JP2019083288A - 熱電素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 29
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 28
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 19
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 395
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 29
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 29
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002102 nanobead Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J45/00—Discharge tubes functioning as thermionic generators
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N11/00—Generators or motors not provided for elsewhere; Alleged perpetua mobilia obtained by electric or magnetic means
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N3/00—Generators in which thermal or kinetic energy is converted into electrical energy by ionisation of a fluid and removal of the charge therefrom
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
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Abstract
【課題】電気エネルギーの発生量の増加を実現できる熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法を提供する。【解決手段】熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子１であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層１１と、前記第１電極層１１と離間して設けられ、前記第１電極層１１よりも大きい仕事関数を有する第２電極層１２と、前記第１電極層１１と、前記第２電極層１２との間に設けられ、ナノ粒子１５を含む中間部１３と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
Description
本発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法に関する。
近年、熱エネルギー（絶対温度）を利用して電気エネルギーを生成する熱電素子の開発が盛んに行われている。特に、電極の有する仕事関数の差分を利用した電気エネルギーの生成に関し、例えば特許文献１に開示された熱電素子等が提案されている。このような熱電素子は、電極に与える温度差を利用して電気エネルギーを生成する構成に比べて、様々な用途への利用が期待されている。
特許文献１では、エミッタ電極層と、コレクタ電極層と、前記エミッタ電極層及び前記コレクタ電極層の表面に分散して配置され、前記エミッタ電極層及び前記コレクタ電極層をサブミクロン間隔で離間する電気絶縁性の球状ナノビーズとを備え、前記エミッタ電極層の仕事関数は前記コレクタ電極層の仕事関数よりも小さく、前記球状ナノビーズの粒子径は１００ｎｍ以下である、熱電素子が開示されている。
ここで、電極の有する仕事関数の差分を用いる熱電素子において、電子の放出の多い側の電極としては、耐熱性に優れた高融点金属（Refractory Metal）が用いられる。また、電気エネルギーの発生量には、各電極の間隔（電極間ギャップ）が影響する。特に、電極間ギャップのバラつきが大きくなるにつれて、電気エネルギーの発生量が低下する傾向にある。この点、特許文献１の開示技術では、球状ナノビーズを用いて各電極層を離間させている。このため、球状ビーズ径のバラつきに起因する電極間ギャップのバラつきの増加を考慮しておらず、電気エネルギーの発生量が低下する。上述した事情により、電気エネルギーの発生量の増加が望まれている。
そこで本発明は、上述した問題に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、電気エネルギーの発生量の増加を実現できる熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法を提供することにある。
第１発明に係る熱電素子は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層と、前記第１電極層と離間して設けられ、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、を備えることを特徴とする。
第２発明に係る熱電素子は、第１発明において、前記第１電極層と、前記第２電極層との間の第１距離は、１０μｍ以下であり、前記ナノ粒子の直径は、前記第１距離の１／１０以下であることを特徴とする。
第３発明に係る熱電素子は、第１発明又は第２発明において、前記ナノ粒子は、表面に設けられた絶縁膜を有し、前記絶縁膜の厚さは、０．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下であることを特徴とする。
第４発明に係る熱電素子は、第１発明〜第３発明の何れかにおいて、前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有することを特徴とする。
第５発明に係る熱電素子は、第１発明〜第４発明の何れかにおいて、前記中間部は、６０℃以上の沸点を有する溶媒を含むことを特徴とする。
第６発明に係る熱電素子は、第１発明〜第４発明の何れかにおいて、前記中間部は、前記ナノ粒子のみが充填された状態を示すことを特徴とする。
第７発明に係る熱電素子は、第１発明〜第６発明の何れかにおいて、前記中間部を囲む基材と、前記基材の上に積層され、前記第１電極層と接する引出基材と、をさらに備え、前記第２電極層は、前記基材内に設けられることを特徴とする。
第８発明に係る熱電素子は、第７発明において、前記引出基材の主面において前記第１電極層と接し、前記引出基材を貫通する引出配線と、前記基材内において前記第２電極層と接し、前記基材を貫通する配線と、をさらに備えることを特徴とする。
第９発明に係る熱電素子は、第７発明又は第８発明において、前記第１電極層、前記第２電極層、及び前記中間部は、前記基材の主面に平行となる第１方向にそれぞれ離間して複数配置され、前記第１方向と交わり前記基材の主面に平行となる第２方向に延在することを特徴とする。
第１０発明に係る熱電素子は、第１発明〜第６発明の何れかにおいて、前記中間部を囲み、前記第１電極層と前記第２電極層との間に挟まれる絶縁層をさらに備えることを特徴とする。
第１１発明に係る熱電素子は、第１発明〜第６発明の何れかにおいて、前記第１電極層、前記第２電極層、及び前記中間部を挟む第１基材及び第２基材と、前記第１基材の主面において前記第１電極層と接し、前記第１基材を貫通する第１引出配線と、前記第２基材の主面において前記第２電極層と接し、前記第２基材を貫通する第２引出配線と、をさらに備えることを特徴とする。
第１２発明に係る発電装置は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する発電装置であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層と、前記第１電極層と離間して設けられ、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に挟まれ、ナノ粒子を含む中間部と、前記第１電極層及び前記第２電極層と電気的に接続された第１配線及び第２配線と、を備えることを特徴とする。
第１３発明に係る熱電素子の製造方法は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層を形成する第１工程と、前記第１電極層と離間し、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層を形成する第２工程と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に、ナノ粒子を含む中間部を形成する中間工程と、を備えることを特徴とする。
第１４発明に係る熱電素子の製造方法は、第１３発明において、基材に凹部を形成する基材工程と、前記基材の上に引出基材を積層する積層工程と、をさらに備え、前記第１工程は、前記引出基材の主面上に、前記第１電極層を形成する工程を有し、前記第２工程は、前記凹部に前記第２電極層を形成する工程を有し、前記積層工程は、前記凹部と、前記第１電極層とを重ねる位置において、前記基材の上に前記引出基材を積層することを特徴とする。
第１５発明に係る熱電素子の製造方法は、第１４発明において、前記中間工程は、前記積層工程の後に行われることを特徴とする。
第１６発明に係る熱電素子の製造方法は、第１４発明において、前記中間工程は、前記積層工程の前に行われることを特徴とする。
第１７発明に係る熱電素子の製造方法は、第１４発明〜第１６発明の何れかにおいて、前記基材工程、前記第１工程、前記第２工程は、前記基材及び前記引出基材が繋がった状態で行われ、前記基材と、前記引出基材とを分割する分割工程をさらに備えることを特徴とする。
