JP2018206911A - Ｎｔｃサーミスタ - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗値のばらつきを抑制する。【解決手段】チップＮＴＣサーミスタ１は、サーミスタ素体２と、対応する端面２ｃ，２ｄに配置された端子電極３，４と、サーミスタ素体２内に配置され、互いに対向する内部電極５，６と、を備え、内部電極５は、端子電極３に電気的に接続されていると共に第三方向Ｚで互いに対向する一対の対向部１２，１２と、一対の対向部１２，１２の間を連結する連結部１３と、を有し、内部電極６は、端子電極４に電気的に接続されている基端部１４と、端子電極３側の先端に位置する先端部１５と、基端部１４と先端部１５との間に延在していると共に幅Ｗ２が離間幅Ｗ１よりも狭い幅狭部１６と、を有し、第一方向Ｘから見て、先端部１５の全体は、一対の対向部１２，１２と連結部１３とに囲まれた領域Ｓに位置しており、且つ、内部電極６は、幅狭部１６において連結部１３に重なっている。【選択図】図４

Description

本発明は、ＮＴＣサーミスタに関する。

一対の主面、一対の端面、及び一対の側面を有するサーミスタ素体と、サーミスタ素体の端面側に形成された一対の端子電極と、サーミスタ素体内に配置され、対応する端子電極に電気的に接続されていると共に一対の主面の対向方向で互いに対向する第一及び第二内部電極と、を備えるＮＴＣサーミスタが知られている（例えば、特許文献１〜３）。

国際公開第２０１５／００８５００号 特開２００３−１２４００７号公報 特開２０１６−５４２２５号公報

上記のようなＮＴＣサーミスタでは、サーミスタ素体内で積層された第一及び第二内部電極の積層ずれが生じることにより、積層方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積が変動する。この変動が抵抗値に影響を及ぼし、抵抗値にばらつきが生じ易いという問題がある。

本発明は、抵抗値のばらつきが抑制されているＮＴＣサーミスタを提供することを目的とする。

本発明に係るＮＴＣサーミスタは、第一方向で互いに対向する一対の主面と、第一方向に直交する第二方向で互いに対向する一対の端面と、第一方向及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向する一対の側面と、を有するサーミスタ素体と、対応する端面に配置された第一及び第二端子電極と、サーミスタ素体内に配置され、第一方向で互いに対向する第一及び第二内部電極と、を備え、第一内部電極は、第一端子電極に電気的に接続されていると共に第三方向で互いに対向する一対の対向部と、一対の対向部の間を連結する連結部と、を有し、第二内部電極は、第二端子電極に電気的に接続されている基端部と、第一端子電極側の先端に位置する先端部と、基端部と先端部との間に延在していると共に第三方向での幅が一対の対向部の第三方向での離間幅よりも狭い幅狭部と、を有し、第一方向から見て、先端部の全体は、一対の対向部と連結部とに囲まれた領域に位置しており、且つ、第二内部電極は、幅狭部において連結部に重なっている。

本発明に係るＮＴＣサーミスタでは、第一方向から見て、第二内部電極が、第一内部電極の連結部に対し幅狭部において重なっている。幅狭部の第三方向での幅は、連結部が連結している一対の対向部の第三方向での離間幅よりも狭くなっており、第一方向から見て、連結幅よりも幅狭の幅狭部が連結部内に入り込んでいる。よって、第一内部電極に対して第二内部電極が第三方向に位置ずれしても、幅狭部が連結部から第三方向にはみ出すおそれが少なく、第一方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積が変動し難くなっている。第一方向から見て、第二内部電極の先端部の全体は、第一内部電極における一対の対向部と連結部とに囲まれた領域に位置している。このため、第二内部電極は、第二方向に第一内部電極を跨いだ状態となっている。これにより、第一内部電極に対して第二内部電極が第二方向に位置ずれしても、第一方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積が変動し難くなっている。以上より、第一及び第二内部電極が第二方向及び第三方向の何れの方向に位置ずれしたとしても、第一方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積の変動が抑制され、その結果、抵抗値のばらつきが抑制されている。

