JP2019125655A - プリント配線基板および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、プリント配線基板および半導体装置に関し、はんだブリッジの発生を抑制できるプリント配線基板および半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】本発明に係るプリント配線基板は、基板と、はんだ付けの進行方向に対して傾いた第１方向に複数の長辺ランドが並んだ一対の長辺ランド群と、進行方向に対して傾き第１方向と交差する第２方向に複数の短辺ランドが並んだ一対の短辺ランド群と、進行方向に対して一対の長辺ランド群と一対の短辺ランド群の後方に設けられた後方はんだ引きランドと、を備え、進行方向に対して最後尾の長辺ランドと最後尾の短辺ランドとの間を通り、進行方向と平行な仮想線に対して、後方はんだ引きランドの最後尾の長辺ランド側の面積は、最後尾の短辺ランド側の面積よりも大きい。【選択図】図２

Description

本発明は、プリント配線基板および半導体装置に関する。

特許文献１には、４方向リードフラットパッケージＩＣのリードに対応して形成されたプリント配線基板が開示されている。このプリント配線基板は、はんだ付進行方向に対して傾けられた２群の前方はんだ付ランド群と２群の後方はんだ付ランド群とを有する。前方はんだ付ランド群と後方はんだ付ランド群との間には、複数の側方はんだ引きランドが設けられる。また、２群の後方はんだ付ランド群の間には、複数の後方はんだ引きランドが設けられる。

プリント配線基板をはんだディップ槽に通すことで、４方向リードフラットパッケージＩＣはプリント配線基板にはんだ付けされる。はんだ付けの際、側方はんだ引きランドは、前方はんだ付ランド群の余分なはんだを引き取り、後方はんだ付ランド群へはんだを流す。さらに、後方はんだ引きランド群によって、後方はんだ付ランド群の余分なはんだが引き取られる。

特開２００７−１４１９１３号公報

一般に、はんだディップ法により基板にパッケージを取り付ける場合、はんだははんだ噴流に引かれてはんだ付けの進行方向に対して後方に動く。このとき、はんだ付けの進行方向に対して前方にははんだブリッジが発生し難い。これに対し、進行方向に対して後方では、はんだ噴流からランドが離れた際に最後尾のランドに残る溶融はんだが行き場を失って滞留し易い。従って、はんだブリッジが発生し易い。

特に、短辺と長辺とを有する４方向リードフラットパッケージＩＣにおいて、長辺側のランド群の最後尾は、進行方向に対して後方であり、さらに、ランド群の面積が短辺側よりも大きい。このため、余剰はんだがさらに発生し易く、はんだブリッジが発生し易い。以上から、短辺と長辺とを有する４方向リードフラットパッケージＩＣに特許文献１のプリント配線基板を適用すると、長辺側のランド群の余剰はんだを後方はんだ引きランドに十分に引き込むことが出来ない可能性がある。従って、後方はんだ付ランド群の後方で、はんだブリッジが発生する可能性がある。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、はんだブリッジの発生を抑制できるプリント配線基板および半導体装置を得ることを目的とする。

本発明に係るプリント配線基板は、基板と、該基板に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた第１方向に複数の長辺ランドが並んだ一対の長辺ランド群と、該基板の該一対の長辺ランド群の両側にそれぞれ設けられ、該進行方向に対して傾き該第１方向と交差する第２方向に複数の短辺ランドが並び、該一対の長辺ランド群より短い一対の短辺ランド群と、該基板に設けられ、該進行方向に対して該一対の長辺ランド群と該一対の短辺ランド群の後方に設けられた後方はんだ引きランドと、を備え、該複数の長辺ランドのうち該進行方向に対して最後尾の長辺ランドと、該複数の短辺ランドのうち該進行方向に対して最後尾の短辺ランドと、の間を通り、該進行方向と平行な仮想線に対して、該後方はんだ引きランドのうち該最後尾の長辺ランド側である長辺側部分の面積は、該後方はんだ引きランドのうち該最後尾の短辺ランド側である短辺側部分の面積よりも大きい。

