JP2011100121A - フルチップ光源およびマスク最適化のためのパターン選択 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】いくつかの態様によれば、本発明は、フルチップパターンのカバーを可能にし、一方、光源およびマスク最適化で使用しようとするクリップの完全な集合302から重要な設計パターンの小さな集合306をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減する。最適化は、最適化された光源を得るために、これらの選択されたパターンに対してのみ実施される。次いで、最適化された光源を使用し、(たとえばOPCおよび製造可能性検証320を使用して)フルチップに合わせてマスクを最適化し、プロセスウィンドウ性能結果が比較される(322)。結果が従来のフルチップSMOに匹敵する場合、プロセスが終了し、そうでない場合には、繰り返して好結果に収束するように、様々な方法が提供される。
【選択図】図3
Description
・プログラマブルミラーアレイ。そのようなデバイスの例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリクスアドレス可能な表面である。そのような装置の裏にある基本原理は、(たとえば)アドレスされた反射表面の領域が入射光を回折光として反射し、一方、アドレスされなかった領域は、入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビームから除去し、後に回折光だけを残すことができ、このようにして、このビームは、マトリクスアドレス可能な表面のアドレッシングパターンに従ってパターン付けされたものになる。必要とされるマトリクスアドレッシングは、好適な電子手段を使用して実施することができる。そのようなミラーアレイに関するより多くの情報は、たとえば、参照により本明細書に組み込む米国特許第5,296,891号および第5,523,193号から収集することができる。
[0038] ・プログラマブルLCDアレイ。そのような構造の例が、参照により本明細書に組み込む米国特許第5,229,872号に与えられている。
スコア=正規化(+EPE)+正規化(−EPE)+2*正規化MEEF
上式で、EPEはエッジ配置誤差であり、MEEFは、マスク誤差増大係数である。
− 放射の投影ビームPBを供給するための放射システムEx、IL。この特定の場合には、放射システムは、放射源LAをも備える。
− マスクMA(たとえば、レチクル)を保持するためのマスクホルダを備え、物品PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブル(たとえば、マスクテーブル)MT。
− 基板W(たとえば、レジストコートされたシリコンウェーハ)を保持するための基板ホルダを備え、物品PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル(たとえば、基板テーブル)WT。
− マスクMAの照射された部分を基板Wの(たとえば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に結像するための投影システム(レンズ)PL(たとえば、屈折光学系、反射光学系、または反射屈折光学系)。
− ステップモードでは、マスクテーブルMTが本質的に静止したままであり、マスク像全体が一度にターゲット部分C上に投影される(すなわち、単一の「フラッシュ」)。次いで、基板テーブルWTがx方向および/またはy方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分CをビームPBによって照射することができる。
− スキャンモードでは、所与のターゲット部分Cが単一の「フラッシュ」で露光されないことを除いて、本質的に同じシナリオが当てはまる。その代わりに、マスクテーブルMTは、投影ビームPBをマスク像の上でスキャンさせるように速度vで所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、たとえばy方向)に移動可能であり、同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同じ方向または反対方向に同時に移動され、この式で、MはレンズPLの倍率である(典型的には、M=1/4または1/5)。このようにして、解像度について妥協する必要なしに、比較的大きなターゲット部分Cを露光することができる。
1.
設計の一部分をウェーハ上に結像するためにリソグラフィプロセスを最適化する方法であって、
前記設計からクリップの完全な集合を識別する工程と、
クリップの前記完全な集合からクリップの部分集合を選択する工程と、
クリップの前記選択された部分集合を結像するために前記リソグラフィプロセスに合わせて照明源を最適化する工程と、
クリップの前記完全な集合を最適化し前記リソグラフィプロセスにおいて結像させるために、前記最適化された照明源を使用する工程と
を含む方法。
2.
前記選択する工程が、
クリップの前記完全な集合のそれぞれについて回折次数分布を計算する工程と、
前記計算された回折次数分布に基づいて、クリップの前記完全な集合を複数のグループにグループ化する工程と、
前記グループのそれぞれから、1つまたは複数の代表クリップを前記部分集合として選択する工程と
を含む、第1条項に記載の方法。
3.
前記選択する工程が、
クリップの前記完全な集合内で1つまたは複数のメモリパターンを識別する工程と、
前記1つまたは複数のメモリパターンに合わせて前記照明源を事前最適化する工程と、
前記事前最適化された照明源を使用し、クリップの前記完全な集合内の潜在的なホットスポットを決定する工程と、
前記決定された潜在的なホットスポットに基づいて前記部分集合を選択する工程と
を含む、第1条項に記載の方法。
4.
