CN103309171A - 产生方法和信息处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种产生方法和信息处理设备。具体地，提供一种产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据的产生方法和信息处理设备，所述曝光设备包括用于将包括主图案和辅助图案的掩模图案投射到基板上的投射光学系统，所述产生方法包括：设置产生条件的步骤，在所述产生条件下产生辅助图案；和确定描述指示计算的掩模图案的图像的质量的指数的估计函数的值是否落入容许范围之内的步骤，其中，如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变产生条件以设置新的产生条件。

Description

产生方法和信息处理设备
技术领域
本发明涉及产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据的产生方法和信息处理设备。
背景技术
随着半导体装置的微图案化的最新发展，曝光设备转印（解析）图案变得困难。为了跟上半导体装置的微图案化的步伐，曝光设备采用诸如修改的照射和光学邻近校正（OPC）之类的分辨率增强技术，以优化用于照射掩模的掩模图案或照射形状（有效光源分布）。照射形状指示在照射光学系统的光瞳面上形成的光强分布，并且还指示照射掩模的光的角分布。
为了优化照射形状，设置用于装置的布局图案（目标图案）、用于转印图案（光学图像）的估计位置和在估计位置处的估计项（例如，尺寸、DOF或曝光宽容度）。接着，计算转印图案同时改变照射形状，从而获得在转印图案上估计位置处的估计项的值（估计值）。重复转印图案计算和估计值获得，直到获得的估计值落入容许范围之内或照射形状的变化的数目达到预定数目。照射形状由例如具有内σ和外σ作为其参数（变量）的函数来数字地表示，所述参数在具有给定强度的环形照射中使用例如蒙特卡罗法来优化。甚至当使用相同的掩模图案时，转印图案随照射形状的变化而变化。因而，在照射形状变化时，转印图案偏离目标图案。因此，OPC是将转印图案与目标图案匹配所必需的。每当照射形状改变时或当照射形状改变给定量时，完成OPC。注意，OPC限于诸如线宽度、边缘偏移和图像偏移之类的转印图案的形状的校正，并且不能执行对于诸如图像的对比度和聚焦深度之类的分辨率性能的校正，所述分辨率性能是基于有效光源分布确定的。
美国专利No.6563566提出了一种设置要形成在基板（晶片）上的图案并且计算通过数学方法优化的掩模图案和照射形状的技术。在美国专利No.6563566中公开的技术用分析法计算解（掩模图案和照射形状）而不是重复执行计算。虽然在美国专利No.6563566中公开的技术不采用OPC，但是要形成在基板上的图案和优化的掩模图案彼此不同，因而此技术从广义来说可以被认为是包括掩模图案校正的照射形状优化技术。
此外，日本专利公开No.2009-93138和2009-94109提出一种将辅助图案（本身不被解析的图案）插入到主图案（本身被解析的图案）中以减小精细的、密集的图案和隔离的图案之间的分辨率性能的差别的技术。在日本专利公开No.2009-93138和No.2009-94109中描述的技术在2D-TCC近似空中图像的峰（拉普拉斯峰）位置处插入辅助图案。
在美国专利No.6563566中公开的技术具有如下优点：它用分析法计算解，但是需要将估计项限制到光学图像的倾斜并且将要在基板上形成的图案的类型限制到一个特定类型。如上所述，在美国专利No.6563566中描述的技术是不切实际的，因为它具有少量自由度的缺点。
另一方面，在日本专利公开No.2009-93138和No.2009-94109中公开的技术对于已知的照射形状设置生成辅助图案的固定的产生条件，即插入辅助图案的方法。在日本专利公开No.2009-93138和No.2009-94109中描述的技术不能总是确定最佳照射条件和掩模图案。
发明内容
本发明提供一种在产生用于要被用于曝光设备的包括辅助图案的掩模图案的数据中有益的技术。
