JP2019096794A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1にかかる半導体装置は、シリコンよりもバンドギャップが広い半導体(ワイドバンドギャップ半導体とする)を用いて構成される。この実施の形態1にかかる半導体装置の構造について、ワイドバンドギャップ半導体として例えば炭化珪素(SiC)を用いた場合を例に説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図1には、トレンチゲート型MOSFET41の1つの単位セル(素子の構成単位)と、この単位セルの両隣に隣接する単位セルの1/2を示す。また、図1には活性領域に配置された一部の単位セルのみを図示し、活性領域の周囲を囲むエッジ終端領域を図示省略する(図2〜11においても同様)。
次に、実施の形態2にかかる半導体装置の構造について説明する。図11は、実施の形態2にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置が実施の形態1にかかる半導体装置と異なる点は、第2トレンチ51の底面コーナー部51bのみに絶縁層72を配置した点である。すなわち、第2トレンチ51の底面コーナー部51bのみが、第2トレンチ51の内側から絶縁層72で覆われている。導電層53は、第2トレンチ51の両底面コーナー部51bにそれぞれ配置された絶縁層72間に挟まれ、第2トレンチ51の底面51aにおいてp+型領域21に接している。
2 n-型ドリフト領域
3 n型電流拡散領域
3a,3b n型部分領域
4 p型ベース領域
5 n+型ソース領域
7 第1トレンチ(ゲートトレンチ)
7a 第1トレンチの底面
7b 第1トレンチの底面コーナー部
7c 第1トレンチの側壁
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 半導体基板
11 層間絶縁膜
12 ソース電極
13 ドレイン電極
21 p+型領域
31 n-型炭化珪素層
31a n-型炭化珪素層の厚さを増した部分
32 p型炭化珪素層
41 トレンチゲート型MOSFET
42 トレンチ型SBD
45 第2トレンチの底面および底面コーナー部の湾曲した部分
51 第2トレンチ(トレンチ型SBDを埋め込んだトレンチ)
51a 第2トレンチの底面
51b 第2トレンチの底面コーナー部
51c 第2トレンチの側壁
52,61,62,72 絶縁層
53 導電層
54 ショットキー接合
t1 絶縁層の厚さ
t2 p型ベース領域とn型電流拡散領域との界面から絶縁層と導電層との界面までの距離
X 第1,2トレンチがストライプ状に延在する方向
Y 第1,2トレンチがストライプ状に延在する方向と直交する方向
Z 深さ方向
Claims (5)
- シリコンよりもバンドギャップの広い半導体からなる半導体基板と、
前記半導体基板のおもて面に設けられた、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体からなる第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の、前記半導体基板側に対して反対側に設けられた、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体からなる第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の内部に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域および前記第2半導体層を貫通して前記第1半導体層に達する複数のトレンチと、
前記第1半導体層の内部に、前記第2半導体層と離して選択的に設けられ、前記トレンチの底面を覆う第2半導体領域と、
複数の前記トレンチのうちの一部の第1トレンチの内部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
複数の前記トレンチのうちの、前記第1トレンチ以外の第2トレンチの内部に設けられ、前記第2トレンチの底面コーナー部を覆う絶縁層と、
前記第2トレンチの内部において、前記絶縁層上に設けられた導電層と、
前記第2半導体層、前記第1半導体領域および前記導電層に電気的に接続された第1電極と、
前記半導体基板の裏面に設けられた第2電極と、
前記導電層と前記第1半導体層とのショットキー接合で構成されたショットキーバリアダイオードと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁層は、前記第2トレンチの内部において前記第2トレンチの底面および底面コーナー部を覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ショットキー接合は前記第2トレンチの側壁のみに形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層の内部に、前記第2半導体層に接して、かつ当該第2半導体層との界面から前記トレンチの底面よりも前記第2電極側に深い位置に達する、前記第1半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3半導体領域をさらに備え、
前記ショットキーバリアダイオードは、前記導電層と前記第3半導体領域とのショットキー接合で構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記トレンチは、前記半導体基板のおもて面に平行な方向に延在するストライプ状のレイアウトに配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111933711A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 电子科技大学 | 一种集成sbd的超结mosfet |
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- 2017-11-24 JP JP2017226360A patent/JP6984347B2/ja active Active
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JP6984347B2 (ja) | 2021-12-17 |
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