JP2019134002A - 半導体装置 - Google Patents

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佳孝 山下
Yoshitaka Yamashita
佳孝 山下
陽一 村澤
Yoichi Murasawa
陽一 村澤
知巳 奥村
Tomomi Okumura
知巳 奥村
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Abstract

【課題】 半導体チップの近傍でプライマの柱状部が形成され難い構造を有する半導体装置を提案する。【解決手段】 半導体装置であって、半導体チップと、上部放熱板と、下部放熱板と、プライマと、封止樹脂を備えている。上部放熱板が、半導体チップの外側まで伸びる上部延出部を有している。下部放熱板が、半導体チップの外側まで伸びる下部延出部を有している。上部延出部と下部延出部が対向している。上部延出部が、下部延出部に向かって突出する突出部を有している。厚み方向に沿って見たときに、突出部の最も下部延出部側に位置する部分が、半導体チップから間隔を開けた位置に配置されている。プライマが、半導体チップの周囲において上部延出部の下面と下部延出部の上面を覆っている。封止樹脂が、上部延出部と下部延出部の間の隙間に充填されており、プライマに接している。【選択図】図2

Description

本明細書に開示の技術は、半導体装置に関する。
特許文献1の半導体装置は、半導体チップと、上部放熱板と、下部放熱板を有している。上部放熱板は、半導体チップの厚み方向に沿って見たときに、半導体チップの外側まで伸びる上部延出部を有している。下部放熱板は、半導体チップの厚み方向に沿って見たときに、半導体チップの外側まで伸びる下部延出部を有している。上部延出部と下部延出部は、互いに対向している。上部延出部の下面と下部延出部の上面は、プライマによって覆われている。上部延出部と下部延出部の間の隙間に、封止樹脂が充填されている。封止樹脂によって、半導体チップが封止されている。封止樹脂は、プライマに接している。プライマを介して封止樹脂を上部延出部及び下部延出部に接続することで、封止樹脂が上部延出部及び下部延出部から剥離し難くなる。
特開2017−108002号公報
特許文献1の半導体装置の製造工程では、上部延出部の下面と下部延出部の上面に液状のプライマが塗布される。塗布されたプライマを硬化させた後に、封止樹脂が形成される。液状のプライマを塗布する工程において、上部延出部の下面に塗布されたプライマが、下部延出部に向かって垂れ落ちる場合がある。上部延出部から下部延出部に向かって垂れ下がった状態でプライマが硬化すると、プライマの柱状部が形成される。このような場合、柱状部の周囲を取り囲むように封止樹脂が形成される。封止樹脂中にプライマの柱状部が存在していると、柱状部の周囲で封止樹脂が変形し難くなる。
半導体チップに電流が流れると、半導体チップが発熱する。このため、半導体チップの近傍では、上部放熱板、下部放熱板、及び、封止樹脂が加熱される。その結果、各部材が熱膨張する。各部材の線膨張係数が異なるので、半導体チップの近傍では、各部材に熱応力が加わる。半導体チップの近傍にプライマの柱状部が存在していると、半導体チップ近傍の封止樹脂が変形し難くなるので、半導体チップ近傍で高い応力が生じ易くなる。その結果、封止樹脂が、他の部材(例えば、上部延出部、下部延出部、半導体チップ等)から剥離し易くなったり、半導体チップ用の接続部材にクラックが生じ易くなる等の問題が生じる。このように、半導体チップの近傍にプライマの柱状部が存在すると、半導体装置の信頼性の低下に繋がる。したがって、本明細書では、半導体チップの近傍でプライマの柱状部が形成され難い構造を有する半導体装置を提案する。
本明細書が開示する半導体装置は、半導体チップと、半導体チップの上面に接続されている上部放熱板と、半導体チップの下面に接続されている下部放熱板と、プライマと、封止樹脂を備えている。前記上部放熱板が、前記半導体チップの厚み方向に沿って見たときに、前記半導体チップの外側まで伸びる上部延出部を有している。前記下部放熱板が、前記厚み方向に沿って見たときに、前記半導体チップの外側まで伸びる下部延出部を有している。前記上部延出部と前記下部延出部が対向している。前記上部延出部が、前記下部延出部に向かって突出する突出部を有している。前記厚み方向に沿って見たときに、前記突出部の最も下部延出部側に位置する部分が、前記半導体チップから間隔を開けた位置に配置されている。前記プライマが、前記半導体チップの周囲において前記上部延出部の下面と前記下部延出部の上面を覆っている。前記封止樹脂が、前記上部延出部と前記下部延出部の間の隙間に充填されており、前記プライマに接している。
