１を介して、第１主面１２側の第２外部端子４２に電気的に接続される。
第２インダクタ配線２２Ｃは、第１インダクタ配線２１Ｃの上側に配置されている。第２インダクタ配線２２Ｃの第１パッド部２０３Ｃは、第１パッド部２０３Ｃの下側の第１垂直配線５１を介して、第１主面１２側の第１外部端子４１に電気的に接続される。第２インダクタ配線２２Ｃの第２パッド部２０４Ｃは、第２パッド部２０４Ｃの下側の第１垂直配線５１を介して、第１主面１２側の第２外部端子４２に電気的に接続され、第２パッド部２０４Ｃの上側の第２垂直配線５２を介して、第２主面１３側の第２外部端子４２に電気的に接続される。
第１インダクタ配線２１Ｃの第１パッド部２０１Ｃと第２インダクタ配線２２Ｃの第１パッド部２０３Ｃは、層間ビア導体２８を介して、電気的に接続される。これにより、第１インダクタ配線２１Ｃの第１パッド部２０１Ｃは、第１パッド部２０１Ｃの下側の第１垂直配線５１を介して、第１主面１２側の第１外部端子４１に電気的に接続される。同様に、第２インダクタ配線２２Ｃの第１パッド部２０３Ｃは、第１パッド部２０３Ｃの上側の第２垂直配線５２を介して、第２主面１３側の第１外部端子４１に電気的に接続される。
層間ビア導体２８の第３中心軸７２は、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２のそれぞれの第１中心軸７０と異なる。これにより、層間ビア導体２８を形成するときの凹みを抑制できるため、安定した品質のインダクタ部品１Ｃを提供できる。
インダクタ配線２１Ｃ，２２Ｃは、半円部と直線部とから構成される略トラック状である。第１インダクタ配線２１Ｃは、上側からみて、内周端である第１パッド部２０１Ｃから外周端である第２パッド部２０２Ｃに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第２インダクタ配線２２Ｃは、上側からみて、内周端である第１パッド部２０３Ｃから外周端である第２パッド部２０４Ｃに向かって反時計回り方向に渦巻状に巻回されている。
好ましくは、金属磁性粉１５の平均粒径は、第１インダクタ配線２１Ｃおよび第２インダクタ配線２２Ｃの法線方向（Ｚ方向）から見た内磁路の内接円の１／３０以上１／３以下である。これにより、平均粒径が１／３０以上であるので、金属磁性粉１５の平均粒径が必要以上に小さくならず、インダクタ部品１の取得できる透磁率を大きくできる。また、平均粒径が１／３以下であるので、金属磁性粉１５を内磁路に安定して充填することができる。内磁路の内接円とは、インダクタ配線２１をＺ方向からみた場合に、インダクタ配線２１それぞれの内周端に接触する円のうち、最大の直径を有する円をいう。例えば、金属磁性粉１５の平均粒径が４５μｍであり、内磁路の内接円が９００μｍである。なお、インダクタ配線２１は、絶縁層６０に覆われているが、絶縁層６０の厚みは薄いため、絶縁層６０の厚みは考慮しなくてもよい。
なお、前記実施形態では、Ｚ方向にインダクタ配線を２つ配置しているが、Ｚ方向に異なる層のインダクタ配線を３つ以上配置してもよい。Ｚ方向に異なる層のインダクタ配線を３つ以上配置する場合、３つ以上のインダクタ配線を電気的に接続する複数の層間ビア導体を備える。インダクタ部品が複数の層間ビア導体を備える場合、複数の層間ビア導体のうちの少なくとも１つの中心軸は、第１垂直配線および第２垂直配線のそれぞれの中心軸と異なる。
（第５実施形態）
図６は、インダクタ部品の第５実施形態を示す透視斜視図である。第５実施形態は、第１実施形態とは、インダクタ配線の構成（より具体的には、インダクタ配線の形状および数）が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第５実施形態において、他の実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図６に示すように、第５実施形態のインダクタ部品１Ｄは、第１実施形態のインダクタ部品１と同様に、インダクタ配線２１Ｄ，２２ＤからＺ方向に延伸し、磁性層１１の内部を貫通する垂直配線５１，５２を備える。つまり、第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄの第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄのそれぞれに、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２が接続され、第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄの第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄのそれぞれに、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２が接続される。
第５実施形態のインダクタ部品１Ｄにおいて、第１インダクタ配線２１Ｄと第２インダクタ配線２２Ｄは、Ｚ方向から見たときに、半円部と直線部とで構成される略トラック状である。第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄは、Ｚ方向から見たときに、第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄから第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄに向かって時計回りに渦巻状に巻回されている。
一方、第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄは、互いに近接している。すなわち、第１インダクタ配線２１Ｄで発生した磁束は、近接する第２インダクタ配線２２Ｄの周囲を回り込み、第２インダクタ配線２２Ｄで発生した磁束は、近接する第１インダクタ配線２１Ｄの周囲を回り込む。したがって、第１インダクタ配線２１Ｄと第２インダクタ配線２２Ｄとの磁気結合は強くなる。
