JP6330711B2 - 光学素子 - Google Patents
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例えば特許文献1では、凸部に二つ以上のステップを設けることにより、光学素子の反射防止性能を向上させることが記載されている。凸部に二つ以上のステップを設けると、モスアイ構造による屈折率が連続的に変化する界面の中に、不連続界面が生じる。この不連続界面は、入射した光の一部を反射する。この不連続界面で反射した光同士を干渉させることで、反射光を低減させることが提案されている。
その結果、所定の範囲に凸部のステップの幅や位置を設ければよいことを見出した。
〔1〕基体上に、使用環境下の光の波長以下の最頻ピッチを有する複数の微小な凸部を備え、前記凸部の80%以上が、1つ以上のステップを有し、かつ以下の条件を満たすことを特徴とする光学素子;(ただし、dは前記凸部の最頻直径であり、hは前記凸部の最頻高さであり、wsは前記凸部の頂部を通る任意の切断面における各ステップの幅の合計であり、zsはこれら各ステップの高さの平均値である。)。
〔5〕前記ステップを有する凸部の包絡面が、錘形状であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれか一項に記載の光学素子。
〔6〕隣接する7つの前記凸部の中心点が正六角形の6つの頂点と対角線の交点となる位置関係で連続して整列しているエリアを複数備え、該複数のエリアの面積、形状および格子方位がランダムであることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれか一項に記載の光学素子。
図1におけるt1〜tnは各凸部c1〜cnの中心点である。AFM(原子間力顕微鏡)の測定結果に基づき、基準面と平行に各凸部について20nm毎に複数の等高線を引き、各等高線の重心点(x座標とy座標で決定される点)を求める。これらの各重心点の平均位置(各x座標の平均とy座標の平均で決定される位点)が、該凸部の中心点である。
図1におけるm1〜mnは、AFMで求めた隣接する中心点の中点である。また、平坦面fは、AFMの測定結果に基づき、その領域内の中点における表面高さと、その領域内における任意の点の表面高さとを結ぶ直線の、AFMの基準面に対する傾きが±10゜以下である領域である。なお、基準面は測定領域における基体面と平行な面とした。
まず、基体1上における無作為に選択された領域で、一辺が最頻ピッチPの30〜40倍の正方形の領域について、AFMイメージを得る。例えば、最頻ピッチが300nm程度の場合、9μm×9μm〜12μm×12μmの領域のイメージを得る。そして、このイメージをフーリエ変換により波形分離し、FFT像(高速フーリエ変換像)を得る。ついで、FFT像のプロファイルにおける0次ピークから1次ピークまでの距離を求める。こうして求められた距離の逆数がこの領域における最頻ピッチPである。このような処理を無作為に選択された合計25カ所以上の同面積の領域について同様に行い、各領域における最頻ピッチを求める。こうして得られた25カ所以上の領域における最頻ピッチP1〜P25の平均値が最頻ピッチPである。なお、この際、各領域同士は、少なくとも1mm離れて選択されることが好ましく、より好ましくは5mm〜1cm離れて選択される。
各エリアC1〜Cnは、隣接する7つの凸部の中心点が正六角形の6つの頂点と対角線の交点となる位置関係で連続して整列している領域である。なお、図2では、各凸部の中心点の位置を、便宜上、その中心点を中心とする円uで示している。円uは、図1に示すように、各凸部だけでなく、その周辺の平坦面を含む領域に相当する。
本発明において、隣接する7つの凸部の中心点が正六角形の6つの頂点と対角線の交点となる位置関係とは、具体的には、以下の条件を満たす関係をいう。
まず、1つの中心点t1から、隣接する中心点t2の方向に長さが最頻ピッチPと等しい長さの線分L1を引く。次いで中心点t1から、線分L1に対して、60゜、120゜、180゜、240゜、300゜の各方向に、最頻ピッチPと等しい長さの線分L2〜L6を引く。中心点t1に隣接する6つの中心点が、中心点t1と反対側における各線分L1〜L6の終点から、各々最頻ピッチPの15%以内の範囲にあれば、これら7つの中心点は、正六角形の6つの頂点と対角線の交点となる位置関係にある。
最頻ピッチPが500nm未満の時、10μm×10μmのAFMイメージ測定範囲内における最頻面積Qは、0.026μm2〜6.5μm2であることが好ましい。
