JP2013195440A - 生成方法、プログラム及び情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置に用いられるマスクパターンのデータを生成する生成方法であって、前記補助パターンの生成条件を設定する第1ステップと、設定されている主パターンと前記第1ステップの生成条件に従って生成される補助パターンとを含むマスクパターンと、設定されている露光条件とを用いて、投影光学系によって基板に形成されるマスクパターンの像を算出する第2ステップと、算出されたマスクパターン像の良否の指標を示す評価関数の値が許容範囲内であるかを判定する第3ステップと、を有し、前記評価関数の値が前記許容範囲内である場合に、前記マスクパターンのデータとして生成し、前記評価関数の値が前記許容範囲内でない場合に、前記第1ステップにおいて新たな生成条件を再度設定し、前記第2ステップ及び前記第3ステップを行う。
【選択図】図1
Description
P=線幅誤差RMS/線幅誤差RMS許容値
+NILS許容値/(NILS最小値+Error)
+位置シフト誤差最悪値/位置シフト誤差許容値
+焦点深度許容値/(焦点深度+Error) ・・・(1)
NILSとは、Normalized Image Log Slope(規格化イメージ対数傾斜)のことである。
SPeak=ΔPeak/ΔXPeak ・・・(2)
SCD=ΔCD/ΔXCD ・・・(3)
SShift=ΔShift/ΔXShift ・・・(4)
XPeak2=XPeak−(P−Ptarget)/SPeak ・・・(5)
XCD2=XCD−(CD−CDtarget)/SCD ・・・(6)
XShift2=XShift−(Shift−Shifttarget)/SShift ・・・(7)
Claims (7)
- 主パターンと補助パターンとを含むマスクパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクパターンのデータを生成する生成方法であって、
前記補助パターンを生成するための生成条件を設定する第1ステップと、
設定されている主パターンと前記第1ステップで設定された生成条件に従って生成される補助パターンとを含むマスクパターンと、設定されている前記露光装置における露光条件とを用いて、前記投影光学系によって前記基板の上に形成されるマスクパターンの像を算出する第2ステップと、
前記第2ステップで算出されたマスクパターンの像の良否についての指標を示す評価関数の値が許容範囲内であるかどうかを判定する第3ステップと、
を有し、
前記評価関数の値が前記許容範囲内であると判定された場合に、前記設定されている主パターンと前記第1ステップで設定された生成条件に従って生成される補助パターンとを含むデータを、前記マスクパターンのデータとして生成し、
前記評価関数の値が前記許容範囲内でないと判定された場合に、前記第1ステップにおいて前記生成条件を変更して新たな生成条件を再度設定し、前記第2ステップ及び前記第3ステップを行うことを特徴とする生成方法。 - 前記評価関数の値が前記許容範囲内であると判定された場合に、前記第2ステップでマスクパターンの像を算出する際に設定されていた露光条件に対応するデータを、前記露光装置における露光条件のデータとして生成し、
前記評価関数の値が前記許容範囲内でないと判定された場合に、前記第2ステップでマスクパターンの像を算出する際に設定されていた露光条件を変更して新たな露光条件を再度設定し、前記第2ステップ及び前記第3ステップを行うことを特徴とする請求項1に記載の生成方法。 - 前記評価関数の値が前記許容範囲内でないと判定された場合に、前記第2ステップでマスクパターンの像を算出する際に設定されていた主パターンを変更して新たな主パターンを再度設定し、前記第2ステップ及び前記第3ステップを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の生成方法。
- 前記生成条件は、前記補助パターンの位置及び形状の少なくとも一方を決定するためのパラメータを含むことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の生成方法。
- 前記パラメータは、前記基板の上に形成されるマスクパターンの像の各位置における強度から前記補助パターンの位置を決定する際の強度の閾値、前記基板の上に形成される像を微分する方向、及び、前記補助パターンを生成する際に当該補助パターンと隣接するパターンとの間に必要となる距離の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項4に記載の生成方法。
- 請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
- 請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の生成方法を実行する情報処理装置。
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