前記選択する工程が、
前記リソグラフィプロセスのための元の照明源を識別する工程と、
前記元の照明源を使用し、クリップの前記完全な集合内の潜在的なホットスポットを決定する工程と、
前記決定された潜在的なホットスポットに基づいて前記部分集合を選択する工程と
を含む、第1条項に記載の方法。
5.
前記選択する工程が、
設計タイプによって、クリップの前記完全な集合内のパターンを複数のグループにグループ化する工程と、
ピッチおよびフィーチャタイプによって各グループ内の前記パターンを分類し、各グループ内の最適なパターンを決定する工程と、
各グループ内の前記最適なパターンを前記部分集合として選択する工程と
を含む、第1条項に記載の方法。
6.
前記選択する工程が、
前記リソグラフィプロセスのシミュレーションモデルを識別する工程と、
前記モデルを使用し、クリップの前記完全な集合のそれぞれについてプロセスパラメータ感度を推定する工程と、
前記推定されたプロセスパラメータ感度に基づいて前記部分集合を選択する工程と
を含む、第1条項に記載の方法。
7.
コンピュータによって読み取られたとき、前記コンピュータに、設計の一部分を基板上に結像するためにリソグラフィプロセスを最適化する方法を実行させる命令が記録されたコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
前記設計の前記一部分からパターンの部分集合を選択する工程と、
パターンの前記選択された部分集合を結像するために前記リソグラフィプロセスに合わせて照明源を最適化する工程と、
前記設計の前記一部分を最適化し前記リソグラフィプロセスにおいて結像させるために、前記最適化された照明源を使用する工程と
を含む、コンピュータ可読媒体。
8.
前記設計の前記一部分がクリップを含み、パターンの部分集合を選択する前記工程が、
前記設計からクリップの完全な集合を識別する工程と、
クリップの前記完全な集合からクリップの部分集合を選択する工程とを含み、
最適化する前記工程が、クリップの前記選択された部分集合を結像するために前記リソグラフィプロセスに合わせて照明源を最適化する工程を含み、
使用する前記工程が、クリップの前記完全な集合を最適化し前記リソグラフィプロセスにおいて結像させるために、前記最適化された照明源を使用する工程を含む、第7条項に記載のコンピュータ可読媒体。
9.
前記選択する工程が、
前記設計の前記一部分内の前記パターンについて回折次数分布を計算する工程と、
前記計算された回折次数分布に基づいて前記パターンを複数のグループにグループ化する工程と、
パターンの前記部分集合として前記グループのそれぞれから1つまたは複数の代表パターンを選択する工程と
を含む、第7条項または第8条項に記載のコンピュータ可読媒体。
10.
前記選択する工程が、
前記設計の前記一部分内で1つまたは複数のメモリパターンを識別する工程と、
前記1つまたは複数のメモリパターンに合わせて前記照明源を事前最適化する工程と、
前記事前最適化された照明源を使用し、前記設計の前記一部分内の潜在的なホットスポットを決定する工程と、
前記決定された潜在的なホットスポットに基づいてパターンの前記部分集合を選択する工程と
を含む、第7条項または第8条項に記載のコンピュータ可読媒体。
11.
前記選択する工程が、
前記リソグラフィプロセスのための元の照明源を識別する工程と、
前記元の照明源を使用し、前記設計の前記一部分内の潜在的なホットスポットを決定する工程と、
前記決定された潜在的なホットスポットに基づいてパターンの前記部分集合を選択する工程と
を含む、第7条項または第8条項に記載のコンピュータ可読媒体。
12.
前記ホットスポットに関するシビアリティスコアを計算する工程と、
予め定義されたシビアリティスコアを有する、または予め定義されたシビアリティスコア範囲を有する前記ホットスポットを選択する工程と
をさらに含む、第10条項または第11条項に記載の方法。
13.
前記選択する工程が、
設計タイプによって、前記設計の前記一部分内のパターンを複数のグループにグループ化する工程と、
ピッチおよびフィーチャタイプによって各グループ内の前記パターンを分類し、各グループ内の最適なパターンを決定する工程と、
各グループ内の前記最適なパターンをパターンの前記部分集合として選択する工程と
を含む、第7条項または第8条項に記載のコンピュータ可読媒体。
14.
