JPH07106744A - 4方向リードフラットパッケージicの半田ディップ用ランド及び半田ディップ半田付方法 - Google Patents

4方向リードフラットパッケージicの半田ディップ用ランド及び半田ディップ半田付方法

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JPH07106744A
JPH07106744A JP5245455A JP24545593A JPH07106744A JP H07106744 A JPH07106744 A JP H07106744A JP 5245455 A JP5245455 A JP 5245455A JP 24545593 A JP24545593 A JP 24545593A JP H07106744 A JPH07106744 A JP H07106744A
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soldering
land
solder
lands
dip
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Genichi Tanaka
元一 田中
Suguru Tan
英 丹
Misako Hatake
美佐子 畠
Takako Tomomoto
貴子 友本
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Sony Corp
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/3421Leaded components

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プリント配線基板に対する4方向リードフラ
ットパッケージICの半田ディップによる半田付けにお
いて半田ブリッジの発生によるリード間の短絡を防止す
る。 【構成】 プリント配線基板1に形成される半田ディッ
プ用ランド2のうち、後方半田付ランド群3の後方半田
引きランド5側の数個の半田付ランド3a,3bを、前
方から後方へ半田付着面積が漸増するように形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、4方向リードフラット
パッケージICを半田ディップにより半田付けするプリ
ント配線基板の半田ディップ用ランド及び半田ディップ
半田付方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、プリント配線基板に対する半田デ
ィップによる4方向リードフラットパッケージICの半
田付けにおいて、プリント配線基板の半田付ランド及び
ICリードに対してランド及びリード間に半田ブリッジ
が発生し、短絡不良が生じるおそれがあるのでこれを防
止するために、4方向リードフラットパッケージICの
半田ディップ半田付方法が提案されている(特開昭63
−213994号)。
【0003】このICの半田ディップ半田付方法は、プ
リント配線基板に半田付進行方向に対し傾けた前方半田
付ランド群と後方半田付ランド群の間に設けられた側方
半田引きランドと後方半田付ランド群間に設けられた後
方半田引きランドを備えたプリント配線基板を用いるも
ので、このプリント配線基板にICを半田付進行方向に
対し傾けた状態で半田付けすることにより、ICを傾け
ない場合に比して短絡不良が低減されるようになってい
る。
【0004】しかし、この場合でも、半田ディップ槽の
温度、半田の流速度、半田成分、フラックス成分等の条
件によりICのリード及び半田付ランドでの半田ブリッ
ジによる短絡が発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、4方向リー
ドフラットパッケージICの半田ディップ半田付けにお
いては、品質の安定を図り、修理に要する工数を削減で
きるように短絡不良が発生しないIC半田付ランド形状
が要求されている。
【0006】しかし、前述の側方半田引きランドと後方
半田引きランドを備えIC半田付進行方向に対して傾け
た半田付ランドでは、その半田付ランド形状が全て同一
寸法で形成されているため、半田引きランドによる表面
張力が半田引きランドの前方にある半田付ランド及びI
Cのリードの夫々に対し、バランス良く働かないため、
溶融半田が隣接するランド及びリードを連結する半田ブ
リッジが発生し、短絡の不良発生を完全には防止するに
は至っていない。
【0007】このような状況から、半田ディップ槽から
出てきたプリント配線基板の半田ブリッジを目視検査
し、半田ディップ槽の条件を厳密にコントロールしてい
るが、対応しきれずに半田ブリッジが発生した短絡不良
に対しては半田付け完成のプリント配線基板の半田ブリ
ッジ部を手直しして対応していた。
【0008】本発明はかかる点に鑑みてなされたもの
で、4方向リードフラットパッケージICを半田ディッ
プ槽にてプリント配線基板に半田付けする際、ICのリ
ード間及び半田ディップ用ランド間での半田ブリッジに
よる短絡を防止し、4方向リードフラットパッケージI
Cの半田付け品質向上と手直し工数の削減を図るように