第１発明〜第１２発明によれば、第１電極層は、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
特に、第２発明によれば、ナノ粒子の直径は、第１距離の１／１０以下である。このため、第１電極層と、第２電極層との間に、ナノ粒子を含む中間部を容易に形成することができる。これにより、熱電素子を製造するとき、作業性の向上を図ることが可能となる。
特に、第３発明によれば、ナノ粒子は、表面に設けられた絶縁膜を有する。このため、第１電極層から生成した電子（熱電子）は、トンネル効果によりナノ粒子間を容易に移動することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
特に、第４発明によれば、ナノ粒子は、第１電極層の仕事関数と、第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有する。このため、第１電極層から生成した熱電子は、ナノ粒子を介して容易に第２電極層に伝搬することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
特に、第５発明によれば、中間部は、６０℃以上の沸点を有する溶媒を含む。このため、室温以上の環境下に熱電素子が用いられた場合においても、溶媒の気化を抑制することができる。これにより、溶媒の気化に伴う熱電素子の劣化を抑制することが可能となる。
特に、第６発明によれば、中間部は、ナノ粒子のみが充填された状態を示す。このため、高温の環境下に熱電素子が用いられた場合においても、溶媒等の気化を考慮する必要が無い。これにより、高温の環境下における熱電素子の劣化を抑制することが可能となる。
特に、第７発明によれば、第２電極層は基材内に設けられ、引出基材は、基材の上に積層され、第１電極層と接する。このため、各電極層を高精度で配置することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第８発明によれば、配線は基材内に設けられ、引出配線は引出基材内に設けられる。このため、熱電素子を用いた発電装置の製造工程において、配線の劣化を抑制できる。これにより、安定した特性を得ることが可能となる。
特に、第９発明によれば、中間部等は、第１方向に離間して複数配置される。このため、単一の基材内に複数の独立した中間部等を形成することができる。これにより、熱電素子の小型化を図ることが可能となる。
第１３発明〜第１７発明によれば、第１電極層は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
特に、第１４発明によれば、積層工程は、凹部と、第１電極層とを重ねる位置において、基材の上に引出基材を積層する。このため、電極間ギャップを高精度で制御することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第１５発明によれば、中間工程は、積層工程の後に行われる。このため、電極間ギャップを固定した状態で、中間部を形成することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第１６発明によれは、中間工程は、積層工程の前に行われる。このため、中間部を形成する時間を短縮することができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
特に、第１７発明によれば、基材工程、第１工程、第２工程は、基材及び引出基材が繋がった状態で行われる。このため、ロール・トゥ・ロール等の連続生産プロセスへの対応ができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
以下、本発明の実施形態における熱電素子及び発電装置の一例について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において第１電極層１１から第２電極層１２に向かう方向を高さ方向Ｚとし、高さ方向Ｚと交わる方向をそれぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとする。
（発電装置１００、熱電素子１の構成）
図１を参照して、本実施形態における発電装置１００及び熱電素子１の構成の一例について説明する。図１（ａ）は、本実施形態における発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式断面図であり、図１（ｂ）は、中間部１３の一例を示す模式平面図である。
図１を参照して、本実施形態における発電装置１００及び熱電素子１の構成の一例について説明する。図１（ａ）は、本実施形態における発電装置１００及び熱電素子１の一例を示す模式断面図であり、図１（ｂ）は、中間部１３の一例を示す模式平面図である。
図１に示すように、発電装置１００は、熱電素子１と、第１配線１０１と、第２配線１０２とを備える。発電装置１００は、熱電素子１において生成された電流を、第１配線１０１及び第２配線１０２に接続された負荷Ｒへ供給する。発電装置１００は、例えば太陽光発電への応用のほか、例えばＩｏＴ（Internet of Things）デバイス、ウェアラブル機器等のモバイル機器又は自立型センサ端末内に設けられ、電池の代替又は補助として用いることができる。
熱電素子１は、例えば電子デバイスのＣＰＵ（Central Processing Unit）、自動車のエンジン、工場の生産設備等を熱源として発生した熱エネルギーを、電気エネルギーに変換し、電流を生成することができる。熱電素子１は、第１電極層１１と、第２電極層１２と、中間部１３とを備える。熱電素子１は、例えば第１電極層１１と、第２電極層１２との間に設けられた絶縁層１４を備えてもよい。
＜第１電極層１１、第２電極層１２＞
第１電極層１１は、高さ方向Ｚに沿って、第２電極層１２と離間して設けられる。第１電極層１１は、例えば第１配線１０１と接し、第２電極層１２は、例えば第２配線１０２と接する。
第１電極層１１は、高さ方向Ｚに沿って、第２電極層１２と離間して設けられる。第１電極層１１は、例えば第１配線１０１と接し、第２電極層１２は、例えば第２配線１０２と接する。
高さ方向Ｚにおいて、第１電極層１１及び第２電極層１２の厚さは、例えば１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。第１電極層１１と、第２電極層１２との間の第１距離（電極間ギャップ）は、例えば１０μｍ以下であり、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
第１電極層１１は、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される。ここで、高融点金属とは、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステン、レニウムを示す。第１電極層１１として、例えばアルミニウム、ケイ素、六ほう化ランタン（ＬａＢ6）、又はグラフェン等のカーボン系材料の何れかが用いられる。特に、アルミニウムは加工性に優れ、ケイ素は生産性に優れ、六ほう化ランタンは仕事関数が小さいため、用途に応じて材料を選択することができる。また、上述した材料は、何れも高温下にて用いることができる。
第１電極層１１は、第２電極層１２の仕事関数とは異なる仕事関数を有する。本実施形態では、第１電極層１１の仕事関数は、第２電極層１２の仕事関数よりも小さい。なお、本実施形態において第１電極層１１を陰極（カソード）、及び第２電極層１２を陽極（アノード）として説明するが、第１電極層１１を陽極、及び第２電極層１２を陰極としてもよい。この場合、第１電極層１１の仕事関数は、第２電極層１２の仕事関数よりも大きい。
例えば、第１電極層１１として六ほう化ランタン（仕事関数：２．５０ｅＶ）が用いられるとき、第２電極層１２として白金（仕事関数：５．６５ｅＶ）が用いられる。例えば、第２電極層１２として、アルミニウム、チタン等のほか、多層膜が用いられてもよく、仕事関数に応じて用いる材料を任意に選択してもよい。なお、第１電極層１１及び第２電極層１２の形成は、金属材料の蒸着、スパッタリング、又はインク化した金属材料をスクリーン印刷やインクジェット塗布等の方法で行うことで実現できる。
＜中間部１３＞
中間部１３は、第１電極層１１と第２電極層１２との間に接して設けられる。中間部１３は、例えば図１（ｂ）に示すように、絶縁層１４に囲まれてもよい。
中間部１３は、第１電極層１１と第２電極層１２との間に接して設けられる。中間部１３は、例えば図１（ｂ）に示すように、絶縁層１４に囲まれてもよい。
中間部１３は、図２（ａ）に示すように、例えばナノ粒子１５と、溶媒１６とを含む。中間部１３は、例えばナノ粒子１５を分散した溶媒１６が充填された状態を示す。中間部１３は、例えば図２（ｂ）に示すように、溶媒１６を含まなくてもよく、ナノ粒子１５のみが充填された状態を示してもよい。
＜ナノ粒子１５＞
ナノ粒子１５は、第１電極層１１の仕事関数と、第２電極層１２の仕事関数との間の仕事関数を有し、例えば３．０ｅＶ以上５．５ｅＶ以下の仕事関数を有する。ナノ粒子１５として、例えば金及び銀の少なくとも何れかが用いられるほか、例えば上記の仕事関数の範囲を満たす材料が用いられてもよい。
ナノ粒子１５は、第１電極層１１の仕事関数と、第２電極層１２の仕事関数との間の仕事関数を有し、例えば３．０ｅＶ以上５．５ｅＶ以下の仕事関数を有する。ナノ粒子１５として、例えば金及び銀の少なくとも何れかが用いられるほか、例えば上記の仕事関数の範囲を満たす材料が用いられてもよい。
ナノ粒子１５として、例えば第１距離の１／１０以下である粒子径が用いられ、具体的には２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の粒子径が用いられるほか、例えば平均粒径（Ｄ５０）３ｎｍ以上８ｎｍ以下の粒子径が用いられてもよい。なお、平均粒径は、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布計測器（例えばMicrotracBEL製Nanotrac WaveII-EX150等）により測定することができる。