前記選択する工程が、
前記リソグラフィプロセスのシミュレーションモデルを識別する工程と、
前記モデルを使用し、前記設計の前記一部分内のパターンについてプロセスパラメータ感度を推定する工程と、
前記推定されたプロセスパラメータ感度に基づいてパターンの前記部分集合を選択する工程と
を含む、第7条項または第8条項に記載のコンピュータ可読媒体。
15.
パターンの前記最適化された部分集合に関するリソグラフィプロセス性能測定基準が許容されるかどうか判定する工程と、
前記判定された測定基準が許容されない場合、潜在的なホットスポットを有するクリップを前記部分集合に追加し、前記最適化工程を繰り返す工程と
をさらに含む、第7条項から第15条項までのいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
16.
前記照明源を最適化する工程が、前記リソグラフィプロセスのモデル、前記照明源、およびパターンの前記部分集合を使用してリソグラフィプロセス性能をシミュレートし、前記性能が許容されるかどうか判定する工程を含む、第7条項から第15条項までのいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
17.
前記設計の前記一部分を最適化する工程が、前記最適化された照明源に基づいて前記パターンのいくつかに対して光近接補正を実施する工程を含む、第7条項から第16条項までのいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
Claims (15)
- 設計の一部分を基板上に結像するためにリソグラフィプロセスを最適化する方法であって、
前記設計の前記一部分からパターンの部分集合を選択する工程と、
パターンの前記選択された部分集合を結像するために前記リソグラフィプロセスに合わせて照明源を最適化する工程と、
前記設計の前記一部分を最適化し前記リソグラフィプロセスにおいて結像させるために、前記最適化された照明源を使用する工程と
を含む方法。 - 前記設計の前記一部分がフルチップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記設計の前記一部分がクリップを含み、パターンの部分集合を選択する前記工程が、
前記設計からクリップの完全な集合を識別する工程と、
クリップの前記完全な集合からクリップの部分集合を選択する工程とを含み、
最適化する前記工程が、クリップの前記選択された部分集合を結像するために前記リソグラフィプロセスに合わせて照明源を最適化する工程を含み、
使用する前記工程が、クリップの前記完全な集合を最適化し前記リソグラフィプロセスにおいて結像させるために、前記最適化された照明源を使用する工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記選択する工程が、
前記設計の前記一部分内のパターンについて回折次数分布を計算する工程と、
前記計算された回折次数分布に基づいて前記パターンを複数のグループにグループ化する工程と、
パターンの前記部分集合として前記グループのそれぞれから1つまたは複数の代表パターンを選択する工程と
を含む、請求項1、2、または3に記載の方法。 - 前記選択する工程が、
前記設計の前記一部分内で1つまたは複数のメモリパターンを識別する工程と、
前記1つまたは複数のメモリパターンに合わせて前記照明源を事前最適化する工程と、
前記事前最適化された照明源を使用し、前記設計の前記一部分内の潜在的なホットスポットを決定する工程と、
前記決定された潜在的なホットスポットに基づいてパターンの前記部分集合を選択する工程と
を含む、請求項1、2、または3に記載の方法。 - 前記選択する工程が、
前記リソグラフィプロセスのための元の照明源を識別する工程と、
前記元の照明源を使用し、前記設計の前記一部分内の潜在的なホットスポットを決定する工程と、
前記決定された潜在的なホットスポットに基づいてパターンの前記部分集合を選択する工程と
を含む、請求項1、2、または3に記載の方法。 - ホットスポットに関するシビアリティスコアを計算する工程と、
予め定義されたシビアリティスコアを有する前記ホットスポットを選択する、または予め定義されたシビアリティスコア範囲内のシビアリティスコアを有する前記ホットスポットを選択する工程と
をさらに含む、請求項5または6に記載の方法。 - 前記選択する工程が、
設計タイプによって、前記設計の前記一部分内のパターンを複数のグループにグループ化する工程と、
ピッチおよびフィーチャタイプによって各グループ内の前記パターンを分類し、各グループ内の最適なパターンを決定する工程と、
各グループ内の前記最適なパターンをパターンの前記部分集合として選択する工程と
を含む、請求項1、2、または3に記載の方法。 - 前記選択する工程が、
前記リソグラフィプロセスのシミュレーションモデルを識別する工程と、
前記モデルを使用し、前記設計の前記一部分内のパターンについてプロセスパラメータ感度を推定する工程と、
前記推定されたプロセスパラメータ感度に基づいてパターンの前記部分集合を選択する工程と
を含む、請求項1、2、または3に記載の方法。 - パターンの前記最適化された部分集合に関するリソグラフィプロセス性能測定基準が許容されるかどうか判定する工程と、
前記判定された測定基準が許容されない場合、潜在的なホットスポットを有するクリップをパターンの前記部分集合に追加し、前記最適化工程を繰り返す工程と
をさらに含む、請求項1から9までのいずれか一項に記載の方法。 - 前記照明源を最適化する工程が、前記リソグラフィプロセスのモデル、前記照明源、およびパターンの前記部分集合を使用してリソグラフィプロセス性能をシミュレートし、前記性能が許容されるかどうか判定する工程を含む、請求項1から10までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記設計の前記一部分を最適化する工程が、前記最適化された照明源に基づいて前記パターンのいくつかに対して光近接補正を実施する工程を含む、請求項1から11までのいずれか一項に記載の方法。
- コンピュータによって読み取られたとき、前記コンピュータに、請求項1から12までに記載の、設計の一部分をウェーハ上に結像するためにリソグラフィプロセスを最適化する方法を実行させる命令が記録されたコンピュータ可読媒体。
- 放射ビームをもたらすように構成された照明システムと、
パターニング手段を支持するように構成されたサポート構造であって、前記パターニング手段が、前記放射ビームにその断面でパターンを与えるように働く、サポート構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン付きビームを前記基板のターゲット部分上に投影するための投影システムとを備えたリソグラフィ装置において、
請求項1から12までに記載の、リソグラフィプロセスを最適化するための方法に従って前記最適化された照明源を生成するように前記照明システムを構成するためのプロセッサをさらに備えるリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置の照明システムからの放射ビームを与えるためのパターニング手段であって、前記リソグラフィ装置が、この与えられたビームを、投影システムを介して基板のターゲット部分上に投影するように構成されており、パターニング手段が、設計の最適化された部分を含み、前記設計の前記最適化された部分が、請求項1から12までに記載の、リソグラフィプロセスを最適化する方法に従って決定される、パターニング手段。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013509604A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 光源及びマスクの最適化のためのパターン選択方法 |
JP2013065018A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Imec | 光学リソグラフィでの照明光源形状定義 |
JP2013195440A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Canon Inc | 生成方法、プログラム及び情報処理装置 |
KR101463100B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2014-11-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 확률적 효과들을 감소시키기 위한 소스 마스크 최적화 |
KR20160122217A (ko) * | 2014-02-12 | 2016-10-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
JP2017058435A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社ニコン | 評価方法及び装置、そのプログラム、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US9857676B2 (en) | 2013-05-27 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and program product for designing source and mask for lithography |
CN115469512A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-13 | 武汉宇微光学软件有限公司 | 一种光源掩模联合优化中光源校准方法及系统 |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10025198B2 (en) * | 2008-07-07 | 2018-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Smart selection and/or weighting of parameters for lithographic process simulation |