根据本发明的一个方面，提供了一种产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据的产生方法，所述曝光设备包括用于将包括主图案和辅助图案的掩模图案投射到基板上的投射光学系统，所述方法包括：第一步骤，设置产生条件，在所述产生条件下产生辅助图案；第二步骤，计算要由投射光学系统使用在曝光设备中设置的曝光条件以及包括设置的主图案和根据设置的产生条件产生的辅助图案的掩模图案在基板上形成的掩模图案的图像；和第三步骤，确定描述指示在第二步骤中计算的掩模图案的图像的质量的指数的估计函数的值是否落入容许范围之内，其中，如果确定估计函数的值落入容许范围之内，则产生包括设置的主图案和根据在第一步骤中设置的产生条件产生的辅助图案的数据作为用于该掩模图案的数据，以及如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变产生条件以在第一步骤中设置新的产生条件，并且使用新的产生条件执行第二步骤和第三步骤。
根据本发明的另一个方面，提供了一种产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据的信息处理设备，所述曝光设备包括用于将包括主图案和辅助图案的掩模图案投射到基板上的投射光学系统，其中所述信息处理设备包括被配置为执行以下步骤的处理器：第一步骤，设置产生条件，在所述产生条件下产生辅助图案；第二步骤，计算要由投射光学系统使用在曝光设备中设置的曝光条件以及包括设置的主图案和根据设置的产生条件产生的辅助图案的掩模图案在基板上形成的掩模图案的图像；和第三步骤，确定描述指示在第二步骤中计算的掩模图案的图像的质量的指数的估计函数的值是否落入容许范围之内，其中，如果确定估计函数的值落入容许范围之内，则产生包括设置的主图案和根据在第一步骤中设置的产生条件产生的辅助图案的数据作为用于该掩模图案的数据，以及如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变产生条件以在第一步骤中设置新的产生条件，并且使用新的产生条件执行第二步骤和第三步骤。
本发明的进一步的特征通过参考附图对示范性实施例的以下详细描述将变得清楚。
附图说明
图1A和1B是用于说明根据本发明的一方面的产生方法的流程图。
图2是显示辅助图案的峰强度的定义的图。
图3是显示主图案的线宽度的定义的图。
图4是显示主图案的位置偏移的定义的图。
图5是显示掩模图案的示例的图。
图6A和6B是显示作为曝光条件的有效光源的图。
图7A到7F是显示使用根据实施例的产生方法获得的结果以及使用现有技术（比较示例）获得的结果的图。
图8A到8C是显示当干涉图峰阈值（阈值）分别被设置为-0.3、-0.2和0.3时获得的掩模图案的图。
图9A到9C是显示通过分别估计如图8A到8C所示的掩模图案的聚焦深度获得的结果的图。
图10A和10B是显示当邻近图案距离分别被设置为对应于k1=0.3（43nm）和k1=0.6（86nm）时获得的掩模图案的图。
图11A到11C是显示当散焦值分别被设置为30nm、150nm和200nm时获得的掩模图案的图。
具体实施方式
下面参考附图更详细地描述本发明的优选实施例。注意，贯穿附图，相同的参考数字表示相同的构件，并且不会给出它的重复的描述。
本发明可应用于产生用于要被用于各种装置的微机械或制造的掩模（原本）的图案数据，所述各种装置包括诸如IC或LSI之类的半导体芯片、诸如液晶面板之类的显示装置、诸如磁头之类的检测装置和诸如CCD之类的图像传感器。微机械指示通过向微结构的制造应用半导体集成电路制造技术来生成具有高级功能的微米量级的机械系统的技术或机械系统自身。本发明优选地决定（优化）要被用于曝光设备的掩模图案（对于其的数据），所述曝光设备包括用于将包括主图案（本身被解析的图案）和辅助图案（本身不被解析的图案）的掩模图案投射到基板上的投射光学系统。
本发明的申请人进一步发展了在美国专利No.6563566中公开的技术，并且提出一种建立描述掩模图案和曝光条件的函数以同时决定（优化）要被用于曝光设备的掩模图案和曝光条件的技术（日本专利申请No.2010-207153）。本发明的申请人还提出一种向同时决定掩模图案和曝光条件的序列增加改变掩模尺寸的序列以决定能够满足高准确度要求的掩模图案的技术（日本专利申请No.2010-234915）。此外，本发明的申请人提出一种建立描述辅助图案的函数以优化包括辅助图案（例如，辅助图案的尺寸）的掩模图案的技术（日本专利申请No.2010-244368）。注意，这些技术设置产生辅助图案的固定的产生条件，类似于在日本专利公开No.2009-93138和No.2009-94109中描述的技术。