本発明に係るＮＴＣサーミスタは、第一方向で互いに対向する一対の主面と、第一方向に直交する第二方向で互いに対向する一対の端面と、第一方向及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向する一対の側面と、を有するサーミスタ素体と、対応する端面に配置された第一及び第二端子電極と、サーミスタ素体内に配置され、対応する第一及び第二端子電極に電気的に接続されていると共に、第一方向で互いに対向する第一及び第二内部電極と、を備え、第一内部電極は、導体部と、導体部の内側に形成された開口部と、を有し、第二内部電極は、第三方向での幅が開口部の第三方向での幅よりも狭い幅狭部と、幅狭部に連結されていると共に第二端子電極側の先端に位置する先端部と、を有し、第一方向から見て、先端部の全体が開口部の中に位置しており、且つ、第二内部電極は、幅狭部において導体部に重なっている。

本発明に係るＮＴＣサーミスタでは、第一方向から見て、第二内部電極が、第一内部電極の導体部に対し幅狭部において重なっている。幅狭部の第三方向での幅は、第一内部電極の導体部よりも内側に形成された開口部の第三方向での幅よりも狭くなっており、第一方向から見て、導体部よりも幅狭の幅狭部が導体部内に入り込んでいる。よって、第一内部電極に対して第二内部電極が第三方向に位置ずれしても、幅狭部が導体部から第三方向にはみ出すおそれが少なく、第一方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積が変動し難くなっている。第一方向から見て、第二内部電極の先端部の全体は、第一内部電極における開口部の中に位置している。このため、第二内部電極は、第二方向に第一内部電極を跨いだ状態となっている。これにより、第一内部電極に対して第二内部電極が第二方向に位置ずれしても、第一方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積が変動し難くなっている。以上より、第一及び第二内部電極が第二方向及び第三方向の何れの方向に位置ずれしたとしても、第一方向から見て第一内部電極と第二内部電極とが互いに重なり合う領域の面積の変動が抑制され、その結果、抵抗値のばらつきが抑制されている。

本発明によれば、抵抗値のばらつきが抑制されているＮＴＣサーミスタを提供することができる。

実施形態に係るチップＮＴＣサーミスタの斜視図である。 図１のチップＮＴＣサーミスタの断面図である。 図１のチップＮＴＣサーミスタの断面図である。 図１に示すサーミスタ素体内に含まれる内部電極の平面図である。 変形例に係るチップＮＴＣサーミスタの斜視図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

まず、図１〜図４を参照して、本実施形態に係るチップＮＴＣ（NegativeTemperature Coefficient）サーミスタ１について説明する。図１は、実施形態に係るチップＮＴＣサーミスタ１の斜視図である。図２は、図１に示すII−II線に沿ったチップＮＴＣサーミスタ１の断面図である。図３は、図１に示すIII-III線に沿ったチップＮＴＣサーミスタ１の断面図である。図４は、図１に示すサーミスタ素体２内に含まれる内部電極５，６を示す平面図である。

図１〜図４に示されるように、チップＮＴＣサーミスタ１は、サーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の外表面に配置された一対の端子電極３，４と、サーミスタ素体２内に配置された内部電極５，６と、を備えている。チップＮＴＣサーミスタ１は、積層型ＮＴＣサーミスタであり、温度の上昇に対して抵抗が減少する（負の温度係数を有する）サーミスタである。

サーミスタ素体２は、略直方体形状を呈している。なお、略直方体形状は、直方体形状だけでなく、例えば直方体形状の角が丸められた形状等も含む。以下、サーミスタ素体２の厚さ方向を第一方向Ｘ、サーミスタ素体２の長さ方向を第二方向Ｙ、及びサーミスタ素体２の幅方向を第三方向Ｚとして説明を行う。第一方向Ｘ、第二方向Ｙ、及び第三方向Ｚは、互いに直交している。

サーミスタ素体２は、外表面として、一対の主面２ａ，２ｂと、一対の端面２ｃ，２ｄと、一対の側面２ｅ，２ｆと、を有している。一対の主面２ａ，２ｂは、略長方形状を呈し、第一方向Ｘで互いに対向している。一対の端面２ｃ，２ｄは、略長方形状を呈し、第二方向Ｙで互いに対向している。一対の側面２ｅ，２ｆは、略長方形状を呈し、第三方向Ｚで互いに直交している。なお、略長方形状とは、長方形状だけでなく、例えば長方形状の角が丸められた形状等も含む。

