JP2019039785A - 電荷トラップ評価方法、及び半導体素子 - Google Patents
電荷トラップ評価方法、及び半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019039785A JP2019039785A JP2017161603A JP2017161603A JP2019039785A JP 2019039785 A JP2019039785 A JP 2019039785A JP 2017161603 A JP2017161603 A JP 2017161603A JP 2017161603 A JP2017161603 A JP 2017161603A JP 2019039785 A JP2019039785 A JP 2019039785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- substrate
- charge
- trap
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 abstract description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 14
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Ti / Al / Ni / Au Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2621—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
- G01R31/2623—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's for measuring break-down voltage therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2621—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/207—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】一実施の形態として、HEMT構造を有する半導体素子1のソース電極15及びドレイン電極16と基板10との間に、閾値電圧と同符号かつ閾値電圧以上の大きさの初期化電圧を印加し、トラップされた電荷をトラップ準位から追い出してトラップ状態を初期化するステップと、トラップ状態の初期化後、ソース電極15とドレイン電極16の間に流れる電流をモニタして、電荷捕獲、電流コラプス、及び電荷放出のうちの少なくともいずれか1つを評価するステップと、を含む、電荷トラップ評価方法及び半導体素子を提供する。
【選択図】図2
Description
また、上記の工程を備えたトラップ電荷評価方法を用いた評価に最適な半導体素子によれば、品質のばらつきを少なくすることができるので、良品率を上げ、最終的に製造歩留りを向上させることができる。
また、上記のトラップ電荷評価方法を用いて、ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間に電圧を印加した際に、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流の値の時間変化率を特定の範囲に設定した半導体素子を提供することで、上記の半導体素子と同様の効果を上げることができる。
図1は、本実施の形態に係る電荷トラップ評価方法による評価に適した構造を有する半導体素子の一例である半導体素子1の垂直断面図である。
チャネル電流Ichは、直流電源18によりソース電極15及びドレイン電極16との間に一定の(例えば1V)の電圧を印加したときに、ソース電極15とドレイン電極16との間に流れる電流である。
基板電圧VBは、直流電源19によりソース電極15及びドレイン電極16と基板10との間に印加される電圧であり、ソース電極15及びドレイン電極16が低電位、基板10が高電位となるとなるときに正の値をとる。
図2は、本実施の形態に係る電荷トラップ評価方法の流れを示すフローチャートである。以下、図2のフローチャートに沿って電荷トラップ評価方法の説明を行う。なお、本実施の形態では、測定値の擾乱要因を減らすために、下記の各ステップを一定の温度条件下(例えば100℃)で実施する。
半導体素子1において、閾値電圧Vthが、例えば、−700Vであるときには、ストレス電圧Vsは−700V以上、典型的には−600〜−100Vに設定することができる。ただし、ストレス電圧Vsは負の電圧に限定されず、正の電圧もとることができる。
また、ストレス電圧Vsの数値範囲は、後述する基板電圧VB−チャネル電流Ich曲線において、ヒステリシスが観測される電圧領域に基づいて設定することもできる。
あるいは、半導体素子1は、基板10と、基板10上の半導体層11〜14と、半導体層11〜14に接続されたソース電極15及びドレイン電極16を備え、ソース電極15及びドレイン電極16と基板19との間に印加された基板電圧VBとソース電極15とドレイン電極16の間に流れる電流Ichの関係を示す曲線において、ヒステリシスが観測される範囲の電圧をストレス電圧Vsとして基板10に印加したときに、ストレス電圧Vsを開放したときの電流Ichの値の時間変化率が、例えば10%以下、好ましくは5%以下、より好ましくは2%以下、更に好ましくは1%である、半導体素子であってもよい。
なお、本実施例では、電荷トラップ評価方法のステップS1〜S5を100℃の温度条件下で実施した。
一方で、基板電圧VBが閾値電圧Vthに至った時点でトラップ電荷は放出されているため、矢印Bに示すように、閾値電圧Vthからプラス方向へ基板電圧VBを変化させるときには、トラップ電荷が二次元電子ガスの電流値に影響を与えることがなく、曲線はヒステリシス曲線となる。また、矢印Bに示す曲線では、範囲(a)ではアンドープGaN層13は空乏化し、範囲(b)ではアンドープGaN層13に中性領域が存在するものと考えられる。
次に、電圧値を−400Vから0Vに切り替えた直後の電流値は5.84e−4Aであり、切り替えてから50秒後は5.79e−4Aとなる。したがって、電流値の時間変化率は1%となる。
さらに、電圧値を0Vから−400Vに再度切り替えた直後の電流値は2.85e−4Aであり、切り替えてから100秒後は3.18e−4Aとなる。したがって、電流値の時間変化率は10%となる。電流値の時間変化率は、少ない方が好ましく、例えば10%以下、好ましくは5%以下、より好ましくは2%以下、更に好ましくは1%である。
上記実施の形態の電荷トラップ評価方法によれば、高電圧の印加によるトラップ状態を初期化した状態をトラップ評価の初期状態とするため、測定ごとのソース電極−ドレイン電極間の電気抵抗値のばらつきが小さく、再現性よくトラップ評価を行うことができる。
10 基板
11 バッファ層
12 C−GaN層
13 アンドープGaN層
14 AlGaN層
15 ソース電極
16 ドレイン電極
17 電極
Claims (8)
- 横型構造を有する半導体素子のソース電極及びドレイン電極と基板との間に、閾値電圧と同符号かつ前記閾値電圧以上の大きさの初期化電圧を印加し、トラップされた電荷をトラップ準位から追い出してトラップ状態を初期化するステップと、
前記トラップ状態の初期化後、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に流れる電流をモニタして、電荷捕獲、電流コラプス、及び電荷放出のうちの少なくともいずれか1つを評価するステップと、
を含み、