＜絶縁膜１５ａ＞
ナノ粒子１５は、例えば表面に設けられた絶縁膜１５ａを有する。絶縁膜１５ａとして、例えばシリコン酸化物又はアルミナ等の金属酸化物が用いられるほか、例えばアルカンチオール等の有機化合物や、シリコン等の半導体が用いられてもよい。絶縁膜１５ａの厚さは、例えば０．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である。
ナノ粒子１５は、例えば表面に設けられた絶縁膜１５ａを有する。絶縁膜１５ａとして、例えばシリコン酸化物又はアルミナ等の金属酸化物が用いられるほか、例えばアルカンチオール等の有機化合物や、シリコン等の半導体が用いられてもよい。絶縁膜１５ａの厚さは、例えば０．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である。
＜溶媒１６＞
溶媒１６として、沸点が６０℃以上の液体が用いられ、例えば有機溶媒及び水の少なくとも何れかが用いられる。有機溶媒として、例えばメタノール、エタノール、トルエン、キシレン、アルカンチオール等が用いられる。
溶媒１６として、沸点が６０℃以上の液体が用いられ、例えば有機溶媒及び水の少なくとも何れかが用いられる。有機溶媒として、例えばメタノール、エタノール、トルエン、キシレン、アルカンチオール等が用いられる。
＜絶縁層１４＞
絶縁層１４は、中間部１３を囲む。絶縁層１４は、第１電極層１１と第２電極層１２との間に挟まれ、第１距離を維持するために用いられる。
絶縁層１４は、中間部１３を囲む。絶縁層１４は、第１電極層１１と第２電極層１２との間に挟まれ、第１距離を維持するために用いられる。
絶縁層１４として、シリコン酸化膜やシリコン窒化等が用いられるほか、例えばアルカンチオール等を用いた自己組織化単分子層（SAM: Self-Assembled Monolayer）が用いられてもよい。
本実施形態によれば、熱電素子１に熱エネルギーが与えられると、第１電極層１１及び第２電極層１２から、中間部１３に向けて熱電子ｅが放出される。放出された熱電子ｅは、中間部１３内に分散されたナノ粒子１５を介して、第１電極層１１又は第２電極層１２に伝搬される。
ここで、放出される熱電子ｅの量は、各電極層１１、１２の仕事関数に依存し、仕事関数が小さい材料ほど多く放出される傾向を示す。すなわち、第２電極層１２よりも仕事関数の小さい第１電極層１１から、熱電子ｅが多く放出される。このため、中間部１３に放出された全熱電子ｅのうち、第２電極層１２から第１電極層１１へ移動する熱電子ｅの量に比べて、第１電極層１１から第２電極層１２へ移動する熱電子ｅの量が多い傾向を示す。これにより、熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、第２電極層１２から第１電極層１１に向かう電流が生成される。
第１電極層１１から放出される熱電子ｅの度合いは、主に、熱エネルギーに依存するほか、第１電極層１１の仕事関数及び第２電極層１２の仕事関数、並びに電極間ギャップに依存する。このため、第１電極層１１と第２電極層１２との間の距離を短くすることにより、電気エネルギーの発生量を増加させることが可能となる。
特に、熱電子ｅが第１電極層１１から第２電極層１２まで移動する際、トンネル効果あるいはナノホッピング効果を利用することで、電気エネルギーの発生量が増加することを、発明者らは見出した。トンネル効果等を用いることで、各電極層１１、１２及びナノ粒子１５の有する仕事関数に応じたエネルギーを、熱電子ｅが有しない場合においても、容易に第１電極層１１から第２電極層１２まで移動することができる。
本実施形態によれば、第１電極層１１は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層１１として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
また、本実施形態によれば、ナノ粒子１５の直径は、第１距離の１／１０以下である。このため、第１電極層１１と、第２電極層１２との間に、ナノ粒子１５を含む中間部１３を容易に形成することができる。これにより、熱電素子１を製造するとき、作業性の向上を図ることが可能となる。
また、本実施形態によれば、ナノ粒子１５は、表面に設けられた絶縁膜１５ａを有する。このため、第１電極層１１から生成した熱電子ｅは、トンネル効果によりナノ粒子１５間を容易に移動することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
また、本実施形態によれば、ナノ粒子１５は、第１電極層１１の仕事関数と、第２電極層１２の仕事関数との間の仕事関数を有する。このため、第１電極層１１から生成した熱電子ｅは、ナノ粒子１５を介して容易に第２電極層１２に伝搬することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
また、本実施形態によれば、中間部１３は、６０℃以上の沸点を有する溶媒１６を含む。このため、室温以上の環境下に熱電素子１が用いられた場合においても、溶媒１６の気化を抑制することができる。これにより、溶媒１６の気化に伴う熱電素子１の劣化を抑制することが可能となる。
また、本実施形態によれば、中間部１３は、ナノ粒子１５のみが充填された状態を示す。このため、高温の環境下に熱電素子１が用いられた場合においても、溶媒１６等の気化を考慮する必要が無い。これにより、高温の環境下における熱電素子１の劣化を抑制することが可能となる。
なお、例えば図３に示すように、熱電素子１は、第１基材１７ａと、第２基材１８ａと、第１引出配線１７ｂと、第２引出配線１８ｂとを備えてもよい。第１基材１７ａ及び第２基材１８ａは、第１電極層１１、第２電極層１２、及び中間部１３を挟む。第１基材１７ａ及び第２基材１８ａは、絶縁性を有する。
第１引出配線１７ｂは、第１基材１７ａの主面において第１電極層１１と接し、高さ方向Ｚに沿って第１基材１７ａを貫通する。第１引出配線１７ｂは、例えば外部配線（第１配線１０１）と接続される。第２引出配線１８ｂは、第２基材１８ａの主面において第２電極層１２と接し、高さ方向Ｚに沿って第２基材１８ａを貫通する。第２引出配線１８ｂは、例えば外部配線（第２配線１０２）と接続される。このような構成においても、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。また、第１引出配線１７ｂ及び第２引出配線１８ｂを備えることで、外部配線等を接続するとき、第１電極層１１及び第２電極層１２の劣化を抑制することができる。
（熱電素子１の製造方法）
次に、図４を参照して、本実施形態における熱電素子１の製造方法の一例について説明する。図４は、本実施形態における熱電素子１の製造方法の一例を示すフローチャートである。
次に、図４を参照して、本実施形態における熱電素子１の製造方法の一例について説明する。図４は、本実施形態における熱電素子１の製造方法の一例を示すフローチャートである。
＜第１電極層１１を形成：第１工程Ｓ１１０＞
先ず、第１電極層１１を形成する（第１工程Ｓ１１０）。第１電極層１１は、板状又はロール状の材料を分割して形成されるほか、例えばインゴット状の材料を加工して形成されてもよい。
先ず、第１電極層１１を形成する（第１工程Ｓ１１０）。第１電極層１１は、板状又はロール状の材料を分割して形成されるほか、例えばインゴット状の材料を加工して形成されてもよい。
第１電極層１１として、高融点金属以外の材料が用いられる。このため、高融点金属に比べて容易に加工することができ、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高めることができる。また、第１電極層１１は、１層から構成される。このため、多層から構成される場合に比べて、層間の接触抵抗に起因する電気エネルギーの発生量の低下を抑制することができる。
＜第２電極層１２を形成：第２工程Ｓ１２０＞
次に、第２電極層１２を形成する（第２工程Ｓ１２０）。第２電極層１２は、板状又はロール状の材料を分割して形成されるほか、例えばインゴット状の材料を加工して形成されてもよい。
次に、第２電極層１２を形成する（第２工程Ｓ１２０）。第２電極層１２は、板状又はロール状の材料を分割して形成されるほか、例えばインゴット状の材料を加工して形成されてもよい。
第２電極層１２は、例えば第１電極層１１上に絶縁層１４を形成した後、絶縁層１４上に形成される。この場合、第１電極層１１と第２電極層１２との間には、絶縁層１４が挟まれる部分と、絶縁層１４が挟まれない部分とが形成される。
＜中間部１３を形成：中間工程Ｓ１３０＞
次に、第１電極層１１と、第２電極層１２との間に中間部１３を形成する（中間工程Ｓ１３０）。中間部１３は、絶縁層１４が挟まれない部分に充填される。
次に、第１電極層１１と、第２電極層１２との間に中間部１３を形成する（中間工程Ｓ１３０）。中間部１３は、絶縁層１４が挟まれない部分に充填される。
例えば中間部１３が溶媒１６を含む場合、上記工程にて形成された第１電極層１１、第２電極層１２、及び絶縁層１４を中間部１３に浸すことで、毛細管現象によって絶縁層１４が挟まれない部分に中間部１３を充填することができる。
上述した工程を経て、本実施形態における熱電素子１が形成される。なお、形成された熱電素子１に接続する第１配線１０１及び第２配線１０２を形成し、第１配線１０１及び第２配線１０２に負荷Ｒを接続することで、本実施形態における発電装置１００を形成することができる。
本実施形態によれば、第１電極層１１は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層１１として形成される。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
（熱電素子１の第１変形例）