最頻ピッチPが500nm以上1μm未満の時、10μm×10μmのAFMイメージ測定範囲内における最頻面積Qは、0.65μm2〜26μm2であることが好ましい。
最頻ピッチPが1μm以上の時、50μm×50μmのAFMイメージ測定範囲内における最頻面積Qは、2.6μm2〜650μm2であることが好ましい。
最頻面積Qが好ましい範囲内であれば、反射防止性能の視野角依存性が高くなる問題を防止しやすい。
面積のランダム性の度合いは、具体的には、以下の条件を満たすことが好ましい。
まず、ひとつのエリアの境界線が外接する最大面積の楕円を描き、その楕円を下記式(7)で表す。
最頻ピッチPが500nm以上1μm未満の時、10μm×10μmのAFMイメージ測定範囲内におけるπabの標準偏差は、1.95μm2以上であることが好ましい。
最頻ピッチPが1μm以上の時、50μm×50μmのAFMイメージ測定範囲内におけるπabの標準偏差は、8.58μm2以上であることが好ましい。
πabの標準偏差が好ましい範囲内であれば、反射光の平均化の効果に優れ、反射防止性能の視野角依存性が高くなる問題を防止しやすい。
また各エリアC1〜Cnの格子方位のランダム性は、具体的には、以下の条件を満たすことが好ましい。
まず、任意のエリア(I)における任意の隣接する2つの凸部の中心点を結ぶ直線K0を画く。次に、該エリア(I)に隣接する1つのエリア(II)を選択し、そのエリア(II)における任意の凸部と、その凸部に隣接する6つの凸部の中心点を結ぶ6本の直線K1〜K6を画く。直線K1〜K6が、直線K0に対して、いずれも3度以上異なる角度である場合、エリア(I)とエリア(II)との格子方位が異なる、と定義する。
エリア(I)に隣接するエリアの内、格子方位がエリア(I)の格子方位と異なるエリアが2以上存在することが好ましく、3以上存在することが好ましく、5以上存在することがさらに好ましい。
FFT基本波の最大値と最小値の比が大きい場合は、凸部の格子方位が揃っており、凸部を2次元結晶とみなした場合単結晶性が高い構造と言える。反対に、FFT基本波の最大値と最小値の比が小さい場合は、凸部の格子方位が揃っておらず、凸部を2次元結晶とみなした場合は多結晶構造であると言える。
また最頻直径dは、同様の範囲において、各凸部の底点間距離を有効桁数2桁で丸め各凸部の直径とし、その最頻値を求めることで得られる。
また最頻高さhは、同様の範囲において、各凸部の頂点の高さと底点の高さとの差を有効桁数2桁で丸め各凸部の高さとし、その最頻値を求めることで得られる。
まずステップは、以下の手順で設定する。なお凸部c1〜cnは、包絡面の形状において、作用効果上無視できる程度の微細な凹凸を有する場合があり、そのような微細な凹凸は無視した上で設定するものとする。具体的には、凸部のフィッティング曲線に対して、凸部c1〜cnの最頻高さhの3%以下の変化は無視する。
(ア)広義の変曲点を求める。
(イ)変曲点のそれぞれに接線を引く。
(ウ)接線の交点に最も近い点を変化点とする。
(エ)各変化点同士を直線で結ぶ。また最も頂点に近い変化点は、次の変化点がないため、変化点における接線を引く。こうして得られた直線を底点に近いものから第1直線、第2直線、・・・とする。
(オ)これらの直線のうち第n直線の傾きが、第n−1直線の傾きおよび第n+1直線の傾き以下である場合、この第n直線の区間を「ステップ」と定義する。
上記(ア)〜(オ)の手順を、図3(a)〜(d)を用いて説明する。図3(a)〜(d)はステップの定義を説明するための模式図である。
ステップの幅は、図4で示すように、前述のように定義されたステップを凸部の底面への射影した幅を意味する。すなわち、図4において、第1ステップの幅はw1である。ステップの幅の合計は、これら各ステップの幅の合計であり、ステップの幅の合計wsは、w1+w2+w3の2倍の値となる。2倍の値となるのは、ステップは同じ高さにおいて、凸部の周方向に同等に形成されるためである。すなわち、図4では1つの底点から頂点までの間にあるステップのみを示しているが、凸部の頂点を通る任意の断面で切断した際に、ステップは1つの底点から頂点までの間と、頂点からもう一つの底点までの間にも存在するため2倍となる。
またステップの高さは、ステップの中点の高さと底点の高さ差を意味する。すなわち、例えば図3(d)で定義された第1ステップの高さはz1となる。また「ステップの高さの平均値zs」は、図4において(z1+z2+z3)/3を意味する。このとき、ステップの幅と異なり2倍の値とならないのは、zsは平均値であるためである。
