JP2019161007A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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啓 東條
Hiroshi Tojo
啓 東條
下川 一生
Kazuo Shimokawa
一生 下川
内田 雅之
Masayuki Uchida
雅之 内田
宜司 伊藤
Takashi Ito
宜司 伊藤
成俊 田辺
Shigetoshi Tanabe
成俊 田辺
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Toshiba Corp
Kioxia Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

【課題】薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、ベースと、前記ベース上に搭載された第1半導体チップと、前記第1半導体チップ上に設けられた第2半導体チップと、を備える。前記第2半導体チップは、第1部分と、前記第1半導体チップの中心の直上域を含み、前記第1部分よりも厚い第2部分と、前記第1半導体チップの直上域を除く部分の一部を含み、前記第2部分よりも厚く、前記第1半導体チップを挟む位置に配置された第3部分と、を有する。【選択図】図22

Description

本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
複数の半導体チップを積層した半導体装置が知られている。このような半導体装置において、薄型化が望まれている。
特開2013−131557号公報
本発明の実施形態は、薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
実施形態に係る半導体装置は、ベースと、前記ベース上に搭載された第1半導体チップと、前記第1半導体チップ上に設けられた第2半導体チップと、を備える。前記第2半導体チップは、第1部分と、前記第1半導体チップの中心の直上域を含み、前記第1部分よりも厚い第2部分と、前記第1半導体チップの直上域を除く部分の一部を含み、前記第2部分よりも厚く、前記第1半導体チップを挟む位置に配置された第3部分と、を有する。
図1(a)及び図1(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。 図2(a)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図2(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図3(a)及び図3(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図4(a)は、参考例に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図4(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。 図5(a)は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図5(b)は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図6(a)は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図6(b)は、第1実施形態の第4変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図7(a)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図7(b)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図8(a)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図8(b)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図9(a)〜図9(g)は、第4実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。 図10(a)〜図10(h)は、第4実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図11(a)〜図11(g)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。 図12(a)〜図12(h)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図13(a)〜図13(c)は、第5実施形態の第1変形例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図14(a)〜図14(g)は、第6実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。 図15(a)〜図15(h)は、第6実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図16は、第7実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。 図17(a)は、第7実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図17(b)は、第7実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。 図18(a)〜図18(c)は、第8実施形態に係る半導体装置を製造する製造方法の1つを例示する工程順模式断面図である。 図19(a)及び図19(b)は、第9実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図20(a)及び図20(b)は、第9実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図21(a)及び図21(b)は、第9実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図22(a)は、第10実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図22(b)は、図22(a)の一部拡大断面図である。 図23は、第10実施形態の半導体チップを例示する模式的平面図である。 図24(a)は、第10実施形態の第1変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図24(b)は、第10実施形態の第1変形例の半導体チップを例示する模式的平面図である。 図25(a)は、第11実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図25(b)は、第11実施形態の半導体チップを例示する模式的平面図である。 図26(a)は、第11実施形態の第1変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図26(b)は、第11実施形態の第1変形例の半導体チップを例示する模式的平面図である。 図27(a)〜(d)は、第12実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。 図28(a)は、シミュレーションにおいて想定した構造を示す図であり、図28(b)は、横軸にR/D比率をとり、縦軸に角部に印加される主応力をとって、角部のラウンドが応力集中に及ぼす影響を示すグラフ図である。
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1(a)及び図1(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を採用する。Z軸方向のうち、一方を「上」ともいい、他方を「下」ともいうが、この表記は便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。
図1(a)に示すように、第1実施形態に係る半導体装置100aは、ベース1と、半導体チップ21〜27とを含む。ベース1は、複数の配線を有した配線群11を含む。ベース1は、例えば、絶縁性樹脂を含み、配線群11は、絶縁性樹脂の内部に設けられている。ベース1の上面に平行な方向であって、相互に直交する方向が「X軸方向」及び「Y軸方向」である。また、半導体チップ21〜27の積層方向が「Z軸方向」である。Z軸方向のうち、ベース1から半導体チップ21に向かう方向を「上」とし、その反対方向を「下」とする。
図1(b)に示すように、ベース1の上には、絶縁封止部材8が設けられている。絶縁封止部材8は、半導体チップ21〜27を囲む。半導体チップ21〜27は、絶縁封止部材8により絶縁封止されている。図1(b)に示す状態は、半導体パッケージである。半導体チップ21〜27は、それぞれ、半導体素子部D1〜D7を有する。半導体素子部D1〜D7のそれぞれには、図示せぬ半導体素子が設けられている。第1実施形態において、半導体チップ21は、例えば、コントローラチップである。半導体チップ22〜27のそれぞれは、例えば、半導体メモリチップである。半導体チップ21は、半導体チップ22〜27と電気的に接続され、半導体チップ22〜27をコントロールする。ベース1には、複数の外部端子9が設けられている。複数の外部端子9のそれぞれは、配線群11に含まれた配線の少なくとも1つに、電気的に接続され、そして、例えば、半導体チップ21などに電気的に接続される。
図2(a)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図2(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図2(a)及び図2(b)には、ベース1、半導体チップ21及び22を示す。また、図2(b)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。図2(b)に示す断面は、図2(a)中のB−B線に沿う。図2(a)に示す断面は、図2(b)中のA−A線に沿う。
