JP2019117871A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019117871A JP2019117871A JP2017251453A JP2017251453A JP2019117871A JP 2019117871 A JP2019117871 A JP 2019117871A JP 2017251453 A JP2017251453 A JP 2017251453A JP 2017251453 A JP2017251453 A JP 2017251453A JP 2019117871 A JP2019117871 A JP 2019117871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- implanted
- silicon carbide
- impurity
- carbide substrate
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
14 :不純物
16 :炭素
17 :シリコン
18 :拡散層
24 :原子空孔
34 :原子空孔
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法であって、
炭化シリコン基板に、不純物をイオン注入する第1工程と、
前記炭化シリコン基板の前記不純物の注入範囲に、シリコンと炭素の少なくとも一方をイオン注入する第2工程と、
前記第1工程と前記第2工程を実施した後に、前記炭化シリコン基板をアニールする工程、
を有し、
前記第1工程でイオン注入された前記不純物の濃度のピークの深さと、前記第2工程で注入された元素のイオン注入深さが重複する、
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251453A JP2019117871A (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251453A JP2019117871A (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019117871A true JP2019117871A (ja) | 2019-07-18 |
Family
ID=67305408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017251453A Pending JP2019117871A (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019117871A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0963968A (ja) * | 1995-08-28 | 1997-03-07 | Denso Corp | p型炭化珪素半導体及びその製造方法 |
JP2001093985A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2002246397A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017251453A patent/JP2019117871A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0963968A (ja) * | 1995-08-28 | 1997-03-07 | Denso Corp | p型炭化珪素半導体及びその製造方法 |
JP2001093985A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2002246397A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6119059B2 (ja) | 半導体ウエハを処理するための方法 | |
CN103946983B (zh) | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | |
JP6237921B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9716006B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device | |
JP5440693B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法、及び半導体素子又は集積回路の製造方法 | |
US9536741B2 (en) | Method for performing activation of dopants in a GaN-base semiconductor layer by successive implantations and heat treatments | |
WO2015064256A1 (ja) | 炭化シリコン半導体装置及びその製造方法 | |
CN101176194A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
US20160218176A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same | |
CN103534792A (zh) | 制造半导体器件的方法和半导体器件 | |
JP5910965B2 (ja) | トンネル電界効果トランジスタの製造方法及びトンネル電界効果トランジスタ | |
JP2016072630A (ja) | GaNを主成分とする半導体をドープするための方法 | |
JP2018195757A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015149346A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP6639739B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017112335A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
US20100087053A1 (en) | Method for fabricating a semiconductor having a graded pn junction | |
JP2019117871A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6135666B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN110364436B (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
JP6042658B2 (ja) | SiC半導体素子の製造方法 | |
TW425604B (en) | Complementary bipolar/CMOS epitaxial structure and process | |
JP2006294772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2022064306A (ja) | 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 | |
JP6445480B2 (ja) | Soi基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190315 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220405 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221004 |