本发明不仅优化辅助图案的尺寸，而且优化产生辅助图案的产生条件，即类似于掩模图案和曝光条件地处理它们，从而试图进一步改善曝光设备的分辨率。本发明以上述改变掩模尺寸的其它序列优化辅助图案的位置和尺寸，从而试图进一步改善曝光设备的分辨率。
图1A和1B是用于说明根据本发明的一方面的产生方法的流程图。产生方法由诸如计算机之类的信息处理设备执行，并且产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据，所述曝光设备包括用于将包括主图案和辅助图案的掩模图案投射到基板上的投射光学系统。
在步骤S101中，设置曝光设备中的曝光条件、用于定义主图案的主图案参数和产生辅助图案的产生条件（产生条件参数）的初始值。曝光条件在曝光设备中是可设置的。曝光条件包括例如有效光源的形状（要形成在照射光学系统的光瞳面上的光强分布）和投射光学系统的数值孔径（NA）。此外，产生条件是决定辅助图案的形状和位置中的至少一个的条件。产生条件包括例如干涉图峰阈值、2D-TCC近似空中图像的峰获得方向、邻近图案距离和散焦值中的至少一个。注意，干涉图峰阈值是用于基于要形成在基板上的掩模图案的图像（2D-TCC近似空中图像）的每个位置处的强度决定辅助图案的位置的强度阈值。峰获得方向是要形成在基板上的掩模图案的图像被区分的方向。邻近图案距离是产生（插入）辅助图案所需的、辅助图案和相邻图案（主图案和其它辅助图案）之间的距离。散焦值是用于产生辅助图案的散焦值。
在步骤S102中，设置掩模图案的参数（主图案参数和辅助图案参数）的灵敏度的初始值和曝光条件。例如，用户输入的值被用作要设置的灵敏度的初始值。
在步骤S103中，设置（决定）辅助图案的基本位置。根据例如2D-TCC近似空中图像的峰设置辅助图案的基本位置。
在步骤S104中，计算用于暂时决定掩模图案的估计函数的值，即描述指示掩模图案的图像的质量的指数的第一估计函数的值。首先，使用设置的掩模图案和曝光条件计算要由投射光学系统在基板上形成的掩模图案的图像。获得在掩模图案的图像的每个估计位置处的估计指数（线宽度、偏移等）的值以计算第一估计函数的值。作为第一估计函数，例如，仅仅需要使用主图案的线宽度、主图案的位置偏移和辅助图案的峰强度的每一个与它的目标值之间的差。
在步骤S105中，确定第一估计函数的值的计算数目（即，在步骤S104中的重复数目）是否为一。如果第一估计函数的值的计算数目不是一，则该过程前进到步骤S106；否则，该过程前进到步骤S107。
在步骤S106中，计算和设置灵敏度。首先，获得由第一估计函数描述的每个估计指数的值。基于每个估计指数的值的变化和掩模图案的参数的变化，计算指示估计指数相对于掩模图案的参数的变化率的灵敏度。计算的灵敏度与预先设置的灵敏度容许范围相比较。如果计算的灵敏度落入容许范围之内，则它被设置为完好的；否则，修改它以落入容许范围之内，然后设置。这使得能够防止解在灵敏度太小时发散，或防止解在灵敏度太大时收敛。
在步骤S107中，将在步骤S102中设置的灵敏度的初始值设置为灵敏度。这样做的原因是在第一估计函数的值的计算数目为一时，不可能计算灵敏度。
在步骤S108中，决定（暂时决定）掩模图案的参数的值，即主图案参数和辅助图案参数的值。基于在步骤S106或S107中设置的掩模参数的灵敏度和相对于每个估计指数的目标值的差，决定接下来要估计的掩模图案的参数的值。
在步骤S109中，确定掩模参数的决定数目（即，在步骤S108中的重复数目）是否达到指定的数目或第一估计函数的值是否落入容许范围之内。如果掩模参数的决定数目没有达到指定的数目或第一估计函数的值没有落入容许范围之内，则该过程前进到步骤S110。如果掩模参数的决定数目达到指定的数目或第一估计函数的值落入容许范围之内，则该过程前进到步骤S111。
在步骤S110中，将掩模图案的参数的值，即主图案参数和辅助图案参数的值，改变为在步骤S108中决定的主图案参数和辅助图案参数的值。
