JP2019045689A - 反射防止構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】反射防止性能に優れた反射防止構造体を提供する。
【解決手段】略円形の外縁部を有する底部と、前記外縁部に沿って立ち上がる壁部を有し、前記底部の上方は開口部とされている有底筒状の吸光ユニット２を複数備えた反射防止構造体１であって、下記＜Ａ＞〜＜Ｂ＞の条件を満たすことを特徴とする反射防止構造体。
＜Ａ＞前記吸光ユニットの開口部を含む最小円の直径の算術平均として求められる前記開口部の平均開口径(Dave)が下記式（１）を満たす。
＜Ｂ＞開口径分布図において、最頻値の個数の１０％以上の個数を有する最小直径(Dmin)と、１０％以上の個数を有する最大直径(Dmax)と、前記平均開口径(Dave)とが、下記式（２）を満たす。
式（１）… １μｍ≦Dave≦１０μｍ
式（２）… ０．１≦（Dmax−Dmin）／Dave≦０．５
【選択図】図６

Description

本発明は、反射防止構造体に関する。

従来、ＣＤやＤＶＤ等の光学ディスクの表面、レンズ、保護フィルム等の表面における光の反射を防止する目的で、前記表面に回折パターンや微細な凹凸からなる反射防止構造体を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。

特許第５１６２５８５号公報

特許文献１では反射防止の凹凸構造として、凸部と凹部の段差が１．５μｍ以上の回折パターンと、その回折パターンの表面に形成された微細凸部のピッチ間隔を２５０ｎｍ以下に狭めた構造が提案されている。しかしながら、その反射防止性能は必ずしも充分では無く、より優れた反射防止性能を有する構造が求められている。

本発明は、反射防止性能に優れた反射防止構造体を提供する。

［１］ 略円形の外縁部を有する底部と、前記外縁部に沿って立ち上がる壁部を有し、前記底部の上方は開口部とされている有底筒状の吸光ユニットを複数備えた反射防止構造体であって、下記＜Ａ＞〜＜Ｂ＞の条件を満たすことを特徴とする反射防止構造体。
＜Ａ＞
前記反射防止構造体を前記吸光ユニットの高さ方向に沿って見下ろして、前記吸光ユニットが２００〜３００個含まれる正方形の領域を任意に設定し、その正方形の２本の対角線を横切った各吸光ユニットについて、開口部を含む最小円の直径を０．０５μｍ刻みで各々測定する。この測定処理を互いに重ならない５つの領域について行い、測定した全ての直径の算術平均として求められる前記開口部の平均開口径(Dave)が、下記式（１）を満たす。
式（１）… １μｍ≦Dave≦１０μｍ
＜Ｂ＞
前記平均開口径(Dave)と、最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)は、下記式（２）を満たす。
式（２）… ０．１≦（Dmax−Dmin）／Dave≦０．５
ここで、前記式（２）の最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)の各値は、それぞれ、前記＜Ａ＞で測定した各最小円について、その直径を横軸に取り、各直径を有する前記最小円の個数を縦軸に取って得られる開口径分布図において、最頻値の個数に対して１０％以上の個数を有する直径の内の最大値と最小値である。
［２］ 前記開口径分布図において、前記最頻値の個数の１０％以上のピークが１つ観測される［１］に記載の反射防止構造体。
［３］ 前記開口径分布図において、前記最頻値の個数の１０％以上のピークが２つ以上観測される［１］に記載の反射防止構造体。
［４］ 前記ピークの２つ以上について、最小径を有するピークと最大径を有するピークの前記直径の差が０．３μｍ以上、１．５μｍ以下である［３］に記載の反射防止構造体。
［５］ 前記壁部の平均高さは５μｍ以上１００μｍ以下である［１］〜［４］の何れか一項に記載の反射防止構造体。
［６］ 前記底部に、平均ピッチ１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下で群立する微小突起構造が形成されている［１］〜［５］の何れか一項に記載の反射防止構造体。
［７］ 前記微小突起の平均高さは０．１μｍ以上４μｍ以下である［６］に記載の反射防止構造体。

本発明の反射防止構造体は、優れた反射防止性能を有する。

本発明の反射防止構造体の一例に関する開口径分布図である。 本発明の反射防止構造体の一例に関する開口径分布図である。 本発明の反射防止構造体の一例に関する開口径分布図である。 本発明の反射防止構造体の一例に関する開口径分布図である。 本発明の反射防止構造体の一例に関する開口径分布図である。 反射防止構造体１における複数の吸光ユニットの模式的な斜視図である。 反射防止構造体１が有する吸光ユニット２を模式的に説明する図である。 反射防止構造体１において隣接する２つの吸光ユニット２を高さ方向に沿って切断した模式断面図である。 反射防止構造体１が有する各吸光ユニット２の開口径の分布を示した分布図である。 反射防止構造体１に入射した光線Ｌ１，Ｌ２が吸収又は散乱される様子を示した、図６の模式断面図である。 反射防止構造体１を作製するための型の作製方法の一例を説明する模式断面図である。 反射防止構造体１を作製するための型の作製方法の別の一例を説明する模式断面図である。 反射防止構造体１を作製するための型の一例を斜視した電子顕微鏡像である。 型を用いて反射防止構造体１を作製する方法を示す模式断面図である。 実施例１で作製した反射防止構造体の開口径分布図である。 実施例１で使用した微粒子の粒子径分布図である。 比較例１で作製した反射防止構造体の開口径分布図である。 比較例１で使用した微粒子の粒子径分布図である。 比較例２で作製した反射防止構造体の開口径分布図である。 比較例２で使用した微粒子の粒子径分布図である。

《反射防止構造体》
本発明の第一態様の反射防止構造体は、略円形の外縁部を有する底部と、前記外縁部に沿って立ち上がる壁部を有し、前記底部の上方は開口部とされている有底筒状の吸光ユニットを複数備えた反射防止構造体であり、以下の＜Ａ＞〜＜Ｂ＞の条件を満たす。

＜Ａ＞
前記反射防止構造体を前記吸光ユニットの高さ方向に沿って見下ろして、前記吸光ユニットが２００〜３００個含まれる正方形の領域を任意に設定し、その正方形の２本の対角線を横切った各吸光ユニットについて、開口部を含む最小円の直径を０．０５μｍ刻みで各々測定する。この測定処理を互いに重ならない５つの領域について行い、測定した全ての直径の算術平均として求められる前記開口部の平均開口径(Dave)が、下記式（１）を満たす。
式（１）… １μｍ≦Dave≦１０μｍ

