RU2616876C1 - СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs - Google Patents
СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs Download PDFInfo
- Publication number
- RU2616876C1 RU2616876C1 RU2015154429A RU2015154429A RU2616876C1 RU 2616876 C1 RU2616876 C1 RU 2616876C1 RU 2015154429 A RU2015154429 A RU 2015154429A RU 2015154429 A RU2015154429 A RU 2015154429A RU 2616876 C1 RU2616876 C1 RU 2616876C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gaas
- layer
- matrix
- heterostructure
- quantum dots
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии контроля качества полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и может быть использовано для обнаружения глубоких дефектов, создаваемых слоем квантовых точек InAs в матрице GaAs. Технический результат изобретения - расширение технологических возможностей и повышение точности контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs в окрестности слоя квантовых точек InAs за счет надежной оценки захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи указанного слоя квантовых точек, обеспечивающей повышение технологичности указанного контроля в связи с достаточностью использования доступного исследовательского оборудования. Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, основанный на оценке захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи слоя квантовых точек InAs, в котором измеряют кривую изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля, инжектирующего носители заряда в поверхностную область указанной гетероструктуры, состоящей из полуизолирующей подложки GaAs, проводящего буферного слоя GaAs, выращенного на нем слоя квантовых точек InAs, и покровного слоя GaAs, образующего с указанным буферным слоем GaAs матрицу GaAs, затем при выявлении формы указанной кривой в виде петли гистерезиса повторяют это измерение в гетероструктурах с различной толщиной покровного слоя GaAs в пределах максимальной толщины, определяемой шириной области пространственного заряда поверхностного барьера при нулевом напряжении в данной гетероструктуре, и по увеличению ширины петли гистерезиса при увеличении толщины покровного слоя GaAs судят о наличии глубоких дефектов матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к технологии контроля качества полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и может быть использовано для обнаружения глубоких дефектов, создаваемых слоем квантовых точек InAs в матрице GaAs.
Известно, что наличие дефектов в окрестности слоя квантовых точек может приводить к ухудшению эксплуатационных характеристик приборов на их основе и к деградации таких устройств (см., например работу на англ. яз. авторов 
, M. Hopkinson, H.Y. Liu et al. «Influence of structure and defects on the performance of dot-in-well laser structures» - Proc. SPIE, Photonic Materials, Devices, and Applications. 2005, v. 5840, p. 486-496).
О наличии дефектов в слоях с квантовыми точками обычно судят по люминесцентным и фотоэлектрическим характеристикам гетероструктур с квантовыми точками (см., например статью авторов Карповича И.Α., Аншона А.В., Байдуся Н.В. и др. «Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразования на поверхности полупроводников» - Физика и техника полупроводников. 1994, т. 28, вып. 1, с. 104-112). В этом случае проявляются дефекты, являющиеся центрами рекомбинации неравновесных носителей с быстрыми временами релаксации, меньшими времени излучательной рекомбинации электронно-дырочной пары в квантовых точках (10-9 с), причем фотоэлектрическая спектроскопия выявляет дефекты, расположенные только в непосредственной близости от квантовых точек, а фотолюминесценция чувствительна также и к дефектам, расположенным в достаточно широкой приповерхностной области полупроводника (либо на характерной длине поглощения света, либо на длине диффузии).
Для исследования дефектов с медленной релаксацией может применяться метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (см., например статью на англ. яз. автора D.V. Lang «Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors» - J. Appl. Phys. 1974, v. 45, №7, p. 3023-3032), однако этим методом затруднительно определить располагается ли дефект в непосредственной близости от слоя квантовых точек.
Уровень техники в рассматриваемой области характеризуется отсутствием информационных источников, содержащих сведения о целенаправленных исследованиях глубоких уровней, типа центров прилипания, расположенных вблизи слоя квантовых точек, в связи с чем выбрана форма изложения предлагаемого изобретения в формуле и описании изобретения без прототипа.
Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, с помощью которого можно изучать относительно медленные процессы захвата основных носителей заряда на ловушки типа центров прилипания, расположенные в непосредственной близости от слоя квантовых точек.
В соответствии с изложенной задачей технический результат предлагаемого изобретения заключается в расширении технологических возможностей и повышении точности контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs в окрестности слоя квантовых точек InAs за счет надежной оценки захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи указанного слоя квантовых точек, обеспечивающей повышение технологичности указанного контроля в связи с достаточностью использования доступного (стандартного) исследовательского оборудования.
Для достижения указанного технического результата предлагается способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, основанный на оценке захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи слоя квантовых точек InAs, при которой измеряют кривую изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля, инжектирующего носители заряда в поверхностную область указанной гетероструктуры, состоящей из полуизолирующей подложки GaAs, проводящего буферного слоя GaAs, выращенного на нем слоя квантовых точек InAs, и покровного слоя GaAs, образующего с указанным буферным слоем GaAs матрицу GaAs, затем при выявлении формы указанной кривой в виде петли гистерезиса повторяют это измерение в гетероструктурах с различной толщиной покровного слоя GaAs в пределах максимальной толщины, определяемой шириной области пространственного заряда поверхностного барьера при нулевом напряжении в данной гетероструктуре и по увеличению ширины петли гистерезиса при увеличении толщины покровного слоя GaAs судят о наличии глубоких дефектов матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs.
В частном случае осуществления предлагаемого способа при измерении кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs на указанную гетероструктуру воздействуют импульсным поперечным монополярным электрическим полем, имеющим частоту 60 Гц, а оценку захвата электронов или дырок слоем квантовых точек InAs осуществляют с помощью схемы, выполненной на основе плоского конденсатора, одной обкладкой которого является изложенная выше гетероструктура на основе матрицы GaAs, а второй - управляющий электрод.
В известной статье авторов Карповича И.А. и др. «Влияние квантово-размерных слоев In(Ga)As на эффект поля в слоях GaAs» - Физика твердого тела. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2008, №1, с. 25-29, рассматривается эффект поля в условиях захвата носителей заряда слоем квантовых точек InAs без анализа захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи указанного слоя квантовых точек, а именно в данной статье, содержащей предпосылки разработки предлагаемого способа на уровне постановки задачи с предварительным подходом к ее решению без самого обоснованного решения, делается гипотетический вывод о возможности получения информации о наличии дефектов, связанных с встраиванием слоев квантовых точек в матрицу, при этом данный вывод носит декларативный характер без раскрытия контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, в совокупности существенных признаков предлагаемого способа и основан на несоответствующем физическому механизму возникновения петли гистерезиса представлении о ее появлении в результате захвата носителей заряда слоем квантовых точек (краткое обоснование этого механизма см. ниже в настоящем описании изобретения).
В известном автореферате диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Истомина Л.А. в 2010 г. «Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией» (см. на сайте в Интернет: http://www.unn.ru/pages/disser/742.pdf) раскрывается общая указанная тема без развития контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, на основе захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи слоя квантовых точек и, также без раскрытия контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, в совокупности существенных признаков предлагаемого способа.
На фиг. 1 представлена функциональная блок-схема устройства для (необходимого при осуществлении предлагаемого способа) измерения кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs со слоем квантовых точек InAs в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля; на фиг. 2 - схематическое изображение гетероструктуры на основе матрицы GaAs со слоем квантовых точек InAs на фиг. 1; на фиг. 3 - набор петель гистерезиса, полученных с помощью устройства на фиг. 1 для интервала толщин покровного слоя GaAs гетероструктуры на основе матрицы GaAs от 5 до 300 нм.
Предлагаемый способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs со слоем квантовых точек InAs осуществляют с помощью устройства для измерения кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе указанной матрицы GaAs в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля следующим образом.