本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた第１方向に複数の長辺ランドが並んだ一対の長辺ランド群と、該基板の該一対の長辺ランド群の両側にそれぞれ設けられ、該進行方向に対して傾き該第１方向と交差する第２方向に複数の短辺ランドが並び、該一対の長辺ランド群より短い一対の短辺ランド群と、該基板に設けられ、該進行方向に対して該一対の長辺ランド群と該一対の短辺ランド群の後方に設けられた後方はんだ引きランドと、一対の長辺と一対の短辺とを有し、該一対の長辺ランド群と該一対の短辺ランド群に接合された４方向リードフラットパッケージＩＣと、を備え、該複数の長辺ランドのうち該進行方向に対して最後尾の長辺ランドと、該複数の短辺ランドのうち該進行方向に対して最後尾の短辺ランドと、の間を通り、該進行方向と平行な仮想線に対して、該後方はんだ引きランドのうち該最後尾の長辺ランド側である長辺側部分の面積は、該後方はんだ引きランドのうち該最後尾の短辺ランド側である短辺側部分の面積よりも大きい。

本発明に係るプリント配線基板および半導体装置では、はんだブリッジの発生を抑制できる。

実施の形態１に係るプリント配線基板の平面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。 実施の形態２に係る半導体装置の平面図である。 実施の形態３に係る半導体装置の平面図である。 実施の形態３の変形例に係る半導体装置の平面図である。 実施の形態４に係る半導体装置の平面図である。

本発明の実施の形態に係るプリント配線基板および半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係るプリント配線基板１００の平面図である。プリント配線基板１００は基板１０を備える。基板１０は長方形である。基板１０の主面には、はんだ付けランド群が設けられる。はんだ付けランド群は、一対の短辺ランド群１１、１２と、一対の長辺ランド群１３、１４とを含む。はんだ付けランド群は、後述する４方向リードフラットパッケージＩＣに対応している。

長辺ランド群１３では、第１方向５１に複数の長辺ランド１３ａが並ぶ。長辺ランド群１４では、第１方向５１に複数の長辺ランド１４ａが並ぶ。第１方向５１は、はんだ付けの進行方向３１に対して傾いた方向である。本実施の形態では、はんだ付けの進行方向３１は、基板１０の側面と平行である。

短辺ランド群１１では、第２方向５２に複数の短辺ランド１１ａが並ぶ。短辺ランド群１２では、第２方向５２に複数の短辺ランド１２ａが並ぶ。第２方向５２は、はんだ付けの進行方向３１に対して傾き、第１方向５１と交差する方向である。本実施の形態では、第１方向５１と第２方向５２とは直交する。一対の短辺ランド群１１、１２は、基板１０の一対の長辺ランド群１３、１４の両側にそれぞれ設けられる。一対の短辺ランド群１１、１２は、一対の長辺ランド群１３、１４より短い。

一対の短辺ランド群１１、１２において、短辺ランド群１１ははんだ付けの進行方向３１に対して前方に位置し、短辺ランド群１２は後方に位置する。一対の長辺ランド群１３、１４において、長辺ランド群１３ははんだ付けの進行方向３１に対して前方に位置し、長辺ランド群１４は後方に位置する。

基板１０の短辺ランド群１１と長辺ランド群１４との間には、側方はんだ引きランド１５が設けられる。また、基板１０の短辺ランド群１２と長辺ランド群１３との間には、側方はんだ引きランド１６が設けられる。側方はんだ引きランド１５、１６は、正方形である。側方はんだ引きランド１５、１６の形状はこれに限らない。

さらに、基板１０には、進行方向３１に対して一対の長辺ランド群１３、１４と一対の短辺ランド群１１、１２の後方に後方はんだ引きランド１７が設けられる。後方はんだ引きランド１７は、短辺ランド群１２と長辺ランド群１４との間に設けられる。

ここで、後方はんだ引きランド１７の形状を説明するため、仮想線３２を考える。仮想線３２は、複数の長辺ランド１３ａ、１４ａのうち進行方向３１に対して最後尾の長辺ランド１４ｂと、複数の短辺ランド１１ａ、１２ａのうち進行方向３１に対して最後尾の短辺ランド１２ｂとの間を通り、進行方向３１と平行である。仮想線３２は、後方側の長辺ランド群１４の第１方向５１の延長線と、後方側の短辺ランド群１２の第２方向５２の延長線との交点を通るものとしても良い。