＜Ｂ＞
前記平均開口径(Dave)と、最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)は、下記式（２）を満たす。
式（２）… ０．１≦（Dmax−Dmin）／Dave≦０．５
ここで、前記式（２）の最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)の各値は、それぞれ、前記＜Ａ＞で測定した各最小円について、その直径を横軸に取り、各直径を有する前記最小円の個数を縦軸に取って得られる開口径分布図において、最頻値の個数（１００％）に対して１０％以上の個数を有する直径の内の最大値と最小値である。

式（１）を満たすことにより、反射防止の効果が充分に得られる。この効果をより一層得る観点から、式（１）の下限値は１．５μｍが好ましく、２．０μｍがより好ましく、２．５μｍがさらに好ましく；式（１）の上限値は５．５μｍが好ましく、５．０μｍがより好ましく、４．５μｍがさらに好ましい。

式（２）を満たすことにより、開口部が密に配置された反射防止面におけるドメイン（構造体や粒子の配列方向が同一である局所的な二次元結晶化領域）が存在し難くなり、ドメインに起因する光学干渉光（ギラギラした強い干渉光が部分的に生じる現象）を抑制することができる。また、開口部を構成する前記壁部の欠損が少なくなり、反射防止性能が高くなる。

式（２）における下限側の係数（０．１）は、０．１５がより好ましい。前記係数が上記の好適な値であると、ドメインがより存在し難くなり、ドメインに起因する光学干渉をより容易に抑制することができる。
式（２）における上限側の係数（０．５）は、０．４５がより好ましい。前記係数が上記の好適な値であると、前記壁部の欠損がより少なくなり、反射防止性能がより高まる。

式（２）の最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)の各値は、前記開口径分布図において、最頻値の個数（１００％）に対して１０％以上の個数を有する直径の内の最大値と最小値であり、最頻値の個数に対して２０％以上であることがより好ましく、３０％以上であることがさらに好ましい。前記の好適な範囲であると、異なる開口径を有する構造体の割合が増し、ランダムネスな配列をさらに容易に得ることができる。

前記最小直径(Dmin)は、下記式（３）を満たすことが好ましい。
式（３）… Dmin＝α×Dave（ただし、０．７５＜α＜１．０）
上記の範囲であると、反射防止性能がより高まる。
上記効果をより一層得る観点から、式（３）のαの下限値は、０．７８超が好ましく、０．８０超がさらに好ましい。

前記最大直径(Dmax)は、下記式（４）を満たすことが好ましい。
式（４）… Dmax＝β×Dave（ただし、１．０＜β＜１．３）
上記の範囲であると、反射防止性能がより高まる。
上記効果をより一層得る観点から、式（４）のβの上限値は１．２５未満が好ましく、１．２０未満がさらに好ましい。

前記開口径分布図において、前記最頻値の個数の１０％以上のピークが２つ以上観測されることが好ましい。前記ドメインに起因する光学干渉を防ぐ観点から、前記ピークの数は、好ましくは２つ以上、より好ましくは３つ以上であることが望ましい。
前記ピークの２つ以上について、最小径を有するピークと最大径を有するピークの前記直径の差の下限値は、０．３μｍ以上が好ましく、０．４μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。下限値が０．３μｍ以上であると、反射防止構造体の二次元平面に充填された吸光ユニットの開口部の配置が規則的になり過ぎず、適度なランダムネスを有する配置になるため、前記ドメインの形成をより容易に防止することができる。
前記差の上限値は、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。上限値が１．５μｍ以下であると、反射防止構造体の二次元平面において、吸光ユニットの開口部を充分に充填して高密度で配置することが容易となり、反射防止性能をより高めることができる。

前記開口径分布図は、反射防止構造体を吸光ユニットの高さ方向に沿って見下ろした電子顕微鏡像を用いて作成することができる。本発明にかかる反射防止構造体について上記の方法により作成した開口径分布図の例を図１〜５に示す。

前記開口径分布は、前記最小円の直径（開口部の開口径に相当）を０．０５μｍ刻みで横軸に取り、各直径を有する前記最小円の個数を縦軸に取って作成したヒストグラムにおいて、各区間の最小値を滑らかに結んだ分布曲線である（図１参照）。図１においては、ヒストグラムの一例とその分布曲線および各区間の最小値のプロットを示している。
図１の分布曲線から最小直径(Dmin)および最大直径(Dmax)を求める方法を次に説明する。まず、分布曲線の最頻値の縦軸値を１００％として、その１０％の縦軸値まで横軸を引き上げたライン（点線）を描く。この点線と分布曲線との交点のうち最小の横軸値を有する交点Ａが存在する区間（２．６０μｍ以上２．６５μｍ未満）の右端の値（２．６５）が最小直径(Dmin)である。ここで右端の値を採用する理由は、最頻値の１０％以上の個数を有する開口は、交点Ａが存在する区間の右隣の区間（２．６５μｍ以上２．７０μｍ以下）に存在するためである。
また、前記ライン（１０％の点線）と分布曲線との交点のうち最大の横軸値を有する交点Ｂが存在する区間（２．９０μｍ以上２．９５μｍ未満）の左端の値（２．９０）が最大直径(Dmax)である。ここで左端の値を採用する理由は、最頻値の１０％以上の個数を有する開口は、交点Ｂが存在する区間（２．９０μｍ以上２．９５μｍ未満）に存在するためである。

以下の図２〜５では便宜上、ヒストグラムを省略して分布曲線のみを示している。
図２〜５において、横軸の目盛は省略して図示しておらず、縦軸は前記個数の最頻値を１００％に換算して示している。

図２はピークＰ１を１つ有する単峰性の分布図であり、前記式（１）〜（４）を満たす。
図３は、前記最頻値の個数の１０％以上のピークＰ１，Ｐ２，Ｐ３を３つ有する多峰性の分布図であり、前記式（１）〜（４）を満たす。
図４は、前記最頻値の個数の１０％以上のピークＰ２，Ｐ３，Ｐ４を３つと、１０％未満のピークＰ１を１つ有する多峰性の分布図であり、前記式（１）〜（４）を満たす。最小のピークＰ１は１０％未満であり、そのピークの横軸値は最小直径(Dmin)よりも小さい。
図５は、前記最頻値の個数の１０％以上の個数のピークＰ１，Ｐ３を２つと、１０％未満のピークＰ２を１つ有する多峰性の分布図であり、前記式（１）〜（４）を満たす。ピークＰ２の横軸値は最小直径(Dmin)と最大直径(Dmax)の間にある。