この半導体装置では、上部延出部が、下部延出部に向かって突出する突出部を有している。このため、液状のプライマを塗布する工程において、上部延出部の下面にプライマが塗布されると、余剰のプライマが突出部を伝って下部延出部側に垂れる。突出部の最も下部延出部側に位置する部分は、半導体チップから間隔を開けた位置に配置されている。したがって、プライマは、半導体チップから間隔を開けた位置で下部延出部側に垂れ落ちる。このため、プライマの柱状部が形成される場合には、半導体チップから間隔を開けた位置に柱状部が形成される。したがって、半導体チップの近傍にプライマの柱状部が形成されることを抑制することができる。また、半導体チップから間隔を開けた位置では温度変化が少ないので、それほど高い熱応力は生じない。したがって、半導体チップから間隔を開けた位置に柱状部が形成されても、半導体装置の信頼性に対する影響は極めて小さい。このように、この半導体装置では、半導体チップの近傍にプライマの柱状部が形成されることを抑制して、半導体装置の信頼性を確保することができる。
半導体装置10の縦断面図。 図1の範囲IIにおける拡大断面図。 比較例の半導体装置の拡大断面図。 変形例の半導体装置の拡大断面図。 変形例の半導体装置の拡大断面図。
図1、2に示す半導体装置10は、半導体チップ12と、ターミナル14と、上部放熱板16と、下部放熱板18と、プライマ20と、封止樹脂22を有している。
半導体チップ12は、図示しない上部電極と下部電極を有している。上部電極は、半導体チップ12の上面に設けられている。下部電極は、半導体チップ12の下面に設けられている。
ターミナル14は、金属(例えば、銅)により構成されたブロックである。ターミナル14の下面は、はんだ層30を介して半導体チップ12の上部電極に接続されている。
上部放熱板16は、金属(例えば、銅)により構成された板状の部材である。上部放熱板16の下面は、はんだ層32を介してターミナル14の上面に接続されている。上部放熱板16は、はんだ層32、ターミナル14及びはんだ層30を介して半導体チップ12の上面(すなわち、上部電極)に接続されている。上部放熱板16は、半導体チップ12から放熱する放熱板として機能するとともに、半導体チップ12に通電するための導電板としても機能する。
下部放熱板18は、金属(例えば、銅)により構成された板状の部材である。下部放熱板18の上面は、はんだ層34を介して半導体チップ12の下面(すなわち、下部電極)に接続されている。下部放熱板18は、半導体チップ12から放熱する放熱板として機能するとともに、半導体チップ12に通電するための導電板としても機能する。
上部放熱板16は、半導体チップ12の厚み方向(すなわち、図1のz方向)に沿って見たときに、半導体チップ12の外側(すなわち、半導体チップ12と重複しない範囲)まで伸びる上部延出部16aを有している。下部放熱板18は、半導体チップ12の厚み方向に沿って見たときに、半導体チップ12の外側まで伸びる下部延出部18aを有している。上部延出部16aと下部延出部18aは、対向している。上部延出部16aと下部延出部18aの間には、空間40(隙間)が設けられている。
上部延出部16aの下面の外周側の端部に、突出部16bが設けられている。突出部16bは、その周囲の下面(上部延出部16aの下面)よりも下側(すなわち、下部延出部18a側)に突出している。突出部16bの下面は、突出部16bのうちで最も下側(下部延出部18a側)に位置する部分である。突出部16bは、その下面の端部と半導体チップ12の端部の間に、2mm以上の距離Lが確保されるように配置されている。なお、距離Lは、下部放熱板18の上面に沿って横方向に測定した距離である。すなわち、突出部16bは、図1のZ方向に沿って見たときに、半導体チップ12から距離L分の間隔を開けた位置に配置されている。
上部延出部16aと下部延出部18aの間の空間40に面する範囲において、上部延出部16aの下面と下部延出部18aの上面は、プライマ20によって覆われている。プライマ20は、はんだ層32に隣接する範囲で上部延出部16aの下面を覆っているとともに、はんだ層34に隣接する範囲で下部延出部18aの上面を覆っている。プライマ20として、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。
封止樹脂22は、上部放熱板16の上面と下部放熱板18の下面を除いて、上部放熱板16と下部放熱板18を覆っている。また、封止樹脂22は、上部延出部16aと下部延出部18aの間の空間40内に充填されており、半導体チップ12、ターミナル14及びはんだ層30、32、34を覆っている。封止樹脂22は、プライマ20に接している。封止樹脂22は、プライマ20を介して上部延出部16aの下面に接続されている。封止樹脂22と上部延出部16aの間にプライマ20が介在していることで、封止樹脂22が上部延出部16aから剥離し難くなっている。封止樹脂22は、プライマ20を介して下部延出部18aの上面に接続されている。封止樹脂22と下部延出部18aの間にプライマ20が介在していることで、封止樹脂22が下部延出部18aから剥離し難くなっている。封止樹脂22として、例えば、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