サーミスタ素体２は、第一方向Ｘに積層された複数のサーミスタ層２１を有している。複数のサーミスタ層２１は、互いに間の境界が視認できない程度に一体化されてサーミスタ素体２を構成している。サーミスタ層２１は、ＮＴＣサーミスタとして機能し得るＮＴＣサーミスタ材料により構成されている。サーミスタ層２１は、例えば、主成分としてＭｎ、Ｎｉ及びＣｏの各金属酸化物を含んだセラミックスから形成されている。サーミスタ層２１は、主成分であるＭｎ、Ｎｉ及びＣｏの各金属酸化物の他に、特性（抵抗変化率）の調整のために、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＺｒ等を副成分として含んでいてもよい。サーミスタ層２１は、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｏの各金属酸化物に代えて、Ｍｎ及びＮｉの各金属酸化物、またはＭｎ及びＣｏの各金属酸化物から形成されていてもよい。サーミスタ層２１は、所定のＢ定数を有している。

端子電極３（第一端子電極）は、サーミスタ素体２の端面２ｃに配置されている。端子電極３は、端面２ｃの全体と、主面２ａ，２ｂ及び側面２ｅ，２ｆのそれぞれにおける端面２ｃ側の各部分と、を覆うように形成されている。すなわち、端子電極３は、電極部分３ａ〜３ｅを有している。電極部分３ａは、端子電極３のうち端面２ｃの全面に位置する部分である。電極部分３ｂは、端子電極３のうち主面２ａの端面２ｃ側の端部に位置する部分である。電極部分３ｃは、端子電極３のうち主面２ｂの端面２ｃ側の端部に位置する部分である。電極部分３ｄは、端子電極３のうち側面２ｅの端面２ｃ側の端部に位置する部分である。電極部分３ｅは、端子電極３のうち側面２ｆの端面２ｃ側の端部に位置する部分である。

端子電極４（第二端子電極）は、サーミスタ素体２の端面２ｄに配置されている。端子電極４は、端面２ｄの全体と、主面２ａ，２ｂ及び側面２ｅ，２ｆのそれぞれにおける端面２ｄ側の各部分と、を覆うように形成されている。すなわち、端子電極４は、電極部分４ａ〜４ｅを有している。電極部分４ａは、端子電極４のうち端面２ｄの全面に位置する部分である。電極部分４ｂは、端子電極４のうち主面２ａの端面２ｄ側の端部に位置する部分である。電極部分４ｃは、端子電極４のうち主面２ｂの端面２ｄ側の端部に位置する部分である。電極部分４ｄは、端子電極４のうち側面２ｅの端面２ｄ側の端部に位置する部分である。電極部分４ｅは、端子電極４のうち側面２ｆの端面２ｄ側の端部に位置する部分である。

端子電極３，４は、互いに同形状である。端子電極３，４は、例えばＡｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属及びこれらの合金であってもよく、Ｃｕ、Ｎｉ等の卑金属及びこれらの合金であってもよい。端子電極３，４は、ガラス成分を含んでいてもよい。ガラス成分の含有量は、例えば１０重量％以下である。端子電極３，４は、はんだによる表面実装を容易とするために、表面にＮｉメッキ層及びＳｎメッキ層を有していてもよい。

内部電極５，６は、サーミスタ層２１間に配置されている。内部電極５，６は、端子電極３，４と同様に、例えばＡｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属及びこれらの合金であってもよく、Ｃｕ、Ｎｉ等の卑金属及びこれらの合金であってもよい。

内部電極５（第一内部電極）は、端子電極３に電気的に接続されている。内部電極５は、略矩形形状の外形及び内形を有する矩形環状を呈している。略矩形状とは、矩形状だけでなく、例えば矩形状の角が丸められた形状等も含む。

内部電極５の外形は、側面２ｅに沿った辺５ａと、端面２ｄに沿った辺５ｂと、側面２ｆに沿った辺５ｃと、端面２ｃの一部と、で区画されている。辺５ａと辺５ｂとが交差する外角部Ｒ１、及び、辺５ｂと辺５ｃとが交差する外角部Ｒ２は、それぞれ丸められている。すなわち、内部電極５は、角部として、第一方向Ｘから見て丸みを帯びた外角部Ｒ１，Ｒ２を有している。

内部電極５の内形は、側面２ｅに沿うと共に辺５ａよりも内側の辺５ｄと、端面２ｄに沿うと共に辺５ｂよりも内側の辺５ｅと、側面２ｆに沿うと共に辺５ｃよりも内側の辺５ｆと、端面２ｃに沿った辺５ｇと、で区画されている。辺５ｄと辺５ｅとが交差する内角部Ｒ３、辺５ｅと辺５ｆとが交差する内角部Ｒ４、辺５ｆと辺５ｇとが交差する内角部Ｒ５、及び、辺５ｇと辺５ｄとが交差する内角部Ｒ６は、それぞれ丸められている。すなわち、内部電極５は、角部として、第一方向Ｘから見て丸みを帯びた内角部Ｒ３〜Ｒ６を有している。

