JP2019192698A - 半導体装置、半導体装置の製造方法及び増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に、電子走行層にGaNを用い電子供給層にInAlNを用いたHEMTにおけるソース電極及びドレイン電極におけるコンタクト抵抗について、図1に基づき説明する。図1に示す構造の半導体装置は、基板910の上に、窒化物半導体のエピタキシャル成長により、バッファ層912、電子走行層921、スペーサ層922、電子供給層923が積層されている。基板910は、SiC等の材料により形成されている。バッファ層912は、AlNやGaN等により形成されており、電子走行層921はi−GaNにより形成されており、スペーサ層922はAlNにより形成されており、電子供給層923はInAlNにより形成されている。これにより、電子走行層921において、電子走行層921とスペーサ層922との界面近傍には、2DEG921aが生成される。電子供給層923の上には、ゲート電極931、ソース電極932及びドレイン電極933が形成されており、更に、露出している電子供給層923を覆うように、絶縁膜940が形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置について、図2に基づき説明する。本実施の形態における半導体装置は、基板10の上に、窒化物半導体のエピタキシャル成長により、核形成層11、バッファ層12、電子走行層21、スペーサ層22、電子供給層23が積層されている。基板10は、SiC等の材料により形成されているが、Si、サファイア、GaN、AlN、ダイヤモンド等により形成してもよい。核形成層11はAlN等により形成されており、バッファ層12はAlNやGaN等により形成されており、電子走行層21はi−GaNにより形成されており、スペーサ層22はAlNにより形成されており、電子供給層23はInAlNにより形成されている。これにより、電子走行層21において、電子走行層21とスペーサ層22との界面近傍には、2DEG21aが生成される。
ここで、図4に示されるモデルとなる電極30についてシミュレーションを行った結果について説明する。電極30は、ソース電極32及びドレイン電極33に対応するものであり、電子供給層23よりも上の電極本体部30bと、電子供給層23及びスペーサ層22の一部の中に入り込んでいる凸部30aにより形成されている。凸部30aの側面30dはスペーサ層22と電子供給層23との界面に対し角度θで傾斜しており、凸部30aの電極本体部30bの側の幅はdとする。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図9〜図12に基づき説明する。
本実施の形態における半導体装置は、図13に示すように、電子走行層21と電子供給層23との間に、スペーサ層22が設けられていない構造のものであってもよい。即ち、電子走行層21の上に、電子供給層23が形成されている構造の半導体装置であってもよい。この構造の半導体装置においては、図示はしないが、ソース電極32の凸部32aの側面32d、ドレイン電極33の凸部33aの側面33dは、電子走行層21と電子供給層23との界面に対し角度θで傾斜している。
次に、第2の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図17に示されるように、電子供給層23の上にキャップ層24が設けられている構造のものである。具体的には、本実施の形態における半導体装置は、基板10の上に、窒化物半導体のエピタキシャル成長により、核形成層11、バッファ層12、電子走行層21、スペーサ層22、電子供給層23、キャップ層24が積層されている。本願においては、キャップ層24を第4の半導体層と記載する場合がある。本実施の形態においては、キャップ層24は膜厚が5nmのi−GaNまたはn−GaN等により形成されている。
次に、第3の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図18に示されるように、ソース電極32には凸部32aが設けられているが、ドレイン電極133には凸部が設けられていない構造のものである。このように、ソース電極32にのみ凸部32aを設けることにより、ソース電極32におけるコンタクト抵抗に比べて、ドレイン電極133におけるコンタクト抵抗が高くなる。これにより、ゲート電極31の直下等における過度な電界集中を抑制することができ、半導体装置の耐圧を向上させることができる。
次に、第4の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図19に示されるように、電子供給層223が、Alの組成比が0.5以上のAlGaN、即ち、AlNまたはx≧0.5のAlxGa1−xNにより形成されている構造のものである。具体的には、本実施の形態における半導体装置は、基板10の上に、窒化物半導体のエピタキシャル成長により、核形成層11、バッファ層12、電子走行層21、スペーサ層22、電子供給層223が積層されている。尚、本願においては、電子供給層223を第2の半導体層と記載する場合がある。
次に、第5の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図20に示されるように、窒化物半導体層においてソース電極32及びドレイン電極33と接する領域にn型半導体層325が形成されている構造のものである。このように、窒化物半導体層において、ソース電極32及びドレイン電極33と接する領域にn型半導体層325を形成することにより、界面のバンド構造が急峻となり、電子のトンネル確率を増やすことができ、より一層コンタクト抵抗を下げることができる。n型半導体層325は、不純物元素としてSiやGe等がドープされたGaNにより形成されており、ドープされている不純物元素の濃度は、2×1019cm−3以上である。
次に、第6の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成された、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記ソース電極は、前記第2の半導体層の内部に入り込む複数の凸部を有しており、
前記凸部の側面は、前記第1の半導体層の面に対し傾斜していることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記ドレイン電極は、前記第2の半導体層の内部に入り込む複数の凸部を有しており、
前記凸部の側面は、前記第1の半導体層の面に対し傾斜していることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の間には、窒化物半導体により第3の半導体層が形成されていることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記凸部の端部は、前記第3の半導体層に形成されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記第3の半導体層は、AlNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記4に記載の半導体装置。
(付記6)
前記凸部の前記第1の半導体層の面に対する角度θは、5°以上、50°以下であることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記凸部の前記第1の半導体層の面に対する角度θは、5°以上、30°以下であることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
前記凸部の前記第2の半導体層の表面側の幅dは、20nm以上、400nm以下であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9)
前記凸部の前記第2の半導体層の表面側の幅dは、20nm以上、200nm以下であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記10)
前記第2の半導体層の表面で切断した前記ソース電極または前記ドレイン電極に対する前記凸部の占める面積比は、0%を超え、73%以下であることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置。
(付記11)
前記第2の半導体層の表面で切断した前記ソース電極または前記ドレイン電極に対する前記凸部の占める面積比は、3%以上、55%以下であることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置。
(付記12)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、InAlNまたはInAlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlNまたはAlの組成比が0.5以上のAlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記14)
前記第2の半導体層の上には、窒化物半導体により第4の半導体層が形成されていることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の半導体装置。
(付記15)
前記第2の半導体層と前記凸部との間には、n型の窒化物半導体によりn型半導体層が形成されていることを特徴とする付記1から14のいずれかに記載の半導体装置。
(付記16)
基板の上に、窒化物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層において、ソース電極が形成される領域に、ウェットエッチングにより複数の開口部を形成する工程と、
前記複数の開口部を金属により埋め込むことにより凸部を形成し、前記凸部を有するソース電極を前記第2の半導体層の上に形成するとともに、前記第2の半導体層の上にドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記凸部の側面は、前記第1の半導体層の面に対し傾斜していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記複数の開口部は、前記ドレイン電極が形成される領域にも形成されるものであって、
前記ドレイン電極が形成される領域に形成された前記複数の開口部を金属により埋め込むことにより凸部を形成し、前記凸部を有する前記ドレイン電極を前記第2の半導体層の上に形成することを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、InAlNまたはInAlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記16または17に記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlNまたはAlの組成比が0.5以上のAlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記16または17に記載の半導体装置の製造方法。