図2(a)及び図2(b)に示すように、半導体チップ22は、半導体素子部D2を有した領域30と、領域30と連続した部分31と、領域30と連続した部分32と、を含む。本明細書において“連続した”とは、例えば、領域30、部分31及び部分32が、例えば、1つの半導体基板からなることを含む。第1実施形態において、部分31及び32は、領域30と接合されたものではなく“一体構造”である。半導体チップ22は、例えば、溝180を含む。溝180は、領域30、部分31及び部分32によって囲まれるように、半導体チップ22に設けられている。第1実施形態において、溝180はラインパターンであり、例えば、Y軸方向に延びる。
領域30は平面を含む。平面は、X軸方向とY軸方向とに広がっている。図2(b)に示すように、領域30は、端面41〜44を含む。端面41及び42のそれぞれはX軸方向に延び、端面42は端面41から離れている。端面43及び44のそれぞれはY軸方向に延び、端面44は端面43から離れている。第1実施形態おいて、部分31は、端面41から端面42まで、端面44に沿って延びている。部分32は、端面41から端面42まで、端面43に沿って延びている。溝180は、端面41から端面42まで設けられている。溝180は、端面41及び42のそれぞれにおいて、半導体チップ22の外に向かって開いている。部分31及び32のそれぞれは、ベース1と領域30との間に位置する。部分32は、X軸方向において部分31と離れている。
なお、部分31及び32は、端面41〜44と接していなくてもよい。
半導体チップ21は、ベース1と領域30との間に位置する。半導体チップ21は、部分31及び部分32のそれぞれと、例えば、離れている。半導体チップ21はベース1の上に設けられ、例えば、接着部21Aによってベース1と接着されている。
図2(a)及び図2(b)に示すように、領域30は、半導体チップ21と半導体チップ23との間に位置する。半導体チップ23、26、24は、マイナスX軸方向にこの順にそれぞれオーバーハングしている。半導体チップ27、25は、プラスX軸方向にこの順にそれぞれオーバーハングしている。半導体チップ24と半導体チップ23との間には、半導体チップ26が少なくとも1つ、位置していてもよい。半導体チップ25と半導体チップ24との間には、半導体チップ27が少なくとも1つ、位置していてもよい。半導体チップの積層数は、任意である。第1実施形態において、例えば、半導体チップ22、23、26、24、27及び25は、この順にZ軸方向に積層されている。これら半導体チップの間はそれぞれ順に接着部23A、26A、24A、27A及び25Aにより接着されてもよい。
図3(a)及び図3(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図3(a)及び図3(b)には、絶縁封止前の状態が示されている。図3(a)は半導体チップ23〜27を積層した後の平面を示し、図3(b)は半導体チップ23〜27を積層する前の平面を示す。
図3(a)及び図3(b)に示すように、ベース1には、複数の端子電極71〜73がそれぞれ設けられている(端子電極71は、図3(a)には示されていない。端子電極71は、図1、図2も参照)。端子電極71〜73は、配線群11に含まれた配線の少なくとも1つと電気的に接続される(配線群11は、図2(a)参照)。端子電極71〜73と、配線群11に含まれた配線との電気的な接続状態は、半導体装置に応じて任意に設定される。半導体チップ21〜27には、それぞれ、複数のパッド電極21P〜27Pが設けられている(パッド電極21Pは、図2(b)も参照)。パッド電極21P〜27Pは、それぞれ、半導体素子部D1〜D7と電気的に接続されている(半導体素子部D1〜D7は、図1(a)等参照)。第1実施形態において、パッド電極22Pは、例えば、部分31の上に設けられている(図3(b)参照)。端子電極71〜73は、それぞれ、配線部材61、62、64を介してパッド電極21P、22P及び24Pと電気的に接続されている。
パッド電極22Pは、配線部材63を介してパッド電極23Pと電気的に接続されている。パッド電極23Pは、配線部材65を介してパッド電極26Pと電気的に接続されている。パッド電極24Pは、配線部材66を介してパッド電極27Pと電気的に接続されている。パッド電極27Pは、配線部材67を介してパッド電極25Pと電気的に接続されている。これにより、例えば、半導体チップ21は、半導体チップ22〜27と電気的に接続される。配線部材61〜67のそれぞれは、例えば、ボンディングワイヤである。なお、配線部材61〜67は、ボンディングワイヤに限らず、他の電気的接続方式が採用されてもよい。例えば、配線部材61〜67のそれぞれ、もしくは少なくとも1つに、フリップチップ式半導体装置のバンプ電極を用いてもよい。ボンディングワイヤと、バンプ電極とを併用することも可能である。例えば、配線部材61にバンプ電極を用い、配線部材62〜67にボンディングワイヤを用いるなどである。
半導体チップ22は、溝180をベース1に向けて、ベース1の上に設けられている。第1実施形態によれば、領域30とベース1との間に、例えば、ラインパターン状の溝180が得られる。半導体チップ21は、ベース1の上において、溝180内に位置する。第1実施形態の溝180は、例えば、2つの開放端部を有する。このような溝180内には、例えば、図1(b)に示したように、絶縁封止部材8を充填できる。例えば、絶縁封止部材8を、少なくとも部分31と部分32との間に、さらに設けることが可能である。さらに、絶縁封止部材8は、例えば、溝180内において、半導体チップ21を囲む。
図4(a)は、参考例に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図4(b)は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
図4(a)に示すように、参考例に係る半導体装置100rは、低弾性樹脂材300を半導体チップ21及び配線部材61の上に設け、半導体チップ22rを低弾性樹脂材300の上にマウントした例である。半導体装置100rは、配線部材61が、低弾性樹脂材300によって埋め込まれた構造を有する。低弾性樹脂材300には、例えば、配線部材61のループ形状を保つため、例えば、粘度が低く、熱で容易に軟化する絶縁性の樹脂材が用いられる。低弾性樹脂材300の弾性率は、例えば、配線部材61〜67のワイヤ配線材料に比較して低い。このため、低弾性樹脂材300は、ワイヤ配線材料に比較して変形しやすい。しかも、低弾性樹脂材300は、Z軸方向の厚さが、配線部材61の高さよりも十分に厚くされる。あるいは、半導体チップ21がフリップチップ接続された場合には、Z軸方向の厚さが、半導体チップ21の高さよりも十分に厚くされる。例えば、配線部材61の変形、切断を抑制するためである。半導体装置100rにおいて、半導体チップ22rのZ軸方向の厚さt22rを薄くすると、例えば、
(1)配線部材62をワイヤボンディングする際、半導体チップ22rが撓み、それに伴う振動が発生する可能性がある
(2)半導体チップ22rが、例えば、熱工程における熱によって反る可能性がある
という、事情を生じる。このため、厚さt22rは、厚く設定せざるを得ない。半導体装置100rでは、例えば、ベース1上におけるZ軸方向の厚さH1が厚くなりやすい。したがって、半導体装置100rでは、パッケージの薄型化が難しくなっている。
これに対し、第1実施形態に係る半導体装置100aでは、例えば、低弾性樹脂材300に代えて、半導体チップ22に、部分31及び部分32が設けられる。例えば、低弾性樹脂材300のZ軸方向の厚さと、部分31及び部分32のZ軸方向の厚さとを、ほぼ等しく設定したと仮定する(例えば、接着部21AのZ軸方向の厚さを含む)。
部分31及び部分32は、半導体基板、例えば、シリコン基板である。このため、低弾性樹脂材300に比較して、変形し難い。第1実施形態の半導体チップ22において、参考例の半導体チップ22rと対応する領域は、領域30である。領域30のZ軸方向の厚さt30は、“撓み”及び“反り”を抑制しつつ、厚さt22rよりも薄くすることが可能である。したがって、第1実施形態に係る半導体装置100aによれば、例えば、ベース1上におけるZ軸方向の厚さH2を、厚さH1に比較して薄くできる。
このように、第1実施形態によれば、パッケージの薄型化が可能な半導体装置を提供できる。さらに、パッケージの厚さの増加を抑制しつつ、半導体チップの積層数を増加させることもできる。
低弾性樹脂材300は、例えば、厚さが5〜10μm程度であるDAF材に比較して高価である。半導体装置100rは、製造コストが上昇しやすい。しかし、第1実施形態の半導体装置100aは、例えば、低弾性樹脂材300を用いずに済む。半導体装置100aの接着部21Aには、例えば、DAF材を用いることが可能である。したがって、第1実施形態に係る半導体装置100aによれば、参考例に係る半導体装置100rに比較して、製造コストの上昇を抑制することもできる。
さらに、配線部材62や配線部材64が、例えば、ワイヤボンディング工程や、パッケージングの際の樹脂封止工程において、切れ難くなる、という利点も得ることができる。
これは、図4(a)に示した半導体チップ22rにボンディングされる配線部材62と、低弾性樹脂材300を適用した場合の図1(a)の半導体チップ24にボンディングされる配線部材64とは、図4(a)に示した低弾性樹脂300の剛性が低いため、接合時に撓みや振動が生じやすい。このため、ボンディング装置から印加される接合エネルギー(荷重や超音波)が不安定、あるいは不足し易い状態となる。このため、半導体装置100rでは、配線部材62とパッド電極22Pとの接合強度、及び、配線部材64とパッド電極24Pとの接合強度のそれぞれに、充分な接合強度が得られにくい。
これに対し、図4(b)に示した半導体チップ22にボンディングされる配線部材62と、図1(a)の半導体チップ24にボンディングされる配線部材64の場合は、部分31及び部分32のそれぞれが高剛性であり、撓みが生じ難い。したがって、半導体装置100は、ボンディング装置から印加される接合エネルギーを、半導体装置100rに比較して充分に得ることができ、配線部材62とパッド電極22Pとの接合強度、及び、配線部材64とパッド電極24Pとの接合強度のそれぞれを高くすることができる。