以下に、光学素子の製造方法について説明する。本発明の光学素子は、多数の粒子Mを2次元的に配列させたエッチングマスクを用いることで作製することができる。図5は、本発明の光学素子の製造方法を模式的に示した図である。
まず、クロロホルム、メタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの揮発性の高い溶剤のうちの1種以上からなる疎水性の有機溶剤中に、表面が疎水性の粒子を加えて分散液を調製する。また、図6に示すように水槽(トラフ)Vを用意し、これに、その液面上で粒子を展開させるための液体(以下、下層水という場合もある。)として水Wを入れる。
そして、分散液を下層水の液面に滴下する(滴下工程)。すると、分散媒である溶剤が揮発するとともに、粒子が下層水の液面上に単層で展開し、2次元的に最密充填した単粒子膜Fを形成することができる(単粒子膜形成工程)。
図6で示すように、単粒子膜形成工程により液面上に形成された単粒子膜Fを、ついで、単層状態のままエッチング対象物である基体1上に移し取る(移行工程)。基体1は平面状でもよく、曲面、傾斜、段差等の非平面形状を一部もしくは全部に含んでいても良い。単粒子膜Fは、基体1が平面でなくても2次元的な最密充填状態を維持しつつ基体表面を被覆することが可能である。単粒子膜Fを基体1上に移し取る具体的な方法には特に制限はなく、例えば、疎水性の基体1を単粒子膜Fに対して略平行な状態に保ちつつ、上方から降下させて単粒子膜Fに接触させ、ともに疎水性である単粒子膜Fと基体1との親和力により、単粒子膜Fを基体1に移行させ、移し取る方法;単粒子膜Fを形成する前にあらかじめ水槽の下層水内に基体1を略水平方向に配置しておき、単粒子膜Fを液面上に形成した後に液面を徐々に降下させることにより、基体1上に単粒子膜Fを移し取る方法などがある。これらの方法によれば、特別な装置を使用せずに単粒子膜Fを基体1上に移し取ることができるが、より大面積の単粒子膜Fであっても、その2次的な最密充填状態を維持したまま基体1上に移し取りやすい点で、いわゆるLBトラフ法を採用することが好ましい(Journal of Materials and Chemistry, Vol.11, 3333 (2001)、Journal of Materials and Chemistry, Vol.12, 3268 (2002)など参照。)。
粒子配列工程では、下記式(8)で定義される配列のずれD(%)が10%以下となるように、基体1に複数の粒子Mを単一層で配列させることが好ましい。
ずれDは、1.0〜3.0%であることがより好ましい。
一方、粒子M間のピッチとは、シート面方向における隣り合う2つの粒子Mの頂点と頂点の距離であり、最頻ピッチBとはこれらを平均したものである。なお、粒子Mが球形であれば、隣り合う粒子Mの頂点と頂点との距離は、隣り合う粒子Mの中心と中心の距離と等しい。
まず、単粒子膜Fにおける無作為に選択された領域で、一辺が粒子M間の最頻ピッチBの30〜40倍のシート面と平行な正方形の領域について、原子間力顕微鏡イメージを得る。例えば粒径300nmの粒子Mを用いた単粒子膜Fの場合、9μm×9μm〜12μm×12μmの領域のイメージを得る。そして、このイメージをフーリエ変換により波形分離し、FFT像(高速フーリエ変換像)を得る。ついで、FFT像のプロファイルにおける0次ピークから1次ピークまでの距離を求める。こうして求められた距離の逆数がこの領域における最頻ピッチB1である。このような処理を無作為に選択された合計25カ所以上の同面積の領域について同様に行い、各領域における最頻ピッチB1〜B25を求める。こうして得られた25カ所以上の領域における最頻ピッチB1〜B25の平均値が式(1)における最頻ピッチBである。なお、この際、各領域同士は、少なくとも1mm離れて選択されることが好ましく、より好ましくは5mm〜1cm離れて選択される。
また、この際、FFT像のプロファイルにおける1次ピークの面積から、各イメージについて、その中の粒子M間のピッチのばらつきを評価することもできる。
配列のずれD(%)を10%以下とするため、粒子Mの粒径の変動係数(標準偏差を平均値で除した値)は、20%以下であることが好ましく、10%以下であることがより好ましく、5%以下であることがさらに好ましい。
基体1に設けられる凸部のピッチPは、粒子M間の最頻ピッチBと同等となる。配列のずれD(%)が小さければ、凸部のピッチPは、粒子Mの平均粒径Aとほぼ同等となるので、粒子Mの平均粒径Aを適切に選択することにより、所望のピッチの凸部を精度良く形成することができる。