JP5629691B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-11-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 高速自由形式ソース・マスク同時最適化方法 |
JP5607308B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データ生成プログラムおよび方法 |
JP5607348B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法 |
NL2006700A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus. |
NL2007577A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization of source, mask and projection optics. |
NL2007642A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization flows of source, mask and projection optics. |
US8667427B2 (en) * | 2011-02-24 | 2014-03-04 | International Business Machines Corporation | Method of optimization of a manufacturing process of an integrated circuit layout |
US8607170B2 (en) | 2011-03-02 | 2013-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Perturbational technique for co-optimizing design rules and illumination conditions for lithography process |
NL2008311A (en) | 2011-04-04 | 2012-10-08 | Asml Netherlands Bv | Integration of lithography apparatus and mask optimization process with multiple patterning process. |
US8504949B2 (en) * | 2011-07-26 | 2013-08-06 | Mentor Graphics Corporation | Hybrid hotspot detection |
US9940427B2 (en) | 2012-02-09 | 2018-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography |
US8555211B2 (en) * | 2012-03-09 | 2013-10-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask making with error recognition |
US8631360B2 (en) * | 2012-04-17 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methodology of optical proximity correction optimization |
US9489479B2 (en) * | 2012-05-04 | 2016-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Rule and lithographic process co-optimization |
US8843875B2 (en) | 2012-05-08 | 2014-09-23 | Kla-Tencor Corporation | Measurement model optimization based on parameter variations across a wafer |
US8464193B1 (en) | 2012-05-18 | 2013-06-11 | International Business Machines Corporation | Optical proximity correction (OPC) methodology employing multiple OPC programs |
KR101757780B1 (ko) | 2012-05-31 | 2017-07-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 구배-기반 패턴 및 평가 지점 선택 |
CN102692814B (zh) * | 2012-06-18 | 2013-09-11 | 北京理工大学 | 一种基于Abbe矢量成像模型的光源-掩模混合优化方法 |
US9064083B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-06-23 | Dcg Systems, Inc. | P and N region differentiation for image-to-CAD alignment |
US8667428B1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-03-04 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for directed self-assembly process/proximity correction |
JP6095334B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | マスクパターンおよび露光条件を決定する方法、ならびにプログラム |
US20140214192A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Dmo Systems Limited | Apparatus For Design-Based Manufacturing Optimization In Semiconductor Fab |
US8782582B1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-07-15 | Atrenta, Inc. | Efficient method to analyze RTL structures that cause physical implementation issues based on rule checking and overlap analysis |
US8782569B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Method for inspecting photo-mask |
US9170501B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-10-27 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including generating photomasks for directed self-assembly |
US9009634B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-04-14 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including generating photomasks for directed self-assembly |
TWI528201B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-04-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 進階修正方法 |
WO2015049099A1 (en) | 2013-10-01 | 2015-04-09 | Asml Netherlands B.V. | Profile aware source-mask optimization |
US20150112649A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | International Business Machines Corporation | Clustering Lithographic Hotspots Based on Frequency Domain Encoding |
US9023730B1 (en) | 2013-11-05 | 2015-05-05 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including generating e-beam patterns for directed self-assembly |
KR102227127B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2021-03-12 | 삼성전자주식회사 | 리소그래피 시뮬레이션을 이용한 디자인룰 생성 장치 및 방법 |
US9395622B2 (en) * | 2014-02-20 | 2016-07-19 | Globalfoundries Inc. | Synthesizing low mask error enhancement factor lithography solutions |
CN106104384B (zh) * | 2014-03-18 | 2019-07-05 | Asml荷兰有限公司 | 图案位置误差感知优化 |
WO2015158444A1 (en) | 2014-04-14 | 2015-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Flows of optimization for lithographic processes |
