JP2019054087A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 337
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 19
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 37
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 63
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0856—Source regions
- H01L29/0865—Disposition
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
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- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
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- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
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- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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Abstract
Description
第1実施形態について説明する。ここでは半導体素子としてトレンチゲート構造の反転型のMOSFETが形成されたSiC半導体装置を例に挙げて説明する。
まず、半導体基板として、n+型基板1の主表面上にSiCからなるn−型層2をエピタキシャル成長させたものを用意する。このとき、n+型基板1の主表面上にn−型層2がエピタキシャル成長させることで半導体基板を用意しても良いし、予めn+型基板1の主表面上にn−型層2がエピタキシャル成長させてあるいわゆるエピ基板を半導体基板として用意しても良い。
次に、n−型層2の上にマスク40を配置し、p型ディープ層5やp型ディープ層30およびp型ガードリング21の形成予定領域においてマスク40を開口させる。そして、マスク40を用いてp型不純物をイオン注入する。このとき、イオン注入の飛程を調整し、p型不純物がn−型層2の表面よりも所定深さ深い位置に注入されるようにし、n−型層2の表面にはp型不純物がほぼ注入されないようにしている。これにより、p型ディープ層5の下部5aやp型ディープ層30の下部30aおよびp型ガードリング21が形成される。その後、マスク40を除去する。
続いて、マスク41を配置し、p型ディープ層5およびp型ディープ層30の形成予定領域においてマスク41を開口させる。このとき、p型ガードリング21の形成予定領域についてはマスク41を開口させないようにする。そして、マスク41を用いてp型不純物をイオン注入する。これにより、p型ディープ層5の上部5bやp型ディープ層30の上部30bが形成され、先に形成されたp型ディープ層5の下部5aやp型ディープ層30の下部30aと繋がって、p型ディープ層5およびp型ディープ層30が構成される。その後、マスク41を除去する。
p型ディープ層5とp型ディープ層30およびp型ガードリング21の上を含めて、n−型層2の上にp型ベース領域3をエピタキシャル成長させる。
p型ベース領域3の上に図示しないマスクを配置したのち、マスクのうちn+型ソース領域4の形成予定領域を開口させる。そして、そのマスクを用いてn型不純物をイオン注入することでn+型ソース領域4を形成する。さらに、マスクを除去したのち、改めて図示しないマスクを配置し、マスクのうちのp型コンタクト領域3aの形成予定領域を開口させる。そして、そのマスクを用いてp型不純物をイオン注入することでp型コンタクト領域3aを形成する。その後、マスクを除去する。
n+型ソース領域4やp型ベース領域3などの上に図示しないマスクを形成したのち、マスクのうちのゲートトレンチ6や凹部20の形成予定領域を開口させる。そして、マスクを用いてRIE(Reactive Ion Etching)などの異方性エッチングを行うことで、n−型層2の上面よりも深く、p型ガードリング21の上面よりも浅い深さのゲートトレンチ6および凹部20を同時に形成する。
マスクを除去した後、例えば熱酸化を行うことによって、ゲート絶縁膜7を形成し、ゲート絶縁膜7によってゲートトレンチ6の内壁面上およびn+型ソース領域4の表面上を覆う。そして、p型不純物もしくはn型不純物がドープされたPoly−Siをデポジションした後、これをエッチバックし、少なくともゲートトレンチ6内にPoly−Siを残すことでゲート電極8を形成する。これにより、トレンチゲート構造が構成される。
ゲート電極8およびゲート絶縁膜7の表面を覆うように、例えば酸化膜などによって構成される層間絶縁膜10を形成する。そして、層間絶縁膜10の表面上に図示しないマスクを形成したのち、マスクのうち各ゲート電極8の間に位置する部分、つまりp型コンタクト領域3aと対応する部分およびその近傍を開口させる。この後、マスクを用いて層間絶縁膜10をパターニングすることでp型コンタクト領域3aおよびn+型ソース領域4を露出させるコンタクトホールを形成する。
層間絶縁膜10の表面上に例えば複数の金属の積層構造により構成される電極材料を形成する。そして、電極材料をパターニングすることで、ソース電極9や図示しないゲート配線などを形成する。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して製造方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分について主に説明する。