Устройство для измерения кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе указанной матрицы GaAs (см. фиг. 1) выполнено с узлом рабочей фиксации гетероструктуры 1 на основе матрицы GaAs со слоем квантовых точек InAs (см. фиг. 2), которая состоит из полуизолирующей подложки GaAs 2 (толщиной 400 мкм), проводящего буферного слоя GaAs 3 (толщиной 0.6 мкм), выращенного на нем слоя квантовых точек InAs 4, и покровного слоя GaAs 5 (с различными толщинами слоя 5 в интервале от 5 до 300 нм в изготовленных гетероструктурах 1), образующего с указанным буферным слоем GaAs 3 матрицу GaAs. При этом на верхней поверхности покровного слоя GaAs 5 последовательно размещены пластина слюды 6 и проводящая (металлическая) пластина 7, образующая с полупроводящим буферным слоем GaAs 3 плоский конденсатор.
Излагаемое устройство содержит также генератор синусоидального напряжения 8, подключенный через последовательно соединенные повышающий трансформатор 9 и высоковольтный диод 10 к затвору (3) - проводящей пластине 7, и источник постоянного напряжения 11, подключенный своим выходом к истоку (И) 12 - первому боковому омическому контакту гетероструктуры 1, причем сток (С) 13 - второй омический контакт гетероструктуры 1 присоединен к первому входу блока АЦП 14 для съема формируемого на магазине сопротивлений 15 напряжения, изменение которого пропорционально изменению продольной поверхностной проводимости гетероструктуры 1.
Для регистрации производимых измерений кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры 1 к выходу блока АЦП 14 подключен компьютер 16, а для уменьшения пульсирующего напряжения, подаваемого на блок АЦП 14 и необходимого для развертки напряжения на затворе (3) - пластине 7, выход диода 10 соединен через делитель напряжения 17 со вторым входом блока АЦП 14.
Для измерения кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs (Δσs) в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля, инжектирующего носители заряда в поверхностную область указанной гетероструктуры 1, выращивались и изготавливались образцы гетероструктур 1 на полуизолирующих подложках GaAs 2 размерами 7×5 мм и толщинами покровного слоя GaAs 5, составляющими 5, 20, 100 и 300 нм. Причем перед созданием слоя квантовых точек InAs 4 на подложках 2 выращивался буферный слой n-GaAs 3 с концентрацией доноров ~1016 см-3. На образцах гетероструктур 1 формировались два планарных омических контакта - исток (И) 12 и сток (С) 13. Ширина контактов и зазор между ними были 5 мм. После чего производили измерение продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs на образце гетероструктуры 1 с максимальной толщиной (300 нм) покровного слоя GaAs 5, для чего на указанный образец гетероструктуры 1 воздействовали с помощью генератора синусоидального напряжения 8, подключенного через последовательно соединенные повышающий трансформатор 9 и высоковольтный диод 10 к затвору (3) - проводящей пластине 7, импульсным поперечным монополярным электрическим полем, имеющим выбранную частоту 60 Гц.
Затем при выявлении формы указанной кривой «а» в виде петли гистерезиса (см. фиг. 3) повторяли это измерение в образцах гетероструктур 1 с убывающей толщиной покровного слоя GaAs 5 в интервале толщин 300-5 нм, получая соответствующие кривые «а», «б»-«г» и по увеличению ширины петли гистерезиса (от 110 до 600 В) при увеличении толщины покровного слоя GaAs 5 делали вывод о наличии глубоких дефектов матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs 4.
Отсутствие петли гистерезиса при измерении кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs с максимальной толщиной ее покровного слоя GaAs 5 или ее наличие в указанном случае, но отсутствие уменьшения ее ширины при последующих измерениях кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs с уменьшаемой толщиной ее покровного слоя GaAs 5 (при повторяемых измерениях) означает отсутствие глубоких дефектов матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs 4.
Интервал выбора задаваемой частоты импульсного поперечного монополярного электрического поля преимущественно определяется удобными (доступными) для измерений частотами от 10 Гц до 1 МГц, что связано с отсутствием в широком интервале выбора указанной частоты проявления гистерезиса при комнатной температуре, связанного с захватом непосредственно слоем квантовых точек InAs 4 (квантово-размерными состояниями) носителей заряда, т.к. время выброса носителей заряда (электронов) с квантово-размерных состояний указанных квантовых точек меньше величины, составляющей 10-9 с.