次に、図５を参照して、本実施形態における熱電素子１の第１変形例について説明する。図５は、本実施形態における熱電素子１の第１変形例（熱電素子２）を示す模式断面図である。
次に、図５を参照して、本実施形態における熱電素子１の第１変形例について説明する。図５は、本実施形態における熱電素子１の第１変形例（熱電素子２）を示す模式断面図である。
上述した構成と、第１変形例との違いは、熱電素子２が積層部２０を備える点である。上述した構成と同様の構成については、説明を省略する。
＜積層部２０、引出部２０ｎ＞
図５に示すように、熱電素子２は、積層部２０と、引出部２０ｎとを備える。引出部２０ｎは、積層部２０の上に積層される。
図５に示すように、熱電素子２は、積層部２０と、引出部２０ｎとを備える。引出部２０ｎは、積層部２０の上に積層される。
積層部２０は、基材２１と、配線２２と、第１電極層２３と、第２電極層２４と、中間部２５とを有する。積層部２０は、例えば１つの基材２１に対して、１つの第１電極層２３、第２電極層２４、及び中間部２５を有する。引出部２０ｎは、引出基材２１ｎと、引出配線２２ｎとを有し、例えば上層引出電極層２６を有してもよい。引出部２０ｎは、中間部２５を有しない。
＜基材２１＞
基材２１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに平行となる第１主面２１ａと、第１主面２１ａと対向する第２主面２１ｂとを有する。高さ方向Ｚにおいて、基材２１の厚さは、例えば１０μｍ以上２ｍｍ以下である。基材２１の厚さは、第１方向Ｘにおける基材２１の幅よりも小さく、第２方向Ｙにおける基材２１の長さよりも小さい。
基材２１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに平行となる第１主面２１ａと、第１主面２１ａと対向する第２主面２１ｂとを有する。高さ方向Ｚにおいて、基材２１の厚さは、例えば１０μｍ以上２ｍｍ以下である。基材２１の厚さは、第１方向Ｘにおける基材２１の幅よりも小さく、第２方向Ｙにおける基材２１の長さよりも小さい。
基材２１は、絶縁性を有するほか、例えば平滑性、耐熱性、又は低熱膨張性等に優れた特性を有することが好ましい。基材２１は、例えば薄板状のシリコンやガラス、又は樹脂等の材料を用いたフィルム状であり、材料としてＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、ＰＣ（polycarbonate）、又はポリイミドが用いられるほか、例えば単結晶シリコンやガラスが用いられてもよい。
＜配線２２＞
配線２２は、基材２１内に設けられる。配線２２は、高さ方向Ｚに沿って基材２１を貫通する。例えば配線２２は、第２主面２１ｂから露出し、配線２２の露出面は、第２主面２１ｂと同一平面上に形成される。高さ方向Ｚにおいて、配線２２の厚さは、例えば基材２１の厚さとほぼ同等である。
配線２２は、基材２１内に設けられる。配線２２は、高さ方向Ｚに沿って基材２１を貫通する。例えば配線２２は、第２主面２１ｂから露出し、配線２２の露出面は、第２主面２１ｂと同一平面上に形成される。高さ方向Ｚにおいて、配線２２の厚さは、例えば基材２１の厚さとほぼ同等である。
配線２２は、導電性を有するほか、例えば埋め込み性、耐熱性、又は低熱膨張性等に優れた特性を有することが好ましい。配線２２として、例えばニッケル、銅、銀、金、タングステン、又はチタンを用いることができる。
＜第１電極層２３、第２電極層２４＞
第１電極層２３は、引出部２０ｎと接して設けられる。第１電極層２３は、例えば基材２１の第１主面２１ａと接する。第１電極層２３は、高さ方向Ｚに沿って、基材２１内に設けられた配線２２と離間して設けられる。
第１電極層２３は、引出部２０ｎと接して設けられる。第１電極層２３は、例えば基材２１の第１主面２１ａと接する。第１電極層２３は、高さ方向Ｚに沿って、基材２１内に設けられた配線２２と離間して設けられる。
第２電極層２４は、基材２１内に設けられる。第２電極層２４は、基材２１内において配線２２と接し、第１電極層２３と配線２２との間に設けられる。第２電極層２４は、第１電極層２３と離間する。
第１方向Ｘに沿って、第１電極層２３の幅は、第２電極層２４の幅よりも大きい。第１電極層２３及び第２電極層２４の厚さや材料等の各構成は、上述した第１電極層１１及び第２電極層１２と同様である。
＜中間部２５＞
中間部２５は、基材２１内に設けられ、基材２１に囲まれる。中間部２５の各構成は、上述した中間部１３と同様である。
中間部２５は、基材２１内に設けられ、基材２１に囲まれる。中間部２５の各構成は、上述した中間部１３と同様である。
＜引出基材２１ｎ＞
引出基材２１ｎは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに平行となる主面を有する。引出基材２１ｎは、基材２１の上に積層される。引出基材２１ｎの主面は、第１電極層２３と接する。引出基材２１ｎは、例えば第１電極層２３を介して基材２１と離間する。引出基材２１ｎの厚さや材料等の構成は、基材２１と同等である。
引出基材２１ｎは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに平行となる主面を有する。引出基材２１ｎは、基材２１の上に積層される。引出基材２１ｎの主面は、第１電極層２３と接する。引出基材２１ｎは、例えば第１電極層２３を介して基材２１と離間する。引出基材２１ｎの厚さや材料等の構成は、基材２１と同等である。
＜引出配線２２ｎ＞
引出配線２２ｎは、引出基材２１ｎ内に設けられ、積層部２０の有する配線２２と電気的に接続される。引出配線２２ｎは、引出基材２１ｎの主面において第１電極層２３と接し、高さ方向Ｚに沿って引出基材２１ｎを貫通する。引出配線２２ｎの厚さや材料等の構成は、配線２２と同等である。例えば、引出配線２２ｎは、配線２２よりも厚く設けられてもよい。
引出配線２２ｎは、引出基材２１ｎ内に設けられ、積層部２０の有する配線２２と電気的に接続される。引出配線２２ｎは、引出基材２１ｎの主面において第１電極層２３と接し、高さ方向Ｚに沿って引出基材２１ｎを貫通する。引出配線２２ｎの厚さや材料等の構成は、配線２２と同等である。例えば、引出配線２２ｎは、配線２２よりも厚く設けられてもよい。
＜上層引出電極層２６＞
上層引出電極層２６は、引出配線２２ｎと接し、例えば第１配線１０１と接する。上層引出電極層２６は、第１電極層２３と接する引出基材２１ｎの主面と対向する主面上に設けられるほか、引出基材２１ｎ内に設けられてもよい。上層引出電極層２６の厚さや材料等の構成は、各電極層２３、２４の何れかと同等である。例えば上層引出電極層２６は、各電極層２３、２４よりも厚く設けられてもよい。
上層引出電極層２６は、引出配線２２ｎと接し、例えば第１配線１０１と接する。上層引出電極層２６は、第１電極層２３と接する引出基材２１ｎの主面と対向する主面上に設けられるほか、引出基材２１ｎ内に設けられてもよい。上層引出電極層２６の厚さや材料等の構成は、各電極層２３、２４の何れかと同等である。例えば上層引出電極層２６は、各電極層２３、２４よりも厚く設けられてもよい。
＜下層引出電極層２７＞
積層部２０は、例えば基材２１の第２主面２１ｂ上に設けられた下層引出電極層２７を有する。下層引出電極層２７は、配線２２と接し、例えば第２配線１０２と接する。下層引出電極層２７の厚さや材料の構成は、各電極層２３、２４の何れかと同様である。
積層部２０は、例えば基材２１の第２主面２１ｂ上に設けられた下層引出電極層２７を有する。下層引出電極層２７は、配線２２と接し、例えば第２配線１０２と接する。下層引出電極層２７の厚さや材料の構成は、各電極層２３、２４の何れかと同様である。
本変形例によれば、上述した構成と同様に、第１電極層２３は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層２３として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
また、本変形例によれば、第２電極層２４は基材２１内に設けられ、引出基材２１ｎは、基材２１の上に積層され、第１電極層２３と接する。このため、各電極層２３、２４を高精度で配置することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
また、本変形例によれば、配線２２は基材２１内に設けられ、引出配線２２ｎは引出基材２１ｎ内に設けられる。このため、熱電素子２を用いた発電装置１００の製造工程において、配線２２及び引出配線２２ｎの劣化を抑制できる。これにより、安定した特性を得ることが可能となる。
また、本変形例によれば、引出部２０ｎは、基材２１の上に積層される。このため、第１電極層２３及び第２電極層２４と、外部配線（例えば第１配線１０１）とを電気的に接続することを容易に実現できる。これにより、熱電素子２に第１配線１０１等の外部配線を容易に接続させることができ、作業性の向上を図ることが可能となる。
なお、例えば図６に示すように、基材２１は、引出基材２１ｎと接してもよい。この場合、第１電極層２３は、基材２１内に設けられる。第１電極層２３の側面は、基材２１に接するほか、例えば図７に示すように、基材２１と離間して中間部２５と接してもよい。このような構成においても、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
また、図６及び図７に示す構成では、第１電極層２３、第２電極層２４、及び中間部２５は、例えば１つの基材２１に対して、１つ配置されるほか、複数配置されてもよい。この場合、第１電極層２３、第２電極層２４、及び中間部２５は、例えば第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘにそれぞれ離間して複数配置できる。これにより、熱電素子２の小型化を図ることが可能となる。また、複数の独立した中間部２５を挟む各電極層２３、２４を並列接続することができる。これにより、電流増大、つまり高出力化が可能となる。
