JP2019512446A - 透明レーザー溶接領域を備える封止デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Vs/(D*rp)>1 (1)
同様に、変調されたCWレーザーは、式(1')にしたがって、封止界面でのレーザービームのスポット直径Dおよびレーザービームの変調速度(rm)の積よりも大きい平行移動速度Vsで操作してもよい:
Vs/(D*rm)>1 (1')
言うまでもなく、所与の平行移動速度について、スポット直径、繰返し率、および/または変調速度も、変更して式(1)または(1')を満たしても差し支えない。これらのパラメータ下で動作するレーザーは、個々の「スポット」を含む重なり合わないレーザー溶接を生成することができる。例えば、レーザーパルス(1/rpまたは1/rm)間の時間は、ドエル時間(D/Vs)よりも大きくても差し支えない。いくつかの実施の形態において、Vs/(D*rp)またはVs/(D*rm)は、その間の全ての範囲および部分範囲を含め、約1.1〜約8、約1.2〜約7、約1.3〜約6、約1.4〜約5、約1.5〜約4、約1.6〜約3、約1.7〜約2、または約1.8〜約1.9など、約1.05〜約10の範囲であっても差し支えない。そのような溶接パターンを使用して、例えば、本開示の様々な実施の形態にしたがって非気密シールを生成してもよい。
Vs/(D*rp)≦1 (2)
同様に、変調されたCWレーザーは、以下の式(2')にしたがって、封止界面でのレーザービームのスポット直径Dおよびレーザービームの変調速度(rm)の積以下である平行移動速度Vsで操作してもよい:
Vs/(D*rm)≦1 (2')
言うまでもなく、所与の平行移動速度について、スポット直径、繰返し率、および/または変調速度も、変更して式(2)または(2')を満たしても差し支えない。そのようなパラメータ下で動作すると、(例えば、rmまたはrpが無限大に増加するように)連続線に接近することができる連続「スポット」を含む重なり合うレーザー溶接を生成することができる。例えば、レーザーパルス(1/rpまたは1/rm)間の時間は、ドエル時間(D/Vs)以下であっても差し支えない。いくつかの実施の形態において、Vs/(D*rp)またはV/(D*rm)は、その間の全ての範囲および部分範囲を含め、約0.05〜約0.9、約0.1〜約0.8、約0.2〜約0.7、約0.3〜約0.6、または約0.4〜約0.5など、約0.01〜約1の範囲であっても差し支えない。これらの溶接パターンを使用して、例えば、本開示の様々な実施の形態にしたがって気密シールを生成してもよい。
n=3(蒸発/結露輸送用)、n>3(拡散輸送用)である。
第1のガラス基材(200μm厚Corning社「Willow」)を、低融点ガラスを備える1μm厚無機膜でコーティングし、膜を第2のガラス基材(500μm厚Corning社EAGLE「XG」)に接触させることによってスタックを用意した。10秒のパルス幅および6Wの平均入射出力で50mm/sで平行移動する35kHzパルスUVレーザ(355nm)を使用して溶接を行った。レーザーは、200マイクロメートルスポット直径および4msのドエル時間で界面から若干脱焦状態であった(焦点は界面より約3mm下)。図37に示すように、非溶接部分Iによって200マイクロメートル間隔で離間された200マイクロメートル厚溶接部分Wを形成するために連続直鎖状パスを基材にわたって施行した。
非溶接領域Iのデータサンプルを溶接「前」の界面組成を表すものとして収集した。溶接領域Wのデータサンプルも溶接「後」の界面組成を表すものとして収集した。膜元素(F、P、Sn)のデータサンプルは、図38A〜Cに示されている。各元素について「前」と「後」の空間プロファイルを重ね合わせ、ピークの最大強度MAXを正規化して、移動長さMを判定するために全波最大半減FWHM値を比較することによって比較結果を描写した。
非溶接I(「前」)および溶接W(「後」)領域からの基材元素(Al、B、およびSi)のデータサンプルを収集して図39a〜Cにおいて比較した。各元素について「前」と「後」の空間プロファイルを重ね合わせ、以下の式によって富化のパーセントを判定するために封止界面強度範囲(Δr)および溶接領域強度範囲(Δe)を比較することによって比較結果を描写した:
下表Iに示すように、第1のガラス基材を異なる組成の1μm厚無機膜でコーティングして、膜を第2のガラス基材に接触させることによって様々なスタックを用意した。下表Iに示すように、10秒のパルス幅および6Wの平均入射出力で異なる速度で平行移動する35kHzパルスUVレーザ(355nm)を使用して溶接を行った。レーザーは、200マイクロメートルスポット直径で界面から若干脱焦状態であった(焦点は界面より約3mm下)。溶接領域内およびその周りの応力を測定した上で、応力は、図40では深さの関数としてプロットされている。
封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含み、前記第1の基材の第1の深さから前記第2の基材の第2の深さまで延びる溶接領域、
を備え、
前記無機膜は、少なくとも1つの無機膜元素を含み、
前記第1及び第2の基材の一方又は両方は、少なくとも1つの無機基材元素を含み、
前記溶接領域内の前記第1又は第2の基材の第1の無機膜元素濃度は、前記溶接領域の外側の前記第1又は第2の基材の第2の無機膜元素濃度よりも高い、封止デバイス。
前記無機膜および、任意選択的に前記第1の基材、第2の基材のうちの少なくとも一方は、約420nm〜約750nmの範囲の波長時に透過性である、実施形態1に記載の封止デバイス。
前記溶接領域は、透明である、実施形態1〜2のいずれかに記載の封止デバイス。
前記第1又は第2の基材のうちの少なくとも一方は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、ポリマー、又は金属を含む、実施形態1〜3のいずれかに記載の封止デバイス。
前記第1及び第2の基材の両方は、ガラス又はガラスセラミックを含む、実施形態1〜4のいずれかに記載の封止デバイス。
前記第2の基材の表面にわたって形成された第2の無機膜をさらに備える、実施形態1〜5のいずれかに記載の封止デバイス。
前記無機膜は、以下の組成、すなわち、