n−型層2の上にマスク50を配置し、p型ディープ層5およびp型ディープ層30の形成予定領域においてマスク50を開口させる。そして、マスク50を用いてp型不純物をイオン注入する。これにより、p型ディープ層5およびp型ディープ層30が形成される。その後、マスク50を除去する。
次に、図5Bに示す工程として、n−型層2の上にマスク51を配置し、p型ディープ層30およびp型ガードリング21の形成予定領域においてマスク51を開口させる。そして、マスク51を用いてp型不純物をイオン注入する。このとき、イオン注入の飛程を調整し、p型不純物がn−型層2の表面よりも所定深さ深い位置に注入されるようにし、n−型層2の表面にはp型不純物がほぼ注入されないようにしている。これにより、p型ガードリング21を形成できると共に、p型ディープ層30のうちのp型ガードリング21側の部分を形成できる。この後、マスク51を除去する。
第3実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して製造方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分について主に説明する。
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して電流分散層を備える構造としたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
n−型層2の上にマスク71を配置し、p型ディープ層5やp型ディープ層30およびp型ガードリング21の形成予定領域においてマスク71を開口させる。そして、マスク71を用いてp型不純物をイオン注入する。これにより、n−型層2の表面から所定深さの位置までp型ディープ層5の下部5aやp型ディープ層30の下部30aが形成されると共にp型ガードリング21が形成される。この後、マスク71を除去する。
次に、p型ディープ層5やp型ディープ層30およびp型ガードリング21の上を含めてn−型層2の上に、例えばn型不純物濃度が2.0×1016〜5.0×1017/cm3、厚みが0.5〜0.9μmのn型の電流分散層60をエピタキシャル成長させる。
電流分散層60の上にマスク72を配置し、p型ディープ層5およびp型ディープ層30の形成予定領域においてマスク72を開口させる。そして、マスク72を用いてp型不純物をイオン注入する。これにより、p型ディープ層5およびp型ディープ層30が形成される。その後、マスク72を除去する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 n−型層
3 p型ベース領域
4 n+型ソース領域
5、30 p型ディープ層
8 ゲート電極
9 ソース電極
10 層間絶縁膜
21 p型ガードリング
60 電流分散層
Claims (12)
- 半導体素子(100)が形成されたセル領域(RC)と、該セル領域の外周を囲む外周領域(RO)とを有する半導体装置であって、
表面および裏面を有し、第1または第2導電型の半導体で構成された基板(1)と、
前記基板の表面上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第1導電型の半導体からなる第1導電型層(2、60)と、
前記基板に対して前記第1導電型層を挟んだ反対側に形成された前記半導体素子に備えられる第1電極(9)と、
前記基板の裏面側に形成された前記半導体素子に備えられる第2電極(10)と、を有し、
前記外周領域には、
前記第1導電型層の表層部のうち該第1導電型層の表面から離れた位置に形成され、前記セル領域を囲む複数の枠形状とされたライン状の第2導電型のガードリング(21)と、
前記第1導電型層の表面に形成された層間絶縁膜(10)と、が備えられている半導体装置。 - 前記第1導電型層には、前記基板の表面上に形成されていると共に表層部に前記ガードリングが形成された第1層(2)と、前記ガードリングおよび前記第1層の上に形成されていると共に前記第1層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第2層(60)とが含まれている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子はMOSFETであり、
前記MOSFETは、
前記第2層の上に形成された第2導電型のベース領域(3)と、
前記ベース領域の上に形成され、前記第1層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型のソース領域(4)と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深く形成されたゲートトレンチ(6)内に、該ゲートトレンチの内壁面を覆うゲート絶縁膜(7)と該ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極(8)とを備えて構成されたトレンチゲート構造と、
前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホールが形成された前記層間絶縁膜と、
前記コンタクトホールを通じて、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続された前記第1電極に相当するソース電極(9)と、
前記基板の裏面側に形成された前記第2電極に相当するドレイン電極(11)と、を含み、
前記第2層が電流分散層を構成している請求項2に記載の半導体装置。 - 半導体素子(100)が形成されたセル領域(RC)と、該セル領域の外周を囲む外周領域(RO)とを有する半導体装置の製造方法であって、
表面および裏面を有する第1または第2導電型の半導体で構成された基板(1)の上に、前記基板よりも低不純物濃度の第1導電型の半導体からなる第1導電型層(2、60)を形成することと、