以下、図面を参照して本発明にかかる反射防止構造体の一例を詳述する。
図６に、本発明の第一実施形態の反射防止構造体１を斜め上方から見た模式図を示す。
反射防止構造体１は、樹脂シートの表面の所定領域において、多数の吸光ユニット２が互いに隣接するように密に配置された構造を有する。

個々の吸光ユニット２は、略円形の外縁部２ａを有する底部２ｂと、外縁部２ａに沿って立ち上がる壁部２ｗとによって構成され、上方は開口部２ｃとされた筒状体である。
ここで、底部２ｂの輪郭である外縁部２ａが略円形であるとは、外縁部２ａを吸光ユニット２の高さ方向に沿って見下ろした場合にその形状を円形又は楕円形に近似しうる（その形状に近しい円形又は楕円形を想定しうる）ことをいう。

筒状の吸光ユニット２の底部２ｂと壁部２ｗとで囲まれた空間（以下、内空部という。
）の形状は、円柱又は円錐台に近似しうる。ここで、円柱形又は円錐台に近似しうる形状とは、その内空部の形状に近しい円柱又は円錐台を想定しうる形状をいう。
前記内空部は上方又は下方に向かって拡径する形状であってもよい。吸光ユニット２の形成が容易であり、光が入射する開口部２ｃの面積が広くなって反射防止性能が高まることから、前記内空部は上方に向かって拡径する形状であることが好ましい。

図７に示すように、吸光ユニット２は、外縁部２ａに沿って立ち上がる壁部２ｗを有する。外縁部２ａは底部２ｂの略円形の輪郭に沿っているので、壁部２ｗを上方から見ると（前記樹脂シートの表面を見下ろすと）、壁部２ｗは外縁部２ａをなぞるように底部２ｂを囲っている。

外縁部２ａを囲む壁部２ｗは、外縁部２ａに沿って連続していることが好ましい。仮に一部分が欠けて非連続になっている（欠損している）と、反射防止性能に影響を与える可能性があるので望ましくない。図６の模式図においては、説明の便宜のために２箇所の欠損部を描いている。外縁部２ａを囲む壁部２ｗの一部が欠けて非連続になっている場合、その部分において、隣接する２つの吸光ユニットの各内空部は連通することがある。

壁部２ｗの高さ方向は、前記樹脂シートの表面の法線方向、すなわち筒状体の高さ方向に沿う。壁部２ｗの下端は吸光ユニット２の底部２ｂに立脚し、その上端は、吸光ユニット２の開口部２ｃを形成している。以下、開口部２ｃの上端の内側の縁を開口縁２ｅという。

図８に、反射防止構造体１に備えられた隣接する２つの吸光ユニット２を、その高さ方向に沿って切断した断面模式図を示す。
この模式図に示すように、開口部２ｃの開口径ｐ１は、開口縁２ｅの差し渡しの距離であり、その平均値である平均開口径(Dave)は、１μｍ以上１０μｍ以下である。反射防止構造体１は、前述した＜Ａ＞〜＜Ｂ＞の条件を満たす。

図６に示した反射防止構造体１について、上述の方法により作成した開口径分布図を図９に示す。
図９には、横軸の直径２．６０μｍ、３．０５μｍ、３．６０μｍの位置に１つずつのピークが観測されている。これは、反射防止構造体１は、開口径が凡そ２．６０μｍ、３．０５μｍ、３．６０μｍである３種類の吸光ユニット２を有することを意味する。

反射防止構造体１の開口率は、次のように定義される。まず、電子顕微鏡で観察して吸光ユニット２の高さｈ１方向に沿って見下ろし、吸光ユニット２が２００〜３００個含まれる正方形の領域を５つ任意に設定する。これら５つの領域の全面積（１００％）に対して、前記領域に含まれる全ての吸光ユニット２の開口部２ｃの合計面積が占める百分率を前記開口率とする。ここで、個々の吸光ユニット２の開口部２ｃの面積は、個々の吸光ユニット２の開口縁２ｅによって囲まれた領域の面積を目視又は画像処理することにより求められる。前記領域を囲む一続きの壁部２ｗの一部が欠損している場合には、その欠損した部位にも開口縁２ｅが連続して存在していると仮定して前記面積を求める。
前記開口率は、４０〜８５％が好ましく、５０〜８５％がより好ましく、５５〜８５％がさらに好ましい。
上記範囲の下限値以上であると、反射防止性能がより高められる。これらの効果をより高める観点から、上記範囲の上限値は高いほど好ましいが、１００％にすることは不可能であり、８５％程度が実質的な限界といえる。

図８に示すように、反射防止構造体１が有する第一の吸光ユニット２Ａ（２）と第二の吸光ユニット２Ｂ（２）を隔てる各々の壁部２ｗは一体化している。その一体化した壁部２ｗの上端（上面）の中央部には、各々の吸光ユニット２の境界であると認識し得る箇所に、窪み２ｖが形成されている。

反射防止構造体１が有する多数の吸光ユニット２について、壁部２ｗの高さｈ１の平均（平均高さ）は５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、７μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１２μｍ以上４０μｍ以下がさらに好ましい。
壁部２ｗの高さｈ１が５μｍ以上であると、入射光の正反射を充分に防止し、反射防止構造体１が奏する反射防止性能をより高められる。なお、本明細書における「反射防止性能」は「防眩性」を含む意味である。
壁部２ｗの高さｈ１が１００μｍ以下であると、反射防止構造体１の機械的強度が充分に保たれる。

壁部２ｗの平均高さは、次のように求められる。
反射防止構造体１の任意の位置で、複数の吸光ユニット２の高さｈ１方向に沿う断面を切り出して電子顕微鏡で観察し、２００〜３００個の壁部２ｗの高さｈ１を各々測定し、それらの高さの算術平均として求められる。この際、各壁部２ｗの高さｈ１は次のようにして求められる。すなわち、前記断面における壁部２ｗの最も高い頂部（頂点）から左側の底部に向けて下り、最初の変曲点又は鞍点までの垂直距離をｇ１とし、同じ頂部から右側の底部に向けて下り、最初の変曲点又は鞍点までの垂直距離をｇ２とした場合に、ｈ１＝（ｇ１＋ｇ２）／２で求められる。ただし、壁部２ｗの上端（上面）に窪み２ｖが形成されている場合は、前記変曲点又は鞍点を特定する際にその窪み２ｖを無視する。