US9262578B2 (en) | 2014-04-25 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit manufacturing |
US9552964B2 (en) * | 2014-06-20 | 2017-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating an integrated circuit with a pattern density-outlier-treatment for optimized pattern density uniformity |
CN106462086B (zh) | 2014-06-25 | 2019-10-15 | Asml荷兰有限公司 | 蚀刻变化容差优化 |
WO2016008711A1 (en) | 2014-07-14 | 2016-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of assist features and source |
US10228320B1 (en) | 2014-08-08 | 2019-03-12 | KLA—Tencor Corporation | Achieving a small pattern placement error in metrology targets |
KR102084048B1 (ko) | 2014-10-02 | 2020-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 어시스트 피처들의 규칙-기반 배치 |
US10074036B2 (en) * | 2014-10-21 | 2018-09-11 | Kla-Tencor Corporation | Critical dimension uniformity enhancement techniques and apparatus |
US10409165B2 (en) | 2014-12-15 | 2019-09-10 | Asml Netherlands B.V. | Optimization based on machine learning |
US10372043B2 (en) | 2014-12-17 | 2019-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Hotspot aware dose correction |
WO2016096333A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Asml Netherlands B.V. | A lithography model for 3d features |
US9405186B1 (en) * | 2015-02-23 | 2016-08-02 | GlobalFoundries, Inc. | Sample plan creation for optical proximity correction with minimal number of clips |
US10459345B2 (en) | 2015-03-06 | 2019-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Focus-dose co-optimization based on overlapping process window |
US10670973B2 (en) | 2015-05-20 | 2020-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Coloring aware optimization |
KR102441582B1 (ko) | 2015-07-23 | 2022-09-07 | 삼성전자주식회사 | Mpc 검증 방법 및 그 검증 방법을 포함한 마스크 제조방법 |
US10008422B2 (en) * | 2015-08-17 | 2018-06-26 | Qoniac Gmbh | Method for assessing the usability of an exposed and developed semiconductor wafer |
US10699971B2 (en) * | 2015-08-17 | 2020-06-30 | Qoniac Gmbh | Method for processing of a further layer on a semiconductor wafer |
WO2017060080A1 (en) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Methods & apparatus for controlling an industrial process |
US20180299770A1 (en) * | 2015-10-19 | 2018-10-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to correct for patterning process error |
US9697310B2 (en) * | 2015-11-02 | 2017-07-04 | Winbond Electronics Corporation | Level faults interception in integrated circuits |
US9965901B2 (en) * | 2015-11-19 | 2018-05-08 | KLA—Tencor Corp. | Generating simulated images from design information |
US9823994B2 (en) | 2015-12-22 | 2017-11-21 | International Business Machines Corporation | Dynamically identifying performance anti-patterns |
IL293649B2 (en) * | 2015-12-22 | 2023-11-01 | Asml Netherlands Bv | A device and method for characterizing a window process |
US9898572B2 (en) * | 2016-02-17 | 2018-02-20 | Globalfoundries Inc. | Metal line layout based on line shifting |
US10146124B2 (en) * | 2016-02-23 | 2018-12-04 | Xtal, Inc. | Full chip lithographic mask generation |
US10796063B2 (en) | 2016-04-14 | 2020-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Mapping of patterns between design layout and patterning device |
CN107797375B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 目标图形的修正方法 |
CN110446980B (zh) * | 2017-03-21 | 2022-05-27 | Asml荷兰有限公司 | 对象识别和比较 |
CN107133944B (zh) * | 2017-04-27 | 2020-02-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于opc验证的图形分类方法 |
US10394116B2 (en) | 2017-09-06 | 2019-08-27 | International Business Machines Corporation | Semiconductor fabrication design rule loophole checking for design for manufacturability optimization |
US11513442B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining control parameters of a device manufacturing process |
KR102440220B1 (ko) | 2017-10-11 | 2022-09-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 공정을 위한 최적화의 흐름 |
CN111433678B (zh) * | 2017-12-04 | 2023-02-17 | Asml荷兰有限公司 | 测量方法、图案化设备以及设备制造方法 |
WO2019115426A1 (en) | 2017-12-13 | 2019-06-20 | Asml Netherlands B.V. | Prediction of out of specification physical items |
CN111512237B (zh) | 2017-12-22 | 2023-01-24 | Asml荷兰有限公司 | 基于缺陷概率的过程窗口 |
CN111512236B (zh) | 2017-12-22 | 2023-01-24 | Asml荷兰有限公司 | 涉及光学像差的图案化过程改进 |
CN108829948A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-16 | 中国科学院微电子研究所 | 坏点库的建立方法和建立系统 |
EP3588191A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-01-01 | ASML Netherlands B.V. | Tuning patterning apparatus based on optical characteristic |