前記閾値電圧は、ソース電極及びドレイン電極と基板との間に印加される電圧であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に電圧が印加されているときにチャネル電流のオン・オフが切り替わる電圧である、
電荷トラップ評価方法。 - 前記電荷捕獲を評価するステップは、前記トラップ状態の初期化後、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間の電圧を前記初期化電圧から前記閾値電圧と同符号かつ前記閾値電圧以下の大きさのストレス電圧に変えたときの電荷捕獲を評価するステップである、
請求項1に記載の電荷トラップ評価方法。 - 前記電流コラプスを評価するステップは、前記電荷捕獲の評価後、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間の電圧を前記ストレス電圧から0Vに変え、前記電圧が0Vになった直後の電流値と、一定時間経過した後の飽和した電流値の比を求めることにより、電流コラプスの評価を行うステップである、
請求項2に記載の電荷トラップ評価方法。 - 前記電荷放出を評価するステップは、前記電流コラプスの評価後、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間の電圧を0Vから前記ストレス電圧に変えたときの電荷放出を評価するステップである、
請求項3に記載の電荷トラップ評価方法。 - 前記半導体素子が、バンドギャップが2.5eV以上の半導体層を含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の電荷トラップ評価方法。 - 基板と、前記基板上の半導体層と、前記半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた、横型構造を有する半導体素子であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間に、閾値電圧と同符号かつ前記閾値電圧以上の大きさの電圧を印加することにより、トラップされた電荷をトラップ準位から追い出してトラップ状態を初期化することのできる、
半導体素子。 - 前記半導体層のバンドギャップが2.5eV以上である、
請求項6に記載の半導体素子。 - 基板と、前記基板上の半導体層と、前記半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた、横型構造を有する半導体素子であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記基板との間に印加された電圧と前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に流れる電流の関係を示す曲線において、ヒステリシスが観測される範囲の電圧をストレス電圧として前記基板に印加したときに、前記ストレス電圧を開放したときの前記電流の値の時間変化率が10%以下である半導体素子。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017161603A JP7108386B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 電荷トラップ評価方法 |
CN201880054957.0A CN111051903B (zh) | 2017-08-24 | 2018-08-06 | 电荷俘获评价方法以及半导体元件 |
EP18847689.9A EP3674723A4 (en) | 2017-08-24 | 2018-08-06 | PROCEDURE FOR CHARGE TRAP EVALUATION AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
PCT/JP2018/029483 WO2019039256A1 (ja) | 2017-08-24 | 2018-08-06 | 電荷トラップ評価方法、及び半導体素子 |
US16/641,129 US11652150B2 (en) | 2017-08-24 | 2018-08-06 | Charge trap evaluation method and semiconductor element |
TW107128622A TWI794270B (zh) | 2017-08-24 | 2018-08-16 | 電荷捕捉評估方法以及半導體元件 |
JP2022114014A JP7406596B2 (ja) | 2017-08-24 | 2022-07-15 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017161603A JP7108386B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 電荷トラップ評価方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022114014A Division JP7406596B2 (ja) | 2017-08-24 | 2022-07-15 | 半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019039785A true JP2019039785A (ja) | 2019-03-14 |
JP7108386B2 JP7108386B2 (ja) | 2022-07-28 |
Family
ID=65439855
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017161603A Active JP7108386B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 電荷トラップ評価方法 |
JP2022114014A Active JP7406596B2 (ja) | 2017-08-24 | 2022-07-15 | 半導体素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022114014A Active JP7406596B2 (ja) | 2017-08-24 | 2022-07-15 | 半導体素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11652150B2 (ja) |
EP (1) | EP3674723A4 (ja) |
JP (2) | JP7108386B2 (ja) |
CN (1) | CN111051903B (ja) |
TW (1) | TWI794270B (ja) |
WO (1) | WO2019039256A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022075804A1 (ko) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | 고려대학교 산학협력단 | 트랩 사이트 정보의 판별 기능을 갖는 반도체 소자의 검사 방법 및 반도체 소자의 검사 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI771983B (zh) * | 2021-04-14 | 2022-07-21 | 國立中山大學 | 氮化鎵高電子移動率電晶體的缺陷檢測方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199409A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2012248753A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | スイッチ装置 |