した、4方向リードフラットパッケージICの半田ディ
ップ用ランド及び半田ディップ半田付方法を提供するこ
とを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の第1の発明は、プリント配線基板に4方向リ
ードフラットパッケージICの半田付進行方向に対して
傾けた半田付ディップ用ランドを形成し、この半田付デ
ィップ用ランドの後方半田付ランド群間に後方半田引き
ランドを備え、少なくとも後方半田付ランド群の後方半
田引きランド側の数個の半田付ランドを前方から後方へ
順次面積を漸増して形成した4方向リードフラットパッ
ケージICの半田ディップ用ランドである。
【0010】また、第2の発明は第1の発明によって形
成されるプリント配線基板の半田ディップ用ランドに4
方向リードフラットパッケージICを半田ディップ槽に
より半田付けする半田ディップ半田付方法である。
【0011】
【作用】このように本発明は、4方向リードフラットパ
ッケージICの半田付進行方向に対して傾けた半田付デ
ィップ用ランドの後方半田付ランド群の後方半田引きラ
ンド側の数個の半田付ランドの面積を前方から後方へ漸
増して形成したことにより、ICの半田付けにおいて半
田ディップ槽内の溶融半田が半田付ディップ用ランド及
びICのリードに付着した後、半田ディップ槽よりプリ
ント配線基板が出て行く際に、半田はランド及びICの
リードで作られる半田付着面積の差による表面張力の差
により大きい付着面積の方へ引き取られ、このため後方
半田付ランド群において、後方半田引きランド側の前方
から後方へ面積が漸増する後部ランドに順次、ランド及
びICのリード間の半田をその表面張力で効率的に引き
取り、半田ブリッジによるランド及びICのリード間の
短絡が防止される。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
【0013】図1は本発明の一実施例における4方向リ
ードフラットパッケージICを半田ディップにより半田
付けするプリント配線基板上の半田ディップランドを示
すもので、図において1はプリント配線基板、2は4方
向リードフラットパッケージICの半田付進行方向に対
して傾けて形成した半田ディップ用ランドで前方半田付
ランド群3(3a,3b)と後方半田付ランド群4(4
a,4b)から成り、後方半田付ランド群4a,4bの
間に後方半田引きランド5(5a,5b)が形成されて
いる。
【0014】そして、本例においては後方半田付ランド
4a,4bの後方半田引きランド5a,5b側の数個の
半田付ランド4a1 〜4a5 ,4b1 〜4b5 を、前方
のランド4a5 ,4b5 から後端のランド4a1 ,4b
1 へ順次面積、本例では長さを漸増して形成してある。
また、半田ディップ用ランド2の周囲部、即ち、前方半
田付ランド群3aと3bの間、前方と後方半田付ランド
群3aと4a,3bと4bの間及び後方半田付ランド群
4aと4bの間の夫々の内外部位においてガス抜き孔6
(6a1 ,6a2 ,6b1 ,6b2 ,6c1 ,6c2
6d1 ,6d2)をプリント配線基板1に表裏に貫通し
て穿設してあり、後方半田付ランド群4aと4bの間の
外側ガス抜き孔6d2 は後方半田引きランド5aと5b
の間に穿設してある。
【0015】次に、このように構成されるプリント配線
基板1に4方向リードフラットパッケージIC(以下単
にICと云う)11を半田ディップにより半田付けする
工程を図3〜図5を参照して説明する。
【0016】先ず、図3に示すようにIC11をプリン
ト配線基板1に、その半田ディップ用ランド2にリード
12を対応させた状態で仮固定する。
【0017】即ち、IC11のリード12は図2に示す
ように半田ディップ用ランド2の前方半田付ランド群3
(3a,3b)と後方半田付ランド群4(4a,4b)
に対応するリード群13(13a,13b)と14(1
4a,14b)を有し、この前方、後方半田付ランド群
3,4にリード群13,14を対応当接してIC11の
本体をプリント配線基板1に接着剤15により接着して
仮固定する。
【0018】次いで、このように、IC11をプリント
配線基板1に仮固定した状態で図5に示すようにプリン
ト配線基板1を、IC11が仮固定された面が下向きに
なるように反転して半田ディップ装置16に搬送する。
【0019】この半田ディップ装置16にプリント配線
基板1を通過させることにより、IC11のリード12
は図4に示すようにプリント配線基板1の半田ディップ
用ランド2に半田17によって半田付けされる。
【0020】この半田ディップによるIC11の半田付
けにおいて、プリント配線基板1には半田ディップ用ラ
ンド2の各半田付ランド群3,4間にはガス抜き孔6を
穿設したことにより半田内に生じる気泡は除去されて確
実な半田付けが行われる。
【0021】この半田付けは前述の如く、プリント配線
基板1の半田ディップ用ランド2を半田付進行方向に対
して所定の角度(例えば略45°)に傾けて後方半田付
ランド群4a,4b間に後方半田引きランド5a,5b
を形成すると共に後方半田付ランド群4a,4bの後方
半田引きランド5a,5b側の数個の半田付ランド4a
1 〜4a5 ,4b1 〜4b5 を、前方のランド4a5
