JP2019529084A5 - - Google Patents

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発明の詳細な説明
高塩素含有量を有する担持触媒、そのような担持触媒を製造するための方法、および芳香族化または改質プロセスにおけるこれらの触媒の使用が本明細書に開示される。有益には、低塩素含有量を有する従来の芳香族化触媒と比較して、本明細書に記載の高塩素含有量担持触媒は、意外にも改善された触媒活性および安定性、ならびにより低いファウリング速度を有する。
以下に本発明の一態様を示す。
[発明1]
担持触媒であって、
結合ゼオライト基材と、
担持触媒の総重量を基準として、約0.3重量%〜約3重量%の遷移金属、
約1.8重量%〜約4重量%の塩素、および
約0.4重量%〜約1.5重量%のフッ素、を含み、
前記担持触媒は、約580°F〜約800°Fの範囲の温度プログラム還元(TPR)曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、担持触媒。
[発明2]
前記担持触媒は、約2重量%〜約3.8重量%の塩素を含む、発明1に記載の触媒。
[発明3]
前記担持触媒は、約0.5重量%〜約1.3重量%のフッ素を含む、発明1または2に記載の触媒。
[発明4]
前記結合ゼオライト基材は、ゼオライトおよび結合剤を含む、発明1〜3のいずれか一項に記載の触媒。
[発明5]
前記担持触媒は、前記担持触媒の総重量を基準として、約5重量%〜約30重量%の結合剤を含む、発明4に記載の触媒。
[発明6]
前記結合剤は、無機固体酸化物、粘土、またはそれらの組み合わせを含む、発明4または5に記載の触媒。
[発明7]
前記結合剤は、アルミナ、シリカ、マグネシア、ボリア、チタニア、ジルコニア、それらの混合酸化物、またはそれらの混合物を含む、発明4または5に記載の触媒。
[発明8]
前記結合剤は、シリカを含む、発明4または5に記載の触媒。
[発明9]
前記担持触媒は、結合L型ゼオライトを含む、発明1〜8のいずれか一項に記載の触媒。
[発明10]
前記担持触媒は、結合バリウムイオン交換L型ゼオライトを含む、発明1〜9のいずれか一項に記載の触媒。
[発明11]
前記担持触媒は、結合K/L型ゼオライトを含む、発明1〜9のいずれか一項に記載の触媒。
[発明12]
前記担持触媒は、シリカ結合K/L型ゼオライトを含む、発明1〜9のいずれか一項に記載の触媒。
[発明13]
前記結合ゼオライト基材は、
K/L型ゼオライトをシリカゾルと組み合わせて混合物を形成することと、
前記混合物を押し出して押出物を形成することと、
前記押出物を乾燥および焼成して焼成基材を形成することと、
前記焼成基材を洗浄、乾燥、および焼成して前記結合ゼオライト基材を形成することと、を含むプロセスによって製造される、発明1〜9のいずれか一項に記載の触媒。
[発明14]
前記担持触媒は、約0.5重量%〜約2重量%の前記遷移金属を含む、発明1〜13のいずれか一項に記載の触媒。
[発明15]
前記遷移金属は、白金を含む、発明1〜14のいずれか一項に記載の触媒。
[発明16]
前記担持触媒は、約0.7重量%〜約1.5重量%の白金を含む、発明1〜15のいずれか一項に記載の触媒。
[発明17]
前記担持触媒は、約600°F〜約720°Fの範囲のTPR曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、発明1〜16のいずれか一項に記載の触媒。
[発明18]
前記担持触媒は、より低い温度ピークおよびより高い温度ピークを含むTPR曲線によって特徴付けられ、より高い温度ピークはより低い温度ピークよりも高さが大きい、発明1〜17のいずれか一項に記載の触媒。
[発明19]
前記担持触媒は、約1.5:1〜約8:1の塩素:フッ素の重量比を含む、発明1〜18のいずれか一項に記載の触媒。
[発明20]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ白金分散度を有する、発明1〜19のいずれか一項に記載の触媒。
[発明21]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ表面積を有する、発明1〜20のいずれか一項に記載の触媒。
[発明22]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも多い総窒素含有量を有する、発明1〜21のいずれか一項に記載の触媒。
[発明23]
前記担持触媒は、約920°F〜約940°Fの範囲の反応後期温度(T EOR )によって特徴付けられる、発明1〜22のいずれか一項に記載の触媒。
[発明24]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いT EOR によって特徴付けられる、発明1〜23のいずれか一項に記載の触媒。
[発明25]
前記担持触媒は、約915°F〜約935°Fの範囲の反応初期温度(T SOR )よって特徴付けられる、発明1〜24のいずれか一項に記載の触媒。
[発明26]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いT SOR によって特徴付けられる、発明1〜25のいずれか一項に記載の触媒。
[発明27]