JP2013015416A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Panasonic Corp | 半導体素子の検査方法及び半導体検査装置 |
JP2014029908A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016057091A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体検査装置 |
JP2016154202A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 住友化学株式会社 | トンネル電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2016167499A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017143231A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3613594B2 (ja) * | 1993-08-19 | 2005-01-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体素子およびこれを用いた半導体記憶装置 |
US6777753B1 (en) * | 2000-07-12 | 2004-08-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | CMOS devices hardened against total dose radiation effects |
JP2003069031A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
CN1209821C (zh) * | 2002-06-28 | 2005-07-06 | 中国科学院物理研究所 | 复合量子点器件及制备方法 |
US20040130942A1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-08 | Macronix International Co., Ltd. | Data retention for a localized trapping non-volatile memory |
US7485512B2 (en) * | 2005-06-08 | 2009-02-03 | Cree, Inc. | Method of manufacturing an adaptive AIGaN buffer layer |
JP5110803B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007273640A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
WO2008147497A2 (en) * | 2007-05-03 | 2008-12-04 | The Regents Of The University Of California | Ultra-thin organic tft chemical sensor, making thereof, and sensing method |
WO2011148898A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 国立大学法人東京大学 | 半導体記憶素子の電圧特性調整方法、半導体記憶装置の電圧特性調整方法およびチャージポンプ並びにチャージポンプの電圧調整方法 |
US8912016B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method and test method of semiconductor device |
JP5649112B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2015-01-07 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
WO2013021628A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP6075003B2 (ja) * | 2012-10-22 | 2017-02-08 | 富士通株式会社 | トランジスタの制御回路及び電源装置 |
WO2014108946A1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-17 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP5721782B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2015-05-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
CN103474369B (zh) * | 2013-08-21 | 2016-01-20 | 北京大学 | 一种提取半导体器件栅介质层陷阱时间常数的方法 |
US9691861B2 (en) * | 2014-01-07 | 2017-06-27 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices |
WO2016036950A1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Volatile organic compound-based diagnostic systems and methods |
US9627528B2 (en) * | 2015-09-11 | 2017-04-18 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device having gate structures and manufacturing method thereof |
-
2017
- 2017-08-24 JP JP2017161603A patent/JP7108386B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-06 EP EP18847689.9A patent/EP3674723A4/en not_active Withdrawn
- 2018-08-06 CN CN201880054957.0A patent/CN111051903B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2018-08-06 WO PCT/JP2018/029483 patent/WO2019039256A1/ja unknown
- 2018-08-06 US US16/641,129 patent/US11652150B2/en active Active
- 2018-08-16 TW TW107128622A patent/TWI794270B/zh active
-
2022
- 2022-07-15 JP JP2022114014A patent/JP7406596B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199409A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2012248753A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | スイッチ装置 |
