JP2019085575A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019085575A5
JP2019085575A5 JP2019000602A JP2019000602A JP2019085575A5 JP 2019085575 A5 JP2019085575 A5 JP 2019085575A5 JP 2019000602 A JP2019000602 A JP 2019000602A JP 2019000602 A JP2019000602 A JP 2019000602A JP 2019085575 A5 JP2019085575 A5 JP 2019085575A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
dispersion
semiconductor nanoparticles
semiconductor
peak temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2019000602A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019085575A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2019085575A publication Critical patent/JP2019085575A/ja
Publication of JP2019085575A5 publication Critical patent/JP2019085575A5/ja
Priority to JP2022002071A priority Critical patent/JP7314327B2/ja
Priority to JP2023114401A priority patent/JP7607294B2/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2019000602A 2016-03-18 2019-01-07 半導体ナノ粒子およびその製造方法 Withdrawn JP2019085575A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022002071A JP7314327B2 (ja) 2016-03-18 2022-01-11 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2023114401A JP7607294B2 (ja) 2016-03-18 2023-07-12 半導体ナノ粒子およびその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016055299 2016-03-18
JP2016055299 2016-03-18
JP2016177631 2016-09-12
JP2016177631 2016-09-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017037487A Division JP6464215B2 (ja) 2016-03-18 2017-02-28 半導体ナノ粒子およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022002071A Division JP7314327B2 (ja) 2016-03-18 2022-01-11 半導体ナノ粒子およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019085575A JP2019085575A (ja) 2019-06-06
JP2019085575A5 true JP2019085575A5 (enExample) 2020-04-09

Family

ID=61694529

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017037487A Active JP6464215B2 (ja) 2016-03-18 2017-02-28 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2019000602A Withdrawn JP2019085575A (ja) 2016-03-18 2019-01-07 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2022002071A Active JP7314327B2 (ja) 2016-03-18 2022-01-11 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2023114401A Active JP7607294B2 (ja) 2016-03-18 2023-07-12 半導体ナノ粒子およびその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017037487A Active JP6464215B2 (ja) 2016-03-18 2017-02-28 半導体ナノ粒子およびその製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022002071A Active JP7314327B2 (ja) 2016-03-18 2022-01-11 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2023114401A Active JP7607294B2 (ja) 2016-03-18 2023-07-12 半導体ナノ粒子およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (4) JP6464215B2 (enExample)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7214707B2 (ja) * 2018-02-15 2023-01-30 国立大学法人大阪大学 半導体ナノ粒子、その製造方法および発光デバイス
US12221574B2 (en) 2018-02-15 2025-02-11 Osaka University Core-shell semiconductor nanoparticles, production method thereof, and light-emitting device
JP7007671B2 (ja) * 2018-06-22 2022-01-24 国立大学法人東海国立大学機構 半導体ナノ粒子、その製造方法及び発光デバイス
JP7656289B2 (ja) * 2019-02-08 2025-04-03 国立大学法人東海国立大学機構 半導体ナノ粒子及びその製造方法
WO2020257510A1 (en) * 2019-06-20 2020-12-24 Nanosys, Inc. Bright silver based quaternary nanostructures
CN112752828A (zh) 2019-08-23 2021-05-04 Ns材料株式会社 量子点及其制造方法
WO2021039727A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 国立大学法人東海国立大学機構 半導体ナノ粒子及びその製造方法並びに発光デバイス
JP7469891B2 (ja) * 2020-01-29 2024-04-17 日本放送協会 量子ドット発光素子及び表示装置
CN115244154B (zh) * 2020-03-09 2023-12-19 国立大学法人东海国立大学机构 半导体纳米粒子的制造方法
EP4119497B1 (en) * 2020-03-09 2025-04-02 National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System Light emitting material and method for manufacturing same
CN114058215B (zh) * 2020-08-04 2024-01-26 东友精细化工有限公司 光转换油墨组合物、利用其制造的光转换层叠基板及光转换像素基板
US20240079518A1 (en) 2020-12-25 2024-03-07 Ns Materials Inc. Method for manufacturing quantum dot and quantum dot
JP7378857B2 (ja) 2021-01-20 2023-11-14 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所 近赤外線銀金セレン蛍光量子ドットの調製方法
WO2022181572A1 (ja) * 2021-02-25 2022-09-01 国立大学法人東海国立大学機構 AgAuS系化合物からなる半導体ナノ粒子
US12389724B2 (en) 2021-03-08 2025-08-12 National University Corporation Tokai National Higher Education And Research System Method for producing semiconductor nanoparticles and light-emitting device
WO2022208736A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 シャープ株式会社 電界発光素子及び発光装置並びに電界発光素子の製造方法
CN113403066A (zh) * 2021-04-29 2021-09-17 合肥福纳科技有限公司 制备(I-III-VI族)AgInS2量子点的方法
JP2023001893A (ja) 2021-06-21 2023-01-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体複合粒子、波長変換部材、発光装置、蛍光体複合粒子の製造方法及び波長変換部材の製造方法
JP7335520B2 (ja) 2021-06-21 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置
JP7633520B2 (ja) 2021-07-07 2025-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023069198A (ja) * 2021-11-05 2023-05-18 信越化学工業株式会社 波長変換体及びそれを用いた波長変換材料
JP7269591B1 (ja) * 2022-02-03 2023-05-09 国立大学法人東海国立大学機構 AgAuS系多元化合物からなる半導体ナノ粒子
JPWO2023176509A1 (enExample) 2022-03-18 2023-09-21
KR102807530B1 (ko) * 2022-03-18 2025-05-16 삼성전자주식회사 반도체 나노입자, 및 이를 포함하는 색변환패널과 전자소자
KR20230171301A (ko) * 2022-06-13 2023-12-20 삼성에스디아이 주식회사 Ⅰ-ⅲ-ⅵ계 양자점 및 그 제조 방법
KR20240072861A (ko) * 2022-11-17 2024-05-24 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240072860A (ko) * 2022-11-17 2024-05-24 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240072859A (ko) * 2022-11-17 2024-05-24 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240074418A (ko) * 2022-11-21 2024-05-28 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240075372A (ko) * 2022-11-22 2024-05-29 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법, 감광성 수지 조성물, 광학필름, 전기발광다이오드 및 전자장치
JP7580090B2 (ja) * 2023-01-26 2024-11-11 国立大学法人東海国立大学機構 AgAuSe系多元化合物からなる半導体ナノ粒子
JP7521746B1 (ja) 2023-10-31 2024-07-24 国立大学法人東海国立大学機構 AgAuTe化合物を主成分とする半導体ナノ粒子

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5136877B2 (ja) * 2004-07-16 2013-02-06 独立行政法人産業技術総合研究所 蛍光体、及びその製造方法
JP2007146154A (ja) * 2005-10-31 2007-06-14 Kyocera Corp 波長変換器、照明装置および照明装置集合体
JP2007169605A (ja) * 2005-11-24 2007-07-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 蛍光体、及びその製造方法
GB0723539D0 (en) * 2007-12-01 2008-01-09 Nanoco Technologies Ltd Preparation of nonoparticle material
JP2010031115A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Osaka Univ 半導体ナノ粒子の製造方法、および半導体ナノ粒子
KR101462658B1 (ko) * 2008-12-19 2014-11-17 삼성전자 주식회사 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법
KR20120028933A (ko) * 2009-05-21 2012-03-23 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 구리 아연 주석 칼코겐화물 나노입자
JP2011178645A (ja) * 2010-03-04 2011-09-15 Idec Corp 半導体ナノ粒子及びその製造方法
JP2013544938A (ja) * 2010-11-22 2013-12-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 半導体インク、膜、コーティングされた基板および製造方法
US20130233202A1 (en) * 2010-12-03 2013-09-12 Ei Du Pont De Nemours And Company Inks and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films
JP6164637B2 (ja) * 2013-03-22 2017-07-19 国立大学法人名古屋大学 生体試料標識用蛍光プローブ
US20150162468A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 Nanoco Technologies Ltd. Core-Shell Nanoparticles for Photovoltaic Absorber Films
JP6351157B2 (ja) * 2014-03-28 2018-07-04 国立大学法人名古屋大学 テルル化合物ナノ粒子及びその製法
CN104861964B (zh) * 2015-05-14 2016-06-29 中国科学院广州能源研究所 一种CuInS2/In2S3/ZnS双层核壳结构荧光量子点及其制备方法
KR102390960B1 (ko) * 2015-06-05 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2017122175A (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 コニカミノルタ株式会社 半導体ナノ粒子及びその製造方法、並びに半導体ナノ粒子を用いた蛍光プローブ、led装置、波長変換フィルム、及び光電変換装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019085575A5 (enExample)
TWI870853B (zh) 量子點材料及量子點材料之製造方法
TWI621692B (zh) 具有增進的穩定性及發光效率之量子點奈米粒子
EP3098003B1 (en) Silver nanowire production method
US11021651B2 (en) Thiolated hydrophilic ligands for improved quantum dot reliability in resin films
CN107338048B (zh) InP/GaP/ZnS核壳量子点及其制备方法
JP6114369B2 (ja) ナノ粒子
CN109642149A (zh) 具有厚壳包覆的稳定inp量子点及其制备方法
JPWO2017033911A1 (ja) 低温焼結性に優れる金属ペースト及び該金属ペーストの製造方法
JP2014522408A5 (enExample)
TW201835296A (zh) 半傳導性發光奈米顆粒
RU2015114260A (ru) Композиции и способы двойного капсулирования летучего соединения
Li et al. Consecutive interfacial transformation of cesium lead halide nanocubes to ultrathin nanowires with improved stability
WO2012168192A3 (en) Synthesis of highly fluorescing semiconducting core-shell nanoparticles based on ib, iib, iiia, via elements of the periodic classification.
CN101391813A (zh) 模板法制备单分散性硫化铋纳米颗粒的方法
TW201509567A (zh) 銀粒子之製造方法
CN105813782B (zh) 银粒子的制造方法及通过该方法制造的银粒子
JP6351157B2 (ja) テルル化合物ナノ粒子及びその製法
JP2016515990A5 (enExample)
WO2016021402A1 (ja) 有機無機層状ペロブスカイト型化合物及び有機無機層状ペロブスカイト型化合物の製造方法
JP4484043B2 (ja) Agナノ粒子の製造法
JP2016533880A (ja) 表面改質金属コロイドの形成
JP2017135058A5 (enExample)
JP2020183453A5 (ja) ニッケル粒子分散液及びこれを用いた物品の製造方法
CN104953020A (zh) 声子散射材料、纳米复合热电材料及其制造方法