前記担持触媒は、約0.12°F/分未満のファウリング速度によって特徴付けられる、発明1〜26のいずれか一項に記載の触媒。
[発明28]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いファウリング速度によって特徴付けられる、発明1〜27のいずれか一項に記載の触媒。
[発明29]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ芳香族選択性によって特徴付けられる、発明1〜28のいずれか一項に記載の触媒。
[発明30]
反応器系において改質条件下で炭化水素供給物を担持芳香族化触媒と接触させて芳香族生成物を製造することを含む改質プロセスであって、前記担持芳香族化触媒は、発明1〜29のいずれか一項に記載の担持触媒である、改質プロセス。
[発明31]
前記炭化水素供給物は、C −C アルカンおよび/またはシクロアルカンを含む、発明30に記載のプロセス。
[発明32]
担持触媒を製造する方法であって、
(a)結合ゼオライト基材に遷移金属前駆体、塩素前駆体、およびフッ素前駆体を含浸させて含浸ゼオライト基材を形成することと、
(b)前記含浸ゼオライト基材を乾燥し、次いで焼成して前記担持触媒を製造することと、を含み、前記担持触媒は、前記担持触媒の総重量を基準として、
約0.3重量%〜約3重量%の遷移金属、
約1.8重量%〜約4重量%の塩素、および
約0.4重量%〜約1.5重量%のフッ素を含み、
前記担持触媒は、約580°F〜約800°Fの範囲の温度プログラム還元曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、方法。
[発明33]
前記結合ゼオライト基材は、
ゼオライトを結合剤と組み合わせて混合物を形成することと、
前記混合物を押し出して押出物を形成することと、
前記押出物を乾燥および焼成して焼成基材を形成することと、
前記焼成基材を洗浄、乾燥、および焼成して前記結合ゼオライト基材を形成することと、を含むプロセスによって製造される、発明32に記載の方法。
[発明34]
前記含浸ゼオライト基材を乾燥し、次いで焼成することは、大気圧または準大気圧で約50℃〜約200℃の範囲の乾燥温度を含む、発明32または33に記載の方法。
[発明35]
前記含浸ゼオライト基材を乾燥し、次いで焼成することは、約200℃〜約500℃の範囲のピーク焼成温度、および窒素、酸素、空気、またはそれらの任意の組み合わせを含む焼成ガス流を含む、発明32〜34のいずれか一項に記載の方法。
[発明36]
前記結合ゼオライト基材に前記遷移金属前駆体を含浸させることは、前記結合ゼオライト基材を前記遷移金属前駆体と混合することを含む、発明32〜35のいずれか一項に記載の方法。
[発明37]
前記結合ゼオライト基材に前記塩素前駆体および前記フッ素前駆体を含浸させることは、前記結合ゼオライト基材を前記塩素前駆体および前記フッ素前駆体と混合することを含む、発明32〜36のいずれか一項に記載の方法。
[発明38]
前記結合ゼオライト基材に前記遷移金属前駆体、前記塩素前駆体、および前記フッ素前駆体を含浸させることは、前記結合ゼオライト基材を、前記遷移金属前駆体、前記塩素前駆体、および前記フッ素前駆体を含む水溶液と混合することを含む、発明32〜35のいずれか一項に記載の方法。
[発明39]
前記担持触媒は、約2重量%〜約3.8重量%の塩素を含む、発明32〜38のいずれか一項に記載の方法。
[発明40]
前記担持触媒は、約0.5重量%〜約1.3重量%のフッ素を含む、発明32〜39のいずれか一項に記載の方法。
[発明41]
前記担持触媒は、前記担持触媒の総重量を基準として、約5重量%〜約30重量%の前記結合剤を含む、発明33から40のいずれか一項に記載の方法。
[発明42]
前記結合剤は、無機固体酸化物、粘土、またはそれらの組み合わせを含む、発明33〜41のいずれか一項に記載の方法。
[発明43]
前記結合剤は、アルミナ、シリカ、マグネシア、ボリア、チタニア、ジルコニア、それらの混合酸化物、またはそれらの混合物を含む、発明33〜41のいずれか一項に記載の方法。
[発明44]
前記結合剤は、シリカを含む、発明33〜41のいずれか一項に記載の方法。
[発明45]
前記担持触媒は、結合バリウムイオン交換L型ゼオライトを含む、発明32〜44のいずれか一項に記載の方法。
[発明46]
前記担持触媒は、結合K/L型ゼオライトを含む、発明32〜44のいずれか一項に記載の方法。
[発明47]
前記担持触媒は、シリカ結合K/L型ゼオライトを含む、発明32〜44のいずれか一項に記載の方法。
[発明48]
前記担持触媒は、約0.5重量%〜約2重量%の遷移金属を含む、発明32〜47のいずれか一項に記載の方法。
[発明49]
前記遷移金属は、白金を含む、発明32〜48のいずれか一項に記載の方法。
[発明50]
前記担持触媒は、約0.7重量%〜約1.5重量%の白金を含む、発明32〜49のいずれか一項に記載の方法。
[発明51]
前記担持触媒は、約600°F〜約720°Fの範囲のTPR曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、発明32〜50のいずれか一項に記載の方法。
[発明52]
前記担持触媒は、より低い温度ピークおよびより高い温度ピークを含むTPR曲線によって特徴付けられ、より高い温度ピークはより低い温度ピークよりも高さが大きい、発明32〜51のいずれか一項に記載の方法。