内部電極５は、導体部１０と、導体部１０の内側に形成された開口部１０ａと、を有している。導体部１０は、互いに一体的に形成された、基端部１１、一対の対向部１２，１２、及び連結部１３を有している。

基端部１１は、導体部１０のうち、端子電極３側に位置した部分である。基端部１１は、端面２ｃに露出して端子電極３に直接接続されている。一対の対向部１２，１２は、導体部１０のうち、基端部１１と連結部１３との間に位置した部分である。一対の対向部１２，１２は、基端部１１から端面２ｄ側に向かって第二方向Ｙに延び、第三方向Ｚで互いに対向している。各対向部１２は、基端部１１を介して端子電極３に電気的に接続されている。各対向部１２の第三方向Ｚでの幅は、基端部１１の第三方向Ｚでの幅よりも狭くなっている。一対の対向部１２，１２は、第三方向Ｚでの離間幅Ｗ１だけ互いに離間している。一対の対向部１２の離間幅Ｗ１は、開口部１０ａの第三方向Ｚでの幅に等しい。連結部１３は、導体部１０のうち、端子電極４側に位置した先端部分である。連結部１３は、一対の対向部１２，１２の間において第三方向Ｚに延びて、一対の対向部１２，１２の間を連結している。

内部電極６（第二内部電極）は、端子電極４に電気的に接続されている。内部電極６は、略矩形状を呈している。略矩形状とは、矩形状だけでなく、例えば矩形状の角が丸められた形状等も含む。

内部電極６の外形は、側面２ｅに沿った辺６ａと、端面２ｃに沿った辺６ｂと、側面２ｆに沿った辺６ｃと、端面２ｄの一部と、で区画されている。辺６ａと辺６ｂとが交差する外角部Ｒ７、及び、辺６ｂと辺６ｃとが交差する外角部Ｒ８は、それぞれ丸められている。すなわち、内部電極６は、角部として、第一方向Ｘから見て丸みを帯びた外角部Ｒ７，Ｒ８を有している。

内部電極６は、互いに一体的に形成された、基端部１４、先端部１５、及び幅狭部１６を有している。基端部１４は、内部電極６のうち、端子電極４側に位置した部分である。基端部１４は、端面２ｄに露出して端子電極４に直接接続されている。基端部１４は、第二方向で端面２ｄと辺５ｂとの間に延びている。基端部１４は、第三方向Ｚで離間幅Ｗ１よりも狭い幅を有している。

先端部１５は、内部電極６のうち、端子電極３側の先端に位置した部分である。先端部１５は、幅狭部１６に連結されていると共に、辺５ｅよりも端子電極３側の開口部１０ａ内に延びている。先端部１５は、基端部１４と略同じ幅、すなわち第三方向Ｚで離間幅Ｗ１よりも狭い幅を有している。第一方向から見て、先端部１５の全体が、開口部１０ａの中に位置している。換言すると、先端部１５の全体が、一対の対向部１２，１２と連結部１３とに囲まれる領域Ｓに位置している。本実施形態において、領域Ｓは、辺５ｄ〜５ｇで区画された開口部１０ａ内の領域であり、一対の対向部１２，１２及び連結部１３に加えて、基端部１１で囲まれている。領域Ｓは、サーミスタ層２１で充填されている。

幅狭部１６は、内部電極６のうち、基端部１４と先端部１５との間に延在する部分である。幅狭部１６は、第一方向Ｘから見て、連結部１３に重なっている。すなわち、内部電極６は、第一方向Ｘから見て、幅狭部１６において内部電極５の連結部１３に重なっている。幅狭部１６は、基端部１４及び先端部１５と略同じ幅、すなわち第三方向Ｚで離間幅Ｗ１よりも狭い幅Ｗ２を有している。幅狭部１６は、第一方向Ｘから見て連結部１３よりも内側に位置している。

内部電極５と内部電極６とは、第一方向Ｘから見て、幅狭部１６と連結部１３とが重なり合う重なり領域Ｂ（以下、単に「重なり領域Ｂ」という。）でのみ互いに重なり合っている。すなわち、内部電極６は、第一方向Ｘから見て、内部電極５における連結部１３以外の部分である一対の対向部１２，１２及び基端部１１には重なっていない。重なり領域Ｂは、内部電極５の辺５ｂ及び辺５ｅと、内部電極６の辺６ａ及び辺６ｃと、で区画されている。