吸光ユニット２の壁部２ｗで囲われた底部２ｂには、壁部２ｗの高さ方向に沿って壁部２ｗの上端（高さ）よりも低い位置まで突出した多数の微小突起３が高密度に群立してなる微小突起構造を形成していてもよい。この微小突起構造は、谷間（凹部）に着目すると、底部２ｂに多数の凹部が高密度に配置された構造と見ることもできる。
反射防止構造体１に入射した光は、吸光ユニット２の開口部２ｃから内空部へ入射し、さらに底部２ｂに群立する微小突起３からなる微小突起構造に吸収される。

微小突起３同士のピッチｐ２の平均（平均ピッチ）は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下がさらに好ましい。
微小突起３同士の平均ピッチが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であると、吸光ユニット２の底部２ｂまで到達した入射光を微小突起構造内へ吸収し易く、反射防止構造体１が奏する反射防止性能をより高められる。

微小突起３同士の平均ピッチは、次のように求められる。
反射防止構造体１の任意の位置で、複数の吸光ユニット２の高さ方向に沿う断面を切り出して電子顕微鏡で観察し、１０個の吸光ユニット２について、各吸光ユニット２の底部２ｂにおける任意の１０個の微小突起３とそれに隣接する微小突起３のピッチ（隣接する微小突起３の頂部（頂点）同士の距離）を各々測定し、それらのピッチの算術平均として求められる。

上記の反射防止構造体１の断面を測定する方法において、反射防止構造体１の断面を切り出す際に微小突起３等が潰れてしまう場合には、次の代替方法を適用してもよい。すなわち、まず、反射防止構造体１の吸光ユニット２が開口している面に、樹脂組成物を塗布して硬化させることにより、吸光ユニット２及び微小突起３の形状が転写された型を作成する。次いで、その型に転写した吸光ユニット２の高さ方向に沿う断面を切り出して、１０個の吸光ユニット２について、転写された各吸光ユニット２の底部２ｂにおける任意の１０個の微小突起３（転写された凹部）とそれに隣接する微小突起３のピッチを電子顕微鏡で各々測定し、それらのピッチの算術平均として求められる。
なお、この型に転写して測定する方法は、壁部２ｗの平均高さ、開口部２ｃの平均開口径等を求める際の代替方法として適用してもよい。

反射防止構造体１に入射した光が微小突起構造に確実に吸収されるために、高さｈ２の平均は、例えば、０．１μｍ以上４μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上３μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以上２μｍ以下がさらに好ましい。

ここで、微小突起３の高さｈ２の平均は、次のように求められる。
反射防止構造体１の任意の位置で、複数の吸光ユニット２の高さ方向に沿う断面を切り出して電子顕微鏡で観察し、１０個の吸光ユニット２について、各吸光ユニット２の底部２ｂにおける任意の１０個の微小突起３の高さｈ２を各々測定し、それらの高さｈ２の算術平均として求められる。この際、各微小突起３の高さｈ２は次のようにして求められる。すなわち、前記断面における微小突起３の頂部から左側の底部に向けて下り、最初の変曲点又は鞍点までの垂直距離をｊ１とし、同じ微小突起３の頂部から右側の底部に向けて下り、最初の変曲点又は鞍点までの垂直距離をｊ２とした場合に、ｈ２＝（ｊ１＋ｊ２）／２で求められる。
また、前述した型に転写して測定する方法を適用してもよい。この場合、型に転写した吸光ユニット２の高さ方向に沿う断面を切り出して電子顕微鏡で観察し、１０個の吸光ユニット２について、転写された各吸光ユニット２の底部２ｂにおける任意の１０個の微小突起３の高さｈ２（転写された凹部の深さ）を各々測定し、それらの高さｈ２の算術平均として求められる。この際の各高さｈ２も、前述の方法と同様にして求められる。

反射防止構造体１に入射した光が微小突起構造に確実に吸収されるために、外縁部２ａに囲まれた底部２ｂの全面積（１００％）に対する微小突起３が形成されている領域の面積の占有率は、例えば、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がより好ましく、９０〜１００％がさらに好ましい。
個々の吸光ユニット２における微小突起構造の前記占有率は、個々の吸光ユニット２の底部２ｂを電子顕微鏡で観察し、その底部２ｂの全面積を求めたうえで、微小突起構造が形成されている領域の面積を目視又は画像処理で求めることにより算出することができる。
反射防止構造体１の任意の１０個の吸光ユニット２について、上記占有率を算出し、その算術平均を反射防止構造体１の吸光ユニット２における上記占有率の平均値とする。
この平均値は、上記光吸収が確実に行われるために、例えば、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がより好ましく、９０〜１００％がさらに好ましい。

図１０に示すように、反射防止構造体１に入射した光線Ｌ１は、吸光ユニット２の開口部２ｃから内空部に入射し、壁部２ｗの内側面に反射し、底部２ｂに群立する微小突起構造に取り込まれ、吸収される。一方、反射防止構造体１に入射した光線Ｌ２は、第一の吸光ユニット２Ａと第二の吸光ユニット２Ｂとの共通の壁部である壁部２ｗの上面において反射される。
したがって、隣接する吸光ユニット２の開口部２ｃ同士の隙間の領域が小さくなるほど、反射防止性能を高められる。
反射防止構造体１の吸光ユニット２が形成されている所定領域の全面積（１００％）に対して、隣接する吸光ユニット２同士の隙間の領域の合計面積は、その全面積から吸光ユニット２の開口部２ｃが占める合計面積を引いた面積である。

図１０に示すように、反射防止構造体１の反射防止性能を低下させる原因は、第一の吸光ユニット２Ａと第二の吸光ユニット２Ｂとの共通の壁部である壁部２ｗの上面に入射した光線Ｌ２が反射されることである。ただし、反射防止構造体１においては、その上面に窪み２ｖが形成されているので、少なくとも光線Ｌ２が正反射することは防止されている。正反射（入射角と反射角とがぼほ同じ反射）を防止することにより、目的の反射防止性能の一部は達成される。

したがって、反射防止構造体１の吸光ユニット２の高さｈ１方向に沿って見下ろして、隣接する吸光ユニット２の開口部２ｃ同士の隙間において、各吸光ユニット２の壁部２ｗが一体化している場合、その一体化した壁部２ｗの上端が窪んでいることが好ましい。この反射防止構造体１の吸光ユニット２の高さｈ１方向に沿って切断した断面を見ると、前記一体化した壁部２ｗの上端において、各開口縁２ｅの高さよりも低くされた窪み２ｖが形成されている。