この仮想線３２に対して、後方はんだ引きランド１７のうち最後尾の長辺ランド１４ｂ側を長辺側部分１９とする。また、仮想線３２に対して、後方はんだ引きランド１７のうち最後尾の短辺ランド１２ｂ側を短辺側部分１８とする。長辺側部分１９の面積は、短辺側部分１８の面積よりも大きい。

また、長辺側部分１９は、短辺側部分１８よりも進行方向３１で長い。また、後方はんだ引きランド１７は、はんだディップの進行方向３１の後方に向かって、先細りとなる。さらに、長辺側部分１９は、進行方向３１に対して後方ほど仮想線３２から離れる。

図２は、実施の形態１に係る半導体装置１０１の平面図である。半導体装置１０１は、プリント配線基板１００と、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０とを備える。４方向リードフラットパッケージＩＣ２０は、一対の長辺２３、２４と一対の短辺２１、２２とを有する。４方向リードフラットパッケージＩＣ２０は、一対の長辺ランド群１３、１４と一対の短辺ランド群１１、１２に接合される。４方向リードフラットパッケージＩＣ２０は、進行方向３１に対して傾いている。また、仮想線３２は、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０の進行方向３１に対して最後尾の頂点を通る。

短辺２１から引き出される複数のリードは、複数の短辺ランド１１ａにそれぞれはんだで接合される。短辺２２から引き出される複数のリードは、複数の短辺ランド１２ａにそれぞれはんだで接合される。長辺２３から引き出される複数のリードは、複数の長辺ランド１３ａにそれぞれはんだで接合される。長辺２４から引き出される複数のリードは、複数の長辺ランド１４ａにそれぞれはんだで接合される。

複数の短辺ランド１１ａ、１２ａおよび複数の長辺ランド１３ａ、１４ａの各々の形状は、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０のリードの形状に対応している。複数の短辺ランド１１ａ、１２ａおよび複数の長辺ランド１３ａ、１４ａの各々の形状は、例えば長方形である。これに限らず、複数の短辺ランド１１ａ、１２ａおよび複数の長辺ランド１３ａ、１４ａの各々の形状は、リードが接合可能であれば良い。

なお、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０が備えるリードの数は、図２に示されるものに限らない。また、はんだ付けランド群に含まれるランドの数は、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０に対応していれば良い。

次に、半導体装置１０１の製造方法を説明する。まず、はんだ付けランド群、側方はんだ引きランド１５、１６および後方はんだ引きランド１７を基板１０の主面に印刷形成する。この工程では、第１方向５１に沿って、複数の長辺ランド１３ａ、１４ａを設け、基板１０に一対の長辺ランド群１３、１４を形成する。また、第２方向５２に沿って、複数の短辺ランド１１ａ、１２ａを設け、一対の短辺ランド群１１、１２を形成する。一対の短辺ランド群１１、１２は、一対の長辺ランド群１３、１４の両側にそれぞれ形成する。ここで、はんだ付けの進行方向３１は予め定められており、第１方向５１および第２方向５２は、進行方向３１に合わせて設定される。

また、進行方向３１に対して、一対の長辺ランド群１３、１４と一対の短辺ランド群１１、１２の後方に後方はんだ引きランド１７を形成する。また、短辺ランド群１１と長辺ランド群１４との間および短辺ランド群１２と長辺ランド群１３との間に、側方はんだ引きランド１５、１６をそれぞれ形成する。一対の長辺ランド群１３、１４と一対の短辺ランド群１１、１２、側方はんだ引きランド１５、１６および後方はんだ引きランド１７を形成する順番はこれに限らない。

図３は、実施の形態１に係る半導体装置１０１の製造方法を説明する図である。図３は、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０をプリント配線基板１００に実装する工程を説明する概略図である。まず、基板１０の主面に４方向リードフラットパッケージＩＣ２０の装着面が接するように、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０を配置する。基板１０の主面は、図３におけるプリント配線基板１００の下面である。