サーミスタ素体２は、サーミスタ素体２において第一方向Ｘで内部電極５と内部電極６とに挟まれた部分に、特性部Ａを有している。特性部Ａは、チップＮＴＣサーミスタ１としての特性を発揮する部分である。チップＮＴＣサーミスタ１は、特性部Ａの抵抗値の温度変化を利用することにより、ＮＴＣサーミスタとして機能する。本実施形態において、チップＮＴＣサーミスタ１は、二つの内部電極５及び一つの内部電極６を備え、サーミスタ素体２は、二つの特性部Ａを有している。特性部Ａは、第一方向Ｘから見て、重なり領域Ｂに形成されている。

続いて、従来のチップＮＴＣサーミスタと比較して、本実施形態のチップＮＴＣサーミスタ１の作用効果を説明する。従来のチップＮＴＣサーミスタでは、サーミスタ素体内で積層された複数の内部電極の積層ずれが生じることにより、積層方向から見て複数の内部電極が互いに重なり合う領域の面積が変動する。この変動が抵抗値に影響を及ぼし、抵抗値にばらつきが生じ易いという問題がある。

これに対し、本実施形態に係るチップＮＴＣサーミスタ１によれば、第一方向Ｘから見て、内部電極６が、内部電極５の連結部１３に対し幅狭部１６において重なっている。幅狭部１６の幅Ｗ２は、離間幅Ｗ１よりも狭くなっており、第一方向Ｘから見て、連結部１３よりも幅狭の幅狭部１６が連結部１３内に入り込んでいる。よって、内部電極５に対して内部電極６が第三方向Ｚに位置ずれしても、幅狭部１６が連結部１３から第三方向Ｚにはみ出すおそれが少なく、重なり領域Ｂの面積が変動し難くなっている。第一方向Ｘから見て、内部電極６の先端部１５の全体は、領域Ｓに位置している。このため、内部電極６は、第二方向Ｙに内部電極５を跨いだ状態となっている。これにより、内部電極５に対して内部電極６が第二方向Ｙに位置ずれしても、重なり領域Ｂの面積が変動し難くなっている。以上より、内部電極５，６が第二方向Ｙ及び第三方向Ｚの何れの方向に位置ずれしたとしても、重なり領域Ｂの面積の変動が抑制されている。第一方向Ｘから見て、サーミスタ素体２の特性部Ａは、このような面積の変動が抑制された重なり領域Ｂに形成されている。その結果、チップＮＴＣサーミスタ１における抵抗値のばらつきが抑制されている。

チップＮＴＣサーミスタ１によれば、第一方向Ｘから見て、内部電極６は、一対の対向部１２，１２に重なっていないため、重なり領域Ｂの面積の変動が確実に抑制されている。

チップＮＴＣサーミスタ１によれば、領域Ｓがサーミスタ層２１で充填されているため、サーミスタ素体２内での空孔（充填欠陥）の発生が抑制されている。

チップＮＴＣサーミスタ１によれば、内部電極５が角部として丸みを帯びた外角部Ｒ１，Ｒ２及び内角部Ｒ３〜Ｒ６を有し、内部電極６が角部として丸みを帯びた外角部Ｒ７，Ｒ８を有しているため、これらの角部の領域に電界分布が集中し難くなっている。その結果、これらの角部の領域で放電が発生して絶縁状態が破壊されるおそれが抑制されている。

チップＮＴＣサーミスタ１によれば、重なり領域Ｂが、内部電極５の辺５ｂ及び辺５ｅと、内部電極６の辺６ａ及び辺６ｃと、で区画されている。例えば内部電極５，６の外角部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ７，Ｒ８等の面積欠損がある箇所ではなく、直線性のある箇所で重なり領域Ｂが形成されているため、重なり領域Ｂの面積の変動がより確実に抑制されている。

図５は、変形例に係るチップＮＴＣサーミスタ１Ａの斜視図である。変形例に係るチップＮＴＣサーミスタ１Ａは、チップＮＴＣサーミスタ１と同様の要素や構造を備えており、サーミスタ素体２の厚みが厚くなっている点で、チップＮＴＣサーミスタ１と相違する。チップＮＴＣサーミスタ１Ａでは、内部電極５，６の間のサーミスタ層２１の厚みが厚いため、厚み変動による抵抗値への影響が小さくなっている。