図１０に示したように、反射防止構造体１を構成する各吸光ユニット２は略円形の開口部２ｃを有する。このため、入射する光の方位（上方から見た吸光ユニット２に入射する光線を吸光ユニット２の上面に投影した直線の方向）に関わらず、全方位（３６０°）の何れから入射する光についても全て同じように吸光ユニット２の開口部２ｃからその内部へ誘導し、吸収することができる。すなわち、反射防止構造体１が奏する反射防止性能は、光の入射方位に関わらず、あらゆる方向から入射する光に対して均等に発揮される。

《反射防止構造体の製造方法》
本発明にかかる反射防止構造体は、例えば、以下のようにして製造する型を使用することにより大量に生産することができる。
まず、型を形成する基板Ｓの表面をブラスト処理等の公知方法によって粗面加工する。
表面の荒れの程度としては、例えば、算術平均粗さＲａ０．０１μｍ〜０．５μｍ程度が好ましい。
次に、図１１（ａ）に示すように、粗面加工した基板Ｓの表面に、公知のフォトリソグラフィまたはナノインプリントによってパターニングされたエッチングマスクである円盤Ａを多数配置する。円盤Ａを上方から見ると略円形であり、この大きさと形状は反射防止構造体１の吸光ユニット２の開口部２ｃの大きさと形状に対応している。基板Ｓの表面に配置された円盤Ａ同士は互いに側面で接触せずに密に敷き詰められている。
次に、図１１（ｂ）に示すように、敷き詰めた円盤Ａの層に対して、上方からエッチングガスＧを吹き付けると、円盤Ａ同士の間隙を吹き抜けたエッチングガスＧが基板Ｓをエッチングする。なお、エッチングガスＧは反応性ガスおよびプラズマ化によって電離したイオン、ラジカルを含む。この際、エッチング耐性を有する円盤Ａはエッチングされにくく、各円盤Ａの厚みと直径が少し縮小する程度に留まるので、各円盤Ａが基板表面のエッチングを防ぐ機能を有する。この結果、円盤Ａの下方にあった基板Ｓの部位は殆どエッチングされずに残るため、円盤Ａの配置を反映して高密度に群立した円柱体Ｃの群が基板表面に形成される。隣接する円柱体Ｃ同士を隔てる孔（エッチングにより形成された孔）の底部には、前述した窪み２ｖに対応する突起ｔが形成される。この突起ｔは、円盤Ａ同士が最も近づく箇所の下方におけるエッチングレートが遅くなっていることに基づき、形成される。
続いて、図１１（ｃ）に示すように、エッチングされた基板表面から円盤Ａを除去する。円盤Ａが載っていた基板表面ｕには、粗面加工によって形成された荒れが保持されている。
最後に、図１１（ｄ）に示すように、円盤Ａを除去した後の荒れた基板表面ｕにエッチングガスＧを吹き付ける。荒れによって基板表面ｕにおけるエッチングレートに差異が生じているため、エッチングを進めるにつれて反射防止構造体１の前記微小突起構造に対応する凹凸群Ｍが形成される。以上の方法により、目的の型Ｐが得られる。

型を作製する別の方法として、フォトリソグラフィまたはナノインプリントを使用しない以下の方法も例示できる。
まず、図１２（ａ）に示すように、基板Ｓの表面に多数の微粒子Ｂを散布し、微粒子Ｂ同士が互いに接触するように密に敷き詰める。ただし、微粒子Ｂが他の微粒子Ｂの上に乗り上がる（積み上がる）又は潜り込むことは避けて、１層の微粒子Ｂからなる層が基板表面に形成されるようにする。各微粒子Ｂの形状は真球であってもよいし、真球以外の形状、例えば回転楕円体等であってもよい。各微粒子Ｂの直径や大きさは、反射防止構造体１の吸光ユニット２の開口部２ｃの大きさに対応する。
次に、図１２（ｂ）に示すように、敷き詰めた微粒子Ｂの層に対して、上方からエッチングガスＧを吹き付けると、微粒子Ｂ同士の間隙を吹き抜けたエッチングガスＧが基板Ｓをエッチングする。この際、エッチング耐性を有する微粒子Ｂはエッチングされにくく、各粒子の高さと幅が少し縮小する程度に留まるので、各微粒子Ｂが基板表面のエッチングを防ぐマスクとして機能する。この結果、微粒子Ｂの下方にあった基板Ｓの部位は殆どエッチングされずに残るため、微粒子Ｂの配置を反映して高密度に群立した円柱体Ｃの群が基板表面に形成される。隣接する円柱体Ｃ同士を隔てる孔（エッチングにより形成された孔）の底部には、前述した窪み２ｖに対応する突起ｔが形成される。この突起ｔは、微粒子Ｂ同士の接点の下方におけるエッチングレートが遅くなっていることに基づき、形成される。
続いて、図１２（ｃ）に示すように、エッチングされた基板表面から微粒子Ｂを除去する。この際、通常は微粒子Ｂが載っていた基板表面ｕが荒れた粗面になっている。基板表面ｕが荒れている理由は、微粒子Ｂに由来する残渣が残留したり、エッチング時に微粒子Ｂの下方に回り込んだエッチングガスが基板表面ｕを不均一にエッチングしたりすることであると考えられる。
最後に、図１２（ｄ）に示すように、微粒子Ｂを除去した後の荒れた基板表面ｕにエッチングガスＧを吹き付ける。荒れによって基板表面ｕにおけるエッチングレートに差異が生じているため、エッチングを進めるにつれて反射防止構造体１の前記微小突起構造に対応する凹凸群Ｍが形成される。以上の方法により、目的の型Ｐが得られる。

上述した様に多数の微粒子Ｂを基板面Ｓの表面に密に敷き詰める際、微粒子Ｂが他の微粒子Ｂの上に乗り上げたり、逆に微粒子Ｂが他の微粒子Ｂの下に潜り込んだりすることは望ましくない。このような乗り上げや潜り込みを避けるために、使用する微粒子Ｂの粒子径が次の条件を満たすことが好ましい。以下の条件を満たすと、上記の乗り上げや潜り込みを防ぐことができ、製造する反射防止構造体における前記壁部の欠損やドメインの発生を防ぎ、その反射防止性能をより一層高めることができる。