このように形成された単粒子膜Fが単粒子エッチングマスク2として機能する。単粒子エッチングマスク2が片面に設けられた基体1を、気相エッチングして表面加工する(エッチング工程)ことにより、基板の片面に凸部c1〜cnを形成する。具体的には、気相エッチングを開始すると、まず図5(b)に示すように、エッチングマスク2を構成している粒子Mの隙間をエッチングガスが通り抜けて基体1の表面に到達し、その部分に溝が形成され、各粒子Mに対応する位置にそれぞれ円柱5が現れる。このとき、気相エッチングにより各円柱5上の粒子Mも徐々にエッチングされて小さくなる。さらにエッチングを続けることにより、凸部を形成することができる。また、エッチングの条件を途中で変更することで、凸部にステップ形状を形成することができる(図5(c))。エッチング条件を変更すると、粒子3がエッチングされる速度が変化し、それに伴い基体1をエッチングする速度も変化する。
これらの粒子Mおよびエッチングガスは、エッチングされる基体1に合わせて変更することができる。例えば単粒子膜エッチングマスクを構成する粒子として金粒子を選択し、基体としてガラス基板を選択してこれらを組み合わせた場合、エッチングガスにCF4、CHF3などのガラスと反応性のあるものを用いると、金粒子のエッチング速度が相対的に遅くなり、ガラス基板のほうが選択的にエッチングされる。
単粒子膜エッチングマスク2を構成する粒子Mとしてコロイダルシリカ粒子を選択し、基体としてPET基板を選択してこれらを組み合わせた場合、エッチングガスにArなどの不活性ガスを用いることで、比較的柔らかいPET基板を選択的に物理エッチングすることができる。
一方で、基板の材質とエッチングガスの種類の組み合わせによるが、気相エッチングでは、プラズマによって生成したラジカルによる等方性エッチングも並行して起こる。ラジカルによるエッチングは化学エッチングであり、エッチング対象物のどの方向にも等方的なエッチングが生じる。
ラジカルは電荷を持たないためバイアスパワーの設定でエッチング速度をコントロールすることはできないが、エッチングガスのチャンバー内濃度(流量)で操作することができる。そのため、エッチングガスのチャンバー内濃度(流量)を変化させることでも垂直エッチングと等方エッチングの割合を制御することができ、凸部にステップ形状を形成することができる。
またこの方法以外の方法で凸部を作製してもよい。例えば、レーザー等の干渉露光を用いて直接凸部形状を形成しても良い。またアルミの陽極酸化において処理電圧を変更することで、対応する凹形状を有するモールドを作製することもできる。この場合、当該モールドから転写により凸部を作製することができる。
上述の転写方法としては、成形型に流動性の材料を流し込んだ後、材料を固化して成形型表面の表面形状を転写する射出成形、金型を樹脂やガラス材料に押し付けて表面形状を転写する所謂ナノインプリントなどが挙げられる。
屈折率n0の物質と、屈折率nsの物質の界面への光が入射した際の反射について考える。このとき屈折率nsの物体は、図7で示すように凸部形状を有する。
まず図7に示すように、凸部を頂点からN層に分けてスライスし、頂点側から第1層、・・・第N層までを有する層構造とみなす。
第j番目の層は、幅qの空気の領域と幅1−qの凸部の領域が繰り返してなる。なお、このときの幅は第j−1層との界面の幅とする。この第j番目の層における実効屈折率をnj、この層の厚さをdjとした。このとき、njは屈折率n0、nsおよび幅qから求めることができる。またdjは、凸部の最頻高さを層数Nで割ることで求めることができる。
凸部が一つのステップを有するとして、ステップの幅の合計wsおよびステップの高さの平均値zsを変更しながら平均反射率を求めた。このとき凸部の最頻高さhは295nm、最頻ピッチPは120nm、最頻直径dは120nmとした。また光は屈折率1.0の空気から、屈折率1.5の界面に入射角5°で入射するものとし、凸部の材料の屈折率も1.5とした。その結果を表1に示す。
なお、平均反射率は以下のように求めた。まず、波長380nmの光を入射角5°で入射した際の光の反射率を、式(13)から計算する。その後、20nm刻みで780nmまで各波長の光を入射した際の反射率を、同様に式(13)から計算する。これら各波長の光の反射率の平均値を求め、平均反射率とした。
0.10d≦ws≦0.16dおよび0.28h≦zs≦0.40hを満たす領域は、ステップを有さない場合の平均反射率(0.1483)と比べても、半分以下の平均反射率となり非常に優れた反射防止性能を有することが分かる。
