JP2019159029A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019159029A5
JP2019159029A5 JP2018043490A JP2018043490A JP2019159029A5 JP 2019159029 A5 JP2019159029 A5 JP 2019159029A5 JP 2018043490 A JP2018043490 A JP 2018043490A JP 2018043490 A JP2018043490 A JP 2018043490A JP 2019159029 A5 JP2019159029 A5 JP 2019159029A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
focus position
level
midpoint
function
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018043490A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7105582B2 (ja
JP2019159029A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2018043490A priority Critical patent/JP7105582B2/ja
Priority claimed from JP2018043490A external-priority patent/JP7105582B2/ja
Priority to TW108104887A priority patent/TWI722386B/zh
Priority to KR1020190023746A priority patent/KR102493922B1/ko
Priority to CN201910161927.6A priority patent/CN110244518B/zh
Publication of JP2019159029A publication Critical patent/JP2019159029A/ja
Publication of JP2019159029A5 publication Critical patent/JP2019159029A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7105582B2 publication Critical patent/JP7105582B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018043490A 2018-03-09 2018-03-09 決定方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法及びプログラム Active JP7105582B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018043490A JP7105582B2 (ja) 2018-03-09 2018-03-09 決定方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法及びプログラム
TW108104887A TWI722386B (zh) 2018-03-09 2019-02-14 決定方法、曝光方法、曝光裝置、物品的製造方法及記憶媒體
KR1020190023746A KR102493922B1 (ko) 2018-03-09 2019-02-28 결정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 물품의 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램
CN201910161927.6A CN110244518B (zh) 2018-03-09 2019-03-05 决定方法、曝光方法、装置、物品的制造方法及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018043490A JP7105582B2 (ja) 2018-03-09 2018-03-09 決定方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法及びプログラム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019159029A JP2019159029A (ja) 2019-09-19
JP2019159029A5 true JP2019159029A5 (enExample) 2021-04-22
JP7105582B2 JP7105582B2 (ja) 2022-07-25

Family

ID=67882947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018043490A Active JP7105582B2 (ja) 2018-03-09 2018-03-09 決定方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法及びプログラム

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7105582B2 (enExample)
KR (1) KR102493922B1 (enExample)
CN (1) CN110244518B (enExample)
TW (1) TWI722386B (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11781214B2 (en) 2019-07-30 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Differential capacitive sensors for in-situ film thickness and dielectric constant measurement
JP2022097352A (ja) * 2021-05-17 2022-06-30 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3265668B2 (ja) * 1993-01-13 2002-03-11 株式会社ニコン ベストフォーカス位置の算出方法
JP3303436B2 (ja) * 1993-05-14 2002-07-22 キヤノン株式会社 投影露光装置及び半導体素子の製造方法
JPH07326563A (ja) * 1994-06-01 1995-12-12 Hitachi Ltd 露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置
JPH0982620A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Nikon Corp ベストフォーカス位置の検出方法
AU2001292355A1 (en) * 2000-10-05 2002-04-15 Nikon Corporation Method of determining exposure conditions, exposure method, device producing method and recording medium
JP2002260986A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP5002100B2 (ja) * 2001-09-13 2012-08-15 キヤノン株式会社 焦点位置検出方法及び焦点位置検出装置
CN1732412A (zh) * 2002-12-30 2006-02-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 确定最佳工艺窗口的最佳工艺设定的方法,该最佳工艺窗口优化了确定光刻工艺最佳工艺窗口的工艺性能
JP4177722B2 (ja) * 2003-07-02 2008-11-05 株式会社東芝 パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、及びパターン補正プログラム
US7566893B2 (en) * 2004-06-22 2009-07-28 Nikon Corporation Best focus detection method, exposure method, and exposure apparatus
TWI396225B (zh) * 2004-07-23 2013-05-11 尼康股份有限公司 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置
JP5115859B2 (ja) * 2006-02-21 2013-01-09 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2008053618A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Canon Inc 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法
DE102008042356A1 (de) * 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
CN102053506A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 监测曝光机聚焦的方法
JP5835968B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-24 キヤノン株式会社 決定方法、プログラム及び露光方法
JP6661371B2 (ja) * 2015-12-25 2020-03-11 キヤノン株式会社 評価方法、露光方法、および物品の製造方法
WO2017171880A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Systems, methods, and apparatuses for implementing critical dimension (cd) and phase calibration of alternating phase shift masks (apsm) and chromeless phase lithography (cpl) masks for modeling
JP6730850B2 (ja) * 2016-06-01 2020-07-29 キヤノン株式会社 露光条件の決定方法、プログラム、情報処理装置、露光装置、および物品製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7054365B2 (ja) 評価方法、露光方法、および物品製造方法
JP3264368B2 (ja) 縮小投影型露光装置の調整方法
JP2019537745A5 (enExample)
JP2019204058A5 (enExample)
JP7745407B2 (ja) 基板上の複数のショット領域の配列を求める方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、プログラム及び情報処理装置
KR102126232B1 (ko) 평가 방법, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법
US6862726B2 (en) Light intensity simulation method, program product, and designing method of photomask
JP2019159029A5 (enExample)
TW200937144A (en) Alignment method, exposure method, pattern forming method, and exposure apparatus
JP5673947B2 (ja) マスクパターンの補正方法、プログラム及び該補正方法を用いたフォトマスク
JP5662717B2 (ja) 露光装置及びデバイスの製造方法
JP2017116867A5 (enExample)
TWI651602B (zh) 評價方法、物品製造方法及評價程式
JP7105582B2 (ja) 決定方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法及びプログラム
JP2010109088A5 (enExample)
KR20220132634A (ko) 국부 균일성 메트릭을 추론하는 방법
JP2020190654A5 (enExample)
JP2017003617A5 (enExample)
JP2021144211A (ja) フォトマスクを測定するための方法
US8057966B2 (en) Manufacturing method of photomask for multiple exposure and semiconductor device manufacturing method using above photomask
JP2021128284A5 (ja) 計測方法、露光方法、物品の製造方法、プログラム及び露光装置
US8956791B2 (en) Exposure tolerance estimation method and method for manufacturing semiconductor device
TW201608330A (zh) 評估用遮罩、評估方法、曝光裝置以及物品之製造方法
JP2019184681A5 (enExample)
JP2011176119A5 (ja) 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置