低弾性樹脂材300は、熱膨張率(Coefficient of Thermal Expansion: CTE)が、例えば、シリコンに比較して大きい。このため、例えば、加熱工程において低弾性樹脂材300が盛り上がり、半導体チップ22rなどに対してクラックを誘発する可能性がある。
これに対して、第1実施形態では、例えば、接着部21Aなどを熱硬化させる工程において、絶縁封止部材は、充填する必要がない。したがって、半導体チップ22などに対するクラックの発生を抑制できる。
さらに、半導体チップ22は、領域30に加えて、部分31及び部分32を含む。半導体チップ22のZ軸方向の厚さH2は、参考例の半導体チップ22rのZ軸方向の厚さt22rよりも厚くできる。このため、半導体チップ100aは、参考例の半導体チップ100rに比較して、例えば、剛性を向上でき、反り難くすることも可能である。
さらに、図3(b)に示したように、第1実施形態では、例えば、パッド電極22Pが部分31の上に設けられている。部分31及び32は、半導体基板、例えば、シリコン基板そのものである。部分31及び32におけるZ軸方向の厚さは、溝180が設けられた部分におけるZ軸方向の厚さよりも厚い。しかも、部分31及び32は、ベース1の上に、溝180を介することなく配置されている。したがって、部分31及び32の部分は、溝180が設けられた部分に比較して、Z軸方向の厚さが厚く剛性が高い。部分31及び32の部分は、半導体チップ22において、溝180が設けられた部分に比較して、変形しにくい部分である。
このように、パッド電極22Pは、例えば、部分31及び32の少なくとも1つの上に配置する。これにより、例えば、ワイヤボンディング工程において、半導体チップ22の変形や撓み、それらに伴う振動の発生を抑制することができ、接合強度に必要な条件を満足させることができる。したがって、溝180を有した半導体チップ22において、パッド電極22Pと配線部材62との接合強度の低下を抑制できる、という利点を、さらに得ることができる。
また、上記利点は、例えば、半導体チップ22において、溝180の上の部分にはパッド電極22Pを配置しないことにより、さらに良く得ることができる。
なお、実施形態から得られる、他の技術的効果については、後述する変形例及び他の実施形態において適宜説明する。
(第1実施形態:第1変形例)
図5(a)は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図5(a)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。
図5(a)に示すように、Z軸方向に沿った方向から見て、端子電極71は、その全てを、半導体チップ22で覆われる必要はない。第1変形例に係る半導体装置100aaの半導体チップ22は、例えば、Y軸方向に沿って端面41から端面42に達する溝180を有する。このような半導体装置100aaの場合、一部の端子電極71は、端面41及び42の少なくとも1つの外側に位置するように、ベース1の上に配置することが可能である。図5(a)には、一部の端子電極71を、端面41及び42のそれぞれの外側に位置するように、ベース1の上に配置した例を示す。
第1実施形態によれば、半導体チップ22が、例えば、端面41から端面41に達する溝180を備えている。従って、本第1変形例に示したように、例えば、端子電極71のベース1上への配置の自由度を高めることができる、という利点を、さらに得ることもできる。
(第1実施形態:第2変形例)
図5(b)は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図5(b)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。
図5(b)に示すように、Z軸方向に沿った方向から見て、半導体チップ21は、その全てを、半導体チップ22で覆う必要はない。例えば、半導体チップ21のX軸方向に沿った2つ端面の少なくとも1つを、端面41及び42の少なくとも1つの外側に位置するように、ベース1の上に配置してもよい。
第2変形例に係る半導体装置100abでは、半導体チップ21のY軸方向の長さLY21は、半導体チップ22のY軸方向の長さLY22よりも長い。第1実施形態によれば、半導体チップ22が、例えば、端面41から端面41に達する溝180を備えている。このため、長さLY21が、長さLY22よりも長い半導体チップ21であっても、ベース1の上に配置することができる。この関係と同じ関係ではあるが、長さLY22が、長さLY21よりも短い半導体チップ22であっても、ベース1の上に配置することができる。
第1実施形態によれば、本第2変形例に示したように、配置可能なチップの制約を、緩和することもできる。このため、例えば、半導体チップ21及び22のチップサイズの変更に対しても対応しやすい、という利点を得ることもできる。
(第1実施形態:第3変形例)
図6(a)は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図6(a)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。
図6(a)に示すように、半導体チップ22の形状は、Z軸方向に沿った方向から見て、長軸と短軸とを有した長方形である。このような場合、部分31及び32は、長軸に沿って設けることも可能である。第3変形例に係る半導体装置100acの半導体チップ22は、X軸方向に沿って長軸、Y軸方向に沿って短軸である。部分31及び32のそれぞれは、X軸方向に沿っている。
第1実施形態によれば、半導体チップ22の剛性の低下を緩和できる。第3変形例のように、部分31及び32のそれぞれを、半導体チップ22の長軸方向に沿って設けると、剛性の低下を緩和できる効果を、さらに、良く得ることが可能となる。
第3変形例においても、パッド電極22Pは、例えば、部分31及び32の少なくとも1つの上に配置するとよい。これにより、半導体チップ22が、Z軸方向の厚さが薄い領域30を含んでいたとしても、パッド電極22Pと配線部材62との接合強度の低下を抑制できる。第3変形例では、このような効果を維持したまま、パッド電極22Pの数を、部分31及び32が短軸方向に沿っている場合に比較して、増加させることもできる。
(第1実施形態:第4変形例)
図6(b)は、第1実施形態の第4変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図6(b)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。
図6(b)に示すように、端子電極71は、部分31と半導体チップ21との間の領域、及び、部分32と半導体チップ21との間の領域のいずれか1つ又は双方に、配置しなくてもよい。図6(b)には、端子電極71は、部分31と半導体チップ21との間の領域、及び、部分32と半導体チップ21との間の領域の双方に、配置しない例を示す。
半導体チップ21は、Z軸方向に沿った方向から見て、4つの辺を有した四角形である。例えば、第4変形例では、パッド電極21Pは、半導体チップ21の1〜3つの辺に対応して半導体チップ21に配置される。図6(b)には、パッド電極21Pを、X軸方向に沿った一対の辺に対応して半導体チップ21に配置した例を示す。パッド電極21Pは、半導体チップ21の、Y軸方向に沿った一対の辺に隣接した領域には、配置されていない。Y軸方向に沿った一対の辺は、それぞれ、部分31及び32と隣接する。
例えば、端子電極71は、半導体チップ21の、パッド電極21Pが配置された上記1〜3つの辺に対応してベース1に配置される。図6(b)には、端子電極71を、半導体チップ21のX軸方向に沿った一対に対応してベース1に配置した例を示す。端子電極71は、半導体チップ21のY軸方向に沿った一対の辺と部分31及び32との間には、それぞれ、配置されていない。
例えば、配線部材61は、パッド電極21Pが配置された上記1〜3つの辺を跨いで、パッド電極21Pと端子電極71とを電気的に接続する。図6(b)には、配線部材61が半導体チップ21のX軸方向に沿った一対の辺を跨ぐことにより、パッド電極21Pと端子電極71とを電気的に接続した例を示す。半導体チップ21のY軸方向に沿った一対の辺を跨ぐ、配線部材61はない。
第4変形例では、半導体チップ21のY軸方向に沿った一対の辺と、部分31及び32の少なくとも1つとの間には、Y軸方向に沿ってクリアランス75が存在する。クリアランス75は、例えば、端子電極71及び配線部材61を含むことなく、例えば、図1(b)に示した絶縁封止部材8が設けられる。クリアランス75は、絶縁封止部材8で埋め込まずに、例えば、エアギャップとすることも可能である。しかし、加熱によるエアの膨張による不具合を避けるため、アンダーフィル、絶縁樹脂材などの材料で埋めたほうがよい。
第4変形例では、クリアランス75の、例えば、X軸方向に沿った長さを詰めることで、半導体チップ22のX軸方向の長さを短くすることができる。したがって、半導体チップ22のサイズを縮小できる、という利点を得ることができる。半導体チップ22のサイズを縮小できる第4変形例では、例えば、ベース1のサイズを縮小することも可能である。このような第4変形例は、例えば、半導体パッケージの小型化に有利である。
クリアランス75の、例えば、X軸方向に沿った長さを詰めると、部分31及び32の少なくとも1つのX軸方向の長さを、半導体チップ22のX軸方向の長さを変更しなくても長くできる。したがって、第4変形例では、半導体チップ22の剛性を、さらに高めることも可能である。
クリアランス75は、無くすことも可能である。第4変形例では、例えば、部分31及び32の少なくとも1つを、半導体チップ21と接触させてもよい。
(第2実施形態)
図7(a)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図7(b)は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図7(a)及び図7(b)には、ベース1、半導体チップ21及び22を示す。また、図7(b)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。図7(b)に示す断面は、図7(a)中のB−B線に沿う。図7(a)に示す断面は、図7(b)中のA−A線に沿う。
図7(a)及び図7(b)に示すように、第2実施形態に係る半導体装置100bの半導体チップ22は、第1実施形態の半導体チップ22に対して、部分33及び部分34を、さらに含む。
部分33は、領域30と連続している。部分33は、Y軸方向において部分31及び部分32のそれぞれと離れている。部分34は、領域30と連続している。部分34は、X軸方向において部分と離れ、Y軸方向において部分31及び部分32のそれぞれと離れている。半導体チップ21は、部分33及び部分34のそれぞれと、例えば、離れている。
半導体チップ22は、角部51〜54を含む。端面41及び端面44は、角部51において、交わる。端面41及び端面43は、角部52において、交わる。端面42及び端面44は、角部53において、交わる。端面42及び端面43は、角部54において、交わる。例えば、部分31〜34は、それぞれ、角部51〜54を含む領域に位置する。
なお、部分31〜34は、角部51〜54と接していなくてもよい。
第2実施形態の半導体チップ22が含む溝181は、クロスパターンであり、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに延びる。溝181は、4つの端部を含む。4つの端部は、それぞれ、端面41〜44のそれぞれにおいて、半導体チップ22の外に向かって開いている。第2実施形態によれば、領域30とベース1との間に、例えば、クロスパターン状の溝181が得られる。半導体チップ21は、ベース1の上において、溝181に位置する。
半導体チップ22は、例えば、部分31〜34を含んでいてもよい。第2実施形態によれば、領域30とベース1との間に、4つの開放端部を有した溝181が得られる。このような溝181を有した第2実施形態によれば、例えば、第1実施形態に比較して、樹脂の充填経路が多くなるため、溝181内に、絶縁封止部材8を、さらに充填しやすい、という利点を得ることができる。
なお、第2実施形態においても、第1実施形態の第1〜第4変形例と同様の変形が可能である。
(第3実施形態)
図8(a)は、第3実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図8(b)は、第3実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図8(a)及び図8(b)には、ベース1、半導体チップ21及び22を示す。また、図8(b)では、半導体チップ22の一部を断面として示す。図8(b)に示す断面は、図8(a)中のB−B線に沿う。図8(a)に示す断面は、図7(b)中のA−A線に沿う。
図8(a)及び図8(b)に示すように、第3実施形態に係る半導体装置100cの半導体チップ22は、第1実施形態の半導体チップ22に対して、部分35及び部分36を、さらに含む。
部分35は、領域30、部分31及び部分32と連続している。部分36は、Y軸方向において部分35と離れ、領域30、部分31及び部分32と連続している。部分35は、部分31から部分32まで、端面41に沿って延びている。部分36は、部分31から部分32まで、端面42に沿って延びている。
第3実施形態の半導体チップ22は、部分31、32、35及び36のそれぞれを壁とし、領域30を底とした凹部182を含む。半導体チップ22は、凹部182をベース1に向けて、ベース1の上に設けられている。第3実施形態によれば、領域30とベース1との間に、例えば、キャビティが得られる。半導体チップ21は、ベース1の上において、キャビティ内に位置する。
半導体チップ22は、例えば、部分31、32、35及び36を有した環状部を含んでいていてもよい。環状部は、例えば、端面41〜44に沿う。第3実施形態によれば、環状部を有するので、半導体チップ22の剛性が、例えば、第1、第2実施形態に比較して、さらに高まる、という利点を得ることができる。
なお、部分31、32、35及び36は、端面41〜44と接していなくてもよい。また、第3実施形態におけるキャビティ内は、例えば、絶縁封止部材8を充填してもよいし、充填しなくてもよい。キャビティ内を、絶縁封止部材8で充填しない場合には、キャビティ内は、例えば、エアギャップとなる。さらに、第3実施形態においては、第1実施形態の第3、第4変形例と同様の変形が可能である。例えば、第3実施形態において、クリアランス75を設けた場合、クリアランス75は、例えば、絶縁封止部材8で埋め込まずに、例えば、エアギャップとすることも可能である。しかし、加熱によるエアの膨張による不具合を防ぐためにも、アンダーフィル、絶縁樹脂材などによる封止が望ましい。なお、この事情は、真空中で封止すれば解消することも可能である。
(第4実施形態)
図9(a)〜図9(g)は、第4実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。図10(a)〜図10(h)は、第4実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第4実施形態では、例えば、半導体チップ22の製造方法を例示する。
図9(a)及び図10(a)に示すように、複数の半導体素子部D2を形成したシリコンウェハW(以下ウェハという)を用意する。ウェハWは、半導体素子部D2を備えた第1面と、Z軸方向において第1面と離れた第2面とを含む。次いで、ウェハWの第1面の上に、表面保護テープ110を接着する。
次に、図9(b)及び図10(b)に示すように、ウェハWを反転させ、ウェハWの第2面を、研削砥石120を用いて研削し、後退させる。この工程は、いわゆるBSG(Back Side Grinding)工程である。
次に、図9(c)及び図10(c)に示すように、ウェハWを反転させ、ウェハWの第2面を、ダイシングリング130の上に張り合わせた接着樹脂に接着する。接着樹脂の1つの例は、DAF(Die Attach Film)140aである。DAF140aは、例えば、接着樹脂140bによって基材140cに接着されている。基材140cは、例えば、PET(PolyEthylene Terephthalate)などの樹脂材である。
次に、図9(d)及び図10(d)に示すように、ウェハWの第1面から、表面保護テープ110を剥がす。
次に、図9(e)及び図10(e)に示すように、ブレード150を用いて、ウェハWをダイシングする。ウェハWには、ダイシングライン160が形成される。ダイシングライン160は、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに沿って形成される。ウェハWは、複数の半導体チップ22に分離される。
次に、図9(f)及び図10(f)に示すように、例えば、紫外線を照射し、接着樹脂140bの粘着力を低下させる。次いで、ウェハWを反転させ、ウェハWの第1面を、ダイシングリング130の上に設けたダイシングテープ170に接着する。次いで、例えば、接着樹脂140b及び基材140cをDAF140aから剥離する。
次に、図9(g)及び図10(g)に示すように、複数の半導体チップ22に分離されたウェハWに、凹部を形成する。本実施形態では、ウェハWに、溝180を形成する。溝180を形成する際には、溝180が所定の幅となるように、例えば、ブレード150を、ウェハWに、Y軸方向に沿って数回入れてもよい。
次に、図10(h)に示すように、半導体チップ22をそれぞれ反転させ、DAF140aを、ダイシングテープ171に接着する。この後、ダイシングテープ171に紫外線を照射するなどして、粘着力を低下させ、半導体チップ22を、ダイシングテープ171からピックアップし、ベース1の上に接着する。
例えば、第1実施形態の半導体チップ22は、例えば、ブレード150を用いて溝180を形成することで、製造することができる。
また、第2実施形態の半導体チップ22を製造する場合には、例えば、図9(g)及び図10(g)に示した工程において、X軸方向及びY軸方向のそれぞれにおいて溝を形成し、クロスパターンの溝181をウェハWに形成すればよい。
さらに、第3実施形態の半導体チップ22を製造する場合には、例えば、あらかじめDAF140aに凹部182に対応する窓を形成し、凹部182に対応する位置のDAFを除いたシートを用いればよい。この場合は、接着樹脂140b及び基材140cをDAF140aから剥離した後にも、凹部182に対応する位置にDAFは形成されない。その後、DAF140aをエッチングのマスクに用いて、ウェハWをRIE法、サンドブラスト法、又はウェットエッチング法などにより、ウェハWに凹部182を形成すればよい。
これら第2、第3実施形態の半導体チップ22の製造方法は、以下説明する第5、第6実施形態でも同様に適用される。
(第5実施形態)
図11(a)〜図11(g)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。図12(a)〜図12(h)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第5実施形態では、例えば、半導体チップ21の別の製造方法を例示する。
図11(d)及び図12(d)に示すように、例えば、第4実施形態において、図9(a)〜図10(d)を参照して説明した方法に従って、ウェハWの第2面を研削し、ウェハWの第2面をDAF140aに接着し、ウェハWの第1面から、表面保護テープ110を剥がす。
次に、図11(e)及び図12(e)に示すように、例えば、紫外線を照射し、接着樹脂140bの粘着力を低下させる。次いで、ウェハWを反転させ、ウェハWの第1面を、ダイシングリング130の上に設けたダイシングテープ170に接着する。次いで、例えば、接着樹脂140b及び基材140cをDAF140aから剥離する。
次に、図11(f)及び図12(f)に示すように、ブレード150を用いて、ウェハWに、溝180を形成する。
次に、図12(g)に示すように、ウェハWを反転させ、DAF140aを、ダイシングテープ171に接着する。
次に、図11(g)及び図12(h)に示すように、ブレード150を用いて、ウェハWをダイシングする。ウェハWには、ダイシングライン160が形成される。これにより、例えば、ダイシングテープ171の上において、半導体チップ22が得られる。この後、半導体チップ22を、ダイシングテープ171からピックアップし、ベース1の上に接着する。