以上、本発明の種々の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他に適用したものであってもよい。

上記実施形態では、内部電極５が基端部１１を有しており、対向部１２が基端部１１を介して端子電極３に電気的に接続されているとしたが、これに限られない。例えば、内部電極５は、基端部１１を有していなくてもよく、対向部１２は、端面２ｃに露出して端子電極３に直接接続されることによって端子電極３に電気的に接続されていてもよい。

上記実施形態では、内部電極６の基端部１４は、端面２ｄに露出して端子電極４に直接接続されているが、これに限られず、端子電極４に電気的に接続されていればよい。すなわち、内部電極６の基端部１４は、端子電極４に間接的に接続されていてもよい。

内部電極６の先端部１５が位置する領域Ｓは、少なくとも一対の対向部１２，１２と連結部１３とに囲まれた領域であればよい。例えば、内部電極５が基端部１１を有しておらず各対向部１２が端面２ｃに露出して端子電極３に直接接続されている場合には、領域Ｓは、辺５ｄ〜５ｆと端面２ｃの一部とで区画された領域、すなわち、第一方向Ｘから見て、一対の対向部１２，１２と、連結部１３と、端面２ｃとで囲まれた領域であってもよい。

１，１Ａ…チップＮＴＣサーミスタ、２…サーミスタ素体、２ａ，２ｂ…主面、２ｃ，２ｄ…端面、２ｅ，２ｆ…側面、３，４…端子電極、５，６…内部電極、１０…導体部、１０ａ…開口部、１２…対向部、１３…連結部、１４…基端部、１５…先端部、１６…幅狭部、２１…サーミスタ層、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ７，Ｒ８…外角部、Ｒ３〜Ｒ６…内角部、Ｗ１…離間幅、Ｗ２…幅、Ｓ…領域。

Claims (5)

1. 第一方向で互いに対向する一対の主面と、前記第一方向に直交する第二方向で互いに対向する一対の端面と、前記第一方向及び前記第二方向に直交する第三方向で互いに対向する一対の側面と、を有するサーミスタ素体と、
   対応する前記端面に配置された第一及び第二端子電極と、
   前記サーミスタ素体内に配置され、前記第一方向で互いに対向する第一及び第二内部電極と、を備え、
   前記第一内部電極は、前記第一端子電極に電気的に接続されていると共に前記第三方向で互いに対向する一対の対向部と、前記一対の対向部の間を連結する連結部と、を有し、
   前記第二内部電極は、前記第二端子電極に電気的に接続されている基端部と、前記第一端子電極側の先端に位置する先端部と、前記基端部と前記先端部との間に延在していると共に前記第三方向での幅が前記一対の対向部の前記第三方向での離間幅よりも狭い幅狭部と、を有し、
   前記第一方向から見て、前記先端部の全体は、前記一対の対向部と前記連結部とに囲まれた領域に位置しており、且つ、前記第二内部電極は、前記幅狭部において前記連結部に重なっている、ＮＴＣサーミスタ。
2. 前記第一方向から見て、前記第二内部電極は、前記一対の対向部に重なっていない、請求項１に記載のＮＴＣサーミスタ。
3. 前記サーミスタ素体は、前記第一方向に積層された複数のサーミスタ層を有し、
   前記領域は、前記サーミスタ層で充填されている、請求項１又は２に記載のＮＴＣサーミスタ。
4. 前記第一及び第二内部電極は、丸みを帯びた角部を有している、請求項１〜３の何れか一項に記載のＮＴＣサーミスタ。
5. 第一方向で互いに対向する一対の主面と、前記第一方向に直交する第二方向で互いに対向する一対の端面と、前記第一方向及び前記第二方向に直交する第三方向で互いに対向する一対の側面と、を有するサーミスタ素体と、
   対応する前記端面に配置された第一及び第二端子電極と、
   前記サーミスタ素体内に配置され、対応する前記第一及び第二端子電極に電気的に接続されていると共に、前記第一方向で互いに対向する第一及び第二内部電極と、を備え、
   前記第一内部電極は、導体部と、前記導体部の内側に形成された開口部と、を有し、
   前記第二内部電極は、前記第三方向での幅が前記開口部の前記第三方向での幅よりも狭い幅狭部と、前記幅狭部に連結されていると共に前記第二端子電極側の先端に位置する先端部と、を有し、
   前記第一方向から見て、前記先端部の全体が前記開口部の中に位置しており、且つ、前記第二内部電極は、前記幅狭部において前記導体部に重なっている、ＮＴＣサーミスタ。

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