JP2013015416A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Panasonic Corp | 半導体素子の検査方法及び半導体検査装置 |
JP2014029908A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016057091A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体検査装置 |
JP2016154202A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 住友化学株式会社 | トンネル電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2016167499A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017143231A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022075804A1 (ko) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | 고려대학교 산학협력단 | 트랩 사이트 정보의 판별 기능을 갖는 반도체 소자의 검사 방법 및 반도체 소자의 검사 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3674723A4 (en) | 2021-10-13 |
TW201920972A (zh) | 2019-06-01 |
WO2019039256A1 (ja) | 2019-02-28 |
EP3674723A1 (en) | 2020-07-01 |
JP2022145705A (ja) | 2022-10-04 |
US20200203493A1 (en) | 2020-06-25 |
JP7108386B2 (ja) | 2022-07-28 |
CN111051903A (zh) | 2020-04-21 |
CN111051903B (zh) | 2022-08-30 |
JP7406596B2 (ja) | 2023-12-27 |
US11652150B2 (en) | 2023-05-16 |
TWI794270B (zh) | 2023-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7406596B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP6917160B2 (ja) | 半導体基板、電子デバイス、半導体基板の検査方法および電子デバイスの製造方法 | |
US7859289B2 (en) | Method for measuring interface traps in thin gate oxide MOSFETS | |
DE102016216005A1 (de) | Verfahren zum Bewerten einer Halbleitervorrichtung und Gerät zum Bewerten einer Halbleitervorrichtung | |
Berens et al. | A straightforward electrical method to determine screening capability of GOX extrinsics in arbitrary, commercially available SiC MOSFETs | |
Meneghini et al. | Impact of hot electrons on the reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors | |
Ghizzo et al. | Preconditioning of p-GaN power HEMT for reproducible Vth measurements | |
JP2016045042A (ja) | 半導体トランジスタのテスト方法 | |
Wespel et al. | High-voltage stress time-dependent dispersion effects in AlGaN/GaN HEMTs | |
Dang et al. | Long time-constant trap effects in nitride heterostructure field effect transistors | |
JP2023052789A (ja) | 半導体素子 | |
Zanoni et al. | Hot electrons and time-to-breakdown induced degradation in AlGaN/GaN HEMTs | |
CN109522617B (zh) | AlGaN/GaNHEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法 | |
Shiozaki et al. | Characteristic degradation of power MOSFETs by X-ray irradiation and their recovery | |
Cornigli et al. | Characterization and modeling of BTI in SiC MOSFETs | |
JP2013015416A (ja) | 半導体素子の検査方法及び半導体検査装置 | |
JP2016195225A (ja) | 炭化ケイ素半導体装置及びその処理方法 | |
RU2616876C1 (ru) | СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs | |
JP2020187102A (ja) | 半導体装置の検査方法および検査装置 | |
Albany et al. | An advanced ageing methodology for robustness assessment of normally-off AlGaN/GaN HEMT | |
Jiang et al. | Evaluation of p-GaN HEMTs degradation under high temperatures forward and reverse gate bias stress | |
Lagger et al. | Thermal activation of PBTI-related stress and recovery processes in GaN MIS-HEMTs using on-wafer heaters | |
Sušnik et al. | Hot-carrier-degradation measured with charge-pumping in trench devices despite deep contacts | |
Lelis et al. | Effect of SiC power DMOSFET threshold-voltage instability | |
Tang et al. | Quasi-bipolar channel modulation instability analysis for p-GaN gate high electron mobility transistor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220621 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7108386 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |