JP2018521935A - シリコン系溶融組成物およびこれを用いたSiC単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン系溶融組成物およびこれを用いたSiC単結晶の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Csi sol=A−B+μ1−μ2 式(1)
Csi sol=A−B+μ1−μ2 式(1)
Csi sol=A−B+μ1−μ2 式(1)
Csi sol=A−B+μ1−μ2 式(1)
Claims (20)
- シリコン、炭素、および下記式(1)で定義される溶解度パラメータ(Csi sol)に対して−0.37より小さい値を有する金属を含み、
溶液法によってSiC単結晶を形成するためのシリコン系溶融組成物:
Csi sol=A−B+μ1−μ2 式(1)
式中、Aは、金属原子および炭素原子を含むシリコン結晶格子において、金属原子、炭素原子、およびシリコン原子を含む第1評価格子が有する第1エネルギー(A)であり、Bは、金属原子を含むシリコン結晶格子において、金属原子およびシリコン原子を含む第2評価格子が有する第2エネルギー(B)であり、μ1は、ダイヤモンド結晶構造のシリコンの総エネルギーを単位格子内に存在するシリコン原子数で割った化学ポテンシャルであって−5.422の定数であり、μ2は、ダイヤモンド結晶構造の炭素の総エネルギーを単位格子内に存在する炭素原子数で割った化学ポテンシャルであって−9.097の定数である。 - 前記金属は、上記式(1)で定義される溶解度パラメータ(Csi sol)に対して−0.90<Csi sol<−0.38の値を有する、請求項1に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記金属は、2種以上の金属を含む、請求項1または2に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記金属は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、クロム(Cr)、およびスカンジウム(Sc)を含む群より選択された少なくとも2種を含む、請求項3に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記金属は、前記シリコンの総含有量100重量部を基準として25〜85重量部含まれる、請求項1から4のいずれか一項に記載のシリコン系溶融組成物。
- 前記金属は、前記シリコンの総含有量100重量部を基準として60〜70重量部含まれる、請求項5に記載のシリコン系溶融組成物。
- SiC種結晶を準備する段階と、
シリコン、炭素、および金属を含む溶融液を準備する段階と、
前記溶融液を過冷却させて、前記種結晶上にSiC単結晶を成長させる段階とを含み、
前記金属は、下記式(1)で定義される溶解度パラメータ(Csi sol)に対して−0.37より小さい値を有するSiC単結晶の製造方法:
Csi sol=A−B+μ1−μ2 式(1)
式中、Aは、金属原子および炭素原子を含むシリコン結晶格子において、金属原子、炭素原子、およびシリコン原子を含む第1評価格子が有する第1エネルギー(A)であり、Bは、金属原子を含むシリコン結晶格子において、金属原子およびシリコン原子を含む第2評価格子が有する第2エネルギー(B)であり、μ1は、ダイヤモンド結晶構造のシリコンの総エネルギーを単位格子内に存在するシリコン原子数で割った化学ポテンシャルであって−5.422の第1定数であり、μ2は、ダイヤモンド結晶構造の炭素の総エネルギーを単位格子内に存在する炭素原子数で割った化学ポテンシャルであって−9.097の第2定数である。 - 前記金属は、上記式(1)で定義される溶解度パラメータ(Csi sol)に対して−0.90<Csi sol<−0.38の値を有する、請求項7に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記金属は、2種以上の金属を含む、請求項7または8に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記金属は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、クロム(Cr)、およびスカンジウム(Sc)を含む群より選択された少なくとも2種を含む、請求項9に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記金属は、前記シリコンの総含有量100重量部を基準として25〜85重量部含まれる、請求項7から10のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記金属は、前記シリコンの総含有量100重量部を基準として60〜70重量部含まれる、請求項11に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記第1評価格子内において、前記金属原子、前記炭素原子、および前記シリコン原子に作用する原子間力が±0.01eV/Å以下である、請求項7から12のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記第2評価格子内において、前記金属原子および前記シリコン原子に作用する原子間力が±0.01eV/Å以下である、請求項7から13のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記第1エネルギーは、
シリコン結晶格子において、シリコン原子を前記金属原子で置換する段階と、
シリコン原子を前記炭素原子で置換して、前記第1評価格子を形成する段階とにより導出される、請求項7から14のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記第2エネルギーは、
シリコン結晶格子において、シリコン原子を前記金属原子で置換して、第2評価格子を形成する段階により導出される、請求項15に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記金属原子は、互いに異なる第1金属原子および第2金属原子を含み、
前記第1金属原子と前記第2金属原子との間の距離は、5Å以下である、請求項16に記載のSiC単結晶の製造方法。 - 前記第1評価格子は、前記炭素原子を基準として半径6Å以内に位置する前記炭素原子、前記シリコン原子、および前記金属原子を含む、請求項15から17のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記第2評価格子は、前記金属原子に隣接して位置するシリコン原子を基準として半径6Å以内に位置するシリコン原子および前記金属原子を含む、請求項16から18のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記第1エネルギー、前記第2エネルギー、前記第1定数、および前記第2定数は、VASPコードを用いた汎密度関数方法(DFT、Density Functional Theory)を用いて導出する、請求項7から19のいずれか一項に記載のSiC単結晶の製造方法。
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EP4130347A1 (en) * | 2021-08-05 | 2023-02-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing sic single crystal |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009184879A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Toyota Motor Corp | p型SiC半導体単結晶の製造方法 |
JP2015110496A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素の結晶成長方法 |
WO2015115543A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
WO2015129876A1 (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-03 | 京セラ株式会社 | 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4179331B2 (ja) | 2006-04-07 | 2008-11-12 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP2008100890A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | SiC単結晶の製造方法 |
JP4811354B2 (ja) | 2007-06-11 | 2011-11-09 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
CN102471927B (zh) | 2009-07-17 | 2016-05-04 | 丰田自动车株式会社 | SiC单晶的制造方法 |
EP2484815B1 (en) | 2009-09-29 | 2014-12-24 | Fuji Electric Co., Ltd. | METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL |
KR101121814B1 (ko) * | 2010-01-25 | 2012-03-21 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 제조방법 |
US10167573B2 (en) | 2010-11-26 | 2019-01-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing SiC single crystal |
JP5273130B2 (ja) | 2010-11-26 | 2013-08-28 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP2013209274A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 周期表第13族金属窒化物結晶 |
JP6046405B2 (ja) | 2012-07-19 | 2016-12-14 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶のインゴット、その製造装置及びその製造方法 |
KR101464563B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2014-11-24 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳, 그 잉곳의 제조 장치 및 방법 |
CN104937148B (zh) | 2013-01-23 | 2019-05-31 | 爱思开矽得荣株式会社 | 单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法 |
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JPWO2015072136A1 (ja) | 2013-11-12 | 2017-03-16 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
PL2881499T3 (pl) * | 2013-12-06 | 2020-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sposób hodowli kryształu węgliku krzemu |
US9732437B2 (en) * | 2014-09-09 | 2017-08-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | SiC single crystal and method for producing same |
WO2016121577A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
WO2016143398A1 (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
KR101887636B1 (ko) | 2015-10-05 | 2018-08-10 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융액에 대한 탄소 용해도 평가 방법 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009184879A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Toyota Motor Corp | p型SiC半導体単結晶の製造方法 |
JP2015110496A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素の結晶成長方法 |
WO2015115543A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
WO2015129876A1 (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-03 | 京セラ株式会社 | 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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