[発明53]
前記担持触媒は、約1.5:1〜約8:1の塩素:フッ素の重量比を含む、発明32〜52のいずれか一項に記載の方法。
[発明54]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ白金分散度を有する、発明32〜53のいずれか一項に記載の方法。
[発明55]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ表面積を有する、発明32〜54のいずれか一項に記載の方法。
[発明56]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも多い総窒素含有量を有する、発明32〜55のいずれか一項に記載の方法。
[発明57]
前記担持触媒は、約920°F〜約940°Fの範囲の反応後期温度(T EOR )によって特徴付けられる、発明32〜56のいずれか一項に記載の方法。
[発明58]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いT EOR によって特徴付けられる、発明32〜57のいずれか一項に記載の方法。
[発明59]
前記担持触媒は、約915°F〜約935°Fの範囲の反応初期温度(T SOR )よって特徴付けられる、発明32〜58のいずれか一項に記載の方法。
[発明60]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いT SOR によって特徴付けられる、発明32〜59のいずれか一項に記載の方法。
[発明61]
前記担持触媒は、約0.12°F/分未満のファウリング速度によって特徴付けられる、発明32〜60のいずれか一項に記載の方法。
[発明62]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いファウリング速度によって特徴付けられる、発明32〜61のいずれか一項に記載の方法。
[発明63]
前記担持触媒は、同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ芳香族選択性によって特徴付けられる、発明32〜62のいずれか一項に記載の方法。
[発明64]
発明32〜63のいずれか一項に記載の方法によって得られる、担持触媒。
[発明65]
前記含浸ゼオライト基材の乾燥および焼成後に還元ステップをさらに含み、前記還元ステップは、前記担持触媒を還元ガス流と接触させて活性化された触媒を製造することを含む、発明32〜63のいずれか一項に記載の方法。
[発明66]
前記還元ステップは、約100℃〜約700℃の範囲の還元温度で行われる、発明65に記載の方法。
[発明67]
前記活性化された触媒は、前記活性化された触媒の総重量を基準として、約0.2重量%〜約1.3重量%の塩素を含む、発明65または66に記載の方法。
[発明68]
発明65〜67のいずれか一項に記載の方法によって得られる、活性化された触媒。
[発明69]
反応器系において改質条件下で炭化水素供給物を発明64に記載の担持触媒または発明68に記載の活性化された触媒と接触させて芳香族生成物を製造することを含む、改質プロセス。
[発明70]
前記炭化水素供給物は、C −C アルカンおよび/またはシクロアルカンを含む、発明69に記載のプロセス。

Claims (18)

  1. 担持触媒であって、
    結合ゼオライト基材と、
    担持触媒の総重量を基準として、
    .3重量%〜3重量%の遷移金属、
    .8重量%〜4重量%の塩素、および
    .4重量%〜1.5重量%のフッ素、を含み、
    前記担持触媒は、580°F〜800°Fの範囲の温度プログラム還元(TPR)曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、
    担持触媒。
  2. 前記担持触媒は、0.5重量%〜2重量%の遷移金属、および/又は2重量%〜3.8重量%の塩素、および/または0.5重量%〜1.3重量%のフッ素を含む、請求項1に記載の触媒。
  3. 前記結合ゼオライト基材は、ゼオライトおよび結合剤、および前記担持触媒は、前記担持触媒の総重量を基準として、5重量%〜30重量%の結合剤を含む、請求項1または2に記載の触媒。
  4. 前記結合剤は、無機固体酸化物、粘土、またはそれらの組み合わせを含み、任意選択で、前記結合剤は、アルミナ、シリカ、マグネシア、ボリア、チタニア、ジルコニア、それらの混合酸化物、またはそれらの混合物を含む、請求項に記載の触媒。
  5. 前記担持触媒は、結合L型ゼオライトを、任意選択で、結合バリウムイオン交換L型ゼオライトを含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の触媒。
  6. 前記担持触媒は、結合K/L型ゼオライトを、任意選択で、シリカ結合K/L型ゼオライトを含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の触媒。
  7. 前記遷移金属は、白金を含み、任意選択で、前記担持触媒は、0.7重量%〜1.5重量%の白金を含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の触媒。