20〜100モル%SnO、
0〜50モル%SnF2、および、
0〜30モル%P2O5又はB2O3を有する、実施形態1〜6のいずれかに記載の封止デバイス。
前記無機膜は、以下の組成、すなわち、
10〜80モル%Bi2O3、
5〜60モル%Bi2O3、および、
0〜70モル%ZnOを有する、実施形態1〜6のいずれかに記載の封止デバイス。
前記少なくとも1つの無機膜元素は、F、P、Sn、B、Bi、Zn、Ti、W、Ce、Nb、Pb、Fe、Va、Cr、Mn、Mg、Ge、およびその組み合わせから選ばれる、実施形態1〜8のいずれかに記載の封止デバイス。
前記第1の無機膜元素濃度は、前記第2の無機膜元素濃度よりも少なくとも約5モル%高い、実施形態1〜9のいずれかに記載の封止デバイス。
前記溶接領域の第1の基材元素濃度は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の第2の基材元素濃度よりも高い、実施形態1に記載の封止デバイス。
前記少なくとも1つの無機基材元素は、Al、B、Si、Na、Li、K、Mg、Ca、Ba、及びその組み合わせから選ばれる、実施形態11に記載の封止デバイス。
前記第1の基材膜元素濃度は、前記第2の基材膜元素濃度よりも少なくとも約30モル%高い、実施形態11に記載の封止デバイス。
前記無機膜は、約0.1マイクロメートル〜約10マイクロメートルの範囲の厚さを有する、実施形態1〜13のいずれかに記載の封止デバイス。
前記溶接領域は、約0.3マイクロメートル〜約14マイクロメートルの範囲の厚さを有する、実施形態1〜13のいずれかに記載の封止デバイス。
少なくとも前記溶接領域を包含する応力領域をさらに備え、前記応力領域内の第1の応力は、前記応力領域の外側の第2の応力よりも大きい、実施形態1〜15のいずれかに記載の封止デバイス。
前記第1の応力は、約1MPa超〜約25MPaの範囲である、実施形態16に記載の封止デバイス。
前記第1の応力:前記第2の応力の比率は、約1.1:1〜約25:1の範囲である、実施形態16に記載の封止デバイス。
前記応力領域は、約20マイクロメートルから約500マイクロメートルの範囲の厚さを有する、実施形態16に記載の封止デバイス。
封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含み、前記第1の基材の第1の深さから前記第2の基材の第2の深さまで延びる溶接領域、
を備え、
前記無機膜は、少なくとも1つの無機膜元素を含み、
前記第1及び第2の基材の一方又は両方は、少なくとも1つの無機基材元素を含み、
前記溶接領域の第1の基材元素濃度は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の第2の基材元素濃度よりも高い、封止デバイス。
封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含む溶接領域、
を備え、
前記第1及び第2の基材の一方又は両方は、少なくとも1つの無機基材元素を含み、
前記溶接領域は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の一部と比較すると少なくとも1つの無機基材元素で富化される、封止デバイス。
前記溶接領域は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の前記一部内の第2の無機基材元素濃度よりも少なくとも30モル%大きい第1の無機基材元素濃度を含む、実施形態21に記載の封止デバイス。
封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含む溶接領域、
を備え、
前記無機膜は、少なくとも1つの無機膜元素を含み、
前記第1の基材は、第1の部分を前記溶接領域内に、第2の基材は、第2の部分を前記溶接領域の外側に含み、
前記第1の部分は、前記第2の部分と比較すると前記少なくとも1つの無機膜元素で富化される、封止デバイス。
前記第1の部分は、前記第2の部分内の第2の無機膜元素濃度よりも少なくとも約5モル%高い第1の無機膜元素濃度を含む、実施形態23に記載の封止デバイス。
前記第1の部分は、約0.1μm〜約2μmの範囲の深さまで封止界面から前記第1の基材へ延びる、実施形態23〜24のいずれかに記載の封止デバイス。
前記第2の基材は、第3の部分を前記溶接領域内に、第4の部分を前記溶接領域の外側に含み、前記第3の部分は、前記第4の部分と比較すると前記少なくとも1つの無機膜元素で富化される、実施形態23〜25のいずれかに記載の封止デバイス。
Claims (13)
- 封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含み、前記第1の基材の第1の深さから前記第2の基材の第2の深さまで延びる溶接領域、
を備え、
前記無機膜は、少なくとも1つの無機膜元素を含み、前記第1及び第2の基材の一方又は両方は、少なくとも1つの無機基材元素を含み、
前記溶接領域内の前記第1又は第2の基材の第1の無機膜元素濃度は、前記溶接領域の外側の前記第1又は第2の基材の第2の無機膜元素濃度よりも高い、封止デバイス。 - 無機膜、および、任意選択的に前記第1の基材、第2の基材のうちの少なくとも一方は、約420nm〜約750nmの範囲の波長時に透過性である、請求項1に記載の封止デバイス。
- 前記溶接領域は、透明である、請求項1〜2のいずれか一項に記載の封止デバイス。
- 前記第1又は第2の基材のうちの少なくとも一方は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、ポリマー、又は金属を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の封止デバイス。
- 前記無機膜は、以下の組成、すなわち、
20〜100モル%SnO、
0〜50モル%SnF2、および、
0〜30モル%P2O5又はB2O3を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の封止デバイス。 - 前記無機膜は、以下の組成、すなわち、
10〜80モル%Bi2O3、
5〜60モル%Bi2O3、および、