(付記20)
付記1から15のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記21)
付記1から15のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
11 核形成層
12 バッファ層
21 電子走行層
21a 2DEG
22 スペーサ層
23 電子供給層
31 ゲート電極
32 ソース電極
32a 凸部
32b 電極本体部
32c 端部
32d 側面
33 ドレイン電極
33a 凸部
33b 電極本体部
33c 端部
33d 側面
40 絶縁膜
50 素子分離領域
Claims (11)
- 基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成された、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記ソース電極は、前記第2の半導体層の内部に入り込む複数の凸部を有しており、
前記凸部の側面は、前記第1の半導体層の面に対し傾斜していることを特徴とする半導体装置。 - 前記ドレイン電極は、前記第2の半導体層の内部に入り込む複数の凸部を有しており、
前記凸部の側面は、前記第1の半導体層の面に対し傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の間には、窒化物半導体により第3の半導体層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記凸部の端部は、前記第3の半導体層に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記凸部の前記第1の半導体層の面に対する角度θは、5°以上、50°以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記凸部の前記第2の半導体層の表面側の幅dは、20nm以上、400nm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体層の表面で切断した前記ソース電極または前記ドレイン電極に対する前記凸部の占める面積比は、0%を超え、73%以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、InAlNまたはInAlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlNまたはAlの組成比が0.5以上のAlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。 - 基板の上に、窒化物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層において、ソース電極が形成される領域に、ウェットエッチングにより複数の開口部を形成する工程と、
前記複数の開口部を金属により埋め込むことにより凸部を形成し、前記凸部を有するソース電極を前記第2の半導体層の上に形成するとともに、前記第2の半導体層の上にドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ゲート電極を形成する工程と、
を有し、
前記凸部の側面は、前記第1の半導体層の面に対し傾斜していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109841677A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-04 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 高电子迁移率晶体管及其制造方法 |
JP7448314B2 (ja) * | 2019-04-19 | 2024-03-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN111681958A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-18 | 华南理工大学 | 一种新型异质结构镁扩散制备常关型hemt器件的方法 |
EP4016586A4 (en) * | 2020-06-01 | 2022-10-12 | Nuvoton Technology Corporation Japan | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE |
US20220005939A1 (en) * | 2020-07-01 | 2022-01-06 | Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
CN112864242A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-28 | 南方科技大学 | 一种GaN器件及其制备方法 |
US20220262940A1 (en) * | 2021-02-16 | 2022-08-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Hemt devices with reduced size and high alignment tolerance |
US20220336600A1 (en) * | 2021-04-20 | 2022-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ohmic electrode for two-dimensional carrier gas (2dcg) semiconductor device |
WO2024065310A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007165446A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子のオーミックコンタクト構造 |
JP2007329350A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008140812A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | GaN系高電子移動度電界効果トランジスタ |
US20120223317A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | National Semiconductor Corporation | Ohmic contact schemes for group iii-v devices having a two-dimensional electron gas layer |
JP2013120854A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2016058546A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
WO2016100225A1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | Transphorm Inc. | Recessed ohmic contacts in a iii-n device |
CN106340536A (zh) * | 2016-08-05 | 2017-01-18 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种功率半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4705482B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | トランジスタ |
-
2018
- 2018-04-19 JP JP2018080803A patent/JP2019192698A/ja active Pending
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- 2019-04-08 US US16/377,354 patent/US20190326404A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007165446A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子のオーミックコンタクト構造 |
JP2007329350A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008140812A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | GaN系高電子移動度電界効果トランジスタ |
US20120223317A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | National Semiconductor Corporation | Ohmic contact schemes for group iii-v devices having a two-dimensional electron gas layer |
JP2013120854A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2016058546A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
WO2016100225A1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | Transphorm Inc. | Recessed ohmic contacts in a iii-n device |
CN106340536A (zh) * | 2016-08-05 | 2017-01-18 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种功率半导体器件及其制造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11948864B2 (en) | 2021-03-23 | 2024-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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