4b5 から後端のランド4a1 ,4b1 方向に順次長さ
を漸増して面積を大にしたことにより、プリント配線基
板1が半田ディップ装置16から出て行く際、半田は後
方半田ランド群4a,4bの後部において面積の小さい
ランド4a5 ,4b5 から順次、面積の大きいランド4
1 ,4b1 側へ引かれて、最後に後方半田引きランド
5a,5bに引き取られることになって、前方及び後方
半田ランド群3a,3b及び4a,4bのランド間、I
C11のリード群13a,13b及び14a,14bの
リード間の半田ブリッジによる短絡が防止される。
【0022】このプリント配線基板1に対するIC11
の半田付けを行う一例の半田ディップ装置16は図4に
示すように半田17が半田ディップ槽18の表面側に前
後2波の半田ウェーブ17a,17bを発生して所定速
度で流れるように構成し、この前後の半田ウェーブ17
a,17bの夫々の前方にはプリヒータ18a,18b
が備えられている。
【0023】このように構成される半田ディップ装置1
6を用いて各種の半田ディップ用ランドを備えたプリン
ト配線基板に対する4方向リードフラットパッケージI
Cの半田付を行って、本発明の半田ディップ用ランドに
より半田付けするものと対比した。
【0024】この半田ディップ装置16の各条件は、 プリヒータ温度 : 第1波・157℃ 第2波・
163℃ 半田ディップ槽温度: 第1波・247℃ 第2波・
246℃ 半田高さ : 第1波・H1 8cm 第2波
2 12cm 基板送り速度 : 1.52m/分 ディッピング時間 : 3.2秒 フラックス比重 : 0.816 とした。
【0025】比較例1 プリント配線基板に半田付進行方向に対して平行に対向
する二辺の半田付ランド群と、直交する方向に対向する
二辺の半田付ランド群から成る半田ディップ用ランドを
備え、このプリント配線基板にリードピンをピッチ0.
65mm間隔で100ピン備えた4方向リードフラット
パッケージICを半田付けする。
【0026】比較例2 プリント配線基板に半田付進行方向に対し45°傾けて
形成した前方半田付ランド群と後方半田付ランド群の間
に設けられた側方半田引きランドと、後方半田付ランド
群間に設けられた後方半田引きランドを備え、このプリ
ント配線基板にリードピンをピッチ0.65mm間隔で
100ピン備えた4方向リードフラットパッケージIC
を半田付けする。
【0027】本発明の実施例1 プリント配線基板に半田付進行方向に対して傾けた半田
ディップ用ランドの後方半田付ランド群間に後方半田引
きランドを備え、後方半田付ランド群の後方半田引きラ
ンド側の数個の半田付ランドを前方から後方へ順次面積
を漸増して形成したプリント配線基板に、リードピンを
1.0mm間隔で52ピン備えた4方向リードフラット
パッケージICを半田付けする。
【0028】実施例2 実施例1におけるプリント配線基板と同様に形成される
プリント配線基板にリードピンを0.8mm間隔で60
ピン備えた4方向リードフラットパッケージICを半田
付けする。
【0029】実施例3 実施例1におけるプリント配線基板と同様に形成される
プリント配線基板にリードピンを0.65mm間隔で8
0ピン備えた4方向リードフラットパッケージICを半
田付けする。以上の実験により、表1に示す結果が得ら
れた。
【0030】
【表1】
【0031】このように本発明によれば半田ブリッジに
よるICのリードピン間の短絡を防止する効果が得られ
ることを確認した。
【0032】図6は他の実施例を示すもので、本例は前
述した一実施例と同様にプリント配線基板1に、前方半
田付ランド群3(3a,3b)と後方半田付ランド群4
(4a,4b)から成る半田ディップ用ランド2をIC
の半田付進行方向に対して傾けて形成し、後方半田付ラ
ンド群4a,4b間に後方半田引きランド5(5a,5
b)が形成されている。
【0033】そして、本例においては後方半田付ランド
4a,4bを前端のランド4an ,4bn から後端のラ
ンド4a1 ,4b1 の全体にわたってそのランドの面積
を漸増、本例ではランドの長さを前端から後端方向へ漸
次長くして形成してある。
【0034】このように、後方半田付ランド群4a,4
bを全体にわたってランドの面積を後方へ漸増すること
によりICの半田ディップによる半田付けにおいてプリ
ント配線基板1が半田ディップ装置から出て行く際に、
半田の後方への引き取りが全体にわたって円滑に行われ
ICのリード間の半田ブリッジによる短絡がさらに確実
に防止される。
【0035】また、図7はさらに他の実施例を示すもの
で、本例は前述した一実施例において前方半田付ランド
群においても後部の半田付ランドを前方のランドから後
端側へ順次面積を漸増して形成したものである。
【0036】即ち、本例は、前述した一実施例と同様に
プリント配線基板1に、前方半田付ランド群3(3a,
3b)と後方半田付ランド群4(4a,4b)から成る
半田ディップ用ランド2をICの半田付進行方向に対し
て傾けて形成し、後方半田付ランド群4a,4b間に後
方半田引きランド5(5a,5b)が形成されている。
【0037】そして、本例においては、前方半田付ラン
ド群3a,3bの後端の後方に面積が大の遊びランド2
5a,25bを形成し、この遊びランド25a,25b