0〜70モル%ZnOを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の封止デバイス。 - 前記第1の無機膜元素濃度は、前記第2の無機膜元素濃度よりも少なくとも約5モル%高いか、または、前記溶接領域の第1の基材元素濃度は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の第2の基材元素濃度よりも高い、請求項1〜6のいずれか一項に記載の封止デバイス。
- 前記少なくとも1つの無機基材元素は、Al、B、Si、Na、Li、K、Mg、Ca、Ba、及びその組み合わせから選ばれる、請求項7に記載の封止デバイス。
- 前記第1の基材膜元素濃度は、前記第2の基材膜元素濃度よりも少なくとも約30モル%高い、請求項7に記載の封止デバイス。
- 少なくとも前記溶接領域を包含する応力領域をさらに備え、前記応力領域内の第1の応力は、前記応力領域の外側の第2の応力よりも大きく、前記第1の応力は、約1MPa超〜約25MPaの範囲であり、前記第1の応力:前記第2の応力の比率は、約1.1:1〜約25:1の範囲であり、前記応力領域は、約20マイクロメートル〜約500マイクロメートルの範囲の厚さを有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の封止デバイス。
- 封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含み、前記第1の基材の第1の深さから前記第2の基材の第2の深さまで延びる溶接領域、
を備え、
前記無機膜は、少なくとも1つの無機膜元素を含み、前記第1及び第2の基材の一方又は両方は、少なくとも1つの無機基材元素を含み、
前記溶接領域の第1の基材元素濃度は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の第2の基材元素濃度よりも高い、封止デバイス。 - 封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含む溶接領域、
を備え、
前記第1及び第2の基材の一方又は両方は、少なくとも1つの無機基材元素を含み、
前記溶接領域は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の一部と比較すると少なくとも1つの無機基材元素で富化され、
前記溶接領域は、前記溶接領域の外側の前記無機膜の前記一部内の第2の無機基材元素濃度よりも少なくとも30モル%大きい第1の無機基材元素濃度を含む、封止デバイス。 - 封止デバイスにおいて、
第1の基材の表面にわたって形成された無機膜、
前記無機膜と接触する第2の基材、および
前記第1及び第2の基材間に形成された接合部を含む溶接領域、
を備え、
前記無機膜は、少なくとも1つの無機膜元素を含み、
前記第1は、前記第1の部分を溶接領域内に、第2の基材は、第2の部分の溶接領域の外側に含み、
前記第1の部分は、前記第2の部分と比較すると前記少なくとも1つの無機膜元素で富化され、
前記第1の部分は、前記第2の部分内の第2の無機膜元素濃度よりも少なくとも約5モル%高い前記第1の無機膜元素濃度を含む、封止デバイス。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361822048P | 2013-05-10 | 2013-05-10 | |
US201361829379P | 2013-05-31 | 2013-05-31 | |
US201361886928P | 2013-10-04 | 2013-10-04 | |
US15/066,704 | 2016-03-10 | ||
US15/066,704 US9741963B2 (en) | 2013-05-10 | 2016-03-10 | Sealed devices comprising transparent laser weld regions |
PCT/US2017/021238 WO2017156048A1 (en) | 2016-03-10 | 2017-03-08 | Sealed devices comprising transparent laser weld regions |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019512446A true JP2019512446A (ja) | 2019-05-16 |
JP2019512446A5 JP2019512446A5 (ja) | 2020-04-16 |
JP7313827B2 JP7313827B2 (ja) | 2023-07-25 |
Family
ID=50942852
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016513036A Active JP6333961B2 (ja) | 2013-05-10 | 2014-05-07 | 低融点ガラス又は吸収薄膜を使用した透明ガラスシートのレーザー溶接 |
JP2018547289A Active JP7313827B2 (ja) | 2013-05-10 | 2017-03-08 | 透明レーザー溶接領域を備える封止デバイス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016513036A Active JP6333961B2 (ja) | 2013-05-10 | 2014-05-07 | 低融点ガラス又は吸収薄膜を使用した透明ガラスシートのレーザー溶接 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US9515286B2 (ja) |
EP (1) | EP2994437A1 (ja) |
JP (2) | JP6333961B2 (ja) |
KR (2) | KR101866624B1 (ja) |
CN (1) | CN105377783B (ja) |
TW (2) | TWI614137B (ja) |
WO (1) | WO2014182776A1 (ja) |