すなわち、製造に使用する微粒子からランダムに抽出した微粒子２００〜３００個の直径を電子顕微鏡で観察して０．０５μｍ刻みで各々測定し、各直径の算術平均である平均粒子径(PSave)が、下記式（１０）を満たすことが好ましい。ここで、粒子の直径は、電子顕微鏡写真における粒子の最長径（最も長い差し渡しの長さ）である。
式（１０）… １μｍ≦PSave≦１０μｍ
また、前記平均粒子径(PSave)と、最大直径(PSmax)及び最小直径(PSmin)は、下記式（２０）を満たすことが好ましい。
式（２０）… ０．１≦（PSmax−PSmin）／Dave≦０．５
ここで、前記式（２０）の最大直径(PSmax)及び最小直径(PSmin)の各値は、それぞれ、上述のように電子顕微鏡で観察して測定した各微粒子の直径について、その直径を横軸に取り、各直径を有する前記微粒子の個数を縦軸に取って得られる粒子径分布図において、最頻値の個数（１００％）に対して１０％以上の個数を有する直径の内の最大値と最小値である。

式（１０）を満たすことにより、反射防止性に優れた反射防止構造体を容易に製造することができる。この効果をより一層得る観点から、式（１０）の下限値は２．０μｍが好ましく、２．５μｍがより好ましく、３．０μｍがさらに好ましく；式（１０）の上限値は６．０μｍが好ましく、５．５μｍがより好ましく、５．０μｍがさらに好ましい。

式（２０）を満たすことにより、開口部が密に配置された反射防止面に前記ドメインが形成されることを容易に抑制することができる。また、式（２０）を満たすことにより、開口部を構成する前記壁部の欠損をより低減することができ、反射防止性により優れた反射防止構造体を歩留り良く製造することができる。

式（２０）における下限側の係数（０．１）は、０．１５がより好ましい。前記係数が上記の好適な値であると、前記ドメインの形成をより確実に抑制することができる。
式（２０）における上限側の係数（０．５）は、０．４５がより好ましい。前記係数が上記の好適な値であると、前記壁部の欠損をより低減し、製造歩留まりをより高めることができる。

前記最小直径(PSmin)は、下記式（３０）を満たすことが好ましい。
式（３０）… PSmin＝α’×PSave（ただし、０．７５＜α’＜１．０）
上記の範囲であると、反射防止性に優れた反射防止構造体を容易に製造することができる。
上記効果をより一層得る観点から、式（３０）のα’の下限値は、０．７８超が好ましく、０．８０超がより好ましい。

前記最大直径(PSmax)は、下記式（４０）を満たすことが好ましい。
式（４０）… PSmax＝β’×PSave（ただし、１．０＜β’＜１．３）
上記の範囲であると、反射防止性に優れた反射防止構造体を容易に製造することができる。
上記効果をより一層得る観点から、式（４０）のβ’の上限値は１．２５未満が好ましく、１．２０未満がより好ましい。

前記粒子径分布図は、製造する反射防止構造体に関する前述の開口径分布と同様な図（分布曲線）になる。
前記粒子径分布図において、前記最頻値の個数の１０％以上のピークが２つ以上観測されることが好ましい。製造する反射防止構造体における前記ドメインに起因する光学干渉を防ぐ観点から、前記ピークの数は、好ましくは２つ以上、より好ましくは３つ以上であることが望ましい。
前記ピークの２つ以上について、最小径を有するピークと最大径を有するピークの直径の差の下限値は、０．３μｍ以上が好ましく、０．４μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。０．３μｍ以上であると、製造する反射防止構造体の二次元平面に充填された吸光ユニットの開口部の配置が規則的になり過ぎず（基板面Ｓに敷き詰める微粒子Ｂの配置が規則的になり過ぎず）、適度なランダムネスを有する配置になるため、前記ドメインの形成をより容易に防止することができる。
前記差の上限値は、２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。これらの上限値であると、製造する反射防止構造体の二次元平面において、吸光ユニットの開口部を充分に充填して高密度で配置することが容易となり、反射防止性能をより高めることができる。
式（２０）の最大直径(PSmax)及び最小直径(PSmin)の各値は、前述のDmax、Dminと同様に分布曲線から求められ、最頻値の個数（１００％）に対して１０％以上の個数を有する直径の内の最大値と最小値であり、最頻値の個数に対して２０％以上であることがより好ましく、３０％以上であることがさらに好ましい。前記の好適な範囲であると、異なる開口径を有する構造体の割合が増し、ランダムネスな配列をさらに容易に得ることができる。

以上で説明した方法で作製した型の電子顕微鏡写真を図１３に示す。円柱体Ｃが群立し、円柱体Ｃの上面に凹凸群Ｍが形成されている様子が観察される。

図１４に示すように、上記の方法で作製した型Ｐを、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、および熱硬化性樹脂組成物等の合成樹脂に対して、ナノインプリント法、プレス成形法、射出成形法等の公知の技術によって微細構造を転写成形し、成形後に型から成形物を取り外すことによって、反射防止構造体１が表面に形成された成形物Ｑが得られる。
成形物Ｑの形態としては、例えば、フィルム、シート、板、その他の成形体等が挙げられる。

＜材料＞
型Ｐを作製する基板Ｓの材料としては、例えば、Ｓｉ、ガラス、石英等が挙げられる。
なかでも、エッチング対象物として加工性がよく、また広く使用されているという理由からＳｉが好ましい。

基板Ｓの表面に敷き詰める円盤Ａを構成するエッチングマスクとしては、例えば、フォトレジストが挙げられる。公知の感光性機能性高分子材料等、好適なパターニングが可能であるとともにエッチング工程におけるマスクとして適した材料が用いられる。フォトリソグラフィで用いられるレジスト材料を含む液状体は、例えば、ポリマー、感光剤、添加剤、および、溶剤を主成分とする混合物である。その他、円盤Ａは、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチング法とによって形成される無機化合物からなるハードマスクであってもよく、例えば、ＣＶＤ法などで形成されるシリコン窒化膜やシリコン酸化膜によって形成されていてもよい。
上記のなかでも、円盤Ａの材料は、容易にエッチングマスクのパターニングが可能という理由からフォトレジストが好ましい。

基板Ｓの表面に敷き詰める微粒子Ｂの材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗなどの金属、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ_２、ＣａＯ_２などの金属酸化物が挙げられる。また、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＳｉＣ、ＷＣなどの炭化物、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレートなどの有機高分子、その他の半導体材料、無機高分子なども挙げられる。また、これらの材料の少なくとも２種類を併用することもできる。上述した材料のなかでも、微粒子Ｂの材料としては、基板Ｓに対するエッチング選択比の自由度が高い観点から、無機酸化物であることが好ましい。また、無機酸化物のなかでもＳｉＯ_２（シリカ）がより好ましい。