上記のほか、例えば積層部２０を複数積層した上に、引出部２０ｎを積層してもよい。この場合、複数の中間部２５を挟む各電極層２３、２４を直列接続することができる。これにより、熱電素子２から得られる電圧の向上を実現することが可能となる。
（熱電素子２の製造方法）
次に、図８〜図１０を参照して、本変形例における熱電素子２の製造方法の一例について説明する。図８は、本変形例における熱電素子２の製造方法の一例を示すフローチャートである。図９及び図１０は、本変形例における熱電素子２の製造方法の一例を示す模式断面図である。
次に、図８〜図１０を参照して、本変形例における熱電素子２の製造方法の一例について説明する。図８は、本変形例における熱電素子２の製造方法の一例を示すフローチャートである。図９及び図１０は、本変形例における熱電素子２の製造方法の一例を示す模式断面図である。
本変形例における熱電素子２の製造方法は、前工程Ｓ２１０と、後工程Ｓ２２０とを備える。前工程Ｓ２１０は、基材２１を加工して、配線２２等を形成する。例えば加工前の基材２１がフィルム状の場合、基材２１及び引出基材２１ｎが繋がった状態で配線２２等を形成してもよい。下記では基材２１がフィルム状の場合について説明し、基材２１及び引出基材２１ｎが繋がった状態では、１つの基材２１として説明する。前工程Ｓ２１０は、例えば基材工程Ｓ２１１と、配線工程Ｓ２１２と、上述した第１工程Ｓ２１３と、上述した第２工程Ｓ２１４とを有する。
後工程Ｓ２２０は、基材２１の上に引出基材２１ｎを積層する。後工程Ｓ２２０は、例えば分割工程Ｓ２２１と、積層工程Ｓ２２２と、上述した中間工程Ｓ２２３とを有する。
＜凹部２１ｃを形成：基材工程Ｓ２１１＞
前工程Ｓ２１０では、図９（ａ）に示すように、基材２１の第１主面２１ａに、凹部２１ｃを形成する（基材工程Ｓ２１１）。凹部２１ｃは、第１方向Ｘに離間して複数形成され、第２方向Ｙに延在する。このとき、例えば引出配線２２ｎを形成する部分（図９（ａ）の左側）には、凹部２１ｃを形成しない。
前工程Ｓ２１０では、図９（ａ）に示すように、基材２１の第１主面２１ａに、凹部２１ｃを形成する（基材工程Ｓ２１１）。凹部２１ｃは、第１方向Ｘに離間して複数形成され、第２方向Ｙに延在する。このとき、例えば引出配線２２ｎを形成する部分（図９（ａ）の左側）には、凹部２１ｃを形成しない。
凹部２１ｃは、例えば金属金型を用いた熱転写プロセスにより形成される。高さ方向Ｚにおいて、凹部２１ｃの深さは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下で形成され、第１方向Ｘにおける幅は、深さの１０倍以上１０００倍以下であることが望ましい。例えば、凹部２１ｃの深さが１００ｎｍ程度の場合、幅が１μｍ以上１００μｍ以下であることが望ましい。
＜配線２２を形成：配線工程Ｓ２１２＞
次に、図９（ｂ）に示すように、凹部２１ｃの底面から第２主面２１ｂまで貫通する配線２２を形成する（配線工程Ｓ２１２）。配線２２は、各凹部２１ｃの底面に形成され、第２方向Ｙに延在する。配線２２は、例えば第２方向Ｙに離間して複数形成されてもよい。なお、配線２２と同時に引出配線２２ｎを形成してもよい。この場合、例えば第１方向Ｘに沿って、配線２２と離間した位置に引出配線２２ｎが形成される。引出配線２２ｎは、引出基材２１ｎとして形成される部分の基材２１を貫通して形成される。
次に、図９（ｂ）に示すように、凹部２１ｃの底面から第２主面２１ｂまで貫通する配線２２を形成する（配線工程Ｓ２１２）。配線２２は、各凹部２１ｃの底面に形成され、第２方向Ｙに延在する。配線２２は、例えば第２方向Ｙに離間して複数形成されてもよい。なお、配線２２と同時に引出配線２２ｎを形成してもよい。この場合、例えば第１方向Ｘに沿って、配線２２と離間した位置に引出配線２２ｎが形成される。引出配線２２ｎは、引出基材２１ｎとして形成される部分の基材２１を貫通して形成される。
配線２２は、例えば凹部２１ｃの底面をレーザー加工により貫通孔を形成したあと、メッキ法により金属を埋め込むことにより形成される。このとき、凹部２１ｃが埋まらない程度に金属を埋め込む。
＜第１電極層２３を形成；第１工程Ｓ２１３＞
次に、上述した実施形態と同様に、高融点金属以外の１層から構成される第１電極層２３を形成する（第１工程Ｓ２１３）。図９（ｃ）に示すように、第２主面２１ｂ上に、配線２２及び引出配線２２ｎと接する第１電極層２３を形成する。第１電極層２３は、それぞれ第１方向Ｘに離間した状態で各配線２２に接して形成される。なお、基材２１と引出基材２１ｎとが予め離間している場合、例えば第１電極層２３は、引出基材２１ｎの主面のみに形成されてもよい。
次に、上述した実施形態と同様に、高融点金属以外の１層から構成される第１電極層２３を形成する（第１工程Ｓ２１３）。図９（ｃ）に示すように、第２主面２１ｂ上に、配線２２及び引出配線２２ｎと接する第１電極層２３を形成する。第１電極層２３は、それぞれ第１方向Ｘに離間した状態で各配線２２に接して形成される。なお、基材２１と引出基材２１ｎとが予め離間している場合、例えば第１電極層２３は、引出基材２１ｎの主面のみに形成されてもよい。
第１電極層２３は、例えばスプレイ印刷法の他、蒸着法又はインクジェット法により形成される。第１方向Ｘにおける第１電極層２３の幅は、配線２２の幅よりも広く、凹部２１ｃの幅と等しい。
＜第２電極層２４を形成：第２工程Ｓ２１４＞
次に、上述した実施形態と同様に、第１電極層２３と離間し、第１電極層２３よりも大きい仕事関数を有する第２電極層２４を形成する（第２工程Ｓ２１４）。図９（ｄ）に示すように、凹部２１ｃ内に、配線２２と接する第２電極層２４を形成する。第２電極層２４は、各主面２１ａ、２１ｂとは離間して形成される。なお、第１電極層２３を形成するまえに、第２電極層２４を形成してもよい。また、第２電極層２４と同時に上層引出電極層２６を形成してもよい。この場合、上層引出電極層２６は、引出配線２２ｎと接する。
次に、上述した実施形態と同様に、第１電極層２３と離間し、第１電極層２３よりも大きい仕事関数を有する第２電極層２４を形成する（第２工程Ｓ２１４）。図９（ｄ）に示すように、凹部２１ｃ内に、配線２２と接する第２電極層２４を形成する。第２電極層２４は、各主面２１ａ、２１ｂとは離間して形成される。なお、第１電極層２３を形成するまえに、第２電極層２４を形成してもよい。また、第２電極層２４と同時に上層引出電極層２６を形成してもよい。この場合、上層引出電極層２６は、引出配線２２ｎと接する。
第２電極層２４は、例えばスプレイ印刷法の他、蒸着法又はインクジェット法により形成される。第１方向Ｘにおける第２電極層２４の幅は、第１電極層２３の幅と等しい。
＜基材２１を分割：分割工程Ｓ２２１＞
次に、後工程Ｓ２２０では、例えば図１０（ａ）に示すように、基材２１を分割してもよい（分割工程Ｓ２２１）。基材２１は、第１方向Ｘにおいて複数の基材２１に分割される。基材２１は、配線２２、第１電極層２３、及び第２電極層２４と離間した位置で分割される。これにより基材２１は、引出基材２１ｎと離間する。
次に、後工程Ｓ２２０では、例えば図１０（ａ）に示すように、基材２１を分割してもよい（分割工程Ｓ２２１）。基材２１は、第１方向Ｘにおいて複数の基材２１に分割される。基材２１は、配線２２、第１電極層２３、及び第２電極層２４と離間した位置で分割される。これにより基材２１は、引出基材２１ｎと離間する。
＜引出基材２１ｎを積層：積層工程Ｓ２２２＞
次に、基材２１を積層する（積層工程Ｓ２２２）。例えば図１０（ｂ）に示すように、基材２１の上に引出基材２１ｎを積層する。引出基材２１ｎは、凹部２１ｃと、第１電極層２３とを重ねる位置において、基材２１の上に積層される。このとき、凹部２１ｃ内には、第１電極層２３が配置されるほか、例えば図５に示したように、第１主面２１ａ上に第１電極層２３が配置されてもよい。第１電極層２３は、第２電極層２４と離間して配置され、凹部２１ｃには未充填部が残される。なお、基材２１と引出基材２１ｎとの間には、任意の数の基材２１を積層してもよい。また、基材２１の第２主面２１ｂ上に形成された第１電極層２３は、下層引出電極層２７として用いられる。
次に、基材２１を積層する（積層工程Ｓ２２２）。例えば図１０（ｂ）に示すように、基材２１の上に引出基材２１ｎを積層する。引出基材２１ｎは、凹部２１ｃと、第１電極層２３とを重ねる位置において、基材２１の上に積層される。このとき、凹部２１ｃ内には、第１電極層２３が配置されるほか、例えば図５に示したように、第１主面２１ａ上に第１電極層２３が配置されてもよい。第１電極層２３は、第２電極層２４と離間して配置され、凹部２１ｃには未充填部が残される。なお、基材２１と引出基材２１ｎとの間には、任意の数の基材２１を積層してもよい。また、基材２１の第２主面２１ｂ上に形成された第１電極層２３は、下層引出電極層２７として用いられる。
基材２１及び引出基材２１ｎは、例えば各主面２１ａ、２１ｂをプラズマ洗浄やＵＶ洗浄により活性化処理した後、基材２１の第１主面２１ａと、引出基材２１ｎの第２主面２１ｂとを貼合することで、積層される。
＜中間部２５を形成：中間工程Ｓ２２３＞
次に、上述した実施形態と同様に、第１電極層２３と、第２電極層２４との間に、ナノ粒子１５及び溶媒１６を含む中間部２５を形成する（中間工程Ｓ２２３）。中間部２５は、凹部２１ｃの未充填部に充填される。
次に、上述した実施形態と同様に、第１電極層２３と、第２電極層２４との間に、ナノ粒子１５及び溶媒１６を含む中間部２５を形成する（中間工程Ｓ２２３）。中間部２５は、凹部２１ｃの未充填部に充填される。
例えば基材２１を中間部２５に浸すことで、毛細管現象によって凹部２１ｃに中間部２５を充填することができる。中間部２５は、基材２１の第２方向Ｙにおける側面から、凹部２１ｃに充填される。その後、例えば基材２１の側面を絶縁材料等で覆うことで、中間部２５の充填不良等を抑制することができる。
上述した工程を経て、本実施形態における熱電素子２が形成される。なお、形成された上層引出電極層２６に接続する第１配線１０１、及び下層引出電極層２７に接続する第２配線１０２を形成し、第１配線１０１及び第２配線１０２に負荷Ｒを接続することで、本実施形態における発電装置１００を形成することができる。