このとき、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０の上に一対の長辺ランド群１３、１４と一対の短辺ランド群１１、１２とを配置する。このとき、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０とプリント配線基板１００とは例えば接着剤で互いに固定されても良い。この状態で、基板１０をはんだ付けの進行方向３１に沿って、はんだ噴流４１の中を移動させる。ここで、図３に示されるように、はんだ噴流４１は、はんだ付け装置の噴流孔４０から噴流する溶融したはんだである。

このとき、はんだ噴流４１と基板１０の主面が接触するように、進行方向３１に向かって基板１０を移動させる。この結果、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０と、一対の長辺ランド群１３、１４および一対の短辺ランド群１１、１２とがはんだ付けされる。つまり、４方向リードフラットパッケージＩＣ２０がプリント配線基板１００に実装される。

一般に、４方向リードフラットパッケージＩＣを、はんだ付けの進行方向に対して前方から後方に向かって、はんだ噴流中をゆっくり搬送した場合、最もはんだブリッジが発生し易い箇所は、４方向リードフラットパッケージＩＣの最後尾となる。特に、本実施の形態のような長方形の４方向リードフラットパッケージＩＣ２０では、長辺側のランド群の面積が短辺側よりも大きい。このため、長辺側の最後尾において、はんだブリッジがさらに発生し易い。

これに対し、本実施の形態では、後方はんだ引きランド１７のうち短辺側部分１８の面積よりも長辺側部分１９の面積の方が大きい。このため、進行方向３１に対して後方の長辺ランド群１４の余剰はんだを、短辺側と比較して、後方はんだ引きランド１７へ多く引き込むことができる。これにより、余剰はんだが行き場を失って滞留することを防止できる。従って、はんだブリッジの形成を抑制でき、生産効率を向上できる。

また、一般に、後方はんだ引きランド１７に引き込まれたはんだは、表面張力により、はんだ付けランド群に戻ろうとする。ここで、本実施の形態では、長辺側部分１９と短辺側部分１８とは、進行方向３１に対して後方ほど細い。この構造によれば、溶融はんだがはんだ付けランド群に戻ろうとする力を抑制できる。すなわち、はんだブリッジ防止の効果を向上できる。

また、一般に、はんだ引きランドの幅が広いと、はんだが盛り上がり易くなる。これにより、はんだ引きランドのはんだが隣接するランドに付着する可能性がある。これに対し、本実施の形態では、長辺側部分１９は、短辺側部分１８よりも進行方向３１で長い。長辺側部分１９を長く形成することで、長辺側部分１９の幅を抑制しつつ、長辺側部分１９の面積を拡大できる。

一般に、はんだディップ法によりプリント配線基板１００に４方向リードフラットパッケージＩＣ２０を実装する場合、はんだ付けの進行方向３１が決定されてから、はんだ付けランド群の配置が決められる。本実施の形態では、進行方向３１に対して４方向リードフラットパッケージＩＣ２０が４５度傾くように、はんだ付けランド群が設けられる。つまり、第１方向５１および第２方向５２は、進行方向３１に対して４５度傾くように設定される。これに限らず、進行方向３１に対して４方向リードフラットパッケージＩＣ２０が傾いていれば良い。また、進行方向３１は基板１０の長辺または短辺と平行であっても良い。

また、後方はんだ引きランド１７の形状は、図１、２に示されるものに限らない。後方はんだ引きランド１７は、短辺側部分１８の面積よりも長辺側部分１９の面積の方が大きければ良い。例えば、本実施の形態では、長辺側部分１９と短辺側部分１８は一体化されているが、後方はんだ引きランド１７は分割されていても良い。

これらの変形は以下の実施の形態に係るプリント配線基板および半導体装置について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係るプリント配線基板および半導体装置については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

実施の形態２．
図４は、実施の形態２に係る半導体装置２０１の平面図である。半導体装置２０１は、プリント配線基板２００を備える。プリント配線基板２００は、後方はんだ引きランド２１７の形状が実施の形態１と異なる。その他は、実施の形態１と同様である。

