JP2015072974A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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この課題を解決する技術として、所望の温度で温度を保持しながら酸化性ガスを供給して酸化を行う一方、所望の温度に達するまでの昇温時及び酸化後の降温時には、酸化炉内を不活性ガス雰囲気にする方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に記載の方法によれば、所望の温度でのみ酸化されるので、ダングリングボンドや酸化膜内の残留カーボンを低減することができる。これにより、炭化珪素からなる半導体と酸化膜との界面準位密度(Dit)を低減することができる。
上記問題点を鑑み、本発明は、炭化珪素材料の表面に絶縁膜を形成する際に、炭化珪素材料が高温に曝される時間を短縮することができ、炭化珪素材料の表面荒れや結晶欠陥の進行を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
まず、本発明の実施の形態に係る炭化珪素半導体の絶縁膜の形成方法に用いられる炉(酸化炉)の一例を説明する。
次に、本発明の実施の形態に係る炭化珪素材料の表面に絶縁膜を形成する方法の一例を説明する。本発明の実施の形態に係る絶縁膜の形成方法は、図2に示すように、時刻t1〜t2における昇温工程(第1の工程)、時刻t2〜t3における温度保持工程(第2の工程)、及び時刻t3〜t4における降温工程(第3の工程)の3工程を有する。
まず、図4(a)を用いて、時刻T11〜T13の昇温工程について説明する。室温から数百度程度の範囲にある温度Taで炭化珪素材料を炉に投入する。時刻t11において、昇温及び不活性ガスの導入を開始する。不活性ガスとしては、N2ガスやArガスが使用可能である。時刻t11〜t12において、不活性ガス雰囲気で、炭化珪素材料を温度Tb(1000℃程度)まで上昇させる。炭化珪素材料は、珪素材料とは異なり、1000℃付近までほとんど酸化されない。よって、炭化珪素材料は1000℃付近までは、不活性ガス雰囲気のみで温度を上昇させたほうが界面に不要なトラップを作らない点で好ましい。
次に、図4(a)を用いて、時刻t13〜t14の温度保持工程の一例について説明する。時刻t13〜t14の温度保持工程では、主に炭化珪素材料と絶縁膜との界面に存在するダングリングボンドの終端や残留カーボンの除去を目的として、窒素を含む活性ガスを導入することにより窒化処理を行う。窒素を含む活性ガスとしては、NOガスやN2Oガス又はNH3ガス等が使用可能である。また、窒素を含む活性ガスと、不活性ガスとの混合雰囲気とすることにより、窒化処理の進行を調整することができる。不活性ガスとしては、N2ガス又はArガス等が使用可能である。
次に、図4(a)を用いて、時刻t14〜t16の降温工程について説明する。図4(a)の時刻t13〜t14における温度保持工程に引き続き、時刻t14〜t16における降温工程においても窒化処理を行うことが可能である。
次に、本発明の実施の形態に係る絶縁膜の形成方法により形成した絶縁膜を有する半導体装置の一例として、ゲート絶縁膜(ゲート酸化膜)を有する電圧制御型トランジスタを以下で説明する。
次に、本発明の実施の形態の半導体装置の第1の変形例を説明する。第1の変形例に係る半導体装置は、図16に示すように、トランジスタとダイオードが一つのデバイスに一体化されている構造を備える点が、図6に示した構造と異なる。
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第2の変形例を説明する。第2の変形例に係る半導体装置は、図26に示すように、トランジスタとダイオードを一つのデバイスに一体化した構造であり、ショットキーバリアダイオード(ユニポーラダイオード)を備える点が、図16に示した第1の変形例に係る半導体装置の構成と異なる。
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第3の変形例を説明する。第3の変形例に係る半導体装置は、図32に示すように、n+型の炭化珪素からなる基体1と、基体1上に形成された炭化珪素からなるドリフト領域2と、ドリフト領域2上に形成されたn+型のソース領域4と、ドリフト領域2上にソース領域4を囲むように形成されたp型のウェル領域3と、ソース領域4に接続されたソース電極10と、ドリフト領域2及びウェル領域3上に形成されたゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6上に配置されたゲート電極7と、ゲート電極7を覆うように形成された層間絶縁膜8とを備える。基体1の裏面にはドレイン電極9が形成されている。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…ドリフト領域
3…ウェル領域
4…ソース領域
5,5a,5b…溝
6…ゲート絶縁膜
6a…酸化膜
6b…堆積絶縁膜
7…ゲート電極
8…層間絶縁膜
9…ドレイン電極
10…ソース電極
11…ヘテロ接合領域
13…金属電極
101…反応管
102…ヒータ
103…ボート
104…SiC基板
105a〜105c…ガス供給管
106a〜106c…ガスバルブ
107…排気管
108…排気ポンプ
110…ドア
Claims (7)
- 炭化珪素材料の表面に絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
活性ガス雰囲気で前記炭化珪素材料を所定の温度まで上昇させる昇温工程と、
前記炭化珪素材料を所定の温度に保持する温度保持工程と、
前記炭化珪素材料を降温させる降温工程
とを含み、
前記温度保持工程及び降温工程の少なくとも一方が、窒素を含む活性ガス雰囲気で行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記昇温工程における活性ガス雰囲気は、酸素ガス、水蒸気若しくはこれらの混合、又は一酸化窒素ガス若しくは亜酸化窒素ガスの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記温度保持工程が窒素を含む活性ガス雰囲気で行われ、当該窒素を含む活性ガス雰囲気が、一酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガス又はアンモニアガスの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記降温工程が窒素を含む活性ガス雰囲気で行われ、当該窒素を含む活性ガス雰囲気が、一酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガス又はアンモニアガスの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記昇温工程、温度保持工程及び降温工程のそれぞれにおいて、活性ガスと不活性ガスとを混合することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記不活性ガスは、窒素又はアルゴンであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置が電圧制御型トランジスタであり、
前記絶縁膜がゲート酸化膜である
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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