第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄのうちの一方のインダクタ配線の第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄから第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄに向かって、かつ他方のインダクタ配線の第２パッド部２０４Ｄ，２０２Ｄから第１パッド部２０３Ｄ，２０１Ｄに向かって同時に電流が流れた場合、互いの磁束は強めあう。これは、第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄのうちの一方のインダクタ配線の第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄをパルス信号の入力側、第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄをパルス信号の出力側とし、かつ他方のインダクタ配線の第２パッド部２０４Ｄ，２０２Ｄをパルス信号の入力側、第１パッド部２０３Ｄ，２０１Ｄをパルス信号の出力側とした場合に、第１インダクタ配線２１Ｄと第２インダクタ配線２２Ｄとは正結合されていることを意味する。
一方、第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄ両方について第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄから第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄに向かって、または第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄから第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄに向かって同時に電流が流れた場合、互いの磁束は打ち消し合う。これは、第１、第２インダクタ配線２１Ｄ，２２Ｄの第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄをパルス信号の入力側、第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄをパルス信号の出力側とするか、または第２パッド部２０２Ｄ，２０４Ｄをパルス信号の入力側、第１パッド部２０１Ｄ，２０３Ｄをパルス信号の出力側とした場合に、第１インダクタ配線２１Ｄと第２インダクタ配線２２Ｄとは負結合されていることを意味する。
なお、前記実施形態では、同一平面上に２つのインダクタ配線を配置しているが、同一平面上に３つ以上のインダクタ配線を配置してもよい。
（第６実施形態）
図７Ａは、インダクタ部品の第６実施形態を示す透視平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＸ－Ｘ断面図である。第６実施形態は、第５実施形態とは、インダクタ配線の構成（より具体的には、インダクタ配線の形状）が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第６実施形態において、他の実施形態と同一の符号は、第６実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
第６実施形態のインダクタ部品１Ｅにおいて、第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅは、Ｚ方向から見たときに、半楕円形の弧状である。インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅの円弧は、互いに接近する方向に凸となるように、形成されている。すなわち、第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅは、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅは、中間部分で直線部を含んでいる。なお、第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅは、ターン数が１周未満の曲線であってもよい。
第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅのそれぞれにおいて、インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅが描く曲線と、インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅの両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Ｚ方向からみて、互いのインダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅについても、その内径部分同士は重ならない。
第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅにおいて、同じ側にある第１パッド部２０１からその反対側にある第２パッド部２０２に向かって同時に電流が流れた場合、互いの磁束は強めあう。これは、第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅの各第１パッド部２０１を共にパルス信号の入力側、各第２パッド部２０２を共にパルス信号の出力側とした場合に、第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅとは正結合されていることを意味する。一方、例えば、第１インダクタ配線２１Ｅの第１パッド部２０１側を入力、第２パッド部２０２側を出力とし、第２インダクタ配線２２Ｅの第１パッド部２０１側を出力、第２パッド部２０２側を入力とすれば、第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅとは負結合されている状態とできる。