このように、例えば、溝180は、ダイシングライン160よりも先に、形成することも可能である。第5実施形態に係る製造方法によれば、溝180を、ウェハWが半導体チップ22に分離される前に形成するので、例えば、溝180を形成時において位置ずれが少ない、という利点を得ることができる。
(第5実施形態:第1変形例)
図13(a)〜図13(c)は、第5実施形態の第1変形例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
図13(a)に示すように、例えば、第5実施形態において、図11(a)〜図12(f)を参照して説明した方法に従って、ブレードを用いて、ダイシングテープ170上のウェハWに、溝180を形成する。
次に、図13(b)に示すように、ブレードを用いて、ダイシングテープ170上のウェハWに、ダイシングライン160を形成する。これにより、例えば、ダイシングテープ170の上において、半導体チップ22が得られる。
次に、図13(c)に示すように、ウェハWを反転させ、接着部140bを、ダイシングテープ171に接着する。次いで、ダイシングテープ170を素子形成面から剥がす。この後、半導体チップ22を、ダイシングテープ171からピックアップし、ベース1の上に接着する。
このように、ウェハWを反転させずに、ダイシングライン160を形成することも可能である。
また、溝180をブレードを用いて形成する場合には、溝180を、ダイシングライン160と同じ工程にて形成することも可能である。即ち、図13(a)に示した溝180の形成工程と、図13(b)に示したダイシング工程とを、同時に行う。ウェハWに入れるブレードの深さを変えると、溝180及びダイシングライン160のそれぞれを作り分けることができる。例えば、溝180を形成する時には、ウェハWが分断されないように、ブレード150をウェハWに浅く入れ、ダイシングライン160を形成する時には、ウェハWが分断されるように、ブレード150をウェハWに深く入れる。これにより、溝180と、ダイシングライン160とを、同一の工程にて形成できる。
なお、溝181についても、ダイシング工程にて形成できる。さらに、凹部182についても、例えば、ブレード等のツールを変更すれば、ダイシング工程にて、ダイシングライン160とともに形成することが可能である。
このように、複数の半導体チップのそれぞれに溝181、182又は凹部182を形成する工程は、
(a)ウェハWを複数の半導体チップに分離する工程の前
(b)ウェハWを複数の半導体チップに分離する工程の後
(c)ウェハWを複数の半導体チップに分離する工程の時
上記(a)〜(c)のいずれか1つに行うことができる。
(第6実施形態)
図14(a)〜図14(g)は、第6実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。図15(a)〜図15(h)は、第6実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第6実施形態では、例えば、半導体チップ22の製造方法を例示する。
図14(a)及び図15(a)に示すように、ブレード150を用いて、複数の半導体素子部D2を形成したシリコンウェハWの第1面に、ハーフカット溝160aを形成する。ハーフカット溝160aは、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに沿って形成される。ハーフカット溝160aのZ軸方向の深さは、例えば、半導体チップ22のZ軸方向の厚さ(最終的な厚さ=仕上げ厚さ)以上の深さとされる。
次に、図14(b)及び図15(b)に示すように、ハーフカット溝160aが形成されたウェハWの第1面の上に、表面保護テープ110を接着する。
次に、図14(c)及び図15(c)に示すように、ウェハWを反転させ、ウェハWの第2面を、研削砥石120を用いて研削し、後退させる。ウェハWは、複数の半導体チップ22に分離される。即ち、第6実施形態は、BSG工程より、ダイシング工程を先に行う、いわゆるDBG工法(Dicing Before Grinding)を用いた例である。
次に、図14(d)及び図15(d)に示すように、ウェハWを反転させ、ウェハWの第2面を、ダイシングリング130の上に張り合わせた接着樹脂、例えば、DAF140aに接着する。
次に、図14(e)及び図15(e)に示すように、ウェハWの第1面から、表面保護テープ110を剥がす。
次に、図14(f)及び図15(f)に示すように、接着樹脂140bの粘着力を低下させた後、ウェハWを反転させ、ウェハWの第1面を、ダイシングテープ170に接着する。次いで、接着樹脂140b及び基材140cをDAF140aから剥離する。
次に、図14(g)及び図15(g)に示すように、複数の半導体チップ22に分離されたウェハWに、凹部を形成する。本実施形態では、ウェハWに、例えば、ブレード150を用いて溝180を形成する。次いで、DAF140aを切断し、DAF140aを、複数の半導体チップ22ごとに分離する。DAF140aの切断には、例えば、レーザー151を用いればよい。なお、このレーザー151によるDAF140aの切断は、図15(e)に示した工程で実施してもよい。
次に、図15(h)に示すように、半導体チップ22をそれぞれ反転させ、DAF140aを、ダイシングテープ171に接着する。この後、半導体チップ22を、ダイシングテープ171からピックアップし、ベース1の上に接着する。
第6実施形態のように、ウェハWのダイシングには、DBG工法を用いることも可能である。
(第7実施形態)
図16は、第7実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
図16に示すように、第6実施形態に係る半導体装置100fは、半導体チップ23〜27のそれぞれのZ軸方向の厚さt23〜t27を、互いに等しくした例である。
実施形態に係る半導体装置は、複数の半導体チップを、例えば、X軸方向にずらしながら積み、積み重ねる方向を、途中で、反対向きとして、さらに積み重ねる。例えば、第7実施形態に係る半導体装置100fにおいては、半導体チップ24において、積み重ねる方向が、反対向きとなる。半導体チップ24は、Z軸方向に積み重なった半導体チップ22、23、25〜27に対して、例えば、“片持ち梁”のような形状となる。半導体チップ24は、部分31及び32の少なくとも1つとオーバーラップした部分37と、半導体チップ22からオーバーハングした部分38とを備えている。
例えば、図4(a)を参照して説明した参考例に係る半導体装置100rのように、絶縁性樹脂材300を用いた場合、絶縁性樹脂材300が低弾性率であるために、例えば、ワイヤボンディング時の衝撃により、微小なたわみや、それに伴う“振動”が発生しやすい。特に“片持ち梁”のような形状となる半導体チップ24では、ワイヤボンディング時、半導体チップ24の部分38とベース1との間には、空間が広がる。しかも、パッド電極24P(図3(a)参照)は、部分38に配置されている。このため、半導体チップ24は、ワイヤボンディング時の衝撃によって、特に“たわみ”や“振動”が生じやすい。半導体チップ24の中でも、部分38は、特に撓みやすく、振動しやすい。
半導体チップ24の“たわみ”や“振動”は、ワイヤボンディングの精度や接合強度を低下させる可能性がある。例えば、半導体チップ24が撓んだり、振動したりすると、ワイヤボンディングにおいて、配線部材64及びパッド電極24Pへの接合エネルギーの印加が不十分となりやすい。このため、配線部材64とパッド電極24Pとの間に、十分な接合強度が得られ難くなる、という事情がある。このようなワイヤボンディングの精度の低下を抑制するために、“片持ち梁”のような形状となる半導体チップ、例えば、半導体チップ24においては、Z軸方向の厚さt24を、他の半導体チップのZ軸方向の厚さよりも厚くされる。
第7実施形態に係る半導体装置100fにおいて、積層された最下層の半導体チップは、半導体チップ22である。半導体チップ22は、例えば、絶縁性樹脂材300(図3参照)に比較して、剛性が高い。しかも、半導体チップ24の部分37は、Z軸方向において、例えば、部分32の上に位置する。このため、半導体チップ24は、例えば、参考例に係る半導体装置100r(図3参照)に比較して、たわみや、それに伴う振動が発生し難くなる。したがって、厚さt24を、薄くすることも可能である。もちろん、厚さt24は、例えば、厚さt23、t25〜27より厚くても構わない。
例えば、第7実施形態では、厚さt24は、例えば、半導体チップ23、25〜27のそれぞれのZ軸方向の厚さt23、t25〜t27と同じに設定されている。なお、厚さt23〜t27は、それぞれ、同じ厚さとしているが、厳密に同じ厚さである必要はない。例えば、厚さt23〜t27には、それぞれ、許容誤差の範囲内の誤差は含まれる。
第7実施形態によれば、例えば、ワイヤボンディング時に発生し得る、半導体チップの振動を抑制しつつ、半導体チップ23〜27のそれぞれのZ軸方向の厚さt23〜t27を、互いに等しくできる。これにより、パッケージの、更なる薄型化を図ることができる。
(第8実施形態)
図17(a)は、第8実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図17(b)は、第8実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図17(a)には、ベース1、半導体チップ21及び22を示す。図17(b)には、半導体チップ22を示し、その一部を断面とする。図17(b)に示す断面は、図17(a)中のB−B線に沿う。なお、図17(b)は、半導体チップ22をZ軸方向に沿ってベース1側から領域30に向かって見た図であり、部分31〜34のそれぞれが断面として示され、領域30の裏面が平面として示されている。図17(a)に示す断面は、図17(b)中のA−A線に沿う。
図17(a)及び図17(b)に示すように、第8実施形態に係る半導体装置100gは、例えば、第2実施形態の半導体チップ22の溝181に、ノッチ200X及び200Yを設けた例である。なお、第1実施形態の半導体チップ22においては、溝180に、例えば、ノッチ200Yが設けられる。ノッチ200X及び200Yは、例えば、領域30の底面に設けられる。底面は、半導体素子部D2が形成された面に対して、反対に位置した面である。ノッチ200Xは、X軸方向に延びる。ノッチ200Yは、Y軸方向に延びる。