前記第1導電型層の上に、第2導電型の半導体からなるベース領域(3)を形成することと、
前記ベース領域の上に、前記第1導電型層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型の半導体からなるソース領域(4)を形成することと、
前記セル領域において、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記第1導電型層に達するゲートトレンチ(6)を形成したのち、該ゲートトレンチ内に、ゲート絶縁膜(7)を形成すると共に、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極(8)を形成することでトレンチゲート構造を形成することと、
前記外周領域において、前記ソース領域および前記ベース領域を貫通して前記第1導電型層に達する凹部(20)を形成することと、
前記トレンチゲート構造と前記ソース領域および前記ベース領域を覆うと共に前記凹部内を覆う層間絶縁膜(10)を形成することと、
前記セル領域において、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成したのち、該コンタクトホールを通じて前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されるソース電極(9)を形成することと、
前記基板の裏面側にドレイン電極(11)を形成することと、を含み、
さらに、前記ベース領域を形成する前に、前記セル領域において、前記第1導電型層に対して第2導電型不純物をイオン注入することで、前記第1導電型層の表面に至る第2導電型のディープ層(5)を形成することと、
前記ベース領域を形成する前に、前記外周領域において、前記第1導電型層に対して第2導電型不純物をイオン注入することで、前記第1導電型層の表面から離れた深さの位置に、前記セル領域を囲む枠形状とされたライン状の第2導電型のガードリング(21)を形成することと、を含んでいる半導体装置の製造方法。 - 前記ディープ層を形成することは、
前記第1導電型層に対して該第1導電型層の表面から離れた深さの位置に第2導電型不純物をイオン注入することで、前記ガードリングを形成すると同時に前記ディープ層の下部(5a)を形成することと、
前記第1導電型層に対して第2導電型不純物をイオン注入することで、前記下部と連結されると共に該第1導電型層の表面に至る前記ディープ層の上部(5b)を形成することと、を含んでいる請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電型層を形成することは、
前記第1導電型層として、前記基板の表面上に形成される第1層(2)を形成することと、前記第1層の表面上に、該第1層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第2層(60)を形成することと、を含み、
さらに、前記第2層を形成することの前に、前記第1層に対して第2導電型不純物をイオン注入することで、前記ガードリングを形成すると同時に前記ディープ層の下部(5a)を形成することと、
前記第2層を形成することの後に、前記第2層に対して第2導電型不純物をイオン注入することで、前記下部と連結される前記ディープ層の上部(5b)を形成することと、を含んでいる請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記セル領域に形成されるディープ層を第1ディープ層として、
前記外周領域のうち、前記セル領域と前記ガードリングが形成されるガードリング部(RG)との間に位置する繋ぎ部(RJ)において、前記第1導電型層の表層部に、第2導電型不純物をイオン注入することで第2導電型の第2ディープ層(30)を形成することを含み、
前記第2ディープ層を形成することは、
前記ガードリングを形成すると同時に前記第1ディープ層の下部を形成する際に、さらに前記第2ディープ層の下部(30a)を同時に形成することと、
前記第1ディープ層の上部を形成する際に、さらに前記第2ディープ層の上部(30b)を同時に形成することと、を含んでいる請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記セル領域に形成されるディープ層を第1ディープ層として、
前記外周領域のうち、前記セル領域と前記ガードリングが形成されるガードリング部(RG)との間に位置する繋ぎ部(RJ)において、前記第1導電型層の表層部に、第2導電型不純物をイオン注入することで第2導電型の第2ディープ層(30)を形成することを含み、
前記第2ディープ層を形成することは、
前記第1ディープ層を形成する際に、さらに前記第2ディープ層の少なくとも一部を同時に形成することと、を含んでいる請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2ディープ層を形成することは、
前記ガードリングを形成する際に、さらに前記第2ディープ層のうちの前記ガードリング側の端部を同時に形成すること、を含んでいる請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体素子(100)が形成されたセル領域(RC)と、該セル領域の外周を囲む外周領域(RO)とを有する半導体装置の製造方法であって、
表面および裏面を有する第1または第2導電型の半導体で構成された基板(1)の上に、前記基板よりも低不純物濃度の第1導電型の半導体からなる第1導電型層(2、60)を形成することと、
前記第1導電型層の上に、第2導電型の半導体からなるベース領域(3)を形成することと、
前記ベース領域の上に、前記第1導電型層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型の半導体からなるソース領域(4)を形成することと、