  8. 前記担持触媒は、600°F〜720°Fの範囲のTPR曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、請求項1〜のいずれか一項に記載の触媒。
  9. 前記担持触媒は、より低い温度ピークおよびより高い温度ピークを含むTPR曲線によって特徴付けられ、より高い温度ピークはより低い温度ピークよりも高さが大きい、請求項1〜のいずれか一項に記載の触媒。
  10. 前記担持触媒は、1.5:1〜8:1の塩素:フッ素の重量比を含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の触媒。
  11. 前記担持触媒は、
    同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ白金分散度、および/または
    同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ表面積、および/または
    同じ触媒調製条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも多い総窒素含有量
    を有する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の触媒。
  12. 前記担持触媒は、
    20°F〜940°Fの範囲の反応後期温度(TEOR、および/または
    同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いT EOR 、および/または
    915°F〜935°Fの範囲の反応初期温度(T SOR )、および/または
    同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いT SOR 、および/または
    0.12°F/分未満のファウリング速度、および/または
    同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものよりも低いファウリング速度、および/または
    同じ触媒調製条件および芳香族化反応条件下で、0.3重量%〜1.5重量%の塩素を有する触媒のものと実質的に同じ芳香族選択性
    によって特徴付けられる、請求項1〜11のいずれか一項に記載の触媒。
  13. 担持触媒を製造する方法であって、
    (a)結合ゼオライト基材に遷移金属前駆体、塩素前駆体、およびフッ素前駆体を含浸させて含浸ゼオライト基材を形成することと、
    (b)前記含浸ゼオライト基材を乾燥し、次いで焼成して前記担持触媒を製造することと、を含み、前記担持触媒は、前記担持触媒の総重量を基準として、
    .3重量%〜3重量%の遷移金属、
    .8重量%〜4重量%の塩素、および
    .4重量%〜1.5重量%のフッ素を含み、
    前記担持触媒は、580°F〜800°Fの範囲の温度プログラム還元曲線上のピーク還元温度によって特徴付けられる、
    方法。
  14. 前記結合ゼオライト基材は、
    ゼオライトを結合剤と組み合わせて混合物を形成することと、
    前記混合物を押し出して押出物を形成することと、
    前記押出物を乾燥および焼成して焼成基材を形成することと、
    前記焼成基材を洗浄、乾燥、および焼成して前記結合ゼオライト基材を形成することと、を含むプロセスによって製造される、請求項13に記載の方法。
  15. 前記含浸ゼオライト基材を乾燥し、次いで焼成することは、
    気圧または準大気圧で50℃〜200℃の範囲の乾燥温度、および/または
    200℃〜500℃の範囲のピーク焼成温度、および窒素、酸素、空気、またはそれらの任意の組み合わせを含む焼成ガス流
    を含む、請求項13または14に記載の方法。
  16. 前記結合ゼオライト基材に前記遷移金属前駆体を含浸させることは、前記結合ゼオライト基材を前記遷移金属前駆体と混合することを含む、および/または
    前記結合ゼオライト基材に前記塩素前駆体および前記フッ素前駆体を含浸させることは、前記結合ゼオライト基材を前記塩素前駆体および前記フッ素前駆体と混合することを含む、および/または
    前記結合ゼオライト基材に前記遷移金属前駆体、前記塩素前駆体、および前記フッ素前駆体を含浸させることは、前記結合ゼオライト基材を、前記遷移金属前駆体、前記塩素前駆体、および前記フッ素前駆体を含む水溶液と混合することを含む、
    請求項1315のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記含浸ゼオライト基材の乾燥および焼成後に還元ステップをさらに含み、前記還元ステップは、前記担持触媒を還元ガス流と接触させて活性化された触媒を製造することを含み、前記還元ステップは、100℃〜700℃の範囲の還元温度で行われる、請求項1316のいずれか一項に記載の方法。
  18. 反応器系において改質条件下で炭化水素供給物を請求項1〜12のいずれか一項に記載の担持触媒または請求項17に記載の方法により得られる活性化された触媒と接触させて芳香族生成物を製造することを含み、任意選択で、前記炭化水素供給物は、C −C アルカンおよび/またはシクロアルカンを含む、改質プロセス。
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