第4〜第6実施形態において説明したが、溝180は、ブレード150をウェハWに、Y軸方向に沿って数回入れることで形成される。また、溝181は、ブレード150をウェハWに、さらにX軸方向に沿って複数回入れることで形成される。
図18(a)〜図18(c)は、第8実施形態に係る半導体装置を製造する製造方法の1つを例示する工程順模式断面図である。
図18(a)〜図18(c)に順に示すように、溝180又は181は、例えば、刃先が、楕円形状やテーパ形状のブレード150を、ウェハWに複数回入れて形成される。このような溝180又は181の形成方法であると、ブレード150がウェハWに入る度、半導体チップ22又はウェハWには、ノッチ200X又は200Yが形成される。
このように、刃先が、楕円形状やテーパ形状のブレード150を用い、ブレード150をウェハWに複数回入れて、溝180又は溝181を形成する。これにより、ノッチ200X又は200Yは、溝180又は溝181を形成した後、工程を追加することなく形成することができる。
また、ブレード150は、加工時の摩耗などにより、先が細くなりやすい。このため、溝180や溝181は、底部に向かって細くテーパ形状となることもある。
第8実施形態に係る半導体装置100gによれば、半導体チップ22の溝181に、X軸方向に沿ったノッチ200X、及び、Y軸方向に沿ったノッチ200Yを設ける。例えば、ノッチ200X及び200Yは、絶縁封止部材8となる絶縁性樹脂を、凹部に導く“ガイド”として機能させることができる。図17(b)の矢印210は、絶縁性樹脂の流れを示す。
半導体装置100gによれば、例えば、絶縁封止部材8によって、半導体チップ21〜27を絶縁封止する際に、領域30とベース1との間に得られている凹部に、絶縁封止部材8を充填しやすくなる、という利点を得ることができる。
さらに、硬化後の絶縁封止部材8は、ノッチ200X又は200Yがない場合に比較して、凹部内において、半導体チップ22により強固に密着する(アンカー効果)。したがって、絶縁封止部材8と半導体チップ22との密着性が向上し、絶縁封止部材8の剥離を抑制できる、という利点も得ることができる。
(第9実施形態)
図19(a)〜図21(b)は、第9実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。
図19(a)に示すように、ベース1の上に、半導体チップ21を接着する。ベース1は、複数の配線を含む配線群11を有する。半導体チップ21は、半導体素子部D1及び半導体素子部D1に電気的に接続されたパッド電極21P(パッド電極21Pについては、図2(b)参照)を有する。
次に、図19(b)に示すように、配線群11に含まれた配線とパッド電極21Pとを電気的に接続する。配線は、端子電極71と電気的に接続されている。例えば、端子電極71と、パッド電極21Pとを配線部材61によって電気的に接続する。接続方式は、図示するように、ボンディングワイヤを用いたワイヤボンディング方式であってもよいし、バンプ電極を用いたフリップチップ方式であってもよい。
次に、図20(a)に示すように、ベース1の上に、パッド電極22P(図3(a)及び図3(b)参照)を有する半導体チップ22を接着する。半導体チップ22は、半導体チップ21を、ベース1、領域30、部分31及び部分32に、内包するようにベース1の上に接着される。
次に、図20(b)に示すように、半導体チップ22の上に、パッド電極を有する複数の半導体チップ、例えば、パッド電極23P〜27P(図3(a)参照)をそれぞれ有する半導体チップ23〜27を接着する。この接着に際し、パッド電極22P〜27Pは、それぞれ、露出させながら接着する。
図21(a)に示すように、配線群11に含まれた配線とパッド電極22P〜27Pとを電気的に接続する。配線は、端子電極72、73と電気的に接続されている。例えば、端子電極72、端子電極73、パッド電極22P〜27Pを、配線部材62〜67によって電気的に接続する。この接続に際しても、図示するワイヤボンディング方式に限らず、フリップチップ方式であってもよい。
なお、ボンディング装置のボンディングツールと半導体チップとの干渉を防ぐためには、図20(b)に示す工程(ダイマウント)及び図21(a)に示す工程(ワイヤボンディング)を、例えば、以下のように行えばよい。
(1)半導体チップ22、23及び26のダイマウント
(2)配線部材62、63及び65のワイヤボンディング
(3)半導体チップ24、27及び25のダイマウント
(4)配線部材64、66及び67のワイヤボンディング
上記(1)〜(4)の順で、ダイマウント及びワイヤボンディングを行うことで、ボンディングツールと半導体チップとの干渉を防ぐことができる。
次に、図21(b)に示すように、少なくともベース1の上において、少なくとも半導体チップ22〜27を絶縁封止部材8で封止する。第9実施形態では、さらに、半導体チップ21も、絶縁封止部材8で封止した例が示されている。絶縁封止部材8で封止した後、絶縁封止部材8の表面に、形式番号等の意匠(図示せず)を印字する。
次に、図1(b)に示すように、ベース1に、外部端子9を形成する。外部端子9は、例えば、バンプ電極である。例えば、これらのような工程を経て、実施形態に係る半導体装置が封止された半導体パッケージが製造される。
(第10実施形態)
図22(a)は、第10実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図22(b)は、図22(a)の一部拡大断面図である。図23は、第10実施形態の半導体チップ22を例示する模式的平面図である。
図22(a)及び(b)、図23に示すように、第10実施形態に係る半導体装置100hにおいては、半導体チップ22に、部分81、82、83が一体的に設けられている。部分81及び部分82は、第1実施形態における領域30(図2(a)参照)に相当する。
部分81は、半導体チップ21をベース1に電気的に接続する配線部材61の直上域に配置されている。配線部材61は例えばループを形成したワイヤである。部分82は、半導体チップ21の中心Cの直上域を含む領域に配置されている。半導体チップ21の中心Cは、例えば、Z軸方向から見て半導体チップ21の形状が矩形である場合は、この矩形の対角線の交点である。部分83は、第1実施形態における部分31及び32(図2(a)参照)に相当し、半導体チップ21の直上域を除く部分の一部に配置されている。X方向において、部分83は半導体チップ21を挟む位置に配置されている。部分83は、接着部22A(図2(a)参照)を介してベース1に接着されている。
部分81、82、83は、いずれも、半導体チップ22の全長にわたってY軸方向に延びている。部分81は2ヶ所、部分82は1ヶ所、部分83は2ヶ所に設けられており、部分81は部分82と部分83の間に位置している。すなわち、X軸方向に沿って、部分83、部分81、部分82、部分81、部分83がこの順に配列されている。上方から見て、部分81の形状は相互に平行な2本のライン状である。そして、Z軸方向において、部分82は部分81よりも厚く、部分83は部分82よりも厚い。なお、本明細書において「厚さ」とは、Z軸方向における長さをいう。半導体チップ22の上面は略平坦であるため、部分81、82、83の厚さが異なることにより、各部分の下面の位置が異なる。
換言すれば、半導体チップ22の下面にはY軸方向に延びるライン状の溝180が形成されており、部分82は溝180の底面に位置する。また、溝180の両側には、溝180よりも深い溝183が形成されており、部分81は溝183の底面に位置する。溝180及び溝183がいずれも形成されていない領域が、部分83に相当する。
また、部分83における部分82に向いた側面84の下部は、YZ平面に対して略平行である。側面84の上端部84aの曲率半径Rは、側面84の下端部84bの曲率半径R0よりも大きい。すなわち、上端部84aは緩やかにラウンドしている。換言すれば、部分83の部分81側の根元は、緩やかにラウンドしている。
以下、各部の寸法の一例を示す。
半導体チップ22の全体の厚さ、すなわち、部分83の厚さは、例えば、150μm(マイクロメートル)である。部分81の厚さは、例えば、30μmである。このため、配線部材61(ワイヤ)のループが収納されるスペースの高さは、120μmとなる。部分82の厚さは、例えば、50〜100μmである。このため、半導体チップ21が収納されるスペースの高さは、100〜50μmとなる。半導体チップ21の厚さは、例えば、30μmである。このため、半導体チップ22の部分82と半導体チップ21とのクリアランスは、70〜20μmとなる。そして、溝183の深さ、すなわち、側面84の高さをDとするとき、深さDに対する側面84の上端部84aの曲率半径Rの比の値(以下、「R/D比率」という)は、0.4以上であることが好ましく、0.8以上であることがより好ましい。
第10実施形態における上記以外の構成は、第1実施形態と同様である。すなわち、半導体チップ22は、配線部材62としてのワイヤにより、ベース1の配線11に接続されている。また、半導体チップ22上には、半導体チップ23〜27が少しずつずれて積層されており、半導体チップ23〜27は、それぞれ配線部材63〜67によってベース1の配線11に接続されている。そして、半導体チップ22における配線部材62が接続されたパッド電極22Pの直上域には、半導体チップ23〜27は配置されていない。また、半導体チップ23〜27についても、配線部材63〜67が接続されたパッド電極23P〜27Pの直上域には、他の半導体チップは配置されていない。そして、ベース1上には絶縁封止部材8が設けられており、半導体チップ21〜27を封止している。
次に、第10実施形態の効果について説明する。
第10実施形態においては、半導体チップ22に、部分81よりも厚い部分82を設けている。これにより、部分81においては、ワイヤのループを形成するだけのスペースを確保しつつ、半導体チップ22の中央部の強度を向上させて、外部から印加される機械的ストレスに対する耐性を増加させることができる。