後方はんだ引きランド２１７の長辺側部分２１９は、第１長辺側部分２１９ａと、第２長辺側部分２１９ｂとを有する。第２長辺側部分２１９ｂは、第１長辺側部分２１９ａと離れ、第１長辺側部分２１９ａに対して仮想線３２と反対側に設けられる。また、第１長辺側部分２１９ａと短辺側部分１８は、一体化されている。

本実施の形態では、後方はんだ引きランド２１７は、互いに分離された第１部分２１７ａと第２部分２１７ｂとを有する。第１部分２１７ａは、第１長辺側部分２１９ａと短辺側部分１８とを含む。また、第２部分２１７ｂは、第２長辺側部分２１９ｂである。第１長辺側部分２１９ａと短辺側部分１８は、仮想線３２に対して対称に設けられる。

本実施の形態では、仮想線３２に対して長辺ランド１４ｂ側に第２部分２１７ｂが第１部分２１７ａから独立して形成される。これにより、進行方向３１に対して後方の長辺ランド群１４の余剰はんだを、第１部分２１７ａと第２部分２１７ｂの二つの経路へ引き込むことができる。このため、実施の形態１と比較して、さらにはんだブリッジを抑制できる。

さらに、第２部分２１７ｂは、第１部分２１７ａよりも進行方向３１で長い。これにより、長辺ランド群１４の余剰はんだを引き込む面積を拡大し、はんだブリッジ防止の効果を向上できる。さらに、第１部分２１７ａと第２部分２１７ｂは、複数の長辺ランド１３ａ、１４ａおよび複数の短辺ランド１１ａ、１２ａの各々よりも長い。これにより、余剰はんだを引き込む面積を拡大し、はんだブリッジ防止の効果を向上できる。

また、第１部分２１７ａと第２部分２１７ｂは、進行方向３１に対して後方ほど細い。これにより、溶融はんだがはんだ付けランド群に戻ろうとする力を抑制できる。すなわち、はんだブリッジ防止の効果を向上できる。このとき、第１部分２１７ａと第２部分２１７ｂは、進行方向３１に対して後方ほど仮想線３２に近づく辺を有しても良く、進行方向３１に対して後方ほど仮想線３２から離れる辺を有しても良い。

後方はんだ引きランド２１７の形状は図４に示されるものに限らない。例えば、第１部分２１７ａの形状は仮想線３２に対して非対称であっても良い。

実施の形態３．
図５は、実施の形態３に係る半導体装置３０１の平面図である。半導体装置３０１は、プリント配線基板３００を備える。プリント配線基板３００は、後方はんだ引きランド３１７の形状が実施の形態２と異なる。その他は、実施の形態２と同様である。

後方はんだ引きランド３１７の長辺側部分３１９は、第１長辺側部分３１９ａと、第２長辺側部分２１９ｂとを有する。第２長辺側部分２１９ｂは、第１長辺側部分３１９ａと離れ、第１長辺側部分３１９ａに対して仮想線３２と反対側に設けられる。また、第１長辺側部分３１９ａと短辺側部分３１８は、仮想線３２を挟んで離れている。

本実施の形態では、後方はんだ引きランド３１７は、互いに分離された第１部分３１７ａと第２部分２１７ｂとを有する。第１部分３１７ａは、互いに分離された第１長辺側部分３１９ａと短辺側部分３１８とを含む。第１長辺側部分３１９ａと短辺側部分３１８は、仮想線３２に対して非対称に設けられる。

プリント配線基板３００では、短辺ランド群１２から流れてくるはんだは、短辺側部分３１８に引き込まれる。また、長辺ランド群１４から流れてくるはんだは、第１長辺側部分３１９ａと第２長辺側部分２１９ｂの二つの経路へ引き込まれる。これにより、はんだブリッジの形成を抑制できる。

また、第１部分３１７ａが２つに分離されることで、後方はんだ引きランド３１７の各部分の幅を低減できる。これにより、後方はんだ引きランド３１７のはんだが盛り上がり、隣接するランドに付着することを防止できる。

また、第１長辺側部分３１９ａと第２長辺側部分２１９ｂは、短辺側部分３１８よりも進行方向３１で長い。これにより、長辺ランド群１４の余剰はんだを引き込む面積を拡大し、はんだブリッジ防止の効果を向上できる。

図６は、実施の形態３の変形例に係る半導体装置４０１の平面図である。半導体装置４０１は、プリント配線基板４００を備える。プリント配線基板４００は、後方はんだ引きランド４１７のうち長辺側部分４１９の形状が実施の形態３と異なる。その他は、実施の形態３と同様である。長辺側部分４１９は、短辺側部分３１８と離れて設けられる。また、長辺側部分４１９は一体化されている。

本変形例では、一体化された長辺側部分４１９に長辺ランド群１４から流れてくるはんだが引き込まれる。長辺側部分４１９の面積の方は、短辺側部分３１８の面積よりも大きい。このため、長辺側部分４１９は、短辺側部分３１８よりも余剰はんだを多く引き込むことができる。これにより、余剰はんだが行き場を失って滞留することを防止できる。

実施の形態４．
図７は、実施の形態４に係る半導体装置５０１の平面図である。半導体装置５０１は、プリント配線基板５００を備える。プリント配線基板５００は、後方はんだ引きランド５１７の形状が実施の形態３と異なる。

後方はんだ引きランド５１７の長辺側部分５１９は、第１長辺側部分５１９ａと、第２長辺側部分２１９ｂとを有する。第２長辺側部分２１９ｂは、第１長辺側部分５１９ａと離れ、第１長辺側部分５１９ａに対して仮想線３２と反対側に設けられる。また、第１長辺側部分５１９ａと短辺側部分５１８は、仮想線３２を挟んで離れている。

本実施の形態では、後方はんだ引きランド５１７は、互いに分離された第１部分５１７ａと第２部分２１７ｂとを有する。第１部分５１７ａは、互いに分離された第１長辺側部分５１９ａと短辺側部分５１８とを含む。

長辺側部分５１９のうち第１長辺側部分５１９ａは、最後尾の長辺ランド１４ｂと一体化されている。また、短辺側部分５１８は、最後尾の短辺ランド１２ｂと一体化されている。

プリント配線基板５００において、長辺ランド群１４と後方はんだ引きランド５１７の長辺側部分５１９ａが接続されることで、長辺ランド群１４から流れてくるはんだを長辺側部分５１９ａに引き込み易くできる。また、短辺ランド群１２と後方はんだ引きランド５１７の短辺側部分５１８が接続されることで、短辺ランド群１２から流れてくるはんだを短辺側部分５１８に引き込み易くできる。これにより、余剰はんだの滞留を抑制し、はんだブリッジの発生を防止し易くできる。

なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。

１００、２００、３００、４００、５００ プリント配線基板、１０１、２０１、３０１、４０１、５０１ 半導体装置、１０ 基板、１１、１２ 短辺ランド群、１１ａ、１２ａ、１２ｂ 短辺ランド、１３、１４ 長辺ランド群、１３ａ、１４ａ、１４ｂ 長辺ランド、１７、２１７、３１７、４１７、５１７ 後方はんだ引きランド、２１７ａ、３１７ａ、５１７ａ 第１部分、２１７ｂ 第２部分、１８、３１８、５１８ 短辺側部分、１９、２１９、３１９、４１９、５１９ 長辺側部分、２１９ａ、３１９ａ、５１９ａ 第１長辺側部分、２１９ｂ 第２長辺側部分、２０ ４方向リードフラットパッケージＩＣ、２１、２２ 短辺、２３、２４ 長辺、３１ 進行方向、３２ 仮想線、４１ はんだ噴流、５１ 第１方向、５２ 第２方向

Claims (17)