在步骤S111中，计算将多个估计指数作为变量相加的函数的值，即描述指示掩模图案的图像的质量的指数的第二估计函数的值。首先，使用在步骤S108中决定的掩模图案和设置的曝光条件计算要由投射光学系统在基板上形成的掩模图案的图像。获得在掩模图案的图像的每个估计位置处的估计指数的值以计算第二估计函数的值。在此实施例中，第二估计函数P由下式给出：
P=(线宽度误差RMS/线宽度误差RMS的容差)+(NILS的容差/(NILS的最小值+误差))+(位置偏移误差的最坏值/位置偏移误差的容差)+(聚焦深度的容差/(聚焦深度+误差))...(1)
注意，NILS是“归一化的图像对数倾斜”的缩写。
在步骤S112中，确定第二估计函数的值的计算数目（即，在步骤S111中的重复数目）是否达到指定的数目或第二估计值的值是否落入容许范围之内。如果第二估计函数的值的计算数目没有达到指定的数目或第二估计值的值没有落入容许范围之内，则该过程前进到步骤S113。另一方面，如果第二估计函数的值的计算数目达到指定的数目或第二估计值的值落入容许范围之内，则该过程前进到步骤S114。
在步骤S113中，例如，Nelder-Mead方法用于基于在步骤S111中计算的第二估计函数的值改变曝光条件、掩模图案的参数（主图案参数和辅助图案参数）的值和产生条件参数的值。换句话说，在步骤S113中，再次设置曝光条件、主图案参数的值、辅助图案参数的值和产生条件参数的值。产生条件参数包括各种参数，诸如如上所述的干涉图峰阈值和峰获得方向。注意，在此实施例中，仅仅将干涉图峰阈值设置作为用于Nelder-Mead方法的参数，并且其它参数是固定的。Nelder-Mead方法也被称为下坡单纯形法，其在ComputerJournal,Vol.7,p.308,1965的J.A.Nelder和R.Mead中说明。
在步骤S114中，产生用于掩模图案的数据和用于曝光条件的数据。更具体地，产生包括分别与主图案参数和辅助图案参数的最后一次设置的值（即，在步骤S108中决定的值）对应的主图案和辅助图案的数据作为用于掩模图案的数据。根据在步骤S113中最后一次改变（设置）的辅助图案产生条件（产生条件参数）产生辅助图案。此外，产生与最后一次设置的曝光条件（即，在步骤S113中改变的曝光条件）对应的数据作为用于曝光设备中的曝光条件的数据。
如上所述，本发明的申请人提出了一种向同时决定掩模图案和曝光条件的序列增加改变掩模尺寸的序列以决定能够满足高准确度要求的掩模图案的技术。在此实施例中，该技术也应用于决定（优化）辅助图案（步骤S104到S109）。更具体地，基于掩模尺寸和辅助图案的峰强度获得灵敏度以决定（暂时决定）主图案和辅助图案（其参数值），以使得目标图案的线宽度变得接近通过强度的目标值乘以二或更大的因子获得的值。
例如，使用在辅助图案的尺寸改变（变形）ΔXPeak时峰强度的变化量ΔPeak，辅助图案的峰强度的灵敏度SPeak由下式给出：
SPeak=ΔPeak/ΔXPeak    ...(2)
假定如图2所示定义辅助图案的峰强度。
使用在主图案的尺寸变化ΔXCD时线宽度的变化量ΔCD，主图案的线宽度SCD由下式给出：
SCD=ΔCD/ΔXCD    ...(3)
假定如图3所示定义主图案的线宽度。
使用在主图案的中心位置变化ΔXShift时中心位置的变化量ΔShift，主图案的位置偏移SShift由下式给出：
SShift=ΔShift/ΔXShift    ...(4)
假定如图4所示定义主图案的位置偏移。
在步骤S108中，使XPeak2为决定值，XPeak为当前辅助图案的尺寸，P为XPeak的峰强度，Ptarget为峰强度的目标值。然后，用于决定辅助图案参数的值的等式由下式表示：
XPeak2=XPeak-(P-Ptarget)/SPeak    ...(5)
此外，使XCD2为决定值，XCD为当前主图案的尺寸，CD为XCD的线宽度，CDtarget为线宽度的目标值。然后，用于决定主图案的线宽度的等式由下式表示：
XCD2=XCD-(CD-CDtarget)/SCD    ...(6)
类似地，使XShift2为决定值，XShift为当前主图案的中心位置，Shift为XShift的线宽度，Shifttarget为线宽度的目标值。然后，用于决定主图案的中心位置的等式由下式表示：
XShift2=XShift-(Shift-Shifttarget)/SShift    ...(7)