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- 2014-05-07 JP JP2016513036A patent/JP6333961B2/ja active Active
- 2014-05-07 CN CN201480039579.0A patent/CN105377783B/zh active Active
- 2014-05-07 EP EP14730315.0A patent/EP2994437A1/en not_active Withdrawn
- 2014-05-07 US US14/271,797 patent/US9515286B2/en active Active
- 2014-05-07 WO PCT/US2014/037086 patent/WO2014182776A1/en active Application Filing
- 2014-05-09 TW TW103116582A patent/TWI614137B/zh active
-
2016
- 2016-03-10 US US15/066,704 patent/US9741963B2/en active Active
- 2016-04-05 US US15/090,978 patent/US9761828B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-08 KR KR1020187028654A patent/KR102354623B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-08 US US16/083,790 patent/US11711938B2/en active Active
- 2017-03-08 JP JP2018547289A patent/JP7313827B2/ja active Active
- 2017-03-10 TW TW106107928A patent/TWI737690B/zh active
- 2017-07-20 US US15/655,194 patent/US10069104B2/en active Active
- 2017-09-08 US US15/699,337 patent/US10283731B2/en active Active
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- 2023-06-01 US US18/204,789 patent/US20230329033A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7313827B2 (ja) | 2023-07-25 |
US20190074476A1 (en) | 2019-03-07 |
KR20160006746A (ko) | 2016-01-19 |
US20180138445A1 (en) | 2018-05-17 |
US9515286B2 (en) | 2016-12-06 |
JP2016524583A (ja) | 2016-08-18 |
US10283731B2 (en) | 2019-05-07 |
US20180138446A1 (en) | 2018-05-17 |
EP2994437A1 (en) | 2016-03-16 |
US9761828B2 (en) | 2017-09-12 |
US20160289111A1 (en) | 2016-10-06 |
WO2014182776A1 (en) | 2014-11-13 |
JP6333961B2 (ja) | 2018-05-30 |
CN105377783A (zh) | 2016-03-02 |
TWI614137B (zh) | 2018-02-11 |
US9741963B2 (en) | 2017-08-22 |
KR101866624B1 (ko) | 2018-06-11 |
US20150027168A1 (en) | 2015-01-29 |
WO2014182776A9 (en) | 2015-02-05 |
KR20180120734A (ko) | 2018-11-06 |
TW201522065A (zh) | 2015-06-16 |
TW201800243A (zh) | 2018-01-01 |
CN105377783B (zh) | 2019-03-08 |
TWI737690B (zh) | 2021-09-01 |
US20160268541A1 (en) | 2016-09-15 |
US20230329033A1 (en) | 2023-10-12 |
US10069104B2 (en) | 2018-09-04 |
KR102354623B1 (ko) | 2022-01-24 |
US11711938B2 (en) | 2023-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200309 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220314 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20220527 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20220601 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220907 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20221207 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
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|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20230405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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