CN109061999B (zh) * | 2018-09-12 | 2022-03-18 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 预估潜在热点的方法及增大热点工艺窗口的方法 |
TW202020577A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-06-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 基於晶圓量測判定熱點排序 |
WO2020094385A1 (en) | 2018-11-08 | 2020-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Prediction of out of specification based on spatial characteristic of process variability |
CN113168085B (zh) | 2018-11-30 | 2024-08-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于基于可制造性确定图案形成装置图案的方法 |
WO2020135946A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Method for generating patterning device pattern at patch boundary |
CN113260925A (zh) | 2018-12-31 | 2021-08-13 | Asml荷兰有限公司 | 确定图案形成装置的光学特性的分量的子集 |
US20230044490A1 (en) * | 2019-12-13 | 2023-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Method for improving consistency in mask pattern generation |
US20230100578A1 (en) | 2020-02-12 | 2023-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a mask pattern comprising optical proximity corrections using a trained machine learning model |
US20230076218A1 (en) | 2020-02-21 | 2023-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Method for calibrating simulation process based on defect-based process window |
CN111338179B (zh) * | 2020-04-17 | 2021-07-06 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于多宽度表征的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法 |
CN111399336B (zh) * | 2020-04-17 | 2021-07-27 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于轮廓表征的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法 |
CN111624850B (zh) * | 2020-06-08 | 2021-07-27 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于全芯片光源掩模优化的关键图形筛选方法 |
US20240004305A1 (en) | 2020-12-18 | 2024-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining mask pattern and training machine learning model |
CN113514910B (zh) * | 2021-04-13 | 2023-04-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 衍射光学组件及获取方法、光学系统 |
US11714951B2 (en) | 2021-05-13 | 2023-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Geometric mask rule check with favorable and unfavorable zones |
CN117355795A (zh) * | 2021-05-21 | 2024-01-05 | 美商新思科技有限公司 | 针对源掩模优化的用于选择初始源形状的机器学习 |
TW202419964A (zh) | 2021-06-18 | 2024-05-16 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 使用機器學習模型產生輔助特徵之非暫時性電腦可讀媒體 |
CN113536408B (zh) * | 2021-07-01 | 2022-12-13 | 华蓝设计(集团)有限公司 | 基于cad外部参照协同模式的住宅核心筒面积计算方法 |
WO2023285071A1 (en) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Pattern selection for source mask optimization and target optimization |
US20240310718A1 (en) | 2021-07-30 | 2024-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Method for generating mask pattern |
CN113741140B (zh) * | 2021-08-27 | 2024-02-13 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法 |
CN118119892A (zh) | 2021-10-19 | 2024-05-31 | Asml荷兰有限公司 | 图案匹配方法 |
WO2023131476A1 (en) * | 2022-01-07 | 2023-07-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and computer program for grouping pattern features of a substantially irregular pattern layout |
EP4261616A1 (en) * | 2022-04-13 | 2023-10-18 | ASML Netherlands B.V. | Method and computer program for grouping pattern features of a substantially irregular pattern layout |
CN115758699B (zh) * | 2022-11-09 | 2023-06-20 | 武汉宇微光学软件有限公司 | 面向全芯片光源掩模优化的关键图形快速筛选方法和装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261004A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 照明及びレチクルの最適化により、印刷ラインの形状歪みを最小化するシステム及び方法 |
JP2003178966A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-06-27 | Asml Masktools Bv | 多重可干渉性最適化露出および高透過率減衰psmを利用する、改良したリソグラフィパターニングのための方法 |
WO2004090952A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004312027A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Asml Masktools Bv | ソースおよびマスクの最適化 |
US20070050749A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Brion Technologies, Inc. | Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control |
JP2007158328A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011100122A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-19 | Asml Netherlands Bv | 回折シグネチャ解析に基づく設計レイアウト内の最適なパターンの選択 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5296891A (en) | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US5663893A (en) | 1995-05-03 | 1997-09-02 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern |
WO1997033205A1 (en) | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
US5821014A (en) | 1997-02-28 | 1998-10-13 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask |
US6178533B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-01-23 | Sun Microsystems, Inc. | Method and system for design verification |
US6335130B1 (en) | 2000-05-01 | 2002-01-01 | Asml Masktools Netherlands B.V. | System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features |
EP1164432A1 (en) | 2000-06-13 | 2001-12-19 | ASML Masktools Netherlands B.V. | Optical proximity correction method utilizing serifs having variable dimensions |
DE10228103A1 (de) | 2002-06-24 | 2004-01-15 | Bayer Cropscience Ag | Fungizide Wirkstoffkombinationen |
US7330279B2 (en) * | 2002-07-25 | 2008-02-12 | Timbre Technologies, Inc. | Model and parameter selection for optical metrology |
JP2004128108A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置のアパーチャ形状の最適化方法 |
EP1439419B1 (en) * | 2003-01-14 | 2006-10-04 | ASML MaskTools B.V. | Method and apparatus for providing optical proximity correction features to a reticle pattern for optical lithography |
US7030966B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
JP4192618B2 (ja) * | 2003-02-17 | 2008-12-10 | ソニー株式会社 | マスクの補正方法 |
US20040181768A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Krukar Richard H. | Model pattern simulation of semiconductor wafer processing steps |
US7010804B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-03-07 | Sony Corporation | System and method for facilitating TV channel programming |
US7003758B2 (en) | 2003-10-07 | 2006-02-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography simulation |
SG125970A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-10-30 | Asml Masktools Bv | Feature optimization using interference mapping lithography |
US7342646B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-03-11 | Asml Masktools B.V. | Method of manufacturing reliability checking and verification for lithography process using a calibrated eigen decomposition model |
US7669158B2 (en) * | 2004-09-30 | 2010-02-23 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for semiconductor design hierarchy analysis and transformation |
US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102005005591B3 (de) | 2005-02-07 | 2006-07-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung der Geometrie von Strukturelementen eines Musters eines Schaltungsentwurfs für eine Verbesserung der optischen Abbildungseigenschaften und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Photomaske |
DE602006002044D1 (de) | 2005-02-23 | 2008-09-18 | Asml Masktools Bv | Methode und Apparat zur Optimierung der Beleuchtung einer Schicht eines vollständigen Chips |
US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7853920B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing |
US7965373B2 (en) * | 2005-06-28 | 2011-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load |
US7374957B2 (en) * | 2005-07-11 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Method of calibrating or qualifying a lithographic apparatus or part thereof, and device manufacturing method |
US7266803B2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Layout generation and optimization to improve photolithographic performance |
US7370313B2 (en) * | 2005-08-09 | 2008-05-06 | Infineon Technologies Ag | Method for optimizing a photolithographic mask |
KR100982135B1 (ko) | 2005-09-09 | 2010-09-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 개별 마스크 오차 모델을 사용하는 마스크 검증 방법 및시스템 |
US8576377B2 (en) * | 2006-12-28 | 2013-11-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100902711B1 (ko) | 2007-07-20 | 2009-06-15 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8214775B2 (en) * | 2007-09-14 | 2012-07-03 | Luminescent Technologies, Inc. | System for determining repetitive work units |
KR100944347B1 (ko) | 2008-01-11 | 2010-03-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 제작 방법 |
US8450046B2 (en) * | 2008-02-25 | 2013-05-28 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Methods for enhancing photolithography patterning |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
JP4594994B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラム |
US8578313B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-11-05 | Synopsys, Inc. | Pattern-clip-based hotspot database system for layout verification |
US8566754B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-10-22 | Synopsys, Inc. | Dual-purpose perturbation engine for automatically processing pattern-clip-based manufacturing hotspots |
NL2003702A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Pattern selection for lithographic model calibration. |
JP5629691B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-11-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 高速自由形式ソース・マスク同時最適化方法 |