前記セル領域において、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記第1導電型層に達するゲートトレンチ(6)を形成したのち、該ゲートトレンチ内に、ゲート絶縁膜(7)を形成すると共に、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極(8)を形成することでトレンチゲート構造を形成することと、
前記外周領域において、前記ソース領域および前記ベース領域を貫通して前記第1導電型層に達する凹部(20)を形成することと、
前記トレンチゲート構造と前記ソース領域および前記ベース領域を覆うと共に前記凹部内を覆う層間絶縁膜(10)を形成することと、
前記セル領域において、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成したのち、該コンタクトホールを通じて前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されるソース電極(9)を形成することと、
前記基板の裏面側にドレイン電極(11)を形成することと、を含み、
さらに、前記ベース領域を形成する前に、前記セル領域において、前記第1導電型層に対して第2導電型不純物をイオン注入することで、前記第1導電型層の表面に至る第2導電型のディープ層(3)を形成することと、
前記凹部を形成した後に、前記外周領域において、前記第1導電型層に対して該第1導電型層の表面から離れた深さの位置に第2導電型不純物をイオン注入することで、前記セル領域を囲む枠形状とされたライン状の第2導電型のガードリング(21)を形成することと、を含んでいる半導体装置の製造方法。 - 前記セル領域に形成されるディープ層を第1ディープ層として、
前記外周領域のうち、前記セル領域と前記ガードリングが形成されるガードリング部(RG)との間に位置する繋ぎ部(RJ)において、前記第1導電型層の表層部に、第2導電型不純物をイオン注入することで第2導電型の第2ディープ層(30)を形成することを含み、
前記第2ディープ層を形成することは、
前記第1ディープ層を形成する際に、さらに前記第2ディープ層の少なくとも一部を同時に形成することと、を含んでいる請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2ディープ層を形成することは、
前記ガードリングを形成する際に、さらに前記第2ディープ層のうちの前記ガードリング側の端部を同時に形成すること、を含んでいる請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017176776A JP6870546B2 (ja) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
PCT/JP2018/034065 WO2019054459A1 (ja) | 2017-09-14 | 2018-09-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN201880058819.XA CN111344866B (zh) | 2017-09-14 | 2018-09-13 | 半导体装置及其制造方法 |
US16/816,463 US10964809B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-03-12 | Semiconductor device and manufacturing process therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017176776A JP6870546B2 (ja) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019054087A true JP2019054087A (ja) | 2019-04-04 |
JP2019054087A5 JP2019054087A5 (ja) | 2020-02-27 |
JP6870546B2 JP6870546B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=65722758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017176776A Active JP6870546B2 (ja) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10964809B2 (ja) |
JP (1) | JP6870546B2 (ja) |
CN (1) | CN111344866B (ja) |
WO (1) | WO2019054459A1 (ja) |
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- 2017-09-14 JP JP2017176776A patent/JP6870546B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-13 WO PCT/JP2018/034065 patent/WO2019054459A1/ja active Application Filing
- 2018-09-13 CN CN201880058819.XA patent/CN111344866B/zh active Active
-
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---|---|
US20200227549A1 (en) | 2020-07-16 |
JP6870546B2 (ja) | 2021-05-12 |
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