基板Ｓをエッチングするエッチングガスとしては、基板Ｓの種類にもよるが、例えば、Ａｒ、ＳＦ_６、Ｆ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆ、Ｃ_３Ｆ_８、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＳｉＣｌ_４、ＢＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＢＣ_２、Ｂｒ_２、Ｂｒ_３、ＨＢｒ、ＣＢｒＦ_３、ＨＣｌ、ＣＨ_４、ＮＨ_３、Ｏ_２、Ｈ_２、Ｎ_２、ＣＯ、ＣＯ_２からなる群から選択される１種類以上のガスをエッチングガスとして用いればよい。なかでも、基板ＳがＳｉであった場合、一般的に広く使用されるガスという理由からＡｒ、ＳＦ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＣＨ_４、ＮＨ_３、Ｏ_２、Ｈ_２、Ｎ_２、からなる群から選択される１種類以上のガスが好ましい。ドライエッチングの方式はマスクの形状を精細に反映するために異方性エッチングが好ましい。また、ドライエッチングの種類は特に限定されず、例えば、スパッタエッチングでもよいし、プラズマエッチングでもよいし、反応性イオンエッチングでもよい。

反射防止構造体１の材料は、合成樹脂であることが好ましい。合成樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の公知の合成樹脂が挙げられる。好適な材料としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、アクリル樹脂等の合成樹脂などを用いることができる。また、その形状としては例えばフィルム状、シート状、プレート状、ブロック状、レンズ状、球状等とすることができる。これらの形状は特に限定されるものでなく、その使用用途によって変更することができる。

［実施例１］
図１２に示した基板Ｓと同様の構成の型Ｐを以下の手順で作製し、その型を使用し熱可塑性樹脂に熱ナノインプリント法で転写するという手順で反射防止構造体を作製した。
呼び径３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍの３種類の粒子径の球形コロイダルシリカの２０質量％水分散体を各々用意し、これらを重量比１．０：１．０：１．０で混合した水分散体を用意した。この水分散体を孔径１０μｍφのメンブランフィルターでろ過した。メンブランフィルターを通過した水分散体に、濃度１．０質量％のフェニルトリエトキシシランの加水分解物水溶液を加え、約４０℃で３時間反応させて反応液を得た。この際、フェニルトリエトキシシランの質量がコロイダルシリカ粒子の質量の０．０２倍となるように水分散体と加水分解水溶液とを混合した。
得られた反応液に、この反応液の４倍の体積のメチルエチルケトンを加えて十分に攪拌して、疎水化されたコロイダルシリカを油相抽出し、濃度０．９１質量％の疎水化コロイダルシリカ分散液を得た。

得られた疎水化コロイダルシリカ分散液を、単粒子膜の表面圧を計測する表面圧力センサーと、単粒子膜を液面に沿う方向に圧縮する可動バリアとを備えた水槽（ＬＢトラフ装置）中の液面（下層水として水を使用、水温２５℃）に滴下速度０．０１ｍＬ／秒で滴下した。水槽の下層水にはあらかじめ、基板として、表面が平坦なＳｉ基板（６ｉｎｃｈ）を略鉛直方向に浸漬しておいた。
その後、超音波（出力３００Ｗ、周波数９５０ｋＨｚ）を下層水中から水面に向けて１０分間照射して粒子が二次元的に最密充填するのを促しつつ、分散液の溶剤であるメチルエチルケトンを揮発させ、単粒子膜を形成させた。
ついで、この単粒子膜を可動バリアにより拡散圧が２５ｍＮｍ^−１になるまで圧縮し、基板を５ｍｍ／分の速度で引き上げ、基板の片面上に移し取った。
続いて、単粒子膜が形成された基板上にバインダーとして１質量％モノメチルトリメトキシシランの加水分解液を浸透させ、その後、加水分解液の余剰分をスピンコーター（３０００ｒｐｍ）で１分間処理して除去した。その後、これを１００℃で１０分間加熱してバインダーを反応させ、単粒子膜付きの基板を得た。

前記単粒子膜付き基板に対して、ＣＦ_４、Ｃｌ_２、Ｏ_２の混合ガスによりドライエッチングを行った。エッチング条件は、アンテナパワー（ソースパワー）１５００Ｗ、バイアスパワー１０００Ｗ、ガス流量１００ｓｃｃｍ、エッチング時間１０００秒とした。その後、エッチングされた微粒子をワイピングおよび水洗によって除去し、さらにＣｌ_２ガスによりドライエッチングを行い実施例１の型Ｐを作製した。

実施例１の型Ｐを使用し、ＣＯＰフィルム上に圧力６．０ＭＰａ、処理温度１５０℃で熱ナノインプリントを行い、室温まで冷却させた後に実施例１の反射防止構造体を得た。
実施例１の反射防止構造体を電子顕微鏡で観察したところ、隣接する吸光ユニット同士の壁部が一体化しており、その一体化した壁部の上端が窪んでいた。また、各部のサイズ等を前述の方法によって求めたところ、下記の通りであった。
壁部の平均高さ：１３．０μｍ
開口率：５９．２％
底部の微小突起構造：あり
底部の微小突起構造平均ピッチ：１１０ｎｍ
底部の微小突起構造平均高さ：７５０ｎｍ

また、実施例１の反射防止構造体に関して、前述した方法で作成した開口径分布図を図１５に示す。これに基づく結果は次の通りであった。この結果を表１に示す。
開口部の平均開口径(Dave)：３．０６μｍ
開口径分布図の最小直径(Dmin)：２．６０μｍ
開口径分布図の最大直径(Dmax)：３．５５μｍ
(Dmax−Dmin)／Dave＝０．３１０
以上の結果は、前記式（１）、（２）を満たしていた。
実施例１で使用した微粒子について、前述した方法で作成した粒子径分布図を図１６に示す。これに基づく結果は次の通りであった。
平均粒子径(PSave)：３．５０μｍ
最小直径(PSmin)：２．９５μｍ
最大直径(PSmax)：４．０５μｍ