例えば、図10(h)に示す工程の後、ダイシングテープ171から半導体チップ22をピックアップするときは、ダイシングテープ171の裏面を突上治具によって押し上げると共に、コレットにより半導体チップ22を上から吸着する。このとき、半導体チップ22の中央部には大きな力が印加されるため、この部分が薄いと、破損する懸念がある。しかしながら、第10実施形態の半導体チップ22は、中央部に位置する部分82を部分81よりも厚くしているため、中央部の破損を抑制することができる。半導体チップ22が破損しない厚さは、種々の条件によって決まるため一概には決定できないが、例えば、部分82の厚さは50μm以上とすることが好ましく、100μm以上とすることがより好ましい。
また、半導体チップ22に部分81を設けることにより、ベース1及び半導体チップ21と部分81との間に、比較的大きな隙間を形成することができる。この結果、ベース1及び半導体チップ21と半導体チップ22との間に、絶縁封止部材8を注入しやすくなる。仮に、部分81を設けないと、絶縁封止樹脂8が十分に充填されず、未充填の空間が残る可能性がある。その結果、半導体装置の強度が低下する。これを回避するためには、絶縁封止樹脂8を注入する際の圧力を高くする必要があるが、この場合は、半導体チップ、ワイヤ及びバンプ接合部等が破損する可能性がある。また、高圧力に耐え、粘性が低い特殊で高価な樹脂材料が必要になる。
これに対して、本実施形態によれば、半導体チップ22に部分81を設けることにより、樹脂材料の侵入性を向上させ、部分82を設けることにより、半導体チップ22の中心付近の応力耐性を向上させ、部分83の根元をラウンドさせることにより、応力を分散させることができる。この結果、樹脂材料の充填が容易になり、半導体装置の生産性が向上すると共に、半導体装置の強度が向上する。
また、第10実施形態においては、側面84の上端部84aの曲率半径Rを、側面84の下端部84bの曲率半径R0よりも大きくしている。側面84の上端部84aは、半導体チップ22をベース1にマウントしたときに、応力が集中する部分である。また、半導体チップ22の運搬に伴う振動によっても、上端部84aに応力が集中する。そこで、この部分の曲率半径を大きくすることにより、応力の集中を緩和し、半導体チップ22の破損を抑制することができる。
第10実施形態における上記以外の効果は、第1実施形態と同様である。
(第10実施形態:第1変形例)
図24(a)は、第10実施形態の第1変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図24(b)は、第10実施形態の第1変形例の半導体チップ22を例示する模式的平面図である。図24(a)には、ベース1、半導体チップ21、半導体チップ22、及び、配線部材61のみを示している。
図24(a)及び(b)に示すように、第10実施形態の第1変形例に係る半導体装置100iにおいては、溝183は溝180の内部に形成されている。このため、半導体チップ22が、部分81、82、83の他に、部分85を有する。部分85は部分81と部分83との間に設けられており、半導体チップ22の全体にわたってY軸方向に延びている。部分85の厚さは部分82の厚さと略等しい。すなわち、部分85は、部分81よりも厚く、部分83よりも薄い。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第10実施形態と同様である。
(第11実施形態)
図25(a)は、第11実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図25(b)は、第11実施形態の半導体チップ22を例示する模式的平面図である。図25(a)に示す断面は、図25(b)中のA−A線に沿う。
第11実施形態は、第2実施形態と第10実施形態を組み合わせた例である。
図25(a)及び(b)に示すように、第11実施形態に係る半導体装置100jにおいては、半導体チップ22の下面にクロスパターン状の溝181が形成されている。また、溝181の外縁に沿って、X軸方向に延びる溝183及びY軸方向に延びる溝183が2本ずつ形成されている。部分81は溝183の底面に設けられている。
このため、Z軸方向から見て、部分81の形状は格子状である。また、四辺を部分81によって囲まれた1つの矩形の領域に、部分82が配置される。三辺を部分81によって囲まれた4つの矩形の領域に、部分85が配置される。二辺を部分81によって囲まれた4つの矩形の領域に、部分83が配置される。
本実施形態によれば、半導体チップ21から見てX軸方向の両側及びY軸方向の両側が開口するため、絶縁封止部材8の充填が容易である。
本実施形態における上記以外の構成及び効果は、第10実施形態と同様である。
(第11実施形態:第1変形例)
図26(a)は、第11実施形態の第1変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図26(b)は、第11実施形態の第1変形例の半導体チップ22を例示する模式的平面図である。図26(a)に示す断面は、図26(b)中のA−A線に沿う。
本変形例は、第11実施形態と第10実施形態の第1変形例とを組み合わせた例である。
図26(a)及び(b)に示すように、第11実施形態の第1変形例に係る半導体装置100kにおいては、半導体チップ22の4つの角部にも部分85が設けられており、これらの部分85の角部に部分83が設けられている。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第11実施形態と同様である。
なお、第10実施形態、第11実施形態、及びこれらの変形例は、前述の各実施形態及びその変形例と組み合わせて実施することができる。例えば、第1実施形態の第1変形例(図5(a)参照)のように、一部の端子電極71を部分83(部分31及び32)の間の領域の外側に配置してもよく、第1実施形態の第2変形例(図5(b)参照)のように、半導体チップ21の一部を部分83(部分31及び32)の間の領域の外側に配置してもよく、第1実施形態の第3変形例(図6(a)参照)のように、部分83(部分31及び32)を半導体チップ22の長軸方向に沿って設けてもよく、第1実施形態の第4変形例(図6(b)参照)のように、半導体チップ21と部分83(部分31及び32)の間に端子電極71を配置しなくてもよい。
また、第3実施形態(図8(a)及び(b)参照)のように、部分83(部分31、32、35、36)を枠状に形成してもよく、第7実施形態(図16参照)のように、半導体チップ23〜27の厚さを相互に略等しくしてもよく、第8実施形態(図17(a)及び(b)参照)のように、半導体チップ22における部分83(部分31及び32)以外の部分の下面にノッチを形成してもよい。
(第12実施形態)
図27(a)〜(d)は、第12実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第12実施形態では、第10実施形態に係る半導体装置100h(図22(a)参照)の製造方法を説明する。
図22(a)に示すように、ベース1上に半導体チップ21を搭載する。次に、半導体チップ21を配線部材61であるワイヤにより、ベース1に電気的に接続する。
一方、第4実施形態において説明した方法により、図9(a)〜(f)及び図10(a)〜(f)に示す工程を実施する。これにより、図27(a)に示すように、ダイシングテープ170上に、個片化された複数の半導体チップ22がマトリクス状に配列された中間構造体が作製される。各半導体チップ22の上面には、DAF140aが接着されている。
次に、図27(b)に示すように、マトリクス状に配列された複数の半導体チップ22の上面を、ブレード152によって、深さS1まで研削する。ブレード152としては、比較的幅が広く、研削面が平坦で角部の曲率半径が小さい太目平坦ブレードを使用する。これにより、半導体チップ22の下面にライン状の溝180が形成される。なお、ブレード152による研削を、位置をずらして複数回実施することにより、ブレード152の幅よりも太い溝180を形成してもよい。
次に、図27(c)に示すように、半導体チップ22の上面における溝180の一端部を、ブレード153によって深さS2まで研削する。深さS2は深さS1よりも深くする。ブレード153としては、ブレード152よりも幅が細く、研削面が楕円状に突出しており角部の曲率半径が大きい細目楕円ブレードを使用する。ブレード153の角部の曲率半径はRである。これにより、溝180の一端部に、溝180よりも深いライン状の溝183が形成される。このとき、ブレード153の角部のラウンドを反映して、溝183の角部はラウンドする。
次に、図27(d)に示すように、半導体チップ22の上面における溝180の他端部を、ブレード153によって深さS2まで研削する。これにより、溝180の両端部に溝183が形成される。半導体チップ22における溝183の底部が部分81となる。溝180の底部における溝183が形成されていない部分が部分82となる。半導体チップ22における溝180及び溝183がいずれも形成されていない部分が部分83となる。部分83の根元部分、すなわち、側面84の上端部84aは、溝183の角部に相当するため、ラウンドしている。
次に、図10(h)に示すように、半導体チップ22をそれぞれ反転させ、DAF140aをダイシングテープ171に接着する。次に、ダイシングテープ171に紫外線を照射するなどして、粘着力を低下させる。次に、半導体チップ22を、ダイシングテープ171からピックアップする。このとき、半導体チップ22の中央部に位置する部分82は部分81よりも厚いため、半導体チップ22の破損を抑制できる。
そして、半導体チップ22の部分81が配線部材61(ワイヤ)に対向し、部分82が半導体チップ21の中心C(図23参照)に対向するように位置決めしつつ、部分83をベース1に接着することにより、半導体チップ22をベース1に搭載する。このとき、部分81は薄いため、配線部材61であるワイヤのループに干渉することがない。また、部分83の根元部分がラウンドしているため、部分83の根元に応力が集中して、この部分が破損することを抑制できる。
次に、図22(a)に示すように、半導体チップ22上に半導体チップ23、26、24をX軸方向の一方側に少しずつずらしながら積層させる。次に、半導体チップ22を配線部材62を用いてベース1にワイヤボンディングし、半導体チップ23を配線部材63を用いてベース1にワイヤボンディングし、半導体チップ26を配線部材62を用いてベース1にワイヤボンディングする。次に、半導体チップ24上に半導体チップ27及び25をX軸方向の他方側に少しずつずらしながら積層させる。次に、半導体チップ24を配線部材64を用いてベース1にワイヤボンディングし、半導体チップ27を配線部材67を用いてベース1にワイヤボンディングし、半導体チップ25を配線部材65を用いてベース1にワイヤボンディングする。次に、ベース1上において、半導体チップ21〜27を絶縁封止部材8で封止する。このようにして、半導体装置100hが製造される。
次に、第12実施形態の効果について説明する。
第12実施形態においては、深さが異なる溝180及び溝183を形成することにより、部分81〜83を作り分けることができる。また、溝183を形成する際に、角部の曲率半径が大きい細目楕円ブレードを用いることにより、また、部分83の根元をラウンドさせることができる。そして、部分81を十分に薄くすることにより、配線部材61をループさせるためのスペースを確保しつつ、部分82を部分81よりも厚くし、部分83の根元をラウンドさせることにより、半導体チップ22の強度を確保し、半導体装置の製造工程において、半導体チップ22が破損することを抑制できる。
本実施形態における上記以外の製造方法及び効果は、第4実施形態と同様である。
なお、図27(b)に示す溝180を形成する工程と、図27(c)及び(d)に示す溝183を形成する工程は、順序を入れ替えてもよい。
また、第12実施形態は、前述の各実施形態及びその変形例と組み合わせて実施することができる。例えば、第5実施形態(図11(a)〜(g)及び図12(a)〜(h)参照)のように、ウェハに溝180及び183を形成した後、溝180等の反対側からウェハをダイシングして複数の半導体チップ22に切り分けてもよく、第5実施形態の第1変形例(図13(a)〜(c)参照)のように、ウェハに溝180及び183を形成した後、溝180等と同じ側からウェハをダイシングして複数の半導体チップ22に切り分けてもよく、第6実施形態(図14(a)〜(g)及び図15(a)〜(h)参照)のように、ダイシング工程をBSG工程よりも先に行うDBG工法を適用してもよい。
(試験例)
次に、第10〜第12実施形態の効果を示す試験例について説明する。
図28(a)は、シミュレーションにおいて想定した構造を示す図であり、図28(b)は、横軸にR/D比率をとり、縦軸に角部に印加される主応力をとって、角部のラウンドが応力集中に及ぼす影響を示すグラフ図である。
本試験例においては、シミュレーションを行い、角部に印加される主応力を求めた。図28(a)に示すように、シミュレーションの対象とした構造は、多層配線基板を模した基板401上にDAF402を設け、その上にシリコンからなるチップ403を設けた構造とした。チップ403の下面には溝404を形成した。チップ403上には、ステンレスからなるコレット405を設けた。
コレット405による圧縮負荷を模したシミュレーションでは、コレット405にチップ403を下方、すなわち、基板401に向かう方向に、均等な力で押圧させた。一方、搬送時の振動に伴う引張負荷を模したシミュレーションでは、コレット405にチップ403を上方、すなわち、基板401から離れる方向に、均等な力で引っ張らせた。
そして、溝404の角部406の曲率半径Rを異ならせて、角部406における主応力を求めた。溝404の深さをDとし、深さDに対する曲率半径Rの比率をR/D比率とした。各構成部材の物性値を表1に示す。また、R/D比率及び角部406に印加された主応力を表2に示す。図28(b)は、表2に示す結果をグラフ化したものである。
Figure 2019161007
Figure 2019161007
表2及び図28(b)に示すように、R/D比率が高いほど、角部406に印加される主応力が低減した。主応力の低減効果は、R/D比率が0.4以上であると顕著であり、R/D比率が0.8以上であるとより顕著であった。
以上、実施形態によれば、薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供できる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、実施形態の半導体装置が含むベース1、半導体チップ21及び半導体チップ22等の各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。例えば、実施形態においては、半導体チップ22は半導体メモリチップとし、半導体チップ21はコントローラチップとしたが、これに限られるものではない。
各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例、及び、修正例に想到し得るものであり、それら変更例、及び、修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明の実施形態を説明したが、実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…ベース、8…絶縁封止部材、9…外部端子、11…配線群、21〜27…半導体チップ、21A〜27A…接着部、21P〜27P…パッド電極、22r…半導体チップ、30…領域、31〜36…部分、41〜44…端面、51〜54…角部、61〜67…配線部材、71〜73…端子電極、75…クリアランス、81〜83…部分、84…側面、84a…上端部、84b…下端部、85〜83…部分、100a…半導体装置(第1実施形態)、100aa…半導体装置(第1実施形態:第1変形例)、100ab…半導体装置(第1実施形態:第2変形例)、100ac…半導体装置(第1実施形態:第3変形例)、100ad…半導体装置(第1実施形態:第4変形例)、100b…半導体装置(第2実施形態)、100c…半導体装置(第3実施形態)、100f…半導体装置(第6実施形態)、100g…半導体装置(第7実施形態)、100h…半導体装置(第10実施形態)、100i…半導体装置(第10実施形態:第1変形例)、100j…半導体装置(第11実施形態)、100k…半導体装置(第11実施形態:第1変形例)、110…表面保護テープ、120…研削砥石、130…ダイシングリング、140a…DAF、140b…接着樹脂、140c…基材、150…ブレード、151…レーザー、152、153…ブレード、160…ダイシングライン、160a…ハーフカット溝、170…ダイシングテープ、171…ダイシングテープ、180…溝、181…溝、182…凹部、183…溝、200X、200Y…ノッチ、210…絶縁樹脂の流れ、300…絶縁性樹脂材、401…基板、402…DAF、403…チップ、404…溝、405…コレット、406…角部、C…中心、D…深さ、D1〜D7…半導体素子部、R、R0…曲率半径、S1、S2…深さ、t22r、t22〜t27、t30…厚さ、W…ウェハ

Claims (10)

  1. ベースと、
    前記ベース上に搭載された第1半導体チップと、
    前記第1半導体チップ上に設けられた第2半導体チップと、
    を備え、
    前記第2半導体チップは、
    第1部分と、
    前記第1半導体チップの中心の直上域を含み、前記第1部分よりも厚い第2部分と、
    前記第1半導体チップの直上域を除く部分の一部を含み、前記第2部分よりも厚く、前記第1半導体チップを挟む位置に配置された第3部分と、
    を有した半導体装置。
  2. 前記第3部分における前記第2部分に向いた側面の上端部の曲率半径は、前記側面の下端部の曲率半径よりも大きい請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記第3部分の厚さと前記第1部分の厚さの差をDとし、前記側面の上端部の曲率半径をRとするとき、R/D比率が0.4以上である請求項2記載の半導体装置。
  4. 前記R/D比率が0.8以上である請求項3記載の半導体装置。
  5. 前記第2半導体チップは、前記第2半導体チップの端部に位置し、前記第1部分よりも厚く、前記第3部分よりも薄い第4部分をさらに有した請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
  6. 前記第1半導体チップを前記ベースに接続する第1ワイヤと、
    前記第2半導体チップを前記ベースに電気的に接続する第2ワイヤと、
    前記第2半導体チップ上に設けられた複数の第3半導体チップと、
    前記第3半導体チップを前記ベースに電気的に接続する複数の第3ワイヤと、
    をさらに備え、
    前記第3部分は前記第1ワイヤの直上域に配置されており、
    前記第2半導体チップにおける前記第2ワイヤが接続された部分の直上域には、前記第3半導体チップは配置されておらず、
    1つの前記第3半導体チップにおける前記第3ワイヤが接続された部分の直上域には、他の前記第3半導体チップは配置されていない請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。
  7. 上方から見て、前記第1部分の形状は相互に平行な2本のライン状である請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
  8. 上方から見て、前記第1部分の形状は格子状である請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
  9. ベース上に第1半導体チップを搭載する工程と、
    第2半導体チップの表面を第1深さに研削することにより、ライン状の第1部分を複数本形成する工程と、
    前記表面を前記第1深さよりも浅い第2深さに研削することにより、ライン状の第2部分を形成する工程と、
    前記第2部分が前記第1半導体チップの中心に対向するように、前記第2半導体チップを前記ベースに搭載する工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  10. 前記第1部分を形成する工程は、第1ブレードで前記表面を加工する工程を有し、
    前記第2部分を形成する工程は、第2ブレードで前記表面を加工する工程を有し、
    前記第1ブレードの角部の曲率半径は、前記第2ブレードの角部の曲率半径よりも大きい請求項9記載の半導体装置の製造方法。
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