下面将描述与根据此实施例的产生方法产生的掩模图案的数据和曝光条件的数据对应的掩模图案和曝光条件（即，该实施例中的优化的掩模图案和曝光条件）。
如图5所示，与要形成在基板上的目标图案对应的掩模图案是与20nm节点的接触过程对应的图案。图5所示的掩模图案的图案的参数考虑对称性分为图案C1到C12，并且是通过重复包括图案C1到C12的图案单元U1获得的图案。图案C1到C12的每一个的参数包括X和Y方向的孔尺寸和X和Y方向的中心位置偏移。因此，48个参数定义图5所示的掩模图案。投射光学系统的图像平面上的图案C1到C12的每一个的X和Y方向上的孔尺寸分别是40nm和55nm。在图像平面上的X和Y方向上的图像平面转换后的掩模尺寸都落入从30nm到100nm的范围之内。X和Y方向上的位置偏移二者落入±5nm的范围之内。
图6A和6B是显示作为曝光条件的有效光源的图。有效光源是不对称的四极照射，并且由参数S1到S7定义，如图6A所示。参数S1表示外σ（其范围从0.70到0.98），参数S2表示内σ。注意，在此实施例中，代替由参数S2表示的内σ，使用σ比率S2/S1（其范围从0.5到0.8）。参数S3表示偶极子的X方向上的孔径角（其范围从20到90°），参数S4表示偶极子的Y方向上的孔径角（其范围从20到90°）。参数S5表示偶极子的X方向上的强度（其范围从0到1），参数S6表示偶极子的Y方向上的强度（其范围从0到1）。
有效光源的偏振是4分割切线偏振，如图6B所示。作为另一个曝光条件，投射光学系统的数值孔径（NA）固定在1.35。
在此实施例中，设置辅助图案的峰强度的目标值以使得辅助图案不被解析并且目标图案的线宽度相对于强度的目标值变得接近于0.8。此外，线宽度误差的目标值被设置为5%。位置偏移误差的目标值被设置为1nm。NILS的目标值被设置为0.7。聚焦深度的目标值被设置为70nm。当线宽度误差落入±10%的范围之内时，在曝光宽容度等于或大于5%的散焦范围之内定义聚焦深度（处理窗口）。
图7A到7F是显示使用根据该实施例的产生方法获得的结果和使用在日本专利申请No.2010-234915和2010-244368中公开的现有技术的组合（比较示例）获得的结果的图。更具体地，在比较示例中，同时决定没有任何辅助图案的掩模图案（即，主图案）和有效光源，并且基于决定的主图案和有效光源设置辅助图案的基本位置以决定它的形状。
图7A示出了在比较示例中获得的有效光源。图7B示出了由根据该实施例的产生方法获得的有效光源。通过比较图7A和7B，显然由此实施例的产生方法获得的有效光源非常不同于在比较示例中获得的有效光源。
图7C示出了在比较示例中获得的掩模图案，并且图7D示出了由此实施例的产生方法获得的掩模图案。通过比较图7C和7D，与在比较示例中获得的掩模图案相比，由此实施例的产生方法获得的掩模图案包括大量辅助图案，并且此实施例的掩模图案的主图案的分辨率提高。
图7E示出了当使用图7A所示的有效光源照射图7C所示的掩模图案时通过估计聚焦深度获得的结果。图7F示出了当使用图7B所示的有效光源照射图7D所示的掩模图案时通过估计聚焦深度获得的结果。参考图7E和7F，纵坐标表示当线宽度误差落入±10%的范围之内时的曝光宽容度，并且横坐标表示聚焦深度。假定曝光宽容度的容差是5%。在这种情况下，在比较示例中，聚焦深度是50nm，如图7E所示。但是，在此实施例中，聚焦深度是80nm，如图7F所示，因而显然聚焦深度已经显著地提高了。
如上所述，此实施例的产生方法可以在优化掩模图案和曝光条件中优化产生辅助图案的产生条件，从而决定成像性能高于现有技术的成像性能的掩模图案和曝光条件。
图8A到8C示出了当作为产生辅助图案的产生条件的干涉图峰阈值（阈值）分别被设置为-0.3、-0.2和0.3时使用此实施例的产生方法获得的掩模图案。参考图8A到8C，随着产生条件（干涉图峰阈值）变化，要插入到主图案的辅助图案变化。图9A到9C显示通过估计分别如图8A到8C所示的掩模图案的聚焦深度获得的结果。参考图9A到9C，纵坐标表示当线宽度误差落入±10%的范围之内时的曝光宽容度，并且横坐标表示聚焦深度。
图10A和10B显示当作为产生辅助图案的产生条件的邻近图案距离分别被设置为对应于k1=0.3（43nm）和k1=0.6（86nm）时使用此实施例的产生方法获得的掩模图案。参考图10A和10B，随着产生条件（邻近图案距离）变化，要插入到主图案的辅助图案变化。