JP4838866B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | 露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。 |
US8479125B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-07-02 | Christophe Pierrat | Lithography modeling and applications |
US20110047519A1 (en) * | 2009-05-11 | 2011-02-24 | Juan Andres Torres Robles | Layout Content Analysis for Source Mask Optimization Acceleration |
US8786824B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Source-mask optimization in lithographic apparatus |
-
2010
- 2010-10-14 NL NL2005522A patent/NL2005522A/en not_active Application Discontinuation
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- 2010-10-28 US US12/914,954 patent/US8543947B2/en active Active
- 2010-10-28 TW TW099137055A patent/TWI466171B/zh active
- 2010-10-28 US US12/914,946 patent/US8438508B2/en active Active
- 2010-10-28 CN CN2010105297054A patent/CN102053504B/zh active Active
-
2013
- 2013-05-07 US US13/888,816 patent/US9183324B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-02 US US14/874,134 patent/US9934350B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261004A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 照明及びレチクルの最適化により、印刷ラインの形状歪みを最小化するシステム及び方法 |
JP2003178966A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-06-27 | Asml Masktools Bv | 多重可干渉性最適化露出および高透過率減衰psmを利用する、改良したリソグラフィパターニングのための方法 |
JP2004312027A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Asml Masktools Bv | ソースおよびマスクの最適化 |
WO2004090952A1 (ja) * | 2003-04-09 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US20070050749A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Brion Technologies, Inc. | Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control |
JP2007158328A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011100122A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-19 | Asml Netherlands Bv | 回折シグネチャ解析に基づく設計レイアウト内の最適なパターンの選択 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9183324B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Pattern selection for full-chip source and mask optimization |
JP2013509604A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 光源及びマスクの最適化のためのパターン選択方法 |
US9934350B2 (en) | 2009-10-28 | 2018-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Pattern selection for full-chip source and mask optimization |
JP2013065018A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Imec | 光学リソグラフィでの照明光源形状定義 |
KR101463100B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2014-11-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 확률적 효과들을 감소시키기 위한 소스 마스크 최적화 |
JP2013195440A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Canon Inc | 生成方法、プログラム及び情報処理装置 |
US9857676B2 (en) | 2013-05-27 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and program product for designing source and mask for lithography |
DE112014000486B4 (de) | 2013-05-27 | 2021-08-19 | International Business Machines Corporation | Verfahren und Programmprodukt zum Entwerfen einer Quelle und einer Maske für die Lithographie |
KR20160122217A (ko) * | 2014-02-12 | 2016-10-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
US9990451B2 (en) | 2014-02-12 | 2018-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Process window optimizer |
KR20180136581A (ko) * | 2014-02-12 | 2018-12-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
KR101939288B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2019-01-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
KR102211093B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2021-02-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
KR20210014745A (ko) * | 2014-02-12 | 2021-02-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
JP2017505460A (ja) * | 2014-02-12 | 2017-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プロセスウィンドウを最適化する方法 |
US11238189B2 (en) | 2014-02-12 | 2022-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Process window optimizer |
KR102359050B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2022-02-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
KR20220019070A (ko) * | 2014-02-12 | 2022-02-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
KR102427139B1 (ko) | 2014-02-12 | 2022-07-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법 |
JP2017058435A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社ニコン | 評価方法及び装置、そのプログラム、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
CN115469512A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-13 | 武汉宇微光学软件有限公司 | 一种光源掩模联合优化中光源校准方法及系统 |
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