1. 基板と、
   前記基板に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた第１方向に複数の長辺ランドが並んだ一対の長辺ランド群と、
   前記基板の前記一対の長辺ランド群の両側にそれぞれ設けられ、前記進行方向に対して傾き前記第１方向と交差する第２方向に複数の短辺ランドが並び、前記一対の長辺ランド群より短い一対の短辺ランド群と、
   前記基板に設けられ、前記進行方向に対して前記一対の長辺ランド群と前記一対の短辺ランド群の後方に設けられた後方はんだ引きランドと、
   を備え、
   前記複数の長辺ランドのうち前記進行方向に対して最後尾の長辺ランドと、前記複数の短辺ランドのうち前記進行方向に対して最後尾の短辺ランドと、の間を通り、前記進行方向と平行な仮想線に対して、前記後方はんだ引きランドのうち前記最後尾の長辺ランド側である長辺側部分の面積は、前記後方はんだ引きランドのうち前記最後尾の短辺ランド側である短辺側部分の面積よりも大きいことを特徴とするプリント配線基板。
2. 前記進行方向は、基板の側面と平行であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
3. 前記長辺側部分は、前記短辺側部分よりも前記進行方向で長いことを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線基板。
4. 前記長辺側部分と前記短辺側部分とは、前記進行方向に対して後方ほど細いことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のプリント配線基板。
5. 前記長辺側部分と前記短辺側部分は一体化されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のプリント配線基板。
6. 前記後方はんだ引きランドは、互いに分離された第１部分と第２部分とを有し、
   前記長辺側部分は、第１長辺側部分と、前記第１長辺側部分と離れ、前記第１長辺側部分に対して前記仮想線と反対側に設けられた第２長辺側部分と、を有し、
   前記第１部分は、前記第１長辺側部分と前記短辺側部分とを含み、
   前記第２部分は、前記第２長辺側部分であることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のプリント配線基板。
7. 前記第１長辺側部分と前記短辺側部分は、一体化されていることを特徴とする請求項６に記載のプリント配線基板。
8. 前記第１長辺側部分と前記短辺側部分は、前記仮想線に対して対称に設けられることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板。
9. 前記第１長辺側部分と前記短辺側部分は離れていることを特徴とする請求項６に記載のプリント配線基板。
10. 前記第２部分は、前記第１部分よりも前記進行方向で長いことを特徴とする請求項６から９の何れか１項に記載のプリント配線基板。
11. 前記第１部分と前記第２部分は、前記複数の長辺ランドおよび前記複数の短辺ランドの各々よりも長いことを特徴とする請求項６から１０の何れか１項に記載のプリント配線基板。
12. 前記第１部分と前記第２部分は、前記進行方向に対して後方ほど細いことを特徴とする請求項６から１１の何れか１項に記載のプリント配線基板。
13. 前記第１長辺側部分と前記第２長辺側部分は、前記短辺側部分よりも前記進行方向で長いことを特徴とする請求項６から１２の何れか１項に記載のプリント配線基板。
14. 前記長辺側部分は前記短辺側部分と離れて設けられ、
    前記長辺側部分は一体化されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のプリント配線基板。
15. 前記長辺側部分は、前記最後尾の長辺ランドと一体化され、
    前記短辺側部分は、前記最後尾の短辺ランドと一体化されることを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載のプリント配線基板。
16. 基板と、
    前記基板に設けられ、はんだ付けの進行方向に対して傾いた第１方向に複数の長辺ランドが並んだ一対の長辺ランド群と、
    前記基板の前記一対の長辺ランド群の両側にそれぞれ設けられ、前記進行方向に対して傾き前記第１方向と交差する第２方向に複数の短辺ランドが並び、前記一対の長辺ランド群より短い一対の短辺ランド群と、
    前記基板に設けられ、前記進行方向に対して前記一対の長辺ランド群と前記一対の短辺ランド群の後方に設けられた後方はんだ引きランドと、
    一対の長辺と一対の短辺とを有し、前記一対の長辺ランド群と前記一対の短辺ランド群に接合された４方向リードフラットパッケージＩＣと、
    を備え、
    前記複数の長辺ランドのうち前記進行方向に対して最後尾の長辺ランドと、前記複数の短辺ランドのうち前記進行方向に対して最後尾の短辺ランドと、の間を通り、前記進行方向と平行な仮想線に対して、前記後方はんだ引きランドのうち前記最後尾の長辺ランド側である長辺側部分の面積は、前記後方はんだ引きランドのうち前記最後尾の短辺ランド側である短辺側部分の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
17. 前記仮想線は、前記４方向リードフラットパッケージＩＣの前記進行方向に対して最後尾の頂点を通ることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。

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