［比較例１］
呼び径３．０μｍ、３．２μｍの２種類の球形コロイダルシリカの２０質量％水分散体を各々用意し、重量比１．０：１．０で混合した水分散体を用意した以外、実施例１と同様な手法を用いて、比較例１の型Ｐを作製した。その後、実施例１と同様な手法を用いて比較例１の反射防止構造体を得た。
比較例１の反射防止構造体を電子顕微鏡で観察し、各部のサイズ等を前述の方法によって求めたところ、下記の通りであった。
壁部の平均高さ：１３．０μｍ
開口率：６０．５％
底部の微小突起構造：あり
底部の微小突起構造平均ピッチ：１１０ｎｍ
底部の微小突起構造平均高さ：７５０ｎｍ

また、比較例１の反射防止構造体に関して、前述した方法で作成した開口径分布図を図１７に示す。これに基づく結果は次の通りであった。この結果を表１に示す。
開口部の平均開口径(Dave)：２．７２μｍ
開口径分布図の最小直径(Dmin)：２．６０μｍ
開口径分布図の最大直径(Dmax)：２．８０μｍ
(Dmax−Dmin)／Dave＝０．０７４
以上の結果は、前記式（２）を満たしていない。
比較例１で使用した微粒子について、前述した方法で作成した粒子径分布図を図１８に示す。これに基づく結果は次の通りであった。
平均粒子径(PSave)：３．１０μｍ
最小直径(PSmin)：２．９５μｍ
最大直径(PSmax)：３．２５μｍ

［比較例２］
呼び径３．０μｍ、３．５μｍ、８．０μｍの３種類の球形コロイダルシリカの２０質量％水分散体を各々用意し、重量比１．０：１．０：１．０で混合した水分散体を用意した以外、実施例１と同様な手法を用いて、比較例２の型Ｐを作製した。その後、実施例１と同様な手法を用いて比較例１の反射防止構造体を得た。
比較例２の反射防止構造体を電子顕微鏡で観察し、各部のサイズ等を前述の方法によって求めたところ、下記の通りであった。
壁部の平均高さ：１３．０μｍ
開口率：４６．１％
底部の微小突起構造：あり
底部の微小突起構造平均ピッチ：１１０ｎｍ
底部の微小突起構造平均高さ：７５０ｎｍ

また、比較例２の反射防止構造体に関して、前述した方法で作成した開口径分布図を図１９に示す。これに基づく結果は次の通りであった。この結果を表１に示す。
開口部の平均開口径(Dave)：４．１６μｍ
開口径分布図の最小直径(Dmin)：２．６０μｍ
開口径分布図の最大直径(Dmax)：６．９５μｍ
(Dmax−Dmin)／Dave＝１．０４６
以上の結果は、前記式（２）を満たしていない。
比較例２で使用した微粒子について、前述した方法で作成した粒子径分布図を図２０に示す。これに基づく結果は次の通りであった。
平均粒子径(PSave)：４．８５μｍ
最小直径(PSmin)：３．００μｍ
最大直径(PSmax)：８．０５μｍ

＜反射防止性能の評価＞
実施例、比較例で作製した反射防止構造体の反射防止性能を確認するため、日本分光製分光光度計Ｖ−７７０を使用し、視感度補正後の積分反射率（Ｙ％値）を評価した。Ｙ値の数値が低いほど、反射率が低く、反射防止性能に優れることを意味する。

＜評価結果と考察＞
上記評価の結果、実施例１は反射防止構造体をランダムネスに配列させることにより、ドメインに起因する光学干渉が抑制された。さらに、底部に微小突起構造を設けることで反射防止性能がより優れていた。一方、比較例１はドメインに起因する光学干渉、比較例２は壁欠損に起因してＹ値が大きく、反射防止性能が劣っていた。

本発明は、反射防止シート等の樹脂成形体の分野において幅広く適用することができる。

１…反射防止構造体、２…吸光ユニット、２ａ…外縁部、２ｂ…底部、２ｃ…開口部、２
ｅ…開口縁、２ｗ…壁部、２ｖ…窪み、２ｚ…連通している箇所、３…微小突起、Ｌ１…
入射光線、Ｌ２…入射光線、Ａ…レジストからなる円盤、Ｂ…微粒子、Ｓ…基板、Ｃ…円
柱体、Ｇ…エッチングガス、ｔ…突起、ｕ…基板表面、Ｍ…凹凸群、Ｐ…型、Ｑ…硬化物

Claims (7)

1. 略円形の外縁部を有する底部と、前記外縁部に沿って立ち上がる壁部を有し、前記底部の上方は開口部とされている有底筒状の吸光ユニットを複数備えた反射防止構造体であって、下記＜Ａ＞〜＜Ｂ＞の条件を満たすことを特徴とする反射防止構造体。
   ＜Ａ＞
   前記反射防止構造体を前記吸光ユニットの高さ方向に沿って見下ろして、前記吸光ユニットが２００〜３００個含まれる正方形の領域を任意に設定し、その正方形の２本の対角線を横切った各吸光ユニットについて、開口部を含む最小円の直径を０．０５μｍ刻みで各々測定する。この測定処理を互いに重ならない５つの領域について行い、測定した全ての直径の算術平均として求められる前記開口部の平均開口径(Dave)が、下記式（１）を満たす。
   式（１）… １μｍ≦Dave≦１０μｍ
   ＜Ｂ＞
   前記平均開口径(Dave)と、最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)は、下記式（２）を満たす。
   式（２）… ０．１≦（Dmax−Dmin）／Dave≦０．５
   ここで、前記式（２）の最大直径(Dmax)及び最小直径(Dmin)の各値は、それぞれ、前記＜Ａ＞で測定した各最小円について、その直径を横軸に取り、各直径を有する前記最小円の個数を縦軸に取って得られる開口径分布図において、最頻値の個数に対して１０％以上の個数を有する直径の内の最大値と最小値である。
2. 前記開口径分布図において、前記最頻値の個数の１０％以上のピークが１つ観測される請求項１に記載の反射防止構造体。
3. 前記開口径分布図において、前記最頻値の個数の１０％以上のピークが２つ以上観測される請求項１に記載の反射防止構造体。
4. 前記ピークの２つ以上について、最小径を有するピークと最大径を有するピークの前記直径の差が０．３μｍ以上、１．５μｍ以下である請求項３に記載の反射防止構造体。
5. 前記壁部の平均高さは５μｍ以上１００μｍ以下である請求項１〜４に記載の反射防止構造体。
6. 前記底部に、平均ピッチ１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下で群立する微小突起構造が形成されている請求項１〜５の何れか一項に記載の反射防止構造体。
7. 前記微小突起の平均高さは０．１μｍ以上４μｍ以下である請求項６に記載の反射防止構造体。