JP2008294171A - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 67
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
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Abstract
【解決手段】本発明においては、SiC基板上にSiをエピタキシャル成長させ、Si上にシリコン酸化膜を形成して縦型MOSFETを形成する。具体的には、本発明に係る半導体デバイスは、SiC基板と;前記SiC基板の表面に形成されたSiエピタキシャル層と;前記Siエピタキシャル層上に形成されたSi酸化膜と;前記Si酸化膜上に形成されたゲート電極と;前記Siエピタキシャル層内に形成されたソース領域と;前記SiC基板に接続されたドレイン電極とを備えている。
【選択図】図8
Description
112 Pウェル領域
114 ゲート酸化膜
116 ゲート電極
120 P+不純物拡散領域
122 N+不純物拡散領域
130 Siエピタキシャル層
210 SiC基板
212 Pウェル領域
214 ゲート酸化膜
216 ゲート電極
220 P+不純物拡散領域
222 N+不純物拡散領域
230 Siエピタキシャル層
Claims (7)
- SiC基板と;
前記SiC基板の表面に形成されたSiエピタキシャル層と;
前記Siエピタキシャル層上に形成されたSi酸化膜と;
前記Si酸化膜上に形成されたゲート電極と;
前記Siエピタキシャル層内に形成されたソース領域と;
前記SiC基板に接続されたドレイン電極とを備えたことを特徴とする半導体デバイス。 - 前記SiC基板は、3C−SiC(立方晶炭化珪素)基板、4H−SiC基板及び6H−SiC基板から選択される基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 第1導電型のSiC基板中に第2導電型のウェル領域を形成し;
前記ウェル領域中に第1導電型のSi層を成長させ;
前記Si層上にゲート絶縁膜を形成し;
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し;
前記Si層中に、前記ゲート電極に対して自己整合的にソース領域を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記SiC基板は、3C−SiC(立方晶炭化珪素)基板、4H−SiC基板及び6H−SiC基板から選択される基板であることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 第1導電型のSiC基板中に第2導電型のウェル領域を形成し;
前記ウェル領域の素子形成領域に溝を形成し;
前記溝に単結晶又は、多結晶シリコンを埋め込み;
前記埋め込まれたシリコン部分に第1導電型のソース領域を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記埋め込まれたシリコン層の上にゲート絶縁膜を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記SiC基板は、3C−SiC(立方晶炭化珪素)基板、4H−SiC基板及び6H−SiC基板から選択される基板であることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007137302A JP2008294171A (ja) | 2007-05-24 | 2007-05-24 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
US12/081,915 US20080290348A1 (en) | 2007-05-24 | 2008-04-23 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007137302A JP2008294171A (ja) | 2007-05-24 | 2007-05-24 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294171A true JP2008294171A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=40071565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007137302A Pending JP2008294171A (ja) | 2007-05-24 | 2007-05-24 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080290348A1 (ja) |
JP (1) | JP2008294171A (ja) |
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-05-24 JP JP2007137302A patent/JP2008294171A/ja active Pending
-
2008
- 2008-04-23 US US12/081,915 patent/US20080290348A1/en not_active Abandoned
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US10242876B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-03-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2018082199A (ja) * | 2017-12-26 | 2018-05-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
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---|---|
US20080290348A1 (en) | 2008-11-27 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081224 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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