JP2019216224A - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明にかかる半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体を用いて構成される。実施の形態1においては、ワイドバンドギャップ半導体として例えば炭化珪素(SiC)を用いて作製された炭化珪素半導体装置について、MOSFETを例に説明する。図1は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図3のA−A’断面図である。図2は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図3のB−B’断面図である。図3は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。
次に、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する。図4〜図9は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である。
次に、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図10は、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図12のA−A’断面図である。図11は、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図12のB−B’断面図である。図12は、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。
次に、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図13は、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図16のA−A’断面図である。図14は、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図16のB−B’断面図である。図15は、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図16のC−C’断面図である。図16は、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。
次に、実施の形態4にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図17は、実施の形態4にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図19のA−A’断面図である。図18は、実施の形態4にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図19のB−B’断面図である。図19は、実施の形態4にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。
2 n-型ドリフト層
3 p+型ベース領域
5 n型高濃度領域
5a 下部n型高濃度領域
5b 上部n型高濃度領域
6 p型ベース層
7 n+型ソース領域
8 p+型コンタクト領域
9 ゲート絶縁膜
10 ゲート電極
11 層間絶縁膜
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 ショットキー電極
16 n型ソース領域
17 フィールド酸化膜
18 ゲートトレンチ
19 コンタクトトレンチ
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板のおもて面に設けられた、前記半導体基板より不純物濃度の低い第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の、前記半導体基板側に対して反対側に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の内部に選択的に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域および前記第2半導体層に接する、前記第2半導体層よりも不純物濃度の高い第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層まで達する第1トレンチと、
前記第1トレンチ内にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第1半導体領域が形成されていない部分で前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層まで達する第2トレンチと、
前記第1半導体層との間にショットキー接合またはヘテロ接合を形成する、前記第2トレンチ内に設けられた電極材料と、
前記第2半導体領域とオーミック接合を形成する第1電極と、
前記半導体基板のうら面に設けられ、前記半導体基板とオーミック接合を形成する第2電極と、
を備え、
前記第1トレンチは、奥行き方向に延びる平行したストライプ状に設けられ、
前記第2トレンチは、前記第1トレンチに挟まれた領域に断続的に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1半導体領域は、前記断続的に設けられている前記第2トレンチに挟まれた領域に設けられるとともに、前記第1電極と接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層の少なくとも一部が前記第2トレンチと隔離して設けられ、
前記第2半導体領域は、前記第1半導体層の、前記第2半導体層が設けられていない部分の表面に前記第2半導体層よりも前記第1電極側に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2半導体領域は、前記断続的に設けられている前記第2トレンチに挟まれた領域に設けられるとともに、前記第1電極と接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域は、前記第1トレンチに接する部分と前記第2トレンチ間に挟まれた領域に設けられた部分とが、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が低い第1導電型の第3半導体領域により接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記ショットキー接合を形成する電極材料が、Ti、W、Ni、Moのいずれかであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ接合を形成する電極材料が、ポリシリコンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
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