側の数個の半田付ランド3a1 〜3a4 ,3b1 〜3b
4 を前方のランド3a4 ,3b4 から後端のランド3a
1 ,3b1 へ順次面積、本例では長さを漸増して形成し
てある。
【0038】このように本例においては、後方半田付ラ
ンド群4a,4bばかりでなく、前方半田付ランド群3
a,3bにおいても、後部の半田付ランド3a4 〜3a
1 ,3b4 〜3b1 を、その面積を漸増して形成してあ
るので、プリント配線基板1が半田ディップ装置から出
て行く際の半田の後方への引きが円滑に行われ、余分な
半田は遊びランド25a,25bに引き取られてICの
リード間の半田ブリッジによる短絡がほぼ完全に防止さ
れる。
【0039】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲で種々変更できるものである。
【0040】例えば、後方半田付ランドを後方半田引き
ランド幅よりも広い幅でランド端が並ぶように配置して
もよく、また、後方半田引きランドから後方半田付ラン
ドの最前列の端を結ぶ線上に後方半田付ランド全部が順
次並ぶように配置してもよい。
【0041】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半田ディ
ップ用ランドのうち、少なくとも後方半田付ランド群の
後方半田引きランド側の数個の半田付ランドを後方に行
くに従い半田付着面積が大きくなるように形成したこと
により、半田ディップ装置から出て行く際に、ランド及
びICリード間の半田が前方から後方に順次、表面張力
の差により効率的に引き取られ、半田ブリッジによるI
Cリード間の短絡が防止されて4方向リードフラットパ
ッケージICのプリント配線基板に対する半田付け品質
向上と手直し工数の削減を図ることができてコストの低
減化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例におけるプリント配線基板上
の半田ディップ用ランドの平面図。
【図2】本発明に適用する一例の4方向リードフラット
パッケージICの平面図。
【図3】同、4方向リードフラットパッケージICの半
田付け前の一部省略した側面図。
【図4】同、半田付け後の一部省略した側面図。
【図5】本発明に適用する半田ディップ装置の一例の略
線的説明図。
【図6】本発明の他の実施例のプリント配線基板上の半
田ディップ用ランドの斜視図。
【図7】本発明のさらに他の実施例のプリント配線基板
上の半田ディップ用ランドの平面図。
【符号の説明】
1 プリント配線基板 2 半田ディップ用ランド 3(3a,3b) 前方半田付ランド群 4(4a,4b) 後方半田付ランド群 5(5a,5b) 後方半田引きランド 6(6a1 〜6d2 ) ガス抜き孔 11 4方向リードフラットパッケージIC 12 リード 15 接着剤 16 半田ディップ装置 17 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 友本 貴子 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント配線基板に4方向リードフラッ
    トパッケージICの半田付進行方向に対して傾けた半田
    ディップ用ランドを形成し、 上記半田ディップ用ランドの後方半田付ランド群間に後
    方半田引きランドを備え、 少なくとも後方半田付ランド群の上記後方半田引きラン
    ド側の数個の半田付ランドを前方から後方へ順次面積を
    漸増して形成したことを特徴とする4方向リードフラッ
    トパッケージICの半田ディップ用ランド。
  2. 【請求項2】 上記プリント配線基板の上記半田ディッ
    プ用ランドの形成部面の所要部位にガス抜き孔を穿設し
    たことを特徴とする請求項1に記載の4方向リードフラ
    ットパッケージICの半田ディップ用ランド。
  3. 【請求項3】 プリント配線基板に4方向リードフラッ
    トパッケージICを半田付進行方向に対して傾けて半田
    付けする半田ディップ用ランドを形成し、 上記半田ディップ用ランドの後方半田付ランド群間に後
    方半田引きランドを備え、 少なくとも後方半田付ランド群の上記後方半田引きラン
    ド側の数個の半田付ランドを前方から後方へ順次面積を
    漸増して形成し、 上記半田ディップ用ランドに対する上記4方向リードフ
    ラットパッケージICの半田付進行に伴い、半田が上記
    後方半田付ランド群の順次面積が漸増する半田付ランド
    方向に順次引かれて上記後方半田引きランドに引き取ら
    れ、半田付けが行われるようにしたことを特徴とする4
    方向リードフラットパッケージICの半田ディップ半田
    付方法。
JP5245455A 1993-09-30 1993-09-30 4方向リードフラットパッケージicの半田ディップ用ランド及び半田ディップ半田付方法 Pending JPH07106744A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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