またステップが2つの場合においても、実施例1と同様にステップの幅の合計wsおよびステップの高さの平均値zsを変更しながら平均反射率を求めた。このとき、2つのステップは、典型的な例としてzs=aとしたときに0.75aおよび1.25aの位置に存在するものとした。すなわち、例えばzs=0.40hとしたときは、2つのステップは0.30hおよび0.50hの位置に存在するものとした。また各ステップの横幅はws/4、縦幅は0.1h/2とした。その結果を表2に示す。なお、このとき凸部の最頻高さ、最頻ピッチ、最頻直径および反射率の計算条件は実施例1と同じとした。
またステップが3つの場合においても、実施例1と同様にステップの幅の合計wsおよびステップの高さの平均値zsを変更しながら平均反射率を求めた。このとき、3つのステップは、典型的な例としてzs=aとしたときに0.5a、1.0a、1.5aの位置に存在するものとした。すなわち、例えばzs=0.40hとしたときは、3つのステップは0.20h、0.40h、0.60hの位置に存在するものとした。また各ステップの横幅はws/6、縦幅は0.1h/3とした。その結果を表3に示す。なお、このとき凸部の最頻高さ、最頻ピッチ、最頻直径および反射率の計算条件は実施例1と同じとした。
つまり、0.08d≦ws≦0.16d、かつ0.30h≦zs≦0.48hの範囲では、ステップが2つの場合の方が、ステップが3つの場合より平均反射率の面で優れており、ステップの数を2つ以下とすることができる。
つまり、0.08d≦ws≦0.13d、かつ0.26h≦zs≦0.42hの範囲では、ステップが1つの場合の方が、ステップが2つの場合より平均反射率の面で優れており、ステップの数を1つとすることができる。
また次に凸部の包絡面の形状を変更して平均反射率を求めた。凸部の高さと、凸部の3/4hの高さの幅d3/4を変更することで、包絡面の形状を変更した。
凸部は、一つのステップを有し、ステップの幅の合計wsを0.14dおよびステップの高さの平均値zsを0.34hで固定した。また凸部の最頻ピッチPは90nm、最頻直径dは90nmとした。また光は屈折率1.0の空気から、屈折率1.5の界面に入射角5°で入射するものとし、凸部の材料の屈折率も1.5とした。その結果を表4に示す。
凸部の最頻ピッチを120nm、最頻直径を120nmとしたこと以外は、実施例4と同様にして、平均反射率を求めた。その結果を表5に示す。
凸部の最頻ピッチを200nm、最頻直径を200nmとしたこと以外は、実施例4と同様にして、平均反射率を求めた。その結果を表6に示す。
入射する光の波長による平均反射率の変化を求めた。
凸部は、1つのステップを有し、ステップの幅の合計wsを0.14dおよびステップの高さの平均値zsを0.34hで固定した。また凸部の最頻ピッチPは120nm、最頻直径dは120nmとした。また光は屈折率1.0の空気から、屈折率1.5の界面に入射角5°で入射するものとし、凸部の材料の屈折率も1.5とした。
可視光領域の波長を入射した際の結果を図8に、近赤外領域の波長の光を入射した際の結果を図9に、近紫外の波長を入射した際の結果を図10に示す。
図9では、凸部の最頻高さが、650nm、295nmの場合を求めた。また比較のため、凸部がステップを有さない場合で、凸部の最頻高さが295nm、650nmの場合も求めた。この図9から、近赤外光を入射しても、最頻高さが入射した光の波長範囲における中央値の45〜55%の際に、特に高い反射防止性能を示していることが分かる。
図10では、凸部の最頻高さが、140nm、295nmの場合を求めた。また比較のため、凸部がステップを有さない場合で、凸部の最頻高さが140nm、295nmの場合も求めた。この図10から、近紫外光を入射しても、最頻高さが入射した光の波長範囲における中央値の45〜55%の際に、特に高い反射防止性能を示していることが分かる。
Claims (6)
- 前記凸部の最頻高さが、使用環境下の光の波長範囲における中央値の45〜55%の範囲内にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記ステップを有する凸部の包絡面が、錘形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光学素子。
- 隣接する7つの前記凸部の中心点が正六角形の6つの頂点と対角線の交点となる位置関係で連続して整列しているエリアを複数備え、
該複数のエリアの面積、形状および格子方位がランダムであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学素子。
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