Физический механизм захвата носителей заряда глубокими дефектами матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs 4, лежащий в основе предлагаемого способа контроля (обосновывающий работоспособность предлагаемого способа), заключается в более медленном выбросе носителей заряда (электронов) с этих дефектов в сравнении с выбросом носителей заряда с квантово-размерных состояний указанных квантовых точек, и поэтому из этого физического механизма вытекает однозначная связь уширения петли гистерезиса при увеличении толщины покровного слоя GaAs 5 именно с захватом носителей заряда глубокими дефектами матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs 4 в указанном широком интервале частот импульсного поперечного монополярного электрического поля при комнатной температуре.
В указанной выше статье Карповича И.А. и др. физический механизм захвата носителей заряда глубокими дефектами матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs 4 не обоснован, поскольку уширение петли гистерезиса, указывающее на наличие глубоких дефектов, в приведенных источниках информации связывают и с захватом носителей заряда непосредственно слоем квантовых точек, что не позволяет связать уширение петли гистерезиса только с наличием глубоких дефектов в этом случае, т.к. указанное уширение может быть обусловлено захватом носителей заряда непосредственно слоем квантовых точек без наличия глубоких дефектов.
Таким образом, предлагаемый способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, обеспечивает высокоточный надежный контроль наличия глубоких дефектов матрицы GaAs в окрестности слоя квантовых точек InAs в широком интервале выбора задаваемой частоты импульсного поперечного монополярного электрического поля (при комнатной температуре) при повышении технологичности указанного контроля в связи достаточностью использования доступного (стандартного) исследовательского оборудования.
Claims (3)
1. Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных с встраиванием в нее слоя квантовых точек InAs, основанный на оценке захвата носителей заряда глубокими дефектами вблизи слоя квантовых точек InAs, характеризующийся тем, что измеряют кривую изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs в зависимости от напряжения импульсного поперечного монополярного электрического поля, инжектирующего носители заряда в поверхностную область указанной гетероструктуры, состоящей из полуизолирующей подложки GaAs, проводящего буферного слоя GaAs, выращенного на нем слоя квантовых точек InAs, и покровного слоя GaAs, образующего с указанным буферным слоем GaAs матрицу GaAs, затем при выявлении формы указанной кривой в виде петли гистерезиса повторяют это измерение в гетероструктурах с различной толщиной покровного слоя GaAs в пределах максимальной толщины, определяемой шириной области пространственного заряда поверхностного барьера при нулевом напряжении в данной гетероструктуре, и по увеличению ширины петли гистерезиса при увеличении толщины покровного слоя GaAs судят о наличии глубоких дефектов матрицы GaAs вблизи слоя квантовых точек InAs.
2. Способ контроля по п. 1, отличающийся тем, что при измерении кривой изменения продольной поверхностной проводимости гетероструктуры на основе матрицы GaAs на указанную гетероструктуру воздействуют импульсным поперечным монополярным электрическим полем, имеющим частоту 60 Гц.