好ましくは、金属磁性粉１５の平均粒径は、第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅの間の最大距離の１／３０以上１／３以下である。これにより、平均粒径が１／３０以上であるので、金属磁性粉１５の平均粒径が必要以上に小さくならず、インダクタ部品１Ｅの取得できる透磁率を大きくできる。また、平均粒径が１／３以下であるので、第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅの間に安定して充填することができる。第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅの間の最大距離とは、第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２ＥをＺ方向からみた場合の最大距離をいう。なお、第１、第２インダクタ配線２１Ｅ，２２Ｅは、絶縁層６０に覆われているが、絶縁層６０の厚みは薄いため、絶縁層６０の厚みは考慮しなくてもよい。
（第７実施形態）
図８は、インダクタ部品内蔵基板の第７実施形態を示す断面図である。図８に示すように、第７実施形態のインダクタ部品内蔵基板５は、インダクタ部品１Ｆと、インダクタ部品１Ｆが埋め込まれた基板６と、基板配線６ｆとを備える。基板配線６ｆは、基板６の主面（基板主面１７）に沿った方向に延在するパターン部６ａ～６ｄと、基板６の厚み方向に延在する基板ビア部６ｅとを含む。基板配線６ｆは、基板ビア部６ｅにおいて、インダクタ部品１Ｆと接続している。
インダクタ部品１Ｆは、第１実施形態のインダクタ部品１とは、被覆膜５０を有しない点で相違し、それ以外は、第１実施形態のインダクタ部品１と同じ構成であるため、その説明を省略する。
基板６は、コア材７と絶縁層８とを有する。インダクタ部品１Ｆは、コア材７の貫通孔７ａに配置され、コア材７とともに絶縁層８で覆われている。インダクタ部品１Ｆにおいて本体１０の主面１２，１３に凹凸が形成されている場合、絶縁層８は、凹凸を有する主面１２，１３を覆うため、アンカー効果により主面１２，１３と絶縁層８との間の密着性が向上する。
インダクタ部品１Ｆの本体１０の主面１２，１３と基板主面１７とは平行であることが好ましい。インダクタ部品１Ｆの主面１２，１３と基板主面１７とが、平行である場合、インダクタ部品内蔵基板５をさらに薄型にすることができる。また、インダクタ部品１Ｆは、基板主面１７と、本体１０の主面１２，１３およびインダクタ配線２１が配置された平面とが実質的に平行な状態で、基板６に埋め込まれてもよい。かかる場合、インダクタ部品１ＦにおけるＺ方向（インダクタ配線２１が配置された平面に対する法線方向）は、基板６における厚さ方向と実質的に一致し、基板主面１７と実質的に直交する。
インダクタ部品１Ｆの外部端子４１，４２は、基板ビア部６ｅと直接接続している。つまり、基板配線６ｆは、基板ビア部６ｅにおいて、インダクタ部品１Ｆの外部端子４１，４２と接続している。また、基板ビア部６ｅは、Ｚ方向の上側からインダクタ部品１Ｆに接続する第１ビア部と、Ｚ方向の下側からインダクタ部品１Ｆに接続する第２ビア部とを含む。具体的に述べると、第１垂直配線５１を介して第１パッド部２０１に接続する第１外部端子４１は、第１外部端子４１の下側の基板ビア部６ｅ（第１ビア部）を介して、第１パターン部６ａに接続される。第２垂直配線５２を介して第１パッド部２０１に接続する第２外部端子４２は、第２外部端子４２の上側の基板ビア部６ｅ（第２ビア部）を介して、第２パターン部６ｂに接続される。第２垂直配線５２を介して第２パッド部２０２に接続する第２外部端子４２は、第２外部端子４２の上側の基板ビア部６ｅ（第２ビア部）を介して、第３パターン部６ｃに接続される。なお、第１垂直配線５１を介して第２パッド部２０２に接続する第１外部端子４１は、第１外部端子４１の下側の第４パターン部６ｄに接続されていない。
したがって、前記インダクタ部品内蔵基板５は、前記インダクタ部品１Ｆを有するため、回路設計の自由度を向上できる。好ましくは、基板配線６ｆのパターン部６ａ～６ｄは、インダクタ配線２１が配置された平面に対して、平行に配置されている。これにより、インダクタ部品内蔵基板５を薄型とすることができる。
要するに、インダクタ部品内蔵基板５では、インダクタ部品１Ｆのインダクタ配線２１と、基板配線６ｆとが、Ｚ方向に延在する垂直配線５１，５２および基板ビア部６ｅによって、接続されている。これはすなわち、インダクタ配線２１と基板配線６ｆとが余分な配線の引き回しなく接続されることを意味する。インダクタ部品内蔵基板５では、この余分な引き回し分の省略によって空いた空間を有効に活用できるため、従来技術のインダクタ部品やインダクタ部品内蔵基板よりも回路設計の自由度を向上できる。
また、インダクタ部品内蔵基板５では、余分な配線の引き回しがないため、配線抵抗を低減できる。さらに、インダクタ部品内蔵基板５では、比較的小さいインダクタ部品１Ｆを基板６に埋め込むことで、回路全体を小型化、薄型化できる。
また、基板配線６ｆは、インダクタ部品１ＦのＺ方向の両側（上下）から電気的に接続されている。この場合、基板配線がインダクタ部品１Ｆの一方側からしか接続されていない従来のインダクタ部品内蔵基板に比べて、パターン部６ａ～６ｄのレイアウトの選択肢が増え、回路設計の自由度が向上する。
また、第１実施形態で説明したように、インダクタ部品１Ｆにおいて、Ｚ方向からみて、外部端子４１，４２の面積は、柱状配線３１，３２の面積よりも大きいので、外部端子４１，４２の面積を大きくできる。したがって、インダクタ部品１Ｆを基板６に埋め込む際、インダクタ部品１Ｆの外部端子と接続する基板ビア部６ｅを基板６に設けるとき、外部端子４１，４２に対する基板ビア部６ｅの形成位置のマージンを大きくとることができて、埋め込み時の歩留まりを向上できる。
なお、図８では、インダクタ部品内蔵基板５には、インダクタ部品１Ｆおよび基板配線６ｆのみしか記載されていないがインダクタ部品内蔵基板５には、半導体部品、コンデンサ部品、抵抗部品などの別の電子部品が埋め込まれていてもよい。また、基板主面１７に別の電子部品を表面実装したり、半導体チップを接合したりしてもよい。また、インダクタ部品１Ｆに代えて、第２～第６実施形態のインダクタ部品を第７実施形態のインダクタ部品内蔵基板に埋め込むことができる。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第７実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。また、第１から第７実施形態において、他の実施形態で説明した作用効果であって、該実施形態では特に言及せず、説明を省略しているものであっても、該実施形態で同様の構成を有する場合は、該実施形態においても基本的に同じ作用効果は発揮される。
上記実施形態では、インダクタ配線は、スパイラル配線であるが、インダクタ配線は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、ストレート形状、ミアンダ形状およびヘリカル形状のような公知の様々な構造、形状を有することができる。つまり、本開示のインダクタ配線は、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。
上記実施形態では、インダクタ配線は、第１面が絶縁層により被覆されているが、絶縁層によりインダクタ配線の側面の少なくとも一部をさらに被覆して、インダクタ配線の配線間の絶縁性をさらに高めてもよい。インダクタ配線の数量の増減は、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
１，１Ａ～１Ｆ インダクタ部品
５ インダクタ部品内蔵基板
６ 基板
６ａ～６ｄ パターン部
６ｅ 基板ビア部
６ｆ 基板配線
１０ 本体
１１ 磁性層
１２ 第１主面
１３ 第２主面
１４ 樹脂
１５ 金属磁性粉
１７ 基板主面
２１ インダクタ配線
２１Ａ，２１Ｃ 第１インダクタ配線
２２Ａ，２２Ｃ 第２インダクタ配線
２５ ビア導体
２８ 層間ビア導体
３１，３１Ｂ 第１柱状配線
３２，３２Ｂ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
５０ 被覆膜
５１ 第１垂直配線
５２ 第２垂直配線
６０，６０Ｃ 絶縁層
２０１，２０１Ａ，２０１Ｃ，２０１Ｄ，２０３Ｃ，２０３Ｄ 第１パッド部
２０２，２０２Ａ，２０２Ｃ，２０２Ｄ，２０４Ｃ，２０４Ｄ 第２パッド部
２０６，２０６Ａ 第１面

Claims (19)

  1. 樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む平板状の本体と、
    前記本体内の平面上に配置され、前記平面上に巻回されたスパイラル配線であって内周端である第１パッド部と外周端である第２パッド部とを含むインダクタ配線と、
    前記インダクタ配線の前記第１パッド部および前記第２パッド部のそれぞれから前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第１方向に延在し、前記本体の第１主面側で露出し周面が前記本体に囲まれている第１垂直配線と、
    前記インダクタ配線の前記第１パッド部および前記第２パッド部のそれぞれから前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第２方向に延在し、前記本体の第２主面側で露出し周面が前記本体に囲まれている第２垂直配線と、
    前記インダクタ配線の前記第１方向側の第１面および側面のうちの少なくとも前記第１面に接する非磁性体の絶縁層と
    を備え、
    前記第１垂直配線は、前記第１パッド部および前記第２パッド部のそれぞれから前記第１方向側に延在し前記絶縁層の内部を貫通するビア導体と、前記ビア導体から前記第１方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線とを含み、
    前記第２垂直配線は、前記第１パッド部および前記第２パッド部のそれぞれから前記第２方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線を含む、インダクタ部品。
  2. 樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む平板状の本体と、
    前記本体内の平面上に配置されるインダクタ配線と、
    前記インダクタ配線の端部であるパッド部から前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第１方向に延在し、前記本体の第１主面側で露出する第１垂直配線と、
    前記インダクタ配線の前記パッド部から前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第２方向に延在し、前記本体の第２主面側で露出する第２垂直配線と、
    前記インダクタ配線の前記第１方向側の第１面および側面のうちの少なくとも前記第１面に接する非磁性体の絶縁層と
    を備え、
    前記第１垂直配線は、前記パッド部から前記第１方向側に延在し前記絶縁層の内部を貫通するビア導体と、前記ビア導体から前記第１方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線とを含み、
    前記第２垂直配線は、前記パッド部から前記第２方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線を含み、
    前記第１垂直配線および前記第２垂直配線のそれぞれの断面積は、互いに異なる、インダクタ部品。
  3. 樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含む磁性層を含む平板状の本体と、
    前記本体内の平面上に配置されるインダクタ配線と、
    前記インダクタ配線の端部であるパッド部から前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第１方向に延在し、前記本体の第１主面側で露出する第１垂直配線と、
    前記インダクタ配線の前記パッド部から前記本体の内部を貫通するように前記平面に対して法線方向の第２方向に延在し、前記本体の第２主面側で露出する第２垂直配線と、
    前記インダクタ配線の前記第１方向側の第１面および側面のうちの少なくとも前記第１面に接する非磁性体の絶縁層と
    を備え、
    前記第１垂直配線は、前記パッド部から前記第１方向側に延在し前記絶縁層の内部を貫通するビア導体と、前記ビア導体から前記第１方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線とを含み、
    前記第２垂直配線は、前記パッド部から前記第２方向側に延在し前記磁性層の内部を貫通する柱状配線を含み、
    前記インダクタ配線は、前記法線方向に積層されており、
    前記法線方向に異なる層のインダクタ配線を接続する複数の層間ビア導体をさらに備え、
    前記複数の層間ビア導体の少なくとも一つの中心軸は、前記第１垂直配線および前記第２垂直配線のそれぞれの中心軸と異なる、インダクタ部品。
  4. 前記インダクタ配線の前記側面は、前記インダクタ配線の前記第１面の幅が前記インダクタ配線の前記第１面と反対側の第２面の幅よりも大きくなるように、テーパー状に形成され、
    前記第１垂直配線の前記ビア導体は、前記インダクタ配線の前記第１面に接続されている、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  5. 前記第１垂直配線および前記第２垂直配線のそれぞれの中心軸は、同一軸上に存在する、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  6. 前記絶縁層は、前記インダクタ配線の前記側面の少なくとも一部に接する、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  7. 前記絶縁層は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびビニルエーテル系樹脂のうち、少なくとも１つを含む、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  8. 前記第１垂直配線および前記第２垂直配線について、前記金属磁性粉との最小距離は、２００ｎｍ以下である、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  9. 前記インダクタ配線と前記金属磁性粉との最小距離は、２００ｎｍ以下である、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  10. 前記磁性層は、凹凸を有し前記平面に平行な主面を含み、
    前記磁性層の前記主面の前記凹凸の算術平均粗さＲａは、前記磁性層の厚さＴの１／１０以下である、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  11. 前記磁性層の表面に設けられた被覆膜をさらに備える、請求項１から１０の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  12. 前記インダクタ配線は、前記法線方向に積層されている、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  13. 前記インダクタ配線は、第１インダクタ配線と第２インダクタ配線とを有し、
    前記金属磁性粉の平均粒径は、前記第１インダクタ配線および前記第２インダクタ配線の前記法線方向から見た内磁路の内接円の１／３０以上１／３以下である、請求項１から１２の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  14. 前記インダクタ配線は、第１インダクタ配線と第２インダクタ配線とを有し、
    前記金属磁性粉の平均粒径は、前記第１インダクタ配線と前記第２インダクタ配線の間の最大距離の１／３０以上１／３以下である、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  15. 前記金属磁性粉の平均粒径は、前記磁性層の厚さＴの１／１０以上２／３以下である、請求項１から１４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  16. 前記磁性層は、さらにフェライト粉を含む、請求項１から１５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  17. 前記磁性層は、絶縁体からなる非磁性粉を含む、請求項１から１６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  18. 請求項１から１７のいずれか一つに記載のインダクタ部品と、
    前記インダクタ部品が埋め込まれた基板と、
    前記基板の主面に沿った方向に延在するパターン部と、前記基板の厚み方向に延在する基板ビア部とを含む基板配線と
    を備え、
    前記基板配線は、前記基板ビア部において、前記インダクタ部品と接続している、インダクタ部品内蔵基板。
  19. 前記基板配線の前記パターン部は、前記インダクタ配線が配置された平面に対して、平行に配置されている、請求項１８に記載のインダクタ部品内蔵基板。
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