次に、半導体装置10の製造方法について説明する。まず、図1、2に示すように、上部放熱板16、ターミナル14、半導体チップ12及び下部放熱板18を、はんだ層30、32、34によって接続する。次に、空間40内に露出する上部延出部16aの下面と下部延出部18aの上面に、液状のプライマ20を塗布する。プライマ20を塗布したら、プライマ20を乾燥させて硬化させる。
液状のプライマ20を塗布する際に、上部延出部16aの下面に塗布されるプライマ20が過多となる場合がある。この場合、余剰のプライマ20が、上部延出部16aの下面から下部延出部18aに向かって垂れ落ちる。本実施形態では、上部延出部16aの下面に、突出部16bが設けられている。このため、上部延出部16aの下面に存在する余剰のプライマ20は、突出部16bを伝って下側へ流動し、突出部16bの下端から下部延出部18aに向かって垂れ落ちる。液状のプライマが粘性を有するため、突出部16bから下部延出部18aに向かって垂れ下がったプライマ20が、突出部16bと下部延出部18aの両方に接続された状態となる場合がある。この状態でプライマ20が硬化すると、図2に示すように、突出部16bと下部延出部18aとに接続されたプライマ20の柱状部20aが形成される。突出部16bが半導体チップ12から距離Lだけ離れた位置に配置されているので、柱状部20aは半導体チップ12から距離Lと略同じ距離だけ離れた位置に形成される。このように、本実施形態の製造方法では、柱状部20aが形成される場合には、柱状部20aが半導体チップ12から離れた位置に形成される。
プライマ20を硬化させたら、射出成型によって、封止樹脂22を形成する。射出成型時に、空間40内に硬化前の樹脂が充填される。その後、樹脂が硬化することで、封止樹脂22が形成される。このように、プライマ20を形成した後に封止樹脂22を形成することで、封止樹脂22がプライマ20を介して上部延出部16a及び下部延出部18aに対して強固に接続される。以上の工程によって、半導体装置10が完成する。
半導体装置10の使用時に、半導体チップ12に繰り返し電流が流れ、半導体チップ12が繰り返し発熱する。半導体チップ12が発熱すると、半導体チップ12の近傍において、ターミナル14、上部放熱板16、下部放熱板18及び封止樹脂22が高温となる。封止樹脂22の線膨張係数が、隣接する半導体チップ12、ターミナル14、上部放熱板16及び下部放熱板18と異なるので、封止樹脂22と他の部材との間の界面で熱応力が生じる。本実施形態では、封止樹脂22が高い弾性を有しているので、封止樹脂22と他の部材の間の界面で生じる熱応力が抑制される。これによって、熱応力による半導体装置10の劣化(例えば、封止樹脂22の剥離、プライマ20の剥離、はんだ層30、32、34でのクラックの発生等)が抑制される。
また、柱状部20aが存在する場合には、柱状部20aの周囲を取り囲むように封止樹脂22が形成される。柱状部20a(すなわち、プライマ20)が硬いので、柱状部20aが存在すると、その周囲の封止樹脂22が変形し難くなる。このため、柱状部20aの周囲の封止樹脂22が、他の部材との熱膨張差に対して柔軟に変形することができなくなる。本実施形態では、突出部16bによって柱状部20aが半導体チップ12から離れた位置に形成されるようになっており、これによって半導体装置10の信頼性の低下が抑制される。以下に、本実施形態と比較例とを比較しながら、本実施形態による効果を説明する。
図3は、比較例の半導体装置を示している。図3の半導体装置は、突出部16bを有さない点で図2の半導体装置とは異なる。図3の半導体装置では、突出部16bを有さないので、液状のプライマ20が上部延出部16aの下面に塗布された場合に、余剰のプライマが下側に垂れる位置を制御することができない。このため、柱状部20aが形成される位置を制御することができない。したがって、図3の位置21xに示すように、半導体チップ12上に柱状部20aが形成される場合がある。また、図3の位置21yに示すように、半導体チップ12近傍の下部延出部18a上に柱状部20aが形成される場合がある。すなわち、位置21x、21yに示すように、半導体チップ12の近傍に柱状部20aが形成される場合がある。半導体チップ12の近傍は、半導体チップ12の発熱時に高温となる。このため、図3のように半導体チップ12の近傍に柱状部20aが形成されると、柱状部20aの周囲の封止樹脂22が柔軟に変形することができず、柱状部20aの近傍で極めて高い熱応力が生じる。柱状部20aの近傍で繰り返し高い熱応力が生じると、半導体装置10の劣化(例えば、封止樹脂22の剥離、プライマ20の剥離、はんだ層30、32、34でのクラックの発生等)が起きる。特に、半導体チップ12から2mm以内の範囲に柱状部20aが形成されると、半導体装置10の劣化が顕在化する。
これに対し、図2に示す本実施形態の半導体装置では、柱状部20aが形成される場合には、突出部16bの下部に柱状部20aが形成される。すなわち、柱状部20aが形成される位置を、突出部16bの下部に制御することができる。突出部16bが半導体チップ12から離れた位置に設けられているので、柱状部20aも半導体チップ12から離れた位置に形成される。すなわち、半導体チップ12の近傍に柱状部20aが形成されることを抑制することができる。半導体チップ12から離れた位置は、半導体チップ12が発熱しても、それほど高温とはならない。したがって、半導体チップ12から離れた位置に柱状部20aが形成されていても、柱状部20aの近傍でそれほど高い熱応力は生じない。このため、半導体装置10の劣化はほとんど生じない。特に、本実施形態では、突出部16bが半導体チップ12から距離L(2mm以上の距離)だけ離れた位置に配置されているので、柱状部20aが半導体チップ12から2mm以内の範囲に形成されることを抑制することができる。したがって、半導体装置10の劣化をより効果的に抑制することができる。
なお、図2に示す突出部16bの下端と下部延出部18aの上面との間の間隔Cは、0.1mm以上であることが好ましい。間隔Cを0.1mm以上とすることで、製造工程において間隔Cを通って空間40内へ好適に封止樹脂22が流入するとともに、上部放熱板16と下部放熱板18の間で十分な絶縁破壊強度を確保することができる。
また、突出部16bを設けることで、プライマ塗布工程において余剰のプライマが突出部16bで垂れ落ちるようになるので、半導体チップ12近傍で上部延出部16aの下面と下部延出部18aの上面を覆うプライマ20の厚みを均一化することができる。これによって、封止樹脂22の上部延出部16a及び下部延出部18aに対する接着力を安定化することができる。
また、突出部16bを設けることで、突出部16bの体積分だけ封止樹脂22の量を少なくすることができる。これによって、空間40内の封止樹脂22の熱膨張量が少なくなり、封止樹脂22が他の部材から剥離し難くなる。また、空間40内の封止樹脂22の熱膨張量が少なくなるので、半導体チップ12やはんだ層30、32、34等の他の部材に加わる熱応力が小さくなる。これによって、半導体チップ12やはんだ層30、32、34等の他の部材の劣化を抑制することができる。
また、突出部16bを設けることで、半導体チップ12から外部までの沿面距離(上部放熱板16の表面に沿って測定した距離)が長くなるので、外部からの半導体チップ12への水分の進入をより効果的に抑制することが可能となる。
なお、上述した実施形態では、突出部16bが、上部延出部16aの下面から真下に伸びるように形成されていた。しかしながら、図4に示すように、上部延出部16aの下面を傾斜させることによって突出部16bが設けられていてもよい。図4の構成では、突出部16bの下端部16c(最も下部延出部18a側の部分)が、半導体チップ12から距離L(2mm以上の距離)だけ離れた位置に配置されている。この構成でも、上部延出部16aの下面へ液状のプライマを塗布するときに、余剰のプライマが突出部16bの下端部16cまで流れて、下端部16cから下部延出部18aに向かって垂れ落ちる。すなわち、柱状部20aが、下端部16cの下部に形成される。したがって、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。また、図5に示すように、傾斜部の断面を、円弧状としてもよい。
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
10 :半導体装置
12 :半導体チップ
14 :ターミナル
16 :上部放熱板
16a :上部延出部
16b :突出部
18 :下部放熱板
18a :下部延出部
20 :プライマ
20a :柱状部
22 :封止樹脂

Claims (1)

  1. 半導体装置であって、
    半導体チップと、
    前記半導体チップの上面に接続されている上部放熱板と、
    前記半導体チップの下面に接続されている下部放熱板と、
    プライマと、
    封止樹脂、
    を備えており、
    前記上部放熱板が、前記半導体チップの厚み方向に沿って見たときに、前記半導体チップの外側まで伸びる上部延出部を有しており、
    前記下部放熱板が、前記厚み方向に沿って見たときに、前記半導体チップの外側まで伸びる下部延出部を有しており、
    前記上部延出部と前記下部延出部が対向しており、
    前記上部延出部が、前記下部延出部に向かって突出する突出部を有しており、
    前記厚み方向に沿って見たときに、前記突出部の最も下部延出部側に位置する部分が、前記半導体チップから間隔を開けた位置に配置されており、
    前記プライマが、前記半導体チップの周囲において前記上部延出部の下面と前記下部延出部の上面を覆っており、
    前記封止樹脂が、前記上部延出部と前記下部延出部の間の隙間に充填されており、前記プライマに接している、
    半導体装置。
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