3. Способ контроля по п. 1, отличающийся тем, что оценку захвата электронов или дырок слоем квантовых точек InAs осуществляют с помощью схемы, выполненной на основе плоского конденсатора, одной обкладкой которого является гетероструктура на основе матрицы GaAs, указанная в п. 1, а второй - управляющий электрод.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015154429A RU2616876C1 (ru) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015154429A RU2616876C1 (ru) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2616876C1 true RU2616876C1 (ru) | 2017-04-19 |
Family
ID=58642789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015154429A RU2616876C1 (ru) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2616876C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112564118A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-26 | 广西大学 | 一种分布式可拓展量子深宽度学习的实时电压控制方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359449A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ基板の転位密度測定方法 |
| JPH09152404A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-06-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体結晶の欠陥濃度測定方法及び半絶縁性ＧａＡｓ結晶の欠陥濃度測定方法 |
| KR0138855B1 (ko) * | 1994-11-05 | 1998-06-01 | 양승택 | 영상기법을 이용한 화합물 반도체(GaAs)의 결함 인식방법 |
| US20150236179A1 (en) * | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Jun Yang | Filtering defects with strain-compensated multi-layer quantum dots |
-
2015
- 2015-12-17 RU RU2015154429A patent/RU2616876C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359449A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ基板の転位密度測定方法 |
| KR0138855B1 (ko) * | 1994-11-05 | 1998-06-01 | 양승택 | 영상기법을 이용한 화합물 반도체(GaAs)의 결함 인식방법 |
| JPH09152404A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-06-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体結晶の欠陥濃度測定方法及び半絶縁性ＧａＡｓ結晶の欠陥濃度測定方法 |
| US20150236179A1 (en) * | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Jun Yang | Filtering defects with strain-compensated multi-layer quantum dots |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JPH04359449 A, 11.12,1992. * |
| Волкова Н.С. и др. Исследование температурных и полевых зависимостей фоточувствительности гетеронаноструктур с квантовыми точками InAs/GaAs. Практикум. Нижегородский госуниверситет. Нижний Новгород, 2013. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112564118A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-26 | 广西大学 | 一种分布式可拓展量子深宽度学习的实时电压控制方法 |
| CN112564118B (zh) * | 2020-11-23 | 2022-03-18 | 广西大学 | 一种分布式可拓展量子深宽度学习的实时电压控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4758786A (en) | Method of analyzing semiconductor systems | |
| US9069035B2 (en) | Predicting LED parameters from electroluminescent semiconductor wafer testing | |
| CN110907792A (zh) | 一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置 | |
| Zheng et al. | Identifying the spatial position and properties of traps in GaN HEMTs using current transient spectroscopy | |
| Dean et al. | A refined step-recovery technique for measuring minority carrier lifetimes and related parameters in asymmetric pn junction diodes | |
| Esward et al. | A metrology perspective on the dark injection transient current method for charge mobility determination in organic semiconductors | |
| RU2616876C1 (ru) | СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs | |
| Zhang et al. | Observation of threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN MIS HEMTs | |
| Benamara et al. | Ni/SiC–6H Schottky Barrier Diode interfacial states characterization related to temperature | |
| Gülnahar et al. | On the studies of capacitance-voltage-temperature and deep level characteristics of an Au/p-GaTe Schottky diode | |
| JP6605386B2 (ja) | 金属汚染濃度分析方法 | |
| JP2023052789A (ja) | 半導体素子 | |
| Zanoni et al. | Reliability of Gallium Nitride microwave transistors | |
| Litvinov et al. | Complex method of diagnostics of diode-like quantum well heterostructures with use of low frequency noise spectroscopy | |
| Szymanski et al. | Transport properties of triarylamine based dendrimers studied by space charge limited current transients | |
| Benvegnù et al. | Trap investigation under class AB operation in AlGaN/GaN HEMTs based on output-admittance frequency dispersion, pulsed and transient measurements | |
| Gombia et al. | Electrical characterization of self-assembled InAs/GaAs quantum dots by capacitance techniques | |
| RU2079853C1 (ru) | Способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов | |
| Taupin et al. | Boosting the surface conduction in a topological insulator | |
| KR101241755B1 (ko) | 전기화학등온용량과도분광법 | |
| KR101241756B1 (ko) | 전기화학등온용량과도분광기 | |
| Ermachikhin et al. | Low noise characteristics of Schottky diode with deep energy level | |
| Wilson et al. | Surface Voltage and μPCD Mapping of Defect in Epitaxial SiC | |
| Popov | Determination of the diffusion length of minority charge carriers in a semiconductor from the dynamic nonequilibrium I–V characteristics of MIS structures | |
| Mead | Electronic current flow through ideal dielectric films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191218 |