本変形例によれば、上述した製造方法と同様に、第１電極層２３は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層２３として形成される。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
また、本変形例によれば、基材２１内に配線２２及び中間部２５が形成される。このため、熱電素子２を用いた発電装置１００の製造工程において、配線２２の劣化を抑制することができる。これにより、安定した特性を得ることが可能となる。
また、本変形例によれば、中間工程Ｓ２２３は、積層工程Ｓ２２２の後に行われる。このため、電極間ギャップを固定した状態で、中間部２５を形成することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
また、本変形例によれば、積層工程Ｓ２２２のまえに、分割工程Ｓ２２１が行われる。このため、基材２１の上に引出基材２１ｎを積層する積層位置を精度良く設定することができる。これにより、さらに安定した特性を得ることが可能となる。
また、本変形例によれば、例えば凹部２１ｃを形成する方法として、エッチング法を用いる必要がない。このため、熱電素子２の製造に伴う設備投資の抑制、製造コストの削減、及びタスクの向上を実現することが可能となる。
また、本変形例によれば、基材工程Ｓ２１１、第１工程Ｓ２１３、第２工程Ｓ２１４は、基材２１及び引出基材２１ｎが繋がった状態で行われる。このため、ロール・トゥ・ロール等の連続生産プロセスへの対応ができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
特に、基材２１として樹脂フィルムを用いた場合、金型を用いた微細転写法により凹部２１ｃを形成することができる。このため、真空プロセスを用いる必要なく、加工面積を容易に拡大することができる。
また、基材２１として樹脂フィルムを用いることで、基材２１同士を容易に貼合することができ、中間部２５を充填するスペースを容易に制御することができる。このため、熱電素子２の生産性向上、製造コスト低減に加え、熱電素子２の特性バラつきを抑制することが可能となる。
（熱電素子２の製造方法の変形例）
次に、図１１を参照して、本変形例における熱電素子２の製造方法の他の例について説明する。図１１は、本変形例における熱電素子２の製造方法の第１〜第４例を示すフローチャートである。
次に、図１１を参照して、本変形例における熱電素子２の製造方法の他の例について説明する。図１１は、本変形例における熱電素子２の製造方法の第１〜第４例を示すフローチャートである。
例えば図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、後工程Ｓ２２０は、中間工程Ｓ２２３を行ったあと、積層工程Ｓ２２２を行ってもよい。この場合、例えばロール・トゥ・ロール等の連続塗布方法を用いて中間部２５を形成することができる。このため、中間部２５を形成する時間を短縮することができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
また、基材２１の上に引出基材２１ｎを積層する前に、中間部２５を形成するため、溶媒１６を用いずにナノ粒子１５を充填するだけで中間部２５を形成することができる。これにより、溶媒１６の気化等に伴う熱電素子２の劣化を抑制することが可能となる。
例えば図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すように、後工程Ｓ２２０は、積層工程Ｓ２２２を行ったあと、分割工程Ｓ２２１を行ってもよい。このため、基材２１の上に引出基材２１ｎを積層した状態で、一度に基材２１及び引出基材２１ｎを分割することができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
（熱電素子１の第２変形例）
次に、図１２を参照して、本実施形態における熱電素子１の第２変形例について説明する。図１２は、本実施形態における熱電素子１の第２変形例（熱電素子３）を示す模式断面図である。
次に、図１２を参照して、本実施形態における熱電素子１の第２変形例について説明する。図１２は、本実施形態における熱電素子１の第２変形例（熱電素子３）を示す模式断面図である。
上述した第１変形例と、第２変形例との違いは、積層部２０が配線２２を有しない点である。上述した構成と同様の構成については、説明を省略する。
図１２に示すように、第２主面２１ｂにおいて、第２電極層２４は第２主面２１ｂから露出し、第２電極層２４の露出面は、第２主面２１ｂと同一平面上に形成される。第２電極層２４は、例えば第２配線１０２と接する。
本変形例によれば、上述した構成と同様に、第１電極層２３は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層２３として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。
また、本変形例によれば、積層部２０が配線２２を有しない。このため、配線２２と第２電極層２４との間における接触抵抗に起因する電気エネルギーの発生量の低下を抑制することができる。
本発明の実施形態を説明したが、実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１〜３ ：熱電素子
１１、２３：第１電極層
１２、２４：第２電極層
１３、２５：中間部
１４ ：絶縁層
１５ ：ナノ粒子
１５ａ ：絶縁膜
１６ ：溶媒
１７ａ ：第１基材
１７ｂ ：第１引出配線
１８ａ ：第２基材
１８ｂ ：第２引出配線
２０ ：積層部
２０ｎ ：引出部
２１ ：基材
２１ａ ：第１主面
２１ｂ ：第２主面
２１ｃ ：凹部
２１ｎ ：引出基材
２２ ：配線
２２ｎ ：引出配線
２６ ：上層引出電極層
２７ ：下層引出電極層
１００ ：発電装置
１０１ ：第１配線
１０２ ：第２配線
Ｒ ：負荷
Ｓ１１０ ：第１工程
Ｓ１２０ ：第２工程
Ｓ１３０ ：中間工程
Ｓ２１０ ：前工程
Ｓ２２０ ：後工程
Ｘ ：第１方向
Ｙ ：第２方向
Ｚ ：高さ方向
ｅ ：熱電子
１１、２３：第１電極層
１２、２４：第２電極層
１３、２５：中間部
１４ ：絶縁層
１５ ：ナノ粒子
１５ａ ：絶縁膜
１６ ：溶媒
１７ａ ：第１基材
１７ｂ ：第１引出配線
１８ａ ：第２基材
１８ｂ ：第２引出配線
２０ ：積層部
２０ｎ ：引出部
２１ ：基材
２１ａ ：第１主面
２１ｂ ：第２主面
２１ｃ ：凹部
２１ｎ ：引出基材
２２ ：配線
２２ｎ ：引出配線
２６ ：上層引出電極層
２７ ：下層引出電極層
１００ ：発電装置
１０１ ：第１配線
１０２ ：第２配線
Ｒ ：負荷
Ｓ１１０ ：第１工程
Ｓ１２０ ：第２工程
Ｓ１３０ ：中間工程
Ｓ２１０ ：前工程
Ｓ２２０ ：後工程
Ｘ ：第１方向
Ｙ ：第２方向
Ｚ ：高さ方向
ｅ ：熱電子
第１発明に係る熱電素子は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層と、前記第１電極層と離間して設けられ、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に設けられ、ナノ粒子と、前記ナノ粒子を分散した溶媒とを含む中間部と、を備え、前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有することを特徴とする。
第４発明に係る熱電素子は、第１発明〜第３発明の何れかにおいて、前記溶媒は、６０℃以上の沸点を有することを特徴とする。
第５発明に係る熱電素子は、第１発明〜第４発明の何れかにおいて、前記中間部を囲む基材と、前記基材の上に積層され、前記第１電極層と接する引出基材と、をさらに備え、前記第２電極層は、前記基材内に設けられることを特徴とする。
第６発明に係る熱電素子は、第５発明において、前記引出基材の主面において前記第１電極層と接し、前記引出基材を貫通する引出配線と、前記基材内において前記第２電極層と接し、前記基材を貫通する配線と、をさらに備えることを特徴とする。
第７発明に係る熱電素子は、第５発明又は第６発明において、前記第１電極層、前記第２電極層、及び前記中間部は、前記基材の主面に平行となる第１方向にそれぞれ離間して複数配置され、前記第１方向と交わり前記基材の主面に平行となる第２方向に延在することを特徴とする。
第８発明に係る熱電素子は、第１発明〜第４発明の何れかにおいて、前記中間部を囲み、前記第１電極層と前記第２電極層との間に挟まれる絶縁層をさらに備えることを特徴とする。
第９発明に係る熱電素子は、第１発明〜第４発明の何れかにおいて、前記第１電極層、前記第２電極層、及び前記中間部を挟む第１基材及び第２基材と、前記第１基材の主面において前記第１電極層と接し、前記第１基材を貫通する第１引出配線と、前記第２基材の主面において前記第２電極層と接し、前記第２基材を貫通する第２引出配線と、をさらに備えることを特徴とする。
第１０発明に係る発電装置は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する発電装置であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層と、前記第１電極層と離間して設けられ、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に挟まれ、ナノ粒子と、前記ナノ粒子を分散した溶媒とを含む中間部と、前記第１電極層及び前記第２電極層と電気的に接続された第１配線及び第２配線と、を備え、前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有することを特徴とする。
第１１発明に係る熱電素子の製造方法は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層を形成する第１工程と、前記第１電極層と離間し、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層を形成する第２工程と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に、ナノ粒子と、前記ナノ粒子を分散した溶媒とを含む中間部を形成する中間工程と、を備え、前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有することを特徴とする。
第１２発明に係る熱電素子の製造方法は、第１１明において、基材に凹部を形成する基材工程と、前記基材の上に引出基材を積層する積層工程と、をさらに備え、前記第１工程は、前記引出基材の主面上に、前記第１電極層を形成する工程を有し、前記第２工程は、前記凹部に前記第２電極層を形成する工程を有し、前記積層工程は、前記凹部と、前記第１電極層とを重ねる位置において、前記基材の上に前記引出基材を積層することを特徴とする。
第１３発明に係る熱電素子の製造方法は、第１２発明において、前記中間工程は、前記積層工程の後に行われることを特徴とする。
第１４発明に係る熱電素子の製造方法は、第１２発明において、前記中間工程は、前記積層工程の前に行われることを特徴とする。
第１５発明に係る熱電素子の製造方法は、第１２発明〜第１４発明の何れかにおいて、前記基材工程、前記第１工程、前記第２工程は、前記基材及び前記引出基材が繋がった状態で行われ、前記基材と、前記引出基材とを分割する分割工程をさらに備えることを特徴とする。
第１発明〜第１０発明によれば、第１電極層は、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。また、ナノ粒子は、第１電極層の仕事関数と、第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有する。このため、第１電極層から生成した熱電子は、ナノ粒子を介して容易に第２電極層に伝搬することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
特に、第４発明によれば、溶媒は、６０℃以上の沸点を有する。このため、室温以上の環境下に熱電素子が用いられた場合においても、溶媒の気化を抑制することができる。これにより、溶媒の気化に伴う熱電素子の劣化を抑制することが可能となる。
特に、第５発明によれば、第２電極層は基材内に設けられ、引出基材は、基材の上に積層され、第１電極層と接する。このため、各電極層を高精度で配置することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第６発明によれば、配線は基材内に設けられ、引出配線は引出基材内に設けられる。このため、熱電素子を用いた発電装置の製造工程において、配線の劣化を抑制できる。これにより、安定した特性を得ることが可能となる。
特に、第７発明によれば、中間部等は、第１方向に離間して複数配置される。このため、単一の基材内に複数の独立した中間部等を形成することができる。これにより、熱電素子の小型化を図ることが可能となる。
第１１発明〜第１５発明によれば、第１電極層は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。また、ナノ粒子は、第１電極層の仕事関数と、第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有する。このため、第１電極層から生成した熱電子は、ナノ粒子を介して容易に第２電極層に伝搬することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
特に、第１２発明によれば、積層工程は、凹部と、第１電極層とを重ねる位置において、基材の上に引出基材を積層する。このため、電極間ギャップを高精度で制御することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第１３発明によれば、中間工程は、積層工程の後に行われる。このため、電極間ギャップを固定した状態で、中間部を形成することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第１４発明によれは、中間工程は、積層工程の前に行われる。このため、中間部を形成する時間を短縮することができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
特に、第１５発明によれば、基材工程、第１工程、第２工程は、基材及び引出基材が繋がった状態で行われる。このため、ロール・トゥ・ロール等の連続生産プロセスへの対応ができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
本発明は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法に関する。
そこで本発明は、上述した問題に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、電気エネルギーの発生量の増加を実現できる熱電素子の製造方法を提供することにある。
第１発明に係る熱電素子の製造方法は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、引出基材の主面上に、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層を形成する第１工程と、基材に凹部を形成する基材工程と、前記凹部に、前記第１電極層と離間し、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層を形成する第２工程と、前記基材の上に前記引出基材を積層する積層工程と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に、ナノ粒子と、前記ナノ粒子を分散した溶媒とを含む中間部を形成する中間工程と、を備え、前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有し、前記積層工程は、前記凹部と、前記第１電極層とを重ねる位置において、前記基材の上に前記引出基材を積層し、前記中間工程は、前記積層工程の後に行われることを特徴とする。
第２発明に係る熱電素子の製造方法は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、引出基材の主面上に、高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層を形成する第１工程と、基材に凹部を形成する基材工程と、前記凹部に、前記第１電極層と離間し、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層を形成する第２工程と、前記基材の上に引出基材を積層する積層工程と、前記第１電極層と、前記第２電極層との間に、ナノ粒子と、前記ナノ粒子を分散した溶媒とを含む中間部を形成する中間工程と、前記基材と、前記引出基材とを分割する分割工程と、を備え、前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有し、前記積層工程は、前記凹部と、前記第１電極層とを重ねる位置において、前記基材の上に前記引出基材を積層し、前記基材工程、前記第１工程、前記第２工程は、前記基材及び前記引出基材が繋がった状態で行われることを特徴とする。
第１発明、第２発明によれば、第１電極層は、高融点金属以外の１層から構成される。すなわち、高融点金属に比べて容易に加工することができる材料が、第１電極層として用いられる。このため、面内精度及び厚みの精度を飛躍的に高め、電極間ギャップのバラつきを抑制することができる。これにより、電気エネルギーの発生量の増加を実現することが可能となる。また、ナノ粒子は、第１電極層の仕事関数と、第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有する。このため、第１電極層から生成した熱電子は、ナノ粒子を介して容易に第２電極層に伝搬することができる。これにより、電気エネルギーの発生量をさらに増加させることが可能となる。
特に、第１発明、第２発明によれば、積層工程は、凹部と、第１電極層とを重ねる位置において、基材の上に引出基材を積層する。このため、電極間ギャップを高精度で制御することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第１発明によれば、中間工程は、積層工程の後に行われる。このため、電極間ギャップを固定した状態で、中間部を形成することができる。これにより、電極間ギャップのバラつきをさらに抑制することが可能となる。
特に、第２発明によれば、基材工程、第１工程、第２工程は、基材及び引出基材が繋がった状態で行われる。このため、ロール・トゥ・ロール等の連続生産プロセスへの対応ができる。これにより、製造工程における時間の短縮を図ることが可能となる。
Claims (17)
- 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子であって、
高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層と、
前記第１電極層と離間して設けられ、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層と、
前記第１電極層と、前記第２電極層との間に設けられ、ナノ粒子を含む中間部と、
を備えること
を特徴とする熱電素子。 - 前記第１電極層と、前記第２電極層との間の第１距離は、１０μｍ以下であり、
前記ナノ粒子の直径は、前記第１距離の１／１０以下であること
を特徴とする請求項１記載の熱電素子。 - 前記ナノ粒子は、表面に設けられた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜の厚さは、０．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１又は２記載の熱電素子。 - 前記ナノ粒子は、前記第１電極層の仕事関数と、前記第２電極層の仕事関数との間の仕事関数を有すること
を特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記中間部は、６０℃以上の沸点を有する溶媒を含むこと
を特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記中間部は、前記ナノ粒子のみが充填された状態を示すこと
を特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記中間部を囲む基材と、
前記基材の上に積層され、前記第１電極層と接する引出基材と、
をさらに備え、
前記第２電極層は、前記基材内に設けられること
を特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記引出基材の主面において前記第１電極層と接し、前記引出基材を貫通する引出配線と、
前記基材内において前記第２電極層と接し、前記基材を貫通する配線と、
をさらに備えること
を特徴とする請求項７記載の熱電素子。 - 前記第１電極層、前記第２電極層、及び前記中間部は、前記基材の主面に平行となる第１方向にそれぞれ離間して複数配置され、前記第１方向と交わり前記基材の主面に平行となる第２方向に延在すること
を特徴とする請求項７又は８記載の熱電素子。 - 前記中間部を囲み、前記第１電極層と前記第２電極層との間に挟まれる絶縁層をさらに備えること
を特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の熱電素子。 - 前記第１電極層、前記第２電極層、及び前記中間部を挟む第１基材及び第２基材と、
前記第１基材の主面において前記第１電極層と接し、前記第１基材を貫通する第１引出配線と、
前記第２基材の主面において前記第２電極層と接し、前記第２基材を貫通する第２引出配線と、
をさらに備えること
を特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の熱電素子。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する発電装置であって、
高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層と、
前記第１電極層と離間して設けられ、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層と、
前記第１電極層と、前記第２電極層との間に挟まれ、ナノ粒子を含む中間部と、
前記第１電極層及び前記第２電極層と電気的に接続された第１配線及び第２配線と、
を備えること
を特徴とする発電装置。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子の製造方法であって、
高融点金属（Refractory Metal）以外の１層から構成される第１電極層を形成する第１工程と、
前記第１電極層と離間し、前記第１電極層よりも大きい仕事関数を有する第２電極層を形成する第２工程と、
前記第１電極層と、前記第２電極層との間に、ナノ粒子を含む中間部を形成する中間工程と、
を備えること
を特徴とする熱電素子の製造方法。 - 基材に凹部を形成する基材工程と、
前記基材の上に引出基材を積層する積層工程と、
をさらに備え、
前記第１工程は、前記引出基材の主面上に、前記第１電極層を形成する工程を有し、
前記第２工程は、前記凹部に前記第２電極層を形成する工程を有し、
前記積層工程は、前記凹部と、前記第１電極層とを重ねる位置において、前記基材の上に前記引出基材を積層すること
を特徴とする請求項１３記載の熱電素子の製造方法。 - 前記中間工程は、前記積層工程の後に行われること
を特徴とする請求項１４記載の熱電素子の製造方法。 - 前記中間工程は、前記積層工程の前に行われること
を特徴とする請求項１４記載の熱電素子の製造方法。 - 前記基材工程、前記第１工程、前記第２工程は、前記基材及び前記引出基材が繋がった状態で行われ、
前記基材と、前記引出基材とを分割する分割工程をさらに備えること
を特徴とする請求項１４〜１６の何れか１項記載の熱電素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017211229A JP6521400B1 (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 熱電素子の製造方法 |
| PCT/JP2018/040033 WO2019088002A1 (ja) | 2017-10-31 | 2018-10-29 | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017211229A JP6521400B1 (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 熱電素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6521400B1 JP6521400B1 (ja) | 2019-05-29 |
| JP2019083288A true JP2019083288A (ja) | 2019-05-30 |
Family
ID=66331816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017211229A Active JP6521400B1 (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 熱電素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6521400B1 (ja) |
| WO (1) | WO2019088002A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11244816B2 (en) | 2019-02-25 | 2022-02-08 | Birmingham Technologies, Inc. | Method of manufacturing and operating nano-scale energy conversion device |
| US11101421B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-08-24 | Birmingham Technologies, Inc. | Nano-scale energy conversion device |
| US11124864B2 (en) | 2019-05-20 | 2021-09-21 | Birmingham Technologies, Inc. | Method of fabricating nano-structures with engineered nano-scale electrospray depositions |
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| US11649525B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-05-16 | Birmingham Technologies, Inc. | Single electron transistor (SET), circuit containing set and energy harvesting device, and fabrication method |
| US11417506B1 (en) | 2020-10-15 | 2022-08-16 | Birmingham Technologies, Inc. | Apparatus including thermal energy harvesting thermionic device integrated with electronics, and related systems and methods |
| US11616186B1 (en) | 2021-06-28 | 2023-03-28 | Birmingham Technologies, Inc. | Thermal-transfer apparatus including thermionic devices, and related methods |
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2017
- 2017-10-31 JP JP2017211229A patent/JP6521400B1/ja active Active
-
2018
- 2018-10-29 WO PCT/JP2018/040033 patent/WO2019088002A1/ja active Application Filing
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6521400B1 (ja) | 2019-05-29 |
| WO2019088002A1 (ja) | 2019-05-09 |
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|
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|
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|
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|
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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