图11A到11C显示当作为产生辅助图案的产生条件的散焦值分别被设置为30nm、150nm和200nm时使用此实施例的产生方法获得的掩模图案。参考图11A到11C，随着产生条件（散焦值）变化，要插入到主图案的辅助图案变化。
本发明的各方面也可以由读出并且执行记录在存储装置上的用于执行上述实施例的功能的程序的系统或设备（或诸如CPU或MPU之类的装置）的计算机实现，并且由其步骤例如由读出并且执行记录在存储装置上的用于执行上述实施例的功能的程序的系统或设备的计算机执行的方法实现。为此，例如经由网络或者从充当存储装置（例如计算机可读介质）的各种类型的记录介质向计算机提供程序。
虽然已经参考示范性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不局限于公开的示范性实施例。以下权利要求书的范围与最宽的解释一致以便涵盖所有这样的修改、等效结构和功能。

Claims (6)

1.一种产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据的产生方法，所述曝光设备包括用于将包括主图案和辅助图案的掩模图案投射到基板上的投射光学系统，所述产生方法包括：
第一步骤，设置产生条件，在所述产生条件下产生辅助图案；
第二步骤，计算要由投射光学系统使用在曝光设备中设置的曝光条件以及包括设置的主图案和根据设置的产生条件产生的辅助图案的掩模图案在基板上形成的掩模图案的图像；和
第三步骤，确定描述指示在第二步骤中计算的掩模图案的图像的质量的指数的估计函数的值是否落入容许范围之内，
其中，如果确定估计函数的值落入容许范围之内，则产生包括设置的主图案和根据在第一步骤中设置的产生条件产生的辅助图案的数据作为用于该掩模图案的数据，以及
如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变产生条件以在第一步骤中设置新的产生条件，并且使用新的产生条件执行第二步骤和第三步骤。
2.根据权利要求1所述的产生方法，其中
如果确定估计函数的值落入容许范围之内，则产生与在第二步骤中计算掩模图案的图像时的设置的曝光条件对应的数据作为用于该曝光设备中的曝光条件的数据，以及
如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变在第二步骤中计算掩模图案的图像时的设置的曝光条件以设置新的曝光条件，并且使用新的曝光条件执行第二步骤和第三步骤。
3.根据权利要求1所述的产生方法，其中
如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变在第二步骤中计算掩模图案的图像时的设置的主图案以设置新的主图案，并且使用新的主图案执行第二步骤和第三步骤。
4.根据权利要求1所述的产生方法，其中
所述产生条件包括用于决定辅助图案的位置和形状中的至少一个的参数。
5.根据权利要求4所述的产生方法，其中
所述参数包括以下中的至少一个：用于基于要在基板上形成的掩模图案的图像的每个位置处的强度来决定辅助图案的位置的强度阈值，要在基板上形成的图像被区分的方向，以及产生辅助图案所需的、辅助图案和相邻图案之间的距离。
6.一种产生用于要被用于曝光设备的掩模图案的数据的信息处理设备，所述曝光设备包括用于将包括主图案和辅助图案的掩模图案投射到基板上的投射光学系统，其中所述信息处理设备包括被配置为执行以下步骤的处理器：
第一步骤，设置产生条件，在所述产生条件下产生辅助图案；
第二步骤，计算要由投射光学系统使用在曝光设备中设置的曝光条件以及包括设置的主图案和根据设置的产生条件产生的辅助图案的掩模图案在基板上形成的掩模图案的图像；和
第三步骤，确定描述指示在第二步骤中计算的掩模图案的图像的质量的指数的估计函数的值是否落入容许范围之内，
其中，如果确定估计函数的值落入容许范围之内，则产生包括设置的主图案和根据在第一步骤中设置的产生条件产生的辅助图案的数据作为用于该掩模图案的数据，以及
如果确定估计函数的值落在容许范围之外，则改变产生条件以在第一步骤中设置新的产生条件，并且使用新